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Unidad Temtica X

Introduccin al estado slido


Contenido
Estructura cristalina. Teora de bandas. Nivel de Fermi. Aisladores, conductores y
semiconductores. Junturas. Defectos cristalinos. Diodos y transistores. Circuitos amplificadores.
Circuitos osciladores.
Objetivos de la Unidad
Que el alumno logre:

Comprender el modelo de Bandas de Energa en slidos.

Reconocer las limitaciones del mismo.

Aplicarlo para explicar el comportamiento elctrico de los materiales.

Diferenciar semiconductores puros e impuros.

Interpretar el comportamiento elctrico de una juntura

Comprender el funcionamiento del diodo y los diferentes tipos de transistores.

Esquematizar circuitos amplificadores y osciladores bsicos, describir y analizar su


funcionamiento

Bibliografa bsica.

FISICA CLASICA Y MODERNA. W. Gettys, F. Keller y Skove M. McGraw Hill

CURSO DE FISICA COU. Pea Sainz y Garzo Prez. Ed. Mc. Graw Hill

FISICA. VOLUMEN III: FUNDAMENTOS CUANTICOS Y ESTADISTICOS. M. Alonso y


E. Finn. Fondo Educativo Sudamericano S.A.

Introduccin.

Desde el punto de vista de la conduccin elctrica podemos clasificar a los materiales en


conductores, semiconductores y aislantes o dielctricos.
Conductores tpicos: Aluminio (Al), Cobre (Cu), Plata (Ag), Wolframio (W), etc.
(metales). Su resistividad es ~ 10-8 ohm-m.
Aislantes tpicos: Cuarzo. Su resistividad es ~ 7,5 1017 ohm-m.
Semiconductores tpicos: Germanio (Ge), Silicio (Si).

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El comportamiento elctrico de estos materiales puede explicarse mediante la Teora de


Bandas.

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Cuando consideramos tomos aislados, o tan alejados unos de otros tal que no sea apreciable la
interaccin entre ellos, los electrones corticales estn distribuidos energticamente segn valores
discretos que vienen determinados por las soluciones de la ecuacin fundamental de la Mecnica
Cuntica que es la Ecuacin de Schrdinger. A cada electrn cortical corresponden 4 nmeros
denominados nmeros cunticos: n , l , m l y m s . El nmero cuntico n determina el nivel
energtico o lo que es lo mismo su mayor o menor alejamiento del ncleo. La energa de ligadura
de los electrones es negativa (hay que aportar energa para desligarlos del tomo) y mayor
energa equivale a ms alejamiento del ncleo. As pues, los electrones slo pueden poseer unos
niveles energticos determinados, y cualquier otra energa estara "prohibida". Este modelo de
niveles de energa discretos, est de acuerdo con las observaciones sobre emisin y absorcin en
de luz en gases incandescentes, donde se observan espectros discretos.
En un slido cristalino existe una distribucin regular de tomos en el espacio, que constituye la
llamada red cristalina. En algunos slidos esta distribucin regular se manifiesta
macroscpicamente en formas geomtricas llamadas cristales, (cuarzo, diamante, etc).
En los slidos cristalinos, las interacciones entre los tomos de la red hacen que el
problema de la distribucin energtica de los electrones sea muchsimo ms complicado que en
un tomo aislado. Cuando tomos individuales conforman una red cristalina, sus niveles e energa
se agrupan formando bandas mas o menos estrechas.
Consideremos tomos de sodio (Na), que tiene un nico electrn de valencia en la capa 3s

E
3s

E
3s

3s

3s
3s
........
tomo1 tomo2 tomo3 ......... ......... .......
Atomos aislados

Banda de Energa
Atomos en red cristalina

Figura 1
Para una gran cantidad de tomos y diferentes niveles de energa se forman varias bandas
en las cuales los niveles se distribuyen en forma casi continua (Figura 1). Entre las bandas
existen regiones en donde no hay estados (niveles), llamadas bandas prohibidas. (Figura 2). Las
bandas pueden solaparse (Figura 3). Las propiedades elctricas de un slido dependen de la
disposicin de las bandas de energa (permitidas) y de las bandas de energa prohibidas. A esta
forma de describir a los electrones en un slido se la denomina Teora de Bandas.

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Figura 2

Figura 3

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Consideremos una sustancia con una estructura de bandas sencilla como la de la Figura 4,
e imaginemos que llenamos las bandas con los electrones disponibles siguiendo el Principio de
Pauli: en un mismo tomo no pueden existir dos electrones con los mismos nmeros cunticos. El
ltimo nivel ocupado a T=0K se denomina nivel de Fermi.

Figura 4

Figura 5

La parte ocupada de la banda de energa permitida se denomina Banda de Valencia, y la


vaca (pero permitida) Banda de Conduccin. A temperatura ambiente como consecuencia de la
agitacin trmica pueden saltar electrones de la banda de valencia a la banda de conduccin. Al
aplicar un campo elctrico exterior los electrones se desplazan dando lugar a la corriente
elctrica. Los conductores presentan este tipo de disposicin de bandas.
En los aislantes, (Figura 5) aunque se establezca campo externo no hay circulacin de
electrones, pues todos ellos estn confinados en la banda de valencia llena, en contacto con una
ancha banda prohibida, de modo que la agitacin trmica no puede lograr que salten a la banda
de conduccin vaca.
En los semiconductores la disposicin es similar, pero el ancho de la banda prohibida es
pequeo, de modo que por calentamiento algunos electrones pasan a la banda de conduccin,
dejando vacancias (huecos) en la banda de valencia. Al establecer un campo elctrico los
electrones se mueven dando lugar a una corriente elctrica en la banda de conduccin, pero
tambin se produce una corriente en la banda de valencia debido al faltante de electrones. Se
trata de una corriente en sentido contrario, ya que la ausencia de un electrn (hueco) se
comporta como una carga positiva. En los semiconductores los electrones de conduccin ocupan
la banda de conduccin y los huecos la banda de valencia.
Los elementos semiconductores tpicos son los del Grupo IV de la tabla peridica. Tienen
cuatro electrones en la banda de valencia.
El ancho de la banda prohibida para el silicio (semiconductor) es de 1 eV, en cambio para
el diamante es de 6 eV (aislante).
Existen dos tipos de semiconductores: puros o intrnsecos e impuros o extrnsecos.
Semiconductores puros. A T=0K todos los electrones estn en la banda de valencia y
ninguno en la banda de conduccin. A temperaturas ms altas algunos electrones pasan a la
banda de conduccin dejando el correspondiente hueco en la de valencia. Ambos son portadores
de carga, y la concentracin de portadores solo depende de las propiedades del material. Por esta
razn el Material y la conduccin que soporta se denominan intrnsecos. La resistividad disminuye
al aumentar T. El nmero de portadores negativos en la banda de conduccin es igual al de
portadores positivos en la de banda valencia.

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Semiconductores impuros. Los dispositivos semiconductores utilizados en todos los


aparatos electrnicos (PCs, TV, etc) utilizan materiales semiconductores extrnsecos dado que las
corrientes que se pueden obtener en los semiconductores puros son muy bajas. Al material
semiconductor puro se le adicionan impurezas en forma controlada, de manera de conseguir las
caractersticas de funcionamiento deseadas. Se dice que estn dopados con impurezas.
Hay dos tipos de impurezas, las pertenecientes al Grupo III de la Tabla Peridica
denominados aceptores (Ej: aluminio, Boro, Galio) y los del Grupo V denominados dadores o
donadores (ej: Arsnico, Antimonio, Fsforo).
Las impurezas donadoras con cinco electrones en la banda de valencia, aaden electrones
adicionales, y como la mayora de los portadores son electrones (Negativos), el material se
denomina tipo N.
Las impurezas aceptoras con tres electrones, prximas a la banda de valencia, reciben
electrones del semiconductor, creando huecos (Positivos)en la banda de valencia, por lo que
estos son mayora, y el material se denomina tipo P.
A partir de la estructura de bandas podemos visualizar como las impurezas dan lugar a
semiconductores tipo N o tipo P.

Figura 6

Figura 7

En el tipo N los niveles de energa de la impureza donadora (Figura 6) estn muy prximos
a la banda de conduccin vaca, de manera que al ser excitados pasan fcilmente a la misma.
En el tipo P los niveles de energa de las impurezas aceptoras (localizados en la banda
prohibida) estn muy prximos a la banda de valencia llena (Figura 7), y capturan fcilmente
electrones de la banda de valencia creando huecos en ella, aumentando el nmero de huecos.
Para producir cambios significativos en la conductividad de un semiconductor solo se necesita
tener en el orden de un tomo de impureza por cada milln de tomos del semiconductor.
El diodo de unin P-N
La unin de un semiconductor tipo P, con exceso de huecos, con un semiconductor tipo N,
con exceso de electrones, dentro de la misma estructura cristalina recibe el nombre de unin P-N
o diodo. Consideremos dos muestras del mismo tipo de semiconductor, una del tipo P y la otra
del tipo N (Fig.8-a). Al ponerlas en contacto se produce una difusin o flujo de huecos de derecha
a izquierda y un flujo de electrones de izquierda a derecha. Este doble flujo da lugar a una doble
capa de cargas positivas y negativas a ambos lados de la unin (Fig.8-b1), establecindose una
diferencia de potencial a travs de la unin, como se grafica en la Fig.8-b2. Esta diferencia de
potencial, denominada Potencial de contacto, al alcanzarse el equilibrio se opone al flujo de
huecos y electrones a travs de la unin. De aqu en ms centraremos nuestra atencin en los

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huecos (para los electrones la situacin es semejante y opuesta). Debido a la recombinacin de


huecos y electrones en la zona N, en nmero de huecos tiende a disminuir, lo que permite que
una pequea corriente I1 fluya continuamente desde la zona P a la N. Al mismo tiempo debido a
la excitacin trmica en la zona N se producen pares hueco-electrn, y estoa huecos pueden fluir
a travs de la unin a la zona P, creando una corriente I2. En el equilibrio ambas corrientes son
idnticas I2 = I2.
Si polarizamos el diodo en forma directa (Figura8-c1), con el lado P conectado al terminal
positivo y el N al negativo, la deferencia de potencial a travs de la juntura disminuye (Figura 8c2). Esto permite una mayor corriente I1 hacia la izquierda. La corriente I2 hacia la derecha,
generada trmicamente no cambia. Tenemos entonces una corriente neta de huecos (I1 I2) a
travs de la unin, hacia la izquierda, corriente que aumenta rpidamente con el aumento de V,
debido al mayor suministro de huecos desde P. Si polarizamos el diodo en forma inversa (Figura
8-d1), la diferencia de potencial a travs de la juntura aumenta. Como consecuencia I1
disminuye, no variando sustancialmente I2, ya que la fuente de huecos del lado N esta limitada
por la temperatura. Existir entonces una corriente neta hacia la izquierda que tender al valor I2
cuando el potencial V aplicado aumenta.

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Figura 9

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En la Figura 9 se representan esquemticamente los dos circuitos de polarizacin. La


flecha corresponde a la zona P y la barra vertical a la zona N.
La corriente depende del potencial externo segn la expresin

I = I1 I2 = I2
I2
e
k
T

eV
(e kT

1)

Ecuacin de Schockley, donde

: corriente de saturacin
: carga del electrn
: constante de Boltzman
: Temperatura absoluta de funcionamiento en K

Si V es tal que q V >> k T entonces la corriente es (aproximacin valida si V 200mV )

I = I2

qV
e kT

Si la polarizacin de la juntura es inversa (Figura 8-d1), no solo no se favorece la


circulacin de corriente, sino que se la dificulta reforzando la accin del potencial de contacto.
Tenemos en este caso para la corriente (V negativo)

I = I2 (1 e
Si

V es tal que q V >> k T

qV
kT

=> exponencial => 0, y nos queda I = I2 .

Figura 10
A partir del momento en que se establece la tensin negativa la corriente se invierte. Si V
aumenta en valor absoluto (se hace ms negativa), aumenta la corriente en sentido contrario,
hasta que para valores de V que verifican la aproximacin anterior la corriente se estabiliza en el
valor I2 . A partir de all si aumentamos el valor absoluto de V , la corriente sigue teniendo el
mismo valor I2 . (Figura 10)

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SIMBOLO DE UN DIODO SEMICONDUCTOR

Estructura

Smbolo grfico
El material tipo P recibe el nombre de nodo.
El material tipo N recibe el nombre de ctodo

La flecha indica el sentido convencional de la corriente.


Limitaciones de los diodos reales.
Tanto en sentido directo como en sentido inverso, en el diodo se produce una disipacin de
energa calorfica, que eleva la temperatura de la unin por encima de la temperatura ambiente.
A su vez hay una cesin de calor desde el diodo al ambiente. La temperatura alcanzada por la
unin se puede cuantificar de forma aproximada por una expresin como esta:

T = Ta + ( I V )

I la intensidad que circula por el diodo, V la diferencia de


potencial entre los extremos del diodo y es la llamada resistencia trmica del diodo. Esta
depender de las facilidades del circuito para refrigerarse: cuanto menor sea , ms potencia
donde Ta es la temperatura ambiente,

podr disipar el diodo sin calentarse peligrosamente. Por lo tanto en polarizacin directa habr
una intensidad Imax , que no deber sobrepasarse para no alcanzar una temperatura excesiva (175
a 200 C). En sentido inverso, la intensidad es muy pequea ( I0 ), pero crece con la temperatura y
si se sobrepasa un cierto valor Vmax de d.d.p., puede producirse un efecto de inestabilidad
trmica realimentado que acabe quemando el diodo. Estos efectos y otros que veremos a
continuacin no estn descritos por ninguno de los modelos simplificados que hemos visto
anteriormente.
En polarizacin inversa puede presentarse el llamado efecto avalancha: si la tensin inversa
aplicada alcanza un determinado valor, el campo elctrico puede acelerar los pocos electrones
libres de la zona de deplecin, que, a su vez, pueden arrancar por colisin electrones de valencia.
Estos son a su vez acelerados alcanzando gran velocidad y siendo capaces de colisionar y
arrancar nuevos electrones. Por lo tanto se llega a producir una avalancha de corriente inversa,
que en los diodos ordinarios producira probablemente una excesiva elevacin de la temperatura
y su avera.
Tipos de diodos.

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Adems del diodo ordinario, que respondera tendra un comportamiento descrito


aproximadamente por uno de los modelos de la Figuras 11, determinadas variantes de diodos de

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unin presentan en algunas circunstancias comportamientos singulares, que pueden


aprovecharse en ciertas aplicaciones electrnicas. As tenemos una amplia gama de diodos:
Diodos ordinarios
Fotodiodos PIN y APD de avalancha
Diodos Zenner
Diodos tnel
Diodos emisores de luz LED
Diodos o clulas fotovoltaicas
- Diodos ordinarios: se aprovecha su comportamiento de casi cortocircuito en sentido directo y
casi circuito abierto en inverso. Son tiles por lo tanto, entre otros, en circuitos rectificadores
(conversores de c.a. en c.c.), en circuitos digitales (matrices de diodos).
- Fotodiodos PIN y APD de avalancha: son diodos que trabajan en polarizacin inversa. A
travs de fibra ptica pueden recibir impulsos luminosos, de forma que, antes de recibir tal
impulso, el nmero de electrones libres en la zona de deplecin no es suficiente para
desencadenar la avalancha (el fotodiodo no conduce). Al llegar el impulso luminosos, los fotones
liberan electrones y se desencadena la avalancha (el fotodiodo conduce). Naturalmente, estos
diodos estn diseados para soportar sin dao la avalancha.
- Diodos Zenner: son diodos que trabajan tambin con polarizacin inversa. Esta produce en
parte un efecto de avalancha, pero adems hay un paso de portadores por efecto tnel.
Este efecto, de manera algo simplista, consiste en lo siguiente: supongamos que una partcula
cargada se mueve hacia una regin en la que hay una barrera de potencial de altura V. La
energa cintica inicial de la carga es Ec; cuando entra en la barrera de potencial parte de su
energa cintica (1/2 mv2) se va transformando en energa potencial, lo que implica, segn la
Fsica Clsica, que la energa cintica, o lo que es lo mismo, la velocidad disminuye. Si qV>Ec , la
partcula llegar a pararse, es decir, no podr atravesar la regin. El razonamiento anterior es
correcto segn la Fsica Newtoniana y la conclusin es que no hay efecto tnel.
La Mecnica Cuntica explica el fenmeno
de forma totalmente distinta: la partcula es
considerada
no
como
un
corpsculo
localizado, sino como una onda (funcin de
onda), cuya amplitud representara una
probabilidad de localizacin. Cuando la
partcula-onda alcanza la barrera de potencial
en parte se refleja, (probabilidad de que la
partcula no pase la barrera), y en parte se
refracta, (probabilidad de que la partcula
atraviese la barrera). Es decir, hay una
probabilidad no nula de que la partcula pase
a travs de la barrera (como por un tnel), es
decir hay efecto tnel. En este caso la
experiencia dara la razn a la M. Cuntica.
El diodo Zenner presenta una caracterstica I
--> V como la que vemos en la figura 11.

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Vemos que trabajando en la zona zenner, el


diodo mantiene una tensin fija Vz, con
independencia de la corriente que circule, o

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sea, es un estabilizador de tensin. Sus


numerosas aplicaciones en los circuitos se
basan en esta propiedad.
- Diodos tnel: Si los diodos Zenner
aprovechan el efecto tnel con polarizacin
inversa, los diodos tnel se basan en el
mismo
efecto,
pero
trabajando
con
polarizacin directa. Sin embargo, para que
se manifieste el efecto tnel se fabrican de
forma que los bloques N y P estn mucho
ms dopados que en los diodos ordinarios. El
resultado es un comportamiento muy
diferente al de los diodos ordinarios (Figura
12). Lo ms curioso es la zona de resistencia
incremental negativa, es decir una regin en
la que un incremento positivo de la tensin V
se traduce en un incremento negativo de la
intensidad I. Las aplicaciones de los diodos
tnel aprovechan precisamente esta zona.
- Diodos emisores de luz LED: son diodos
fabricados con un semiconductor compuesto. Su cpsula es transparente para dejar pasar la luz
(fotones) emitida cuando se recombinan en la zona de deplecin huecos y electrones en trnsito.
La intensidad de la luz emitida puede modularse variando la tensin directa aplicada. El color de
la luz depende del semiconductor; as:

Semiconductor

Color

AsGa

Infrarrojo

PGa

Verde

AsPGa

diferentes segn proporcin de As y P

Se utilizan para los mandos a distancia por infrarrojos, e indicadores (displays) alfanumricos. La
tecnologa de los LED se est desarrollando continuamente. Se fabrican ya LED de luz blanca
(mezcla de los colores fundamentales rojo, verde y azul) y de intensidad luminosa elevada a
precios competitivos, lo que explica que vayan sustituyendo a la luz de incandescencia y
fluorescente en iluminacin urbana y domstica y otras aplicaciones. Por ejemplo, estn
utilizndose cada vez ms en pilotos e intermitentes de coches, semforos y, por supuesto
paneles murales de publicidad o informacin. El rendimiento (intensidad luminosa/watio) es
mucho mayor, por lo que el consumo energtico es mucho menor que en los sistemas
tradicionales.

(a)

(b)

(c)

(d)
Figura 13

(e)

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Los smbolos de los diodos nombrados son los que vemos en la Figura 8.18):
(a) diodo ordinario; (b) diodo zenner; (c) diodo tnel; (d) fotodiodo; (e) LED.

Ejemplo de aplicacin: Rectificador de media onda.


En general los dispositivos electrnicos necesitan tensiones continuas para su
funcionamiento. El sistema ms simple para obtener c.c a partir de c.a es utilizar el sistema
rectificador de media onda que describiremos a continuacin.
El circuito bsico es el de la Figura 14

El diodo acta como un interruptor electrnico que est cerrado cuando el nodo es
positivo con respecto al ctodo y abierto cuando el nodo es negativo con respecto al ctodo.
Funcionamiento del circuito.
Antes de que Ve empiece su semionda positiva, no circula corriente a travs de la
resistencia de carga R, y el punto B de la figura est a 0 Volt. En el instante en que la semionda
hace que el punto A sea positivo, el diodo se cierra y la totalidad del ciclo positivo se transfiere a
R, como muestra la Figura 15.

Al final del semiciclo positivo las tensiones en A y B valen 0, y en el punto A esta por
comenzar el semiciclo negativo. Cuando esto sucede el diodo no conduce y no vuelve a transferir
tensin a R hasta que se alcance el siguiente semiciclo positivo (Figura 16).

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La forma completa en que opera el circuito en un ciclo completo esta resumida en las
formas de onda de la Figura 17.

Condensador como Filtro


Un mtodo sencillo de conseguir
que la tensin de salida de un rectificador
est filtrada es colocar un capacitor de
capacidad C elevada en paralelo con R,
como se indica en la Figura 18
Inicialmente
el
capacitor
esta
descargado. En el instante en que
comienza el ciclo positivo
de la fuente alterna el punto A se
hace positivo, el diodo conduce y conecta
la tensin sobre la red RC. Suponemos la
resistencia del diodo despreciable. El
condensador se carga hasta llegar a la tensin mxima Vm (punto X de la Figura 19).

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Al comenzar a disminuir la tensin en el ciclo


positivo, la tensin en A comienza a disminuir, pero el
punto B no lo sigue dado que el condensador
mantiene al punto b a + Vm. Al ser la tensin de B
mayor que la de A, la polarizacin es inversa y el
diodo deja de conducir. El condensador C comienza a
descargarse a travs de R y su tensin va
disminuyendo como se ve en la curva punteada de la
Figura 19. El condensador vuelve a cargarse cuando
VA vuelve a ser positiva con respecto a VB, y esta
completamente recargado cuando VA = Vm en X., y el
ciclo comienza nuevamente. Para lograr una
rectificacin mayor se puede adicionar una inductancia
L al circuito.
Rectificador de Onda Completa
El circuito bsico del rectificador de onda completa es el de la Figura 20a, que simplificado
puede sustituirse por el circuito de la Figura 20b. El transformador es tal que el punto A de 20a se
hace positivo con respecto a la toma media del secundario, al tiempo que el punto A' se hace
negativo.

Las formas de onda de las tensiones aplicadas a los diodos D1 y D2 son las de la Figura
21. Estn desfasadas en

Funcionamiento del circuito


Supongamos que inicialmente la tensin en A es cero y aumenta hacia su valor positivo
mximo, esto implica que la tensin en A' es negativa y va hacia su mnimo. El punto B esta a
potencial 0. Durante el ciclo positivo de E1 (fuente de fem superior de 20b) el diodo D1 conduce y
transfiere la tensin positiva de la semionda a la resistencia de carga R. Como simultaneamente
E2 (fuente de fem inferior de 20b) esta en el semiciclo negativo, D2 no conduce. Cuando E1
comienza su semiciclo negativo, E2 comienza su semiciclo positivo. Por tanto al esta B a mayor

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potencial que A D1 no conduce, y como A'


esta a mayor potencial que B, el diodo D2
conduce y aplica el potencial de la semionda
positiva de E2 a R. Y as siguiendo a medida
que transcurre el tiempo. La tensin aplicada
a la resistencia de carga se representa en la
Figura 22.
Podemos adicionar un filtro para
rectificar mejor la tensin y eliminar el
rulo, como hicimos en el rectificador de
media onda (figura 23)

El transistor
Es un dispositivo formado por dos uniones p-n, ya sea en forma (p-n-p) o (n-p-n).
Las tres regiones del transistor reciben el nombre de emisor (E), base (B) y colector (C).
La base es la regin central, y es siempre mucho ms delgada que las otras dos. En las Figuras
24 y 25 se muestran ambos tipos de transistor y sus correspondientes representaciones
esquemticas.

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Figuras 24 y 25.

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El funcionamiento de ambos tipos de transistor es similar, solo invirtindose el sentido de


los razonamientos. Nos limitaremos por ello solo al tipo n-p-n.

Figura 26

VE VB = VBE y entre C y B una tensin


inversa VC VB = VBC , que ser negativa (Figura 24). La diferencia de potencial VCE = VE VC
Establecemos entre E y B una tensin directa

entre E y C puede expresarse como

VCE = VE VC = (VE VB ) ((VC VB ) = VBE VBC ) .

Como VBC es negativo, la deferencia se convierte en suma, por lo que podemos afirmar
que VCE > VBE .
En estas condiciones los electrones del emisor que, como consecuencia de la diferencia de
potencial directa entre E y B, deberan penetrar en esta y salir al exterior por el circuito E-B, son
capaces de atravesar la estrecha capa que constituye la base, penetrando en el colector en su
mayora, y cerrndose el circuito a travs del colector. La corriente de base ser por tanto
pequea. En la representacin esquemtica la flecha indica el sentido de la corriente (contraria al
flujo de electrones).
Si llamamos

donde

I C
I E

I C
I B

es la ganancia de corriente emisor-colector, y

base-colector. Las relaciones entre

1+

la ganancia de corriente

estn dadas por

En un transistor distinguimos entre entrada y salida. La entrada corresponde al circuito BE, y la salida al circuito B-C.

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Entrada y salida se influyen mutuamente, de manera que para construir las curvas
caractersticas tanto de entrada como de salida debemos hacerlo para valores constantes de
alguna magnitud correspondiente a la otra rama del circuito.

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Para el transistor tenemos:


Funcin de entrada:

I B = f (VBE )VCE

Funcin de salida:

I C = f (VCE ) I B

Figura 27

Figura 28

Una aplicacin tpica de los transistores son los circuitos amplificadores.

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