Teo Rico

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL
CALLAO
FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL Y SISTEMAS
Escuela profesional de Ingeniera Industrial
CURSO: Fisico-Qumica /Laboratorio
PROFESOR: Ing. Oswaldo Camasi Pariona
TEMA: CONDUCTIMETRIA
INTEGRANTES:
CDIGO:
1. Ledesma Mieses Deyshi Cesar
1225120505
2. Malpartida Palacios Ruddy Paul
1225120559
Callao 23 de Junio del 2014
NDICE
Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO
INTRODUCCION
3
1. OBJETIVOS
4
2. FUNDAMENTO
TEORICO
5
2.1 CARACTERISTICAS
DEL
SILICIO
Y
GERMANIO..5
2.2 OTENCION
DEL
GERMANIO.
8
2.3 OBTENCION
DEL
SILICIO.
8
2.4 DEFINICION
SEMICONDUCTORES
11
3. APLICACIONES
DEL
SILICIO
Y
GERMANIO27
3.1. APLICACIONES DEL
SILICIO..27
3.2. APLICACIONES
DEL
GERMANIO31
3.3. APLICACIN
EN
SENSORES
.37
4. CONCLUSIONES
39
5. ANEXOS
.40
6. REFERENCIAS
.44
INTRODUCCION
A lo largo de los ltimos aos las propiedades del silicio y germanio

han sido objeto de especial inters en electrnica posteriormente a la
microelectronica y en fsica del estado slido aplicada. Sin embargo,
los resultados obtenidos difieren de un estudio a otro, dependiendo
de variables tales como la tecnologa empleada.
El germanio fue utilizado como materia prima para la produccin de la
primera generacin de transistores. Sin embargo, fue pronto
reemplazada por el silicio, el material de uso generalizado en
microelectrnica. Recientemente, el viejo germanio ha recobrado
inters, ya que permite, en comparacin con el silicio, la produccin
de circuitos ms rpidos. Los expertos creen incluso que el germanio
ha sido redescubierto para el desarrollo de la microelectrnica y la
nanoelectrnica, ya que la miniaturizacin basada en silicio est
llegando a sus lmites.
Por otro lado las aleaciones de silicio y germanio son muy
prometedoras para lograr la meta de hacer resistentes a los
dispositivos microelectrnicos. Tales aleaciones combinan el silicio,
que es el material ms comn en los microchips, con el germanio, en
la diminuta escala de los nanmetros. El resultado es un material que
ofrece importantes mejoras en dureza, velocidad y flexibilidad.
1. OBJETIVOS
Estudiar las caractersticas y propiedades

fsicas del silicio y germanio.
Conocer las caractersticas principales de

los semiconductores y diodos (silicio y
germanio).
Determinar la importancia de su aplicacin

en su calidad de semiconductor en las
industrias del rubro de la electrnica
Comparar los beneficios entre la

utilizacin del Silicio versus la del
Germanio
2. FUNDAMENTO TEORICO
2.1
2.1.1
CARACTERISTICAS DEL SILICIO Y GERMANIO

SILICIO
El silicio es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y

situado en el grupo 4 de la tabla peridica de los elementos formando
parte de la familia de los carbono ideos de smbolo Si. Es el segundo
elemento ms abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso)
despus del oxgeno. Se presenta en forma amorfa y cristalizada; el
primero es un polvo parduzco, ms activo que la variante cristalina,
que se presenta en octaedros de color azul grisceo y brillo metlico.
El silicio, a diferencia del carbono, no existe libre en la naturaleza.
Como dixido se encuentra en varias formas de cuarzo: Cristal de
roca, Amatista, Cuarzo ahumado, Cuarzo rosa, y cuarzo lechoso. La
arena es en gran parte dixido de silicio (slice). El palo es una
variedad hidratada de cuarzo. La mayora de las rocas corrientes,
salvo calizas o dolomitas, contiene silicio.
PROPIEDADES:
smbolo, nmero : Si, 14
Serie qumica:
Metaloides
Grupo, perodo, bloque :
14, 3, p
Masa atmica:
28,0855 u
Configuracin electrnica:
[Ne]3s2 3p2
Dureza Mohs:
6,5
Electrones por nivel
: 2, 8, 4 (imagen)
Propiedades atmicas:
Radio medio
:120 pm
Electronegatividad:
1,9 (Pauling)
Radio atmico (calc): 111 pm (Radio de Bohr)
Radio covalente :111 pm
Radio de van der Waals:
210 pm
Estado(s) de oxidacin: 4
xidoAnftero
1. Energa de ionizacin:
786,5 kJ/mol
1577,1 kJ/mol
3231,6 kJ/mol
4355,5 kJ/mol
16091 kJ/mol
19805 kJ/mol
23780 kJ/mol
29287 kJ/mol
33878 kJ/mol
10. Energa de ionizacin:38726 kJ/mol
Propiedades fsicas:
Estado ordinario :Slido (no magntico)
Densidad : 2330 kg/m3
Punto de fusin :1687 K (1414 C)
Punto de ebullicin:
3173 K (2900 C)
Entalpa de vaporizacin:
384,22 kJ/mol
Entalpa de fusin: 50,55 kJ/mol
Presin de vapor :
4,77 Pa a 1683 KGERMANIO
Estructura cristalina :Cbica centrada en las caras
Calor especfico
700 J/(Kkg)
Conductividad elctrica
4.3510-4 S/m
Conductividad trmica 148 W/(Km)
Velocidad del sonido
8433 m/s a 293,15 K (20 C)
2.1.2
GERMANIO
Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo

lustroso, quebradizo, que conserva el brillo a temperaturas ordinarias.
Presenta la misma estructura cristalina que el diamante y resiste a los
cidos y lcalis.
Forma gran nmero de compuestos rgano metlico y es un
importante material semiconductor utilizado en transistores y foto
detectores. A diferencia de la mayora de semiconductores, el
germanio tiene una pequea banda prohibida (band gap) por lo que
responde de forma eficaz a la radiacin infrarroja y puede usarse en
amplificadores de baja intensidad. Como semiconductor, el germanio
presenta propiedades excelentes y se conocen cinco istopos
naturales de este elemento: 70 Ge, 72 Ge, 73 Ge, 74 Ge y 76 Ge.
PROPIEDADES:
Smbolo, nmero, Ge, 32
Serie qumica: Metaloides
Grupo, perodo, bloque: 14, 4, p
Densidad: 5323 kg/m3
Dureza Mohs: 6
Apariencia: Blanco grisceo
N CAS 7440-56-4
N EINECS 231-164-3
Propiedades atmicas:
Masa atmica: 72,64 u
Radio medio: 125 pm
Radio atmico 125 pm (Radio de Bohr)
Radio covalente 122 pm
Configuracin electrnica [Ar] 3d10 4s2 4p2
Electrones por nivel de energa: 2, 8, 18, 4
Estado(s) de oxidacin: 4
xido Anftero
Estructura cristalina: Cbica centrada en las caras
Propiedades fsicas:
Estado ordinario : Slido
Punto de fusin: 1211,4 K
Punto de ebullicin :3093 K
Entalpa de vaporizacin : 330,9 kJ/mol
Entalpa de fusin: 36,94 kJ/mol
Presin de vapor: 0,0000746 Pa a 1210 K
Velocidad del sonido 5400 m/s a 293.15 K (20 C)
Electronegatividad (Pauling): 2,01
Calor especfico: 320 J/(Kkg)
Conductividad elctrica 1,45 S/m
Conductividad trmica : 59,9 W/(Km)
1. Energa de ionizacin: 762 kJ/mol
2. Energa de ionizacin: 1537,5 kJ/mol
3. Energa de ionizacin :3302,1 kJ/mol
2.2
OBTENCION DE
GERMANIO
Se obtiene de yacimientos de plata, cinc y cobre. Los nicos

minerales rentables para la extraccin del germanio son la
germanita (69% de Ge) y garnierita (7-8% de Ge); adems est
presente en el carbn , la argirodita y otros minerales. La mayor
cantidad, en forma de xido (GeO2), se obtiene como subproducto de
la obtencin del zinc o de procesos de combustin de carbon .
La purificacin del germanio pasa por su tetracloruro que puede ser
destilado y luego es reducido al elemento con hidrogeno o
con magnesio elemental.
Con pureza del 99,99%, para usos electronicos se obtiene por refino
mediante fusin por zonas resultando cristales de 25 a 35 mm usados
en transistores y diodos ; con esta tcnica las impurezas se pueden
reducir hasta 0,0001 ppm.
2.3
OBTENCION DE SILICIO
Partiendo de la arena, cuarcita, o cuarzo, materiales con alto

contenido en xido de silicio y bajos contenidos en otro tipo de
silicatos, ya que la limpieza de estos contaminantes encarecen la
obtencin de silicio
10
La cuarcita es introducida en un clisol donde estn colocados dos

electrodos de carbn, cuando se hace pasar una corriente elctrica
por los electrodos se produce un arco elctrico que puede alcanzar
temperaturas de 2000 C. A estas temperaturas la cuarcita pasa a
estado liquido y este fundido se extrae por la parte inferior del clisol.
En este proceso se produce una reaccin qumica que da como

resultado el llamado silicio metalrgico, este silicio es
abundantemente utilizado en la fabricacin de aceros, aluminio,
siliconas y otros y tambin para la obtencin del silicio grado
electrnico.
Reaccin qumica: SiO2 + C ---- Si + 2CO
11
El silicio metalrgico se introduce en un molino para asi

obtener un polvo de silicio
El silicio as obtenido tiene una pureza comprendida entre el 98 al 99

%, este es aceptable para aplicaciones metalrgicas silicio grado
metalrgico (Si gm) pero no para aplicaciones electrnicas o solares
donde es necesario una pureza mayor.
Para obtener el silicio grado electrnico (Si ge) el polvo de silicio se
introduce en un reactor de lecho fluido mezclado con acido
clorhdrico (Hcl) y se calienta la mezcla a una temperatura
aproximada de 300C, los gases son conducidos a unas columnas de
destilacin fraccionada donde se separan los distintos compuestos y
se obtiene un gas llamado Triclorosilano que una vez enfriado pasa a
fase liquida, este liquido mezclado con Hidrogeno se introduce en el
reactor Siemens donde se encuentra una varilla de silicio ultrapuro a
modo de filamento que mediante el paso de una corriente elctrica se
calienta a una temperatura aproximada de 1200C, el filamento se va
regruesando de silicio hasta alcanzar un grosor determinado, este es
el silicio grado electrnico , tambin llamado polisilicio
12
.
Este es el procedimiento ms comn para la obtencin del silicio
grado electrnico (ge)con pureza del 99,9 %.
2.4
Semiconductores
Los elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son

aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin
de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Su importancia
en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos
integrados, etc...
Los 2 semiconductores que veremos sern el Silicio y el Germanio:
13
Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte

interna con carga + 4 y 4 electrones de valencia.
Cristales de silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para
formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto
se debe a los "Enlaces Covalentes", que
son las uniones entre tomos que se
hacen compartiendo electrones
adyacentes de tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que mantiene unidos
los tomos de Silicio.
Cada tomo de silicio comparte sus 4
electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como
se ve en la figura.
La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones
que quedan ( aunque sean compartidos ) con cada tomo, gracias a esta
caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar
fuertemente unidos en los tomos.
14
El aumento de la temperatura hace que los

tomos en un cristal de silicio vibren dentro de
l, a mayor temperatura mayor ser la
vibracin. Con lo que un electrn se puede
liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que
a su vez atraer otro electrn, etc...
A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300

K o ms, aparecen electrones libres.
Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el

tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina
"tiempo de vida".
Enlace
es una
covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto

generacin de pares electrn libre-hueco.
Segn un
convenio ampliamente aceptado tomaremos la
direccin de la corriente como contraria a la direccin de los electrones
libres.
Dopado de un semiconductor
Impurezas de valencia 5 (Arsnico, Antimonio, Fsforo). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con tomos de valencia 5.
15

Los tomo de valencia 5 tienen un
electrn de ms, as con una temperatura
no muy elevada (a temperatura ambiente
por ejemplo), el 5 electrn se hace
electrn libre. Esto es, como solo se
pueden tener 8 electrones en la rbita de
valencia, el tomo pentavalente suelta un
electrn que ser libre.
Siguen dndose las reacciones anteriores.
Si metemos 1000 tomos de impurezas
tendremos 1000 electrones ms los que
se hagan libres por generacin trmica (muy pocos).
A estas impurezas se les llama "Impurezas Donadoras". El nmero de
electrones libres se llama n (electrones libres/m3).
Impurezas de valencia 3 (Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un cristal de Silicio
dopado con tomos de valencia 3.
Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de
menos, entonces como nos falta un electrn
tenemos un hueco. Esto es, ese tomo
trivalente tiene 7 electrones en la rbita de
valencia. Al tomo de valencia 3 se le llama
"tomo trivalente" o "Aceptor".
A estas impurezas se les llama "Impurezas
Aceptoras". Hay tantos huecos como
impurezas de valencia 3 y sigue habiendo
huecos de generacin
trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m 3).
16
Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de
"portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor de la
figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y
los huecos lo hacen hacia la derecha. Cuando un
hueco llega al extremo derecho del cristal, uno
de los electrones del circuito externo entra al semiconductor y se recombina
con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del
cristal, donde entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batera.
Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas
trivalentes. Como el nmero de huecos
supera el nmero de electrones
libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los
minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los
huecos que llegan al extremo derecho del cristal se recombinan con
los electrones libres del circuito externo.
En el circuito hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los
electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda.
Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable
en este circuito.
17
El diodo no polarizado
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad,
pero si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra
mitad de tipo p, esa unin pn tiene unas propiedades muy tiles y entre
otras cosas forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un
electrn libre y se puede representar como un signo "+" encerrado
en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al lado.
El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un circulo y con
un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).
Entonces la representacin de un SC
tipo n sera:
Y la de un SC tipo p:
La unin de las regiones p y n ser:
Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin

pn".
Zona de deplexin
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se
dispersan en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden
y atraviesan la unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se
convierte en un portador minoritario y el electrn cae en un hueco, el
hueco desaparece y el electrn libre se convierte en electrn de
valencia. Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un
par de iones, en el lado n con carga positiva y en el p con carga
negativa.
18

Las parejas de iones positivo y negativo
se llaman dipolos, al aumentar los
dipolos la regin cerca de la unin se
vaca de portadores y se crea la llamada
"Zona de deplexin".
Barrera de potencial
Los dipolos tienen un campo elctrico
entre los iones positivo y negativo, y al entrar los electrones libres en la
zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la zona n. La
intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta
llegar al equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es
equivalente a una diferencia de
potencial llamada "Barrera de Potencial"
que a 25 C vale:
0.3 V para diodos de Ge.
0.7 V para diodos de Si.

Polarizar: Poner una pila.
No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vaco.
z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de deplexin (W).
Polarizacin directa
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el
terminal negativo de la fuente est
conectado al material tipo n, diremos
que estamos en "Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa
tendra esta forma:
En este caso tenemos una corriente
que circula con facilidad, debido a que
la fuente obliga a que los electrones
libres y huecos fluyan hacia la unin.
Al moverse los electrones libres hacia
la unin, se crean iones positivos en el
extremo derecho de la unin que
atraern a los electrones hacia el
cristal desde el circuito externo.
As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente
y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo
tomaremos siempre contrario al del electrn.
19
Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la

fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la
zona n como electrn libre.
En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de
valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de valencia. Tras
abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la
fuente.
Polarizacin inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de
continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo de la batera conectado al
lado p y el positivo al n, esta conexin se
denomina "Polarizacin Inversa".
En la siguiente figura se muestra una
conexin en inversa:
El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal

positivo atrae a los electrones libres, as los huecos y los electrones
libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de
deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la
tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de
alejarse de la unin.
20
A mayor la tensin inversa aplicada mayor

ser la z.c.e.
Existe una pequea corriente en polarizacin
inversa, porque la energa trmica crea
continuamente pares electrn-hueco, lo que
hace que halla pequeas concentraciones de
portadores minoritarios a ambos lados, la
mayor parte se recombina con los
mayoritarios pero los que estn en la z.c.e.
pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unin y tenemos as una pequea corriente.
La barrera de energa
Para poder comprender como funcionan los dispositivos semiconductores,
es necesario conocer el modo en que los niveles de energa controlan la
accin de una unin pn.
Ahora se ver como se forma la barrera de potencial de 0.7 V en el diodo.
Veremos 5 puntos:
Antes de la difusin
Empieza la difusin y la recombinacin
Equilibrio
Polarizacin Directa
Polarizacin Inversa
Antes de la Difusin
Zona p y n antes de unirse:
Instante inicial en que se juntan. Instante cero, todava no ha habido

difusin:
21
Por qu estn ms altas una bandas en

p que en n ?
Las rbitas de la zona p son ms
pequeas y por lo tanto los radios
tambin son ms pequeos. Como se ha
dicho anteriormente, hablar de radios es
equivalente a hablar de energas,
entonces las energas tambin son ms
pequeas.
Esto es porque +5 atrae ms fuertemente que +3. A mayor carga atrae con
ms fuerza, disminuye as el radio, con lo que la energa es menor.
Empieza la Difusin y la Recombinacin

Los electrones pasan de derecha a izquierda y se recombinan con los
huecos.
Cruzan y se recombinan los que estn al lado de la unin. Se empieza a

crear una diferencia de potencial entre una parte y otra, esta diferencia de
potencial aumenta hasta que se establezca el equilibrio (Si a 0.7 V, Ge a 0.3
V).
En las Bandas de Energa ocurre lo siguiente: Un electrn va de n a p y
luego en p baja de BC a BV.
22
Al recombinarse, la
energa que hay desde el
nivel que tena al que est el hueco al que ha saltado la tiene que saltar y la
suelta en forma de calor (un diodo se suele calentar) o tambin en forma de
radiacin que puede ser visible (Led) o no.
Esto contina hasta que se llega a 0.7 V y se llega al equilibrio.
Y se ha creado una diferencia de potencial o anchura de banda (W).

Hasta ahora resumiendo lo que ha ocurrido es:
Difusin.
Recombinacin.
Se ha formado una z.c.e. ( deplexin).
Adems de eso las bandas de energa se han desplazado (hasta llegar al

equilibrio).
Equilibrio
Al llegar a 0.7 V las bandas se han desplazado. Han subido hasta que el
nivel inferior de p este al mismo nivel que el nivel superior de n.
23

Y se mantendrn en esa posicin a no ser que se rompa el equilibrio. En
este equilibrio no puede difundirse ningn electrn, no hay difusin ni
recombinacin si no se rompe el equilibrio.
Veamos porque se han desplazado:
Los tomos de valencia +3 tienen en la ltima rbita 7 electrones y 1 hueco.
Las rbitas se ensanchan por el hueco y esto hace que aumenten los radios
de la BV y BC. Aumenta radio lo que implica que aumenta la energa, hasta
llegar a la situacin antes explicada.
Con los tomos +5 ocurre lo contrario, disminuye el radio con lo

que disminuye la energa.
Lo que ha ocurrido es que ya no hay radios

coincidentes entre los tomos de valencia +3 y
los de valencia +5, por eso se crea el equilibrio.
Polarizacin Directa
Ahora romperemos el equilibrio poniendo una pila.
La pila es una "Energa Externa" que hace subir los niveles de la zona n.
Esta pila en directa elevar el nivel de energa de la zona n.
24
Suben las bandas de energa de la zona n y coinciden algunas con la de la

zona p, y ya puede haber difusin y recombinacin.
Entonces pasan los electrones, se recombinan, etc...Ahora la pila les obliga.
El electrn cruza la W y va pegando saltos de hueco en hueco formando una
malla cerrada.
Algunos electrones puede que antes de cruzar bajen y se recombinen con el

hueco, pero hay muchos ms que se comportan de la otra manera.
Polarizacin Inversa
Otra forma de romper el equilibrio es con la Polarizacin Inversa, que se da
poniendo la pila al revs que en el caso anterior.
25
Al poner la pila de esa forma aumenta el W porque la pila atrae a los huecos
y los electrones.
Y se ensancha la W hasta igualarse la barrera de potencial al valor de la pila
externa. En este ejemplo se llegar al nuevo equilibrio al llegar esa barrera
de potencial al valor de 5 V.
Las bandas de energa de la zona n bajan respecto a la zona p, y no hay
corriente.
EL DIODO DE UNIN
Antes de ver el diodo vamos a ver las caractersticas de la resistencia.
26

La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn
machacado. Son importantes las dimensiones del carbn.
Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero

en directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y
un Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el
comportamiento de la resistencia.
Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las
tensiones son negativas.
27
Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:
A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por

ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar
con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.
La curva caracterstica del diodo

Analizamos de la misma forma el diodo:
28
Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y

corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la
polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma
grfica sale algo as:
La zona directa
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:
Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral V ) para

que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa).
Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta aproximadamente
como una resistencia.
Tensin Umbral
Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo
conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la
intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.
29
Resistencia Interna
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir
que se comporta como una resistencia.
La zona inversa
En polarizacin inversa tenamos un corriente que estaba formada por la
suma de los valores de la corriente I S y la corriente de fugas If:
Hay que tener cuidado, no hay que llegar a V R porque el diodo se rompe por
avalancha (excepto si es un Zener).
30
3. APLICACIONES DEL SILICIO Y GERMANIO

3.1.
APLICACIONES DEL SILICIO.
El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones fue posible

gracias a la invencin del transistor ya que ste super, ampliamente, las
dificultades que presentaban sus antecesores, las vlvulas. En efecto, las
vlvulas, inventadas a principios del siglo XX, haban sido aplicadas
exitosamente en telefona como amplificadores y, posteriormente,
popularizadas en radios y televisores.
Sin embargo, presentaban el inconveniente que consuman mucha energa
para funcionar. Esto provena del hecho de que, en las vlvulas, se calienta
elctricamente un filamento (ctodo) para que emita electrones que, luego, son
colectados en un electrodo (nodo), establecindose as una corriente
elctrica. Luego, por medio de una pequea tensin aplicada entre una grilla y
el ctodo se logra el efecto amplificador, controlando el valor de la corriente, de
mayor intensidad, entre ctodo y nodo. El filamento no slo consuma mucha
energa, sino que tambin sola quemarse, o las vibraciones lograban romperlo,
por lo que las vlvulas terminaban resultando poco confiables. Adems, como
era necesario evitar la oxidacin del filamento incandescente, la vlvula estaba
conformada por una carcasa de vidrio que contena un gas inerte o vaco
haciendo que el conjunto resultara muy voluminoso.
Los transistores desarrollados en 1947 por los fsicos W. Shockley , J. Bardeen
y W. Brattain, resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino que,
junto con otras invencionescomo la de los circuitos integrados, potenciaran
el desarrollo de las computadoras, electrodomsticos y hasta telfonos
celulares.
31
Los transistores se basan en las propiedades de conduccin elctrica de

materiales semiconductores como lo son el silicio y el germanio.
Particularmente el transporte de cargas elctricas en estos dispositivos se da a
travs de junturas, conformadas por el contacto de materiales semiconductores
donde los portadores de carga son de distintos tipos: huecos (tipo p) o
electrones (tipo n).
Los diez aos posteriores a la invencin del primer transistor se realizaron
importantes adelantos en este campo: se inventaron distintos tipos de
transistores (de punto, de juntura, de campo), basados en distintas propiedades
bsicas; se emplearon distintos materiales, inicialmente, el germanio (1948) y,
posteriormente, el silicio (1954) que domina la industria de los semiconductores
de la actualidad; se logr construir una gran cantidad de transistores, otros
elementos y los circuitos para acoplarlos directamente sobre una oblea de
silicio a lo que se le dio el nombre de circuito integrado (CI) (1958).
La
integracin en escala muy grande de sistemas de circuitos basados en
32
transistores en circuitos integrados (CI) o chip comenz en los aos ochenta,

como parte de las tecnologas de semiconductores y comunicacin que se
estaban desarrollando.
Los primeros CI contenan slo un transistor cada uno. A medida que la
tecnologa de fabricacin fue avanzando, se agregaron ms y ms transistores
y, en consecuencia, ms y ms funciones fueron integradas en un mismo CI.
Atendiendo al nivel de integracin, es decir del nmero de componentes, los
circuitos integrados se clasifican en: SSI (Small Scale Integration) pequeo
nivel: inferior a 12, MSI (Medium Scale Integration) medio: 12 a 99, LSI (Large
Scale Integration) grande: 100 a 9.999, VLSI (Very Large Scale Integration)
muy grande: 10.000 a 99.999 y ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra
grande: igual o superior a 100.000.
La historia de los circuitos integrados podra explicar porqu nuestro mundo
est lleno de ellos pudiendo encontrar muchos en las computadoras. Por
ejemplo, la mayora de las personas ha escuchado, probablemente, de los
microprocesadores. El microprocesador es un circuito integrado que procesa
toda la informacin en la computadora, ste mantiene un registro de las teclas
que se han presionado y de los movimientos del mouse, cuenta los nmeros y
corre los programas, juegos y el sistema operativo.
Tambin pueden ser encontrados en todos los aparatos electrnicos modernos
como lo son automviles, televisores, reproductores de cds, reproductores de
MP3, telfonos celulares, etc.
En los primeros circuitos integrados, los transistores tenan dimensiones tpicas

de alrededor de 1 cm. En 1971 el microprocesador de Intel 4004 tena unos
2.000 transistores, mientras que hoy en da, un Pentium IV tiene unos 10
millones de transistores, con dimensiones tpicas de alrededor de 0,00001 cm.
33
Desde 1970, cada ao y medio, aproximadamente, las dimensiones de los

transistores se fueron reduciendo a la mitad (ley de Moore). Si se los hace an
ms pequeos dejarn de funcionar como esperamos ya que empezarn a
manifestarse las leyes de la mecnica cuntica.
Para seguir progresando, deber entonces concebirse una nueva generacin

de microprocesadores basados en las propiedades que la materia manifiesta
en las escalas nanomtricas.
En la actualidad, las compaas ms importantes que producen CIs VLSI: son
Intel, Texas Instruments, Samsung, Advanced Micro Devices (AMD), IBM, NEC,
entre otros.
Los procesos, generalmente, usados en la fabricacin de circuitos integrados
son: crecimiento epitaxial, oxidacin, implantacin inica, difusin en estado
slido, deposicin y fotolitografa.
.
34
3.2.
APLICACIONES DEL GERMANIO
El germanio se utiliza como material semiconductor. Se usa generalmente,

junto al silicio, en los circuitos integrados de alta velocidad para mejorar su
rendimiento. En algunos casos se est planteando sustituir al silicio por
germanio para hacer chips miniaturizados.
Tambin se utiliza en las lmparas fluorescentes y algunos diodos LED.
Algunos pedales de guitarra contienen transistores de germanio para

producir un tono de distorsin caracterstico.
Se puede utilizar en los paneles solares. De hecho, los robots

exploradores de Marte contienen germanio en sus clulas solares.
35
El
germanio se combina con el oxgeno para su uso en las lentes de las

cmaras y la microscopa. Tambin se utiliza para la fabricacin del
ncleo de cables de fibra ptica.
Tambin se utiliza en aplicaciones de imgenes trmicas para uso militar

y la lucha contra incendios. Es decir ptica de infrarrojos:
Espectroscopios, sistemas de visin nocturna y otros equipos.
36
El germanio se utiliza en el control de los aeropuertos para detectar las

fuentes de radiacin.
Hay algunos indicios de que puede ayudar al sistema inmunolgico de

pacientes con cncer, pero esto todava no est probado. Actualmente el
germanio est considerado como un peligro potencial para la salud cuando se
utiliza como suplemento nutricional.
transistor de punto de contacto de brattain y bardeen
el laboratorio de fsica de la universidad de purdue exploro la facilidad para

usar el germanio para desarrollar mejores rectificadores de cristal (hecho de
galena y silicio ),que eran un componete esencial en los radares ,otras ventajas
eran la menor reactividad qumica del Ge en compracion al silicio mayor
estabilidad que la que se poda presentar con componentes voltiles y
ausencia de efectos relacionados con la estequiometria ,basndose en los
resultados de los primeros cristales de germanio con buenas propiedades
semiconductoras sirvi eventualmente para el desarrollo del primer transitor en
los labotarios bell en 1947 ,este transitor posea algunas desventajas
mecnicas y era incapaz de manejar grandes corrientes por lo quecual el
diseo de brattain y bardeen fue mejorado por Shocley inventando el transitor
de juntua npn y pnp, el cual remediaba las desventajas del primer transitor
con lo cual comenzara la poca del semiconductor.
37
el desarrollo de la purificacin del germanio se fue perfeccionando

llegando a conseguir concentraciones de dopaje de
1014
cm3 ,en
1980 el germanio moderadamente dopado equipado con contactos

ohmicos altamente dopado son fotoconductores altamente sensibles
en esta regin del espectro ,este tipo de sensores se utilizo en el
telescopio espacial Spitzer el cual tiene un instrumento llamado
MIPS(fotmetro de imgenes multibanda ) el cual tiene un arreglo de
fotoconductores de Ge con lo cual se ha ido consiguiendo imgenes
espectaculares de numerosos objetos astronmicos
esquema del MIPS del Spitzer
NOTA:
El germanio abri la puerta a numerosas aplicaciones electrnicas que hoy son
cotidianas. Entre 1950 y 1970, hubo una enorme demanda de germanio en la
industria electrnica, hasta que fue sustituido por el silicio, que tiene ms
propiedades elctricas.
Se debe saber que las aplicaciones del germanio se ven limitadas por su
elevado coste. Los minerales rentables para su extraccin son la germanita y la
ranierita. La mayor parte se obtiene en forma de xido (GeO2) como
subproducto de la obtencin del zinc o la combustin del carbono.
Nanoestructuras del germanio
Cuando los materiales semiconductores reducen sus dimensiones a escala

nanometrica sus propiedades fsicas se comienzan a alterar su color
cambia ,sus puntos de fusin disminuye ,sus bandas electrnicas de energa
se manifiestan en niveles discretos y la superficie reactiva aumenta
proporcionalmente de tamao ,en el caso del germanio a crecido su inters
debido a sus propiedades electrnicas que lo hacen compatible con las
38
tecnologas actuales ,por lo que se han realizado una gran cantidad de estudios
experimentales y tericos de nanoestructuras de germanio .
Existen varios tipos de nanoestructuras de distintos materiales ,en el caso del
germanio existe gran atencin hacia estructuras como nanocristales los
nanoalambres y el Pge .
Nanocristales de Ge
Muchos de los estudios experimentales de los nanocristales de germanio

,comnmente para sintetizar este tipo de estructuras se utilizan mtodos
fsicos o en base a pelculas delgadas como lo son el deposito de vapores
tcnicas de plasma o pirolisis en base gaseosa ,estos mtodos son poco
escalables y caros para la produccin de nanoparticulas .Entre las tcnicas
mas desarrollladas se encuentran las tcnicas coloidales en la cual se utilizan
compuestos organicos para la creacin de nanocristales ,para la sntesis
coloidal se utilizan compuestos como GeCl ,etilglicol y otros compuestos
organicos en la solucin
Nanoparticulas de germanio sintetizadas

por el mtodo coloidal utilizando
soluciones de compuestos organicos
Nanoalambres de germanio
En los ltimos aos gran parte de la investigacin sobre nanoalambres de

Ge se ha enfocado a su sntesis mediante distintos procesos .En este
respecto distintos avances indican el avance de sntesis libre de catalizadores
39
mediante un proceso llamado nucleacin de semillas o unidades

nanocristalinas y su subsecuente crecimiento anisotropico unidimensional .
Este avance podra ser impontante debido a que evita la contaminacin por
los catalizadores usados que son de carcter metalico ,lo cual permitira
desarrollar aun mas los dispositivos nanoelectronicos parasu aplicacin
germanio poroso
Una de las primeras investigaciones del germanio poroso se dieron en el ao

2000 ,para el desarrollo de estos poros se utilizo una nueva tcnica llamada
ataque electroqumico bipolar.
Con esta tcnica se reporta la formacin de se reporta la formacin de poros
altamente ordenados en el Ge con una arquitectura a nanoescala
germanio poros fabricado con

ataque electroqumico bipolar
,microscopia electrnica de
barrido(SEM )
40
3.3.
Aplicacin en la industria electrnica
Sensores de temperatura de silicio

Los sensores de silicio, figura 8.18, son circuitos integrados que aprovechan la
variacin predecible del voltaje de la unin base-emisor (VBE) de los transistores
bipolares para realizar mediciones confiables y exactas de temperatura. Se
caracterizan por su pequeo tamao y son especialmente apropiados para
aplicaciones de medicin y control de temperatura en el rango de 55C a +150C.
Adems, no requieren de etapas de linealizacin, amplificacin ni compensacin
externas debido a que incorporan en la misma pastilla sus propios circuitos de
procesamiento de seales.
Figura 8.18 Transductor de temp eratura de silicio representativo.

El dispositivo mostrado (LM56), detecta temperaturas entre 55C y + 150C y ofrece
una salida digital on-off. La mayora de sensores de silicio proporcionan como salida
un voltaje que vara linealmente con la temperatura en grados Kelvin (K), Celsius (C)
o Fahrenheit (F). Algunos ejemplos representativos son el LM34, el LM35, el LM135 y
el LM50, todos ellos de National Semiconductor y con una sensibilidad nominal de
10mV por grado. El LM50, en particular, tiene incorporado intencionalmente un offset
DC de +500 mV para facilitar la medicin de temperaturas negativas en sistemas de
fuente sencilla. Tambin se dispone de sensores con salida por corriente. Dos
41

ejemplos representativos son el LM334 y el AD590, cuyas sensibilidades tpicas son
1 mA/K y 1A/K, respectivamente.
La integracin de circuitos de procesamiento en los sensores de temperatura de
silicio elimina tambin, en muchos casos, la necesidad de comparadores o de
convertidores A/D externos para convertir la salida anloga a un nivel lgico o un
cdigo digital. Los sensores de salida por comparador, en particular, son muy tiles
para detectar condiciones de falla, impulsar calefactores o enfriadores, y otras
aplicaciones de control y alarma. En la figura 8.19, por ejemplo, se muestra un
sencillo circuito de control para un ventilador utilizando un sensor de salida por
comparador LM56. Los voltajes de referencia para los comparadores internos son
determinados por R1-R3.En este caso, las salidas OUT1 (pin 7) y OUT2 (pin 6)
sehacen bajas, respectivamente, cuando se exceden el primer y segundo umbral de
temperatura fijados. En el primer caso, se energiza el ventilador de
enfriamiento,mientras que en el segundo se produce una seal de corte o shutdown
para impedir el dao del sistema. Tambin se dispone de sensores monolticos
inteligentes, con un nivel de integracin ms elevado, los cuales incluyen
convertidores AID, multiplexores, referencias de voltaje, entradas/salidas digitales,
lgica de deteccin de fallas, registros para el almacenamiento de datos e
instrucciones, y otras funciones.
Un ejemplo representativo de sensores de este tipo es el LM75, dotado de un

convertidor A/D delta-sigma de 9 bits, el cual proporciona una resolucin de 0,5C
por bit para mediciones de temperatura desde 25C hasta +150C. Tambin posee
una interfaz digital de dos hilos compatible con FC y una salida de drenador abierto,
configurable como lnea de interrupcin, que indica cuando los umbrales de
temperatura programados han sido excedidos. Adicionalmente, hay tres pines de
seleccin que permitendireccionar hasta 8 sens
42
4. CONCLUSIONES
o Entre los materiales semiconductores, los ms utilizados en

electrnica son el silicio y el germanio, pero debido al
encarecimiento del germanio para su purificacin, el silicio se
usa en mayor porcentaje.
o El dopado supone que deliberadamente se aadan tomos de

impurezas a un cristal intrnseco prar modificar su
conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama
semiconductor extrnseco.
o Las propiedades del silicio y germanio han permitido reducir el
tamao de los transistores , si se los hace an ms pequeos
dejaran de funcionar ya que empezaran a manifestarse las
leyes de mecnica cuntica.
43
5. ANEXOS
5.1.
Modelos equivalentes lineales aproximados
del diodo
Existen tres aproximaciones muy usadas para los diodos de silicio, y cada
una de ellas es til en ciertas condiciones.
1 Aproximacin (el diodo ideal)

La exponencial se aproxima a una vertical y una
horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este
diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar
por eso es ideal.
Polarizacin directa: Es como

sustituir un diodo por un interruptor
cerrado.
Polarizacin inversa: Es como

sustituir el diodo por un interruptor
abierto.
Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o cerrndose

dependiendo si esta en inversa o en directa. Para ver los diferentes errores que
cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a ir analizando cada
aproximacin.
2 Aproximacin
La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal que pasan por
0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio, porque
44

suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara el
valor de 0,2 V).
El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero

como a efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta
segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es
equivalente a una pila de 0,7 V.
Polarizacin inversa: Es un interruptor

abierto.
3 Aproximacin
La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7 V y tiene una
pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna.
45
El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se

analiza la polarizacin directa:
46
5.2.
CIRCUITOS CON DIODOS

Rectificador de media onda
Este es el circuito ms simple que puede convertir corriente alterna en

corriente continua. Este rectificador lo podemos ver representado en la
siguiente figura:
Las grficas que ms nos interesan son:
47
Durante el semiciclo positivo de la tensin del primario,

el bobinado secundario tiene una media onda positiva
de tensin entre sus extremos. Este aspecto supone que
el diodo se encuentra en polarizacin directa. Sin
embargo durante el semiciclo negativo de la tensin en
el primario, el arrollamiento secundario presenta una
onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo se
encuentra polarizado en inversa.
La onda que ms interesa es VL, que es la que alimenta
a RL. Pero es una tensin que no tiene partes negativas,
es una "Tensin Continua Pulsante", y nosotros
necesitamos una "Tensin Continua Constante".
Analizaremos las diferencias de lo que tenemos con lo
que queremos conseguir.
6. REFERENCIAS
INTERNET:
PGINA WEB: www.europapress.es /noticia-germanio-redescubiertomicroelectrnica.
PGINA WEB: www.amazings.com/ noticias/041109d.html
PGINA WEB: WWW.books.google.com.pe/ futuro-de-silicio-ygermanio.
PDF:
Diodos.Pdf /www.global.lvs.com
RMF47202.Pdf /www.fbcdna.net
Tecnologa+Memes.Pdf /www.attachment.com
48

Teo Rico

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL

FACULTAD DE INGENIERIA INDUSTRIAL Y SISTEMAS

Escuela profesional de Ingeniera Industrial

CURSO: Fisico-Qumica /Laboratorio

PROFESOR: Ing. Oswaldo Camasi Pariona

1. Ledesma Mieses Deyshi Cesar

2. Malpartida Palacios Ruddy Paul

Callao 23 de Junio del 2014

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

A lo largo de los ltimos aos las propiedades del silicio y germanio

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Estudiar las caractersticas y propiedades

Conocer las caractersticas principales de

Determinar la importancia de su aplicacin

Comparar los beneficios entre la

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

CARACTERISTICAS DEL SILICIO Y GERMANIO

El silicio es un elemento qumico metaloide, nmero atmico 14 y

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Es un metaloide slido duro, cristalino, de color blanco grisceo

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

3. Energa de ionizacin :3302,1 kJ/mol

Se obtiene de yacimientos de plata, cinc y cobre. Los nicos

Partiendo de la arena, cuarcita, o cuarzo, materiales con alto

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

La cuarcita es introducida en un clisol donde estn colocados dos

En este proceso se produce una reaccin qumica que da como

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

El silicio metalrgico se introduce en un molino para asi

El silicio as obtenido tiene una pureza comprendida entre el 98 al 99

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Los elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Como vemos los semiconductores se caracterizan por tener una parte

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

El aumento de la temperatura hace que los

A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el

covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

La unin de las regiones p y n ser:

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

0.7 V para diodos de Si.

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

A mayor la tensin inversa aplicada mayor

Instante inicial en que se juntan. Instante cero, todava no ha habido

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Por qu estn ms altas una bandas en

Empieza la Difusin y la Recombinacin

Cruzan y se recombinan los que estn al lado de la unin. Se empieza a

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Y se ha creado una diferencia de potencial o anchura de banda (W).

Adems de eso las bandas de energa se han desplazado (hasta llegar al

Semiconductor tipo nSemiconductor tipo nFSICA III : SILICIO Y GERMANIO

Con los tomos +5 ocurre lo contrario, disminuye el radio con lo