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DE LA ASIGNATURA
ELECTRNICA GENERAL
Seccin de Publicaciones
Escuela Tcnica Superior de Ingeniera
Universidad de Sevilla
23/01/2014
Electrnica General
2 curso
Grado en Ingeniera en
Tecnologas Industriales
- Introduccin a la electrnica
- 1 parte: Dispositivos electrnicos
- 2 parte: Introduccin a la Electrnica Analgica
- 3 parte: Sistemas electrnicos digitales
- Prcticas
Juan Garca
Francisco Prez
Federico Barrero
Sergio Toral
www.dinel.us.es
Introduccin
a la Electrnica
J. Garca Ortega
ndice
1.
Electrnica General 1 Parte
2.
3.
4.
Qu es la Electrnica?
mbitos de aplicacin y utilidad
Historia y evolucin de la Electrnica
reas de la Electrnica
Introduccin
Qu es la Electrnica?
(OHFWUyQLFDHVODFLHQFLD\WHFQRORJtD
relativas al paso de partculas cargadas
elctricamente a travs de un gas, del vaco
RGHXQVHPLFRQGXFWRU
Electricidad
Electrnica
Introduccin
Introduccin
Introduccin
Introduccin
Introduccin
Introduccin
Introduccin
10
Introduccin
Introduccin
12
Introduccin
Sistema
N ss
DTR
Distronic
ECT
Transmisin elctr.
RCU
ABS
Antibloqueo frenos
ZV
Cierre centralizado
LWR
CDI
Ctrl. inyeccin
11
AAC
Climatizador
13
ABC
12
TPM
Press. neumaticos
11
ESP
Ctrl. estabilidad
14
PTS
Paridronic
12
Introduccin
Introduccin
Sistema de control
15
Introduccin
16
Inversor
Es el encargado de
convertir la corriente
continua de la batera en
corriente alterna, usada
para accionar los
motores elctricos.
Introduccin
Control de sistemas de
energa renovable,
conversin de energa.
Sistemas avinicos,
sensores aviacin,
sistemas de guerra
electrnica
Electrnica de
consumo.
Computacin.
Etc
Sistemas de traccin,
control de flujo de
energa, conversin
de energa.
Sensores
industriales y
control de procesos.
Comunicaciones y
redes de servicios.
17
Introduccin
18
Introduccin
por segundo
19
Introduccin
20
Introduccin
21
Introduccin
Desarrollo de la microelectrnica
22
Introduccin
10km
10mm
500m
Electrnica General 1 Parte
500 m
70mm
Escala de integracin?
23
Introduccin
Coste de la electrnica?
24
Introduccin
reas de la Electrnica
Segn la tecnologa usada
25
Introduccin
reas de la Electrnica
Segn el rea de aplicacin
- Electrnica industrial
Electrnica General 1 Parte
26
Control de procesos
Automatizacin de
procesos
- Electrnica de potencia
Conversin de energa
Flujos de energa
Introduccin
reas de la Electrnica
Segn el rea de aplicacin
- Instrumentacin electrnica
Electrnica General 1 Parte
Sensores
Instrumentos de
medida
- Telecomunicacin
Procesamiento de informacin
- Microelectrnica
Circuitos integrados
27
Introduccin
reas de la Electrnica
Segn la complejidad
Sistema
electrnico
Circuito
electrnico
Dispositivo
electrnico
28
Introduccin
reas de la Electrnica
Trayectoria
de estudio de la
asignatura
Electrnica General 1 Parte
29
- Complejidad ascendente
Dispositivos
Electrnicos
Bsicos
- De Analgica a Digital
- rea genrica
Electrnica
Analgica
Electrnica
Digital
Introduccin
Parte 1.
Dispositivos electrnicos
J. Garca Ortega
ndice
1.
Electrnica General 1 Parte
2.
3.
4.
5.
Dispositivos electrnicos
Dispositivos elementales
- Dispositivos elementales
Resistencia
LDR
VD
V=RI
ID
Potenciometro
Condensador
VC
I=CdV/dt
IC
Inductancia
dV/dt
C
V
VL
V=Ldi/dt
di/dt
IL
L
Dispositivos electrnicos
La unin PN
- Materiales semiconductores
Electrnica General 1 Parte
Si, Ge
AsGa, SCd
AlGaAs
InGaAsP
- Portadores de carga
(electrones y huecos)
Dispositivos electrnicos
La unin PN
- Materiales semiconductores
Electrnica General 1 Parte
- Semiconductor intrnseco (p = n)
- Semiconductor tipo N; dopaje tipo N (p < n)
- Semiconductor tipo P; dopaje tipo P (p > n)
Dispositivos electrnicos
La unin PN
VD
VD
ID
VD ,D = 0
Dispositivos electrnicos
La unin PN
VD
Electrnica General 1 Parte
nodo
Ctodo
Regin de
polarizacin
directa
ID
VD
VD !,D > 0
Dispositivos electrnicos
La unin PN
VD
Electrnica General 1 Parte
nodo
Ctodo
Regin de
polarizacin
directa
ID
VD
Regin de
polarizacin
inversa
VD ,D ~< 0
ID = I0 [exp(VD / VT)-@PRGHORGHJUDQVHxDO
con I0 = I0 7FRUULHQWHLQYHUVDGHVDWXUDFLyQ
Dispositivos electrnicos
La unin PN
VD
Electrnica General 1 Parte
nodo
Ctodo
Regin de
polarizacin
directa
ID
VD
Regin de
polarizacin
inversa
Regin de
ruptura
Dispositivos electrnicos
El diodo
- Caracterstica esttica.
ID
VD
(mA) 18
nodo
IF
ctodo
10
Parmetros bsicos
P=VFIF
Tensin umbral VT
Tensin en directa VF
Corriente en directa IF
(V)
80
10
Regin de
polarizacin
directa
16
ID
70
VBR
2
50
40
30
20
10
Regin de
polarizacin
inversa
0,5
IR
1,0
VT VF
(V)
1,5
VD
1
2
3 (A)
Regin de
ruptura
Dispositivos electrnicos
El diodo
Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0
ID
ID
nodo
ctodo
Parmetros bsicos
VF
-Vz
VF
Regin de
polarizacin
inversa
Regin de
ruptura
11
VD
Dispositivos electrnicos
El diodo
Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0
ID
ID
12
nodo
ctodo
Parmetros bsicos
VF ~ 0,7 V
VBR ~ 1,5 - 300 V
Pmax ~ W
VF
-Vz
Regin de
ruptura
VD = -VZ
ID < 0
Regin de
polarizacin
inversa
VD
VF
-VZ
Dispositivos electrnicos
El diodo
Regin de
polarizacin
inversa
VD < VF
ID 0
Popt
Regin de
polarizacin
directa
VD = VF
ID > 0
ID (Popt)
Popt = 0
VF
VD
VF
Popt = 1
Popt = 2
Popt = 3
Popt = 4
ID
13
Dispositivos electrnicos
El diodo
14
ID
ID
-Vz
VD
-Vz
VJ
VD
VJ
etc
Dispositivos electrnicos
El diodo
VR
rectificador
Caso 3: R = 1K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
VR
VS
ID
10 V
R
Vs
VD
-1
2
t
limitador
-10 V
15
Dispositivos electrnicos
El diodo
- Ejemplos de uso
VR2
VR1
ID
R
VCC
VD
VD
VCC
ID
VR
VCC
Detector de paso
VR1
VR2
t
16
Dispositivos electrnicos
- Estructura y smbolos
C
C
B
E
PNP
NPN
Emisor
Colector
N
Emisor
N
Colector
P
Base
Base
Dispositivos electrnicos
- Efecto transistor
UE
pol. dir.
UC
pol. inv.
B
Emisor
Colector
E
PNP
Emisor
N
VEB > 0
Colector
P
Base
VCB < 0
Emisor
Colector
Base
Base
Dispositivos electrnicos
- Efecto transistor
UE
pol. dir.
UC
pol. inv.
B
Emisor
Colector
E
PNP
Emisor
N
VEB > 0
Colector
P
Base
VCB < 0
Emisor
Colector
Base
Base
Dispositivos electrnicos
IC
VCE
IB
VBE
B
VEB
E
PNP
Emisor
Colector
P
VEC
IB
NPN
N
Base
Emisor
N
Colector
P
Base
Dispositivos electrnicos
- Caracterstica esttica.
IC
C
IC = 4 mA
IB = 0,04 mA
IC = 3 mA
IB = 0,03 mA
IC = 2 mA
IB = 0,02 mA
IC = EIC = 1 mA
IB = 0,01 mA
E
NPN
VCE
IB
IC
B
VBE
VCE
NPN
E
IB = 0 mA
E = 100
C
E
21
Dispositivos electrnicos
E
NPN
Zona activa
IC = 4 mA
IB = 0,04 mA
IC = 3 mA
IB = 0,03 mA
IC = 2 mA
IB = 0,02 mA
IC = 1 mA
IB = 0,01 mA
VCE
IB
VCE = 0,2 V
IC
B
IC = EIB
E = 100
VBE
VCE
E
0,7 V
VBE = 0,7 V
BJT en ACTIVA
UE PD, UC PI
22
IB
Dispositivos electrnicos
IC
C
E
NPN
IC = 4 mA
IB = 0,04 mA
IC = 3 mA
IB = 0,03 mA
IC = 2 mA
IB = 0,02 mA
IC = 1 mA
IB = 0,01 mA
VCE
IB
VCE = 0,2 V
IC
0,2 V
E = 100
VBE
VCE
0,7 V
VBE = 0,7 V
BJT en SATURACIN
UE PD, UC PD
23
VCE = 0,2 V
IC <
IB
Dispositivos electrnicos
IC
C
E
NPN
IB = 0,04 mA
IC = 3 mA
IB = 0,03 mA
IC = 2 mA
IB = 0,02 mA
IC = 1 mA
IB = 0,01 mA
VCE
IB
02V
VCEE = 0,2
IC
B
E = 100
C
IB =
VBE
E
24
IC = 4 mA
IC =
VCE
E
IB = 0
UE PI, UC PI
IC = 0
Dispositivos electrnicos
10 V
1K:
:
IC
IB
10K:
:
Vs
Caso 5: Vs = 1,2
25
1,2 V
Dispositivos electrnicos
ID
D
IG=0
VGS
VDS
IG=0
VDS
VGS
IS
Canal n
S
IS
Canal P
Dispositivos electrnicos
canal P
canal N
Empobrecimiento
Frecuencia de corte fc
27
Dispositivos electrnicos
VGS = 6 V
VGS = 4 V
VGS = 3 V
VDS
IG=0
ID
VGS VT
G
VGS
D
VDS
nMOS
S
28
VGS = 5 V
Dispositivos electrnicos
Zona de corte
VGS = 6 V
VGS = 5 V
VGS = 4 V
VGS = 3 V
VDS
IG=0
ID
G
IG =
VGS
VGS VT
D
ID =
MOSFET en CORTE
VGS VT
VDS
IG = 0
ID = 0
29
Dispositivos electrnicos
Zona de
conduccin
VGS = 6 V
VGS = 5 V
VGS = 4 V
VGS = 3 V
VDS
IG=0
ID = f(VGS, VDS)
ID
IG =
VGS
S
VGS VT
VGS > VT
VDS
S
MOSFET en
CONDUCCIN
30
IG = 0
ID = f (VGS, VDS)
Dispositivos electrnicos
d) Vcc = 120 V, R = 3 K , VF = 0 V
e) Vcc = 1 V, R = 4,7 K , VF = 0,7 V
f) Vcc = 1 V, R = 4,7 K , VF = 0 V
Id =
Vd =
Vr =
Pd =
Pr =
2.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la tensin de la resistencia (Vr) y las potencias
disipadas por ambos dispositivos (Pd, Pr) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 7 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
b) Vcc = -10 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
c) Vcc = -3 V, R = 3 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
d) Vcc = 7 V, R = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 10 V
Id =
Vd =
Vr =
Pd =
Pr =
3.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo rectificador (Id, Vd), las tensiones de las resistencia (Vr1, Vr2,
Vr3) y las potencias disipadas por los cuatro dispositivos (Pd, Pr1, Pr2, Pr3) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 0 K , VF = 0,7 V
b) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V
c) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V
Id =
Vd =
Vr1,2,3 =
Pd =
Pr1,2,3 =
4.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), el estado del diodo y la tensin Vout:
a) Vcc = 8 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
b) Vcc = -2 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
c) Vcc = 3 V, V1 = 3 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id =
Vd =
Vout =
Estado
5.- Calcular las corriente y tensiones de las resistencias (Ir, Vr) y los diodos (Id, Vd) para los siguientes circuitos:
a) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , VF1 = 0,7 V, VF2 = 0,3 V
b) Vcc = 10 V, R1 = 2 K , VF1 = 0,7 V, VF2 = 0,3 V
c) Vcc = 10 V, R1 = R2 = 1 K , VF = 0,7 V
d) Vcc = 10 V, R1 = 2 K , VF1 = VF2 =0,7 V, VF3 = 0,3 V
e) Vcc = 10 V, R2 = 1 K , R1 = R3 = 2 K , VF1 = 0,7 V
a)
c)
e)
f) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF = 0,7 V
g) Vcc = 10 V, V1 = 2 V, R1 = R2 =1 K , VF = 0,7 V
h) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , VF = 0,7 V
i) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF1 = 0,7 V, Vz2 = 5 V
j) Vcc = 10 V, R1 = 1 K , R2 = 2 K , VF1 = 0,7 V, Vz2 = 5 V
Ir 1/2/3=
a)9,7 mA
b)4,5 mA
c)8,6/0,7 mA
d)4,5 mA
e)3,5/2,34/1,16 mA
f)8,6/4,3 mA
g)7,3/2 mA
h)8,6 mA
i)4,3/2,5 mA
j)4,3/0,34 mA
Vr 1/2/3=
a)9,7 V
b)9 V
c)8,6/0,7 V
d)9 V
e)7/2,3/2,3 V
f)8,6/8,6 V
g)7,3/2 V
h)8,6 V
i)4,3/5 V
j)4,3/0,7 V
Id 1/2/3=
a)0/9,7 mA
b)4,5 mA
c)8,6/7,9 mA
d)4,5/0/4,5 mA
e)3,5 mA
f)13 mA
g)7,3 mA
h)8,6/0/8,6 mA
i) 3,96/-4,3 mA
Vd 1/2/3=
a)0,3/0,3 V
b)0,7/0,3 V
c)0,7/0,7 V
d)0,7/0,3/0,3 V
e)0,7 V
f)0,7/0,7 V
g)0,7 V
h)0,7/-0,7/0,7 V
i)0,7/-5 V
j)0,7/-5 V
b)
d)
f)
g)
h)
i)
j)
6.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la potencia disipada por el diodo y la batera
(Pd, Pbat) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 8 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
b) Vcc = 8 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
c) Vcc = -10 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , R3 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id=
Vd=
Pd =
Pbat=
7.- Calcular el valor de la corriente y tensin del diodo Zener (Id, Vd), la potencia disipada por el diodo y la batera
Vcc (Pd, Pbat) para los siguientes parmetros:
a) Vcc = 8 V, V1 = 2 V,R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
b) Vcc = 4 V, V1 = 2 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 5 V
c) Vcc = -10 V, V1 = 2 V, R1 = 1 K , R2 = 1 K , VF = 0,7 V, Vz = 3 V
Id=
Vd=
Pd =
Pbat=
8.- El LED de la figura funciona con una corriente nominal de 10 mA. Calcular el valor terico de la resistencia R que
habra que poner si queremos que el LED ilumine con su potencia nominal, en los siguientes casos:
a) Vcc = 10 V, VF (D1)= 0,7 V, VF (LED)= 1,7 V
b) Vcc = 20 V, VF (D1)= 0,7 V, VF (LED)= 1,7 V
c) Idem que a) para que el LED ilumine el doble
Hallar la potencia consumida por el LED y la suministrada por la batera en cada caso.
R=
a)0,76 K
b)1,76 K
c)0,38 K
PLED =
PBat =
9.- El circuito de la figura representa una matriz de 9 LEDs, que es alimentada por una fuente comn Vcc y activada
por un nico interruptor (Switch1). El objetivo del circuito es encender la matriz de 3x3 LEDs rojos al cerrar el
interruptor para producir un determinado aviso luminoso. Se considera que los LEDs estn correctamente
iluminados si por ellos pasan 15 mA. Sabiendo que la tensin en conduccin de un LED rojo es VF = 1,7 V se pide:
a) Valor de las resistencias R1, R2 y R3 para que el circuito funcione correctamente si Vcc = 12 V
b) Potencia suministrada por la fuente Vcc, consumida por las resistencias y por los diodos
c) Corriente que soportan las resistencias, la fuente Vcc y el interruptor.
R1, R2, R3 =
mximo 0,46 K
IR =
15 mA
IVcc = Iswitch =
45 mA
PR =
PLED =
PBat =
540 mW
10.- El circuito de la figura representa una matriz de 9 LEDs, que es alimentada por una fuente comn Vcc y activada
por un nico interruptor (Switch1). El objetivo del circuito es encender la matriz de 3x3 LEDs rojos al cerrar el
interruptor para producir un determinado aviso luminoso. Se considera que los LEDs estn correctamente
iluminados si por ellos pasan 15 mA. Sabiendo que la tensin en conduccin de un LED rojo es VF = 1,7 V se pide:
a) Valor de la resistencia R1 para que el circuito funcione correctamente si Vcc = 12 V
b) Potencia suministrada por la fuente Vcc, consumida por la resistencia y por los diodos
c) Corriente que soportan la resistencia, la fuente Vcc y el interruptor.
R1 =
IVcc = Iswitch =
PBat =
mximo 0,154 K
IR =
45 mA
45 mA
PR =
310,5 mW
540 mW
PLED =
VCE =
IB =
IC =
Estado
2.- Para el circuito de la figura anterior, determine el intervalo de valores de V1 para que el transistor se encuentre
en activa.
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 150)
Rb = 5 K, Vcc = 12 V, Rc = 1 K
0,7 V < V1 < 1,093 V
3.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,7 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 150
b) Rc = 0,2 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 150
a) Rc = 0,7 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 120
b) Rc = 0,2 K , Rb = 75 K , V1 = 10 V, = 120
VBE =
VCE =
IB =
IC =
4.- Hallar las tensiones (VB, VC, VE), corrientes (IB, IC, IE) y estado de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a) = 120, R1 = 10 K, R2 = 7 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
b) = 120, R1 = 75 K, R2 = 7 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
c) = 100, R1 = 87 K, R2 = 10 K, Rc = 1 K, Vcc=12 V
d) = 100, R1 = 87 K, R2 = 3 K, Rc = 1 K, Vcc= 9V
Vb =
Vc =
Ve =
Ib =
Ic =
Ie =
Estado
5.- Calcular el valor de las resistencias Re y Rb, y de las corrientes Ic e Ib, sabiendo que la tensin Vc = 5 V y que:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a) Rc = 5 K , Ve = 4,5 V
b) Rc = 1 K , Ve = 4,5 V
c) Rc = 5 K , Ve = 3 V
d) Rc = 1 K , Ve = 3 V
Re =
a) 4,5 K
b)0,9 K
c)3,0 K
d)0,6 K
Rb =
a)480 K
b)96 K
c)630 K
d)126 K
Ic =
Ib =
6.- En el siguiente montaje, A representa una bombilla que disipa 100 W a 220 V. Si se tienen los siguientes valores de
tensin y resistencia, Vs = 5 V, RB = 20 K , RC = 0,5 K , Vcc = 20 V, hallar
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 120)
Resistencia
bombilla
RBombilla =
0,484 K
Corriente por
la bombilla
IBombilla =
20,12 mA
Potencia de la
bombilla
PBombilla =
195,93 mW
Potencia del
transistor
PTransistor =
4,17 mW
7.- Se pretende encender un LED actuando sobre el potencimetro Pot1, conectado a la base de un transistor BJT a
travs de una resistencia fija Rb. Se considera que el LED (de color amarillo) funciona con una corriente mnima de IF MIN
(LED)= 15 mA, siendo la tensin en conduccin VF (LED)= 2 V. La mxima potencia que puede disipar el LED es de 0,1 W.
Se pide:
a) Dimensionar el valor de Rb para que el LED no se destruya en el caso de que el potencimetro est en su
valor mnimo (Rpot = 0 K ). Calcular la tensin Vce en ese instante.
b) Dimensionar el valor mximo del potencimetro para que siempre se encuentre encendido. Calcular Vce.
Datos: V1 = 10 V, RC = 0,1 K , Vcc = 10 V, Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
RB =
18,6 K
VCE =
3V
RPot =
43,4 K
VCE =
6,4 V
a)
b)
8.- El conmutador de la figura sirve para encender o apagar el LED. Se considera que el LED (de color amarillo) funciona
con una corriente mnima de IF MIN (LED)= 15 mA, siendo la tensin en conduccin VF (LED)= 2 V.
a) Calcular el valor de Rc para que pase por el LED una corriente de 30 mA cuando el switch est a GND.
b) Calcular el valor de mnimo Rb para que pase por el LED una corriente menor de 15 mA cuando el switch
est a V1.
Datos: V1 = 5 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a)
RC =
0,1 K
b)
RB MIN =
28,6 K
9.- El conmutador de la figura sirve para poner en marcha el motor de continua, a travs de un rel. La bobina del rel
se activa cuando pasa como mnimo 10 mA por ella, cerrando el interruptor (Relay1) en ese caso.
a) Calcular el valor mximo de Rb para que funcione el sistema.
b) Tensin Vce en ese instante.
c) Si Rb fuese un potencimetro, Cul sera la mxima corriente que podramos hacer pasar por la bobina?.
d) Calcular la potencia que estara disipando la bobina en ese instante.
Datos: R interna de la bobina = 0,1 K , V1 = 5 V, V2 = 2 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a)
RB MAX =
b)
VCE =
4V
c)
IBB MAX =
48 mA
d)
PBB MAX =
230,4 mW
43 K
10.- Los conmutadores S1 y S2 sirven para seleccionar cual de los cuatro LEDs es encendido.
a) Calcular los valores de las Rbi para que los LEDs se iluminen con la corriente mnima al ser seleccionados.
b) Calcular el valor de las RLi para las tensiones |Vce| de ambos transistores sean de 2,5 V.
c) Rellenar la tabla de correspondencias entre S1, S2 y los 4 LEDs que son encendidos.
Datos: VF (LED)= 2 V, IF MIN (LED)= 15 mA, V1 = V2 = 10 V, (Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
a)
RB =
62 K
b)
RL =
0,2 K
S2
UP
DOWN
UP
LED1
LED3
DOWN
LED2
LED4
S1
c)
11.- En una situacin A, el corte de la recta de carga con la caracterstica esttica del transistor BJT proporciona el
punto de polarizacin. Si se divide por 2 la tensin Vcc, represente en dicha caracterstica la nueva situacin, indicando
el estado del transistor en ambos casos.
iC
iC
vCC
Rc
vCC
Rc
iB
iB
vCC
2Rc
vCE
vCE
Estado:
vCC
vCC
2
vCC
ACTIVA
Estado:
SATURACIN
12.- Hallar las tensiones y corrientes de polarizacin del BJT, donde R1 = 20 K , R2 = 10 K , R3 = 4 K y Vcc = 10V
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V, = 100)
Representar sobre la caracterstica esttica de salida el punto de polarizacin del transistor, indicando los valores
representativos de la recta de carga (puntos de corte con los ejes), las corrientes de base (IB) y colector (IC) y la
tensin colector emisor (VCE).
VBE =
0,7 V
VCE =
0,2 V
Ib =
0,395 mA
IC =
2,45 mA
iC
Ib=39,5 mA
iC
Vcc/Rc=2,50 mA
Ic=2,45 mA
IB
Ib=0,395 mA
vCE
vCE
Vce=0,2V
Vcc=10V
13.- Hallar las tensiones (VBE, VCE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 0,5 K , Rb = 100 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 120
b) Rc = 0,25 K , Rb = 75 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 140
VBE =
a) 0,7 V b) 0,7 V
VCE =
a)4,4 V b)5,66 V
IB =
a)0,093 mA b) 0,124 mA
IC =
a)11,16 mA b)17,36 mA
14.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K , Rb = 126 K , Re = 0,6 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 100
b) Rc = 1 K , Rb = 96 K , Re = 0,9 K , RL = 1K , V1 = 10 V, = 100
VB =
a) 3,7 V b) 5,2 V
VC =
a)5 V b)5 V
VE =
a)3 V b)4,5 V
IB =
a)0,05 mA b) 0,05 mA
IC =
a)5 mA b)5 mA
15.- Hallar las tensiones de base, emisor y colector (VB, VC,VE) y corrientes (IB, IC) de polarizacin del transistor:
(Vbe = Vbeact = Vbesat = 0,7 V, Vcesat = 0,2 V)
a) Rc = 1 K , Rb1 = 75 K , Rb2 = 7 K , RL = 1K , V1 = 12 V, = 120
b) Rc = 1 K , Rb1 = 87 K , Rb2 = 10 K , RL = 1K , V1 = 12 V, = 100
VB =
a) 0,7 V b) 0,7 V
VC =
a)6 V b)6 V
VE =
a)0 V b)0 V
IB =
a)0,05 mA b) 0,06 mA
IC =
a)6 mA b)6 mA
16.- Se tiene un transistor BJT npn. Indicar, para las tensiones de terminales dadas, la regin de funcionamiento
donde se encuentra el transistor (corte, activa o saturacin), as como el estado de polarizacin de cada una de las
dos uniones (polarizacin inversa o directa).
(Datos NPN: tensin umbral unin BE VBE = 0,6 V, tensin umbral unin BC VBC = 0,5 V)
(Datos PNP: tensin umbral unin BE VEB = 0,6 V, tensin umbral unin BC VCB = 0,5 V)
Tensiones
TIPO TRANSISTOR
UNIONES
VC
VB
VC = 7 V
VB = 4 V
VE = 3,3 V
ACTIVA
VC = 4,9 V
VB = 4,3 V
VE = 5 V
SATURACIN
VE
VC
VB
VE
REGIN
UNIONES
VC=8V
VB=5,3V
ACTIVA
VE=4,6V
Parte 2: Introduccin a la
Electrnica Analgica
F. P. Ridao
Objetivos
(a) Objetivos generales de la parte 2
Objetivos
Clase 1:
Rectificadores y Reguladores
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Circuitos rectificadores.
Rectificador con filtrado.
Regulador zener.
Regulador serie lineal.
Regulador serie conmutado.
z
z
R1 representa la carga.
Caractersticas:
Inconvenientes:
10
11
(a) Filtrado
Filtrar: eliminar componentes indeseadas de tensin o corriente.
Electrnica General 2 Parte
12
C infinito V=cte
(no real)
L infinito I=cte.
(no real).
...
13
14
15
K
A
K
A
16
17
18
Q1 en serie:
Regula la corriente y permite aumentar la potencia de salida.
Q1 activa, Vbe ~ 0.7V, Vb = Vz = cte , Vo = 0.7 - Vz
Lmites:
Vz y Vbe no son constantes Vo no es muy constante.
Prdidas en Q1: puede requerir un disipador metlico.
19
20
Amplificador de error:
Requiere uso de A.O. (IC1, debe ser alimentado...en poca potencia).
IC1 amplifica linealmente error:
Vo = Vz (R2+R3)/R3.
VD1= VR3
Con R3 variable podemos ajustar Vo.
Mejora regulacin de carga y lnea (Vo muy constante).
21
22
Caracterstica
INTERRUPTOR IDEAL
INTERRUPTOR REAL
I=0
I << 1mA
V de circuito
(V < Vmax)
V=0
V > 1 uV
I de circuito
(I < Imax)
Potencia
No limitada
P < Pmax
Tecnologa
No real
Elctrico /
__/ __
Int. Cerrado (ON)
__---__
Electrnico
23
Caracterstica
INTERRUPTOR CON
MOSFET
CORTE
__/ __
V < Vdsmax
Int. Cerrado (ON)
__---__
LINEAL
Vgs > V
Vds < Vgs-V
Vds > 0V
I < Idmax
Potencia
P = Vds Id
P < Pmax
Tecnologa
MOSFET comerciales y representacin
simblica.
24
Vgs < V
Electrnico
(MOSFET de
conmutacin)
25
12.000
8.000
4.000
0.000
-1.000
0.000m
v(1)
v(2)
0.200m
0.400m
0.600m
T
26
0.800m
1.000m
Clase 2:
Circuitos Amplificadores
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
Amplificadores.
Amplificador operacional real.
Amplificadores bsicos con A.O.
Amplificadores con BJT.
Amplificadores de audio.
27
2.1 Amplificadores
(a) Sistema Electrnicos Lineales
Funcin lineal :
Electrnica General 2 Parte
28
(propiedad de superposicin)
(propiedad homognea)
Es lineal?f(ax+by)=af(x)+bf(y) ?
Circuito electrnico lineal :
Circuito cuya salida (Vo, Io) es funcin lineal de la
entrada (Vi, Ii).
Ejemplo: un amplificador inversor con A.O.
Sistema electrnico lineal:
Sistema complejo (varios circuitos electrnicos) que
realiza una funcin lineal.
Ejemplo: Un amplificador de audio real.
Ejemplo de un sistema
lineal: preamplificador
mezclador
2.1 Amplificadores
Caracterstica
Tipos de Amplificadores
Amplificacin
Tensin Vo = kVi
bsica
Corriente Io = kIi
Otros (Vo = kIi ; Io = kVi)
Potencia
Tecnologa
Transistor
Saturacin
Lineales / Conmutados
Frecuencia
Aplicaciones
Representacin simblica
de un amplificador.
29
2.1 Amplificadores
30
Amplificador de vlvulas
31
32
Caracterstica
A.O. Ideal
A.O. Real
Av (Ganancia en
tensin)
Infinita (Avd)
Limitado (<100.000)
BW (Ancho de
Banda)
Infinito (DC )
Zi (Impedancia de
entrada)
Infinita
<100.000
Zo (Impedancia de
salida)
>100
Saturacin
Imposible
Vo
Avd (V(+)-V(-))
Potencia
No limitada
Reducida (mW, W)
33
34
Vo = - (R2/R1) Vi
35
Vo = (1+R2/R1) Vi
Vo = Vi
36
37
38
39
40
No se utilizan en potencia.
41
42
Audiofrecuencias
(fmin, fmax)
Bsico: 20 Hz 20 kHz
Preamplificadores
Tensin(Vi) / Corriente(Io)
Etapas potencia
Alta
1K - 100K
Baja (previos)
100 - 1k
0.05 - 1
(THD)
Muy reducida
<< 1%
(P)
Baja (previos)
<10 W
10 - 1000W
Distorsin
Potencia
43
44
LM1875
A.O. de
Potencia
NE5532
A.O. de seal
45
46
47
48
El diseo de un amplificador de
potencia de audio es complejo y no
est al alcance de principiantes.
Clase 3:
Circuitos electrnicos no lineales.
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
Introduccin.
Filtros activos.
Circuitos electrnicos no lineales.
Circuitos controladores.
Electrnica de Potencia.
49
3.1 Introduccin.
(a) Sistema Electrnico no lineal
Funcin no lineal:
Electrnica General 2 Parte
50
3.1 Introduccin.
(b) Sistema Electrnicos no lineales
51
52
Comportamiento en frecuencia de
filtro pasivo paso banda.
53
54
55
56
fc2 = 1591 Hz
fc1 = 15.9 Hz
fc2 = 1591 Hz
57
58
fc = 159 Hz
efecto del
A.O. real
59
Ejemplo de aplicacin:
Filtro divisor de frecuencias (bafles).
filtro pasivo de 3 vas.
P/B f bajas graves
P/banda f medias medios
P/A f altas agudos
Inductores y condensadores especiales:
Alta potencia
Bajas prdidas
Voluminosos (caros)
Filtro pasivo para audio de 3 vas
60
Ejemplo de aplicacin:
Crossover RANE AC23.
filtro activo de 3 vas estreo:
P/B activo graves.
P/banda activo medios
P/A activo agudos
Mltiples opciones para ajuste de
frecuencias de corte (11 para fc1
y 12 para fc2).
61
Vo =Voi - (1/RC) Vi dt
62
63
64
Curva de histresis
65
66
(a) Driver
- Driver (excitador): circuito electrnico capaz de controlar adecuadamente una carga,
dando la tensin y corriente requeridas.
Electrnica General 2 Parte
67
68
69
70
71
72
Puente rectificador
trifsico de potencia.
transistor de potencia
(doble IGBT 50A 1200V)
73
74
Caractersticas:
Alternativa a los reguladores serie lineales.
Parte 3.
Sistemas electrnicos
digitales
S. Toral y F. Barrero
Introduccin
ANALGICO
DIGITAL
ANALGICO
Introduccin
Introduccin
3HURWDPELpQ
Electrnica General 3 Parte
Introduccin
Introduccin
Introduccin
Introduccin
PC-104
Electrnica General 3 Parte
Introduccin
Introduccin
10
Introduccin
Wikipedia
Electrnica General 3 Parte
ENIAC vs Z3
Transistor: Laboratorios BELL (J. Bardeen, W. Houser y W. Bradford)
Jack S. Kilby (Texas Instruments): circuito integrado
Intel 4004: Primer microprocesador
11
ndice
12
SED
Sistema abierto basado en componentes electrnicos con capacidad de
Electrnica General 3 Parte
Componentes de un SED
Componente (o componentes) de control: P, C, DSP, DSC, FPGA, PSoC
Elementos auxiliares o Perifricos
Almacenamiento de informacin
Comunicaciones
Integracin con sensores (CAD/CDA)
2WURVHOHPHQWRVPiVVLPSOHVSXHUWDVOyJLFDV
13
BUSES
Electrnica General 3 Parte
14
MASTER
SLAVES
15
16
Microprocesador
Microcontrolador
DSP Digital Signal Processor
DSC Digital Signal Controller
FPGA (CPLD)
PSoC Programable System on Chip
17
Ps
Electrnica General 3 Parte
18
DSP: TMS320DM643
PSoC
FPGA
RELOJ.
set instruction address to the address of
the first instruction
while program not finished {
fetch instruction from current instruction address
update current instruction address
execute the fetched instruction
}
http://www.eastaughs.fsnet.co.uk/cpu/execution-fetch.htm
19
20
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
Convertidores
Comunicaciones
Otros
INFO
PERIFRICOS
Dispositivos electrnicos ms o menos complejos que
ayudan al P en el procesamiento que realiza y que es
accedido en lectura/escritura
21
Perifricos
22
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
Electrnica General 3 Parte
Qu es una memoria?
Es un dispositivo que es capaz de proporcionar un medio fsico
para almacenar la informacin procesada por un sistema digital
SED: memorias de semiconductoras
Para qu se emplean?
Para almacenar programas y datos en Sistemas Microprocesadores
Qu es una palabra?
Es un grupo de bits a los que se puede acceder de manera simultnea
Memorias x8, x16, x32
Qu es una direccin?
Es la posicin de identificacin de una palabra en memoria
23
Perifricos
(Ai) Lneas de
Direcciones
CE
Decodificador
de direcciones
Almacenamiento: Memorias
Matriz de Celdas
de
Memoria
Control
Circuito de E/S
OE
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
Clasificacin
Electrnica General 3 Parte
Tecnologa de
almacenamiento
No voltil
Voltil
ROM
Esttica - Dinmica
PROM
SRAM
DRAM
EPROM
FIFO
EEPROM
FLASH
Tipo de acceso
Asncrono - Sncrono
ROMs
ASRAM
25
SDRAM
SBSRAM
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
ROM, PROM, EPROM
Electrnica General 3 Parte
Electrnica Digital?
26
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
EEPROM y FLASH
Electrnica General 3 Parte
Electrnica Digital?
27
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
Electrnica General 3 Parte
DRAM
ASRAM
Biestables
1 transistor
(C parsita)
Electrnica Digital?
28
Perifricos
Almacenamiento: Memorias
Dispositivos especiales
Electrnica General 3 Parte
FIFO
DPRAM
29
Perifricos
Convertidores
ADC Analog to Digital Converter, Circuito encargado de convertir una seal
analgica en digital
Electrnica General 3 Parte
30
DAC Digital to Analog Converter, Circuito encargado de convertir una seal digital
en analgica
Sample & hold Obtencin de muestras peridicas de la amplitud de la seal
analgica
Frecuencia de muestreo Nmero de muestras por segundo
Codificacin Traduce los valores obtenidos durante la cuantizacin a valores
binarios segn la resolucin (no. de bits) del convertidor
Perifricos
Convertidores
31
Perifricos
Convertidores
Resolucin
Electrnica General 3 Parte
Seal Analgica
Seal Digital
32
Perifricos
Convertidores
Clasificacin
Electrnica General 3 Parte
CDA
DACOUT
33
VOUT
Perifricos
Convertidores
CDA
Electrnica General 3 Parte
Electrnica Digital?
34
Perifricos
Convertidores
CAD
Bucle Abierto
Bucle Cerrado
Flash
Rampa
V/f
Aproximaciones
Sucesivas
35
Perifricos
Convertidores
CAD
Electrnica General 3 Parte
36
Flash
R
2
Perifricos
Convertidores
CAD
Aproximaciones sucesivas
VIN
VDAC
37
Perifricos
Comunicacin serie
Electrnica General 3 Parte
Sncrona
clk
data
B0
38
B1
B2
B3
B4
B5
Perifricos
Comunicacin serie
Electrnica General 3 Parte
Asncrona
Start
B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6
Stop bits
bit
Parity
39
Perifricos
Puertas lgicas
Para qu sirven? base de la electrnica digital
Electrnica General 3 Parte
lgebra de BOOLE
41
Puertas lgicas
Definicin y familias lgicas
Electrnica General 3 Parte
42
Puertas lgicas
Caractersticas de la puerta real
Electrnica General 3 Parte
Tiempos
IOH
IOL
IIL
Niveles de tensin
VOH, VIH, VOL, VIL
IIH
Mrgenes de ruido
Niveles de corriente
IOH, IOL, IIH, IIL
FAN-OUT
Puertas posibles a la salida de
la considerada
43
Puertas lgicas
(MHPSOR,QWHULRUGHODSXHUWDOyJLFDGHWHFQRORJtD77/WLSR127
Electrnica General 3 Parte
44
275$67(&12/2*$6),-$1(/<(/
6$/,'$727(0-POLE) O GENERAN
6$/,'$75,(67$'2=
Puerta lgica
de tecnologa
CMOS tipo
NOT
Puertas lgicas
Algn dispositivo comercial
Electrnica General 3 Parte
45
Biestables
Base de la lgica secuencial: ALMACENAMIENTO. Tienen realimentacin y la
salida depende no slo de la entrada sino tambin de la salida/estado anterior
Electrnica General 3 Parte
Biestable RS
Biestable JK
J
Asncrono
0
0
1
1
Sncrono
(nivel/flanco)
0
1
0
1
Qk
0
1
NOT(Qk)
Biestable T
T
0
1
46
Qk+1
Qk+1
Qk
NOT(Qk)
Biestables
Biestable D (REGISTRO: Almecenamiento de BIT)
Electrnica General 3 Parte
D
0
1
Qk+1
LATCH vs FLIP-FLOP
0
1
Biestables
Ejemplo de registro de desplazamiento con biestables D
Electrnica General 3 Parte
48
74HC595 8 bits
Codificadores, decodificadores
Electrnica General 3 Parte
49
Multiplexores y demultiplexores
Electrnica General 3 Parte
50
X0 X1 X2 X3
A
B
74LS151
Contadores
Electrnica General 3 Parte
51
Ejemplos
PLANTEAMIENTO
Ejemplos
Problema 1: Realizar las funciones lgicas AND, OR, NAND, NOR, XOR y XNOR de la dos
seales A y B que se muestran:
Problema 2: Dada la funcin lgica que figura a continuacin, escribir su tabla de verdad:
Problema 3: Dada la tabla de verdad que figura a continuacin, determinar la funcin lgica
simplificada utilizando los mapas de Karnaugh:
Problema 4: Dada la tabla de verdad que figura a continuacin, determinar la funcin lgica
simplificada utilizando los mapas de Karnaugh:
B
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
1
1
1
1
C
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
D
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
f
0
1
0
1
1
1
1
1
0
1
0
0
1
0
1
0
La tabla siguiente muestra la secuencia de operaciones que tendra lugar en el depsito para
distintos valores de los sensores. Inicialmente el depsito est vaco y los sensores A y B a cero.
POr tanto, la actuacin deber ser un 1 para que comience a llenarse. A continuacin, se
activara el sensor B, pero el depsito seguira llenando hasta superar el umbral A. Cuando se
supera este umbral, el depsito debe vaciarse (X=0) hasta que el nivel vuelva a quedar por
debajo del nivel B, situacin en la que volvera de nuevo a llenarse.
Puede observarse que ante dos entras iguales A=0 y B=1, la respuesta es distinta dependiendo
del estado en el que se encuentra el depsito, que puede ser llenndose o vacindose.
Para poder resolver el circuito, es necesario guardar memoria del estado del depsito
mediante un biestable, que almacene el estado actual del depsito (llenando o vaciando).
Biestable tipo D
D
1 Llenando
0 Vaciando
CLK
La salida Q del biestable representa el estado actual, vaciando o llenando, en tanto que su
entrada D ser el estado siguiente al que debe cambiar el biestable. Para resolver el circuito,
consideraremos A, B y Q (estado) como entradas y X y D como salidas. La salida X depender
no slo de las entradas A y B, sino tambin del estado del depsito.
La tabla siguiente se interpreta de la siguiente forma: cuando las entradas A y B son cero, la
salida debe ser llenar el depsito (X=1) y el estado siguiente llenndose (D=1),
independientemente del estado actual del depsito.
Cuando las entradas A y B son, respectivamente, 0 y 1, la salida depende del estado. Si el
estado es llenndose (Q=1), la salida X debe ser 1, seguir llenando, y el estado siguiente debe
permanecer en llenndose (D=1). Pero si el estado es vacindose, entonces tanto la salida X
como el estado siguiente deben de ser cero, para que el depsito siga vacindose y contine
en ese estado.
Cuando las entradas A y B son ambas 1, el depsito supera su umbral mximo y por tanto debe
empezar a vaciarse y conmutar su estado a vacindose, independientemente del estado en
que estuviese.
Finalmente, la entrada A=1 y B=0 es un caso imposible, ya que si el depsito supera el umbral
A tambin tiene que superar el nivel B.
La solucin de la tabla anterior se puede obtener simplificando la tabla de verdad:
AB
0
00 01 11 10
1 0 0 X
X=QA+B
D=X
Y el circuito final quedara:
Prctica 1
Introduccin al laboratorio de electrnica
Profesores de la prctica: Federico Barrero (fbarrero@esi.us.es),
(toral@esi.us.es), Bernardo Palomo (bpv@gte.esi.us.es)
Sergio
Toral
Objetivos perseguidos:
1) Familiarizarse con los instrumentos y materiales de un laboratorio de electrnica y saber
manejarlos a nivel bsico.
2) Distinguir los diferentes componentes electrnicos.
-1-
I) Dispositivos electrnicos
Los dispositivos electrnicos se podrn ver en el muestrario entregado por el profesor
durante el desarrollo de la prctica.
a) Resistencia
La resistencia es el componente electrnico ms bsico. Limita el paso de corriente en
la conexin elctrica en la que se ubica, generando una diferencia de tensin en sus bornas
o terminales directamente proporcional al valor de la resistencia y a la corriente que circula.
En el muestrario se vern distintos tipos de resistencias que se pueden localizar en el
mercado: de potencia, SMD y de seal (las resistencias de seal sern las que se usen
durante el desarrollo de las prcticas). El smbolo de este componente es:
c) Condensadores
El condensador es otro componente electrnico muy comn. Su smbolo es el siguiente:
Fig.4. Smbolo del condensador. El signo positivo determina la polaridad del componente. El terminal del
condensador marcado con el + debe tener siempre un nivel de tensin superior al otro terminal.
-3-
Tabla 1
Texto de carcasa
Valor del capacidad
0.047 (.047)
0.047 F = 47 nF
564
560000 pF = 560 nF
4p7
4.7 pF
47
47 pF
d) Diodos
Los diodos son componentes semiconductores formados por uniones pn, como se ver
en teora a lo largo del curso. Los diodos bsicos son, rectificador y el zener. Sus smbolos,
son los siguientes:
Los diodos son componentes de dos terminales, nodo (A) y ctodo (K). Para distinguir
entre los terminales, basta con saber que el ctodo es el terminal que se corresponde con la
banda presente en la carcasa del componente.
Los diodos no tienen valores impresos en la carcasa. En su lugar, se encuentra el
nombre que le proporcion el fabricante. Por tanto, para saber sus caractersticas es
necesario acudir a la hoja de caractersticas del modelo correspondiente, tambin conocida
como datasheet. En el caso de los zener, su valor nominal viene impreso en el
componente.
e) Transistores
Los transistores son componentes semiconductores de tres terminales que tambin sern
vistos en teora a lo largo del curso. Bsicamente hay dos tipos, bipolares (Bipolar Junction
-4-
Al igual que los diodos, los transistores tienen en su carcasa la referencia, y todas sus
caractersticas fsicas y elctricas pueden encontrarse en los datasheets.
f) Circuitos integrados
Los circuitos integrados o chips, Fig.7, constan de componentes electrnicos para hacer
una determinada funcin. Estos componentes se encuentran integrados en una misma rea
de material semiconductor. Los chips estn protegidos por un encapsulado que tambin
permite la conexin estndar en un sistema ms complejo.
Las caractersticas, dimensiones y limitaciones de los circuitos integrados vienen
recogidas en datasheets. De igual manera que en los casos anteriores, la referencia del
componente viene grabada en el modelo.
a) Fuente de alimentacin
La fuente de alimentacin es un dispositivo que se usa para proporcionar tensin
continua a un circuito electrnico. Se dispone de varios tipos, dependiendo del laboratorio y
puesto, siendo los dos principales los que se presentan en las siguientes figuras, cuyos
principales elementos se comentan a continuacin.
-5-
Tipo 1
1.- Botn que activa y desactiva las salidas de tensin de la fuente. Durante la conexin/
desconexin de cables al circuito, este botn debe estar en modo (OFF). Slo estar (ON)
durante la toma de medidas.
2.- Botn que indica el tipo de medida que aparece en el display: tensin (V) o corriente
(mA). Este botn durante todas las prcticas, salvo que se diga lo contrario, deber estar en
la posicin V: haca fuera.
3.- Ruedas de ajuste Fino (FINE) y grueso (COARSE), para ajustar el nivel de tensin
deseado a la salida de las dos fuentes programables entre 0 y 20 V que aparecen debajo
(bornas azul y rojo).
4.- Terminar positivo de la fuente de tensin fija de 5V.
5.- Terminar de tierra de la fuente de tensin fija de 5V.
6.- Fuentes de tensin variable de 0 a 20 V. La conexin roja (borna roja) es la positiva y la
azul, la negativa o referencia.
b) Multmetro
El multmetro es un dispositivo que se usa para medir tensin, valores de resistencia y
para comprobar la continuidad en terminales elctricos (como en cables). Disponemos de
dos tipos de multmetros:
Tipo 1
1.- Botn para indicar que se desea realizar una medida del valor de una resistencia.
2.- Botn para indicar que se desea medir tensin.
-6-
c) Generador de seales
El generador de seales es un instrumento que permite tensiones variables, con distintos
tipos de forma de onda (recurdese que la fuente de alimentacin tambin permita generar
tensiones, pero constantes). Por tanto, permite configurar la frecuencia y la amplitud de las
ondas de tensin a generar. Los dos principales generadores disponibles en el laboratorio
son (el funcionamiento del resto de tipos es muy similar a los presentados y las dudas sobre
su funcionamiento se resolvern durante la prctica):
Tipo 1
d) Osciloscopio
El osciloscopio es el instrumento que se usa para visualizar las formas de onda en
cualquier punto accesible del circuito. No olvidar que el nico componente auxiliar que se
puede conectar al osciloscopio es la sonda (que se mostrar ms adelante). Disponemos,
entre otros, de los dos tipos de osciloscopios que se muestran a continuacin:
-7-
Tipo 1
1.- Conector BNC para la sonda. Se disponen en este caso de dos canales (CH1 y CH2)
de entrada, en los que se pueden conectar dos seales que se desean visualizar. El
conector BNC etiquetado como EXT TRIG no se emplear en este curso (est
relacionado con la posibilidad de configurar una seal externa para realizar el trigger o
disparo que permitir visualizar las seales de los dos canales de entrada en la pantalla
del osciloscopio).
2.- Rueda de control de la escala vertical del canal 1 (V/divisin). Existe otro similar
para el canal 2.
3.- Botn de men del canal 1. Existe otro similar para el canal 2.
4.- Ruedas de control de la escala horizontal (tiempo/divisin).
5.- Rueda de configuracin del disparo (trigger). El disparo o trigger (la tensin de las
seales visualizadas en los canales alcanza un nivel de tensin determinado, tiene un
cambio brusco o genera una combinacin de eventos programados) permite definir el
instante a partir del cual el osciloscopio captura datos para mostrarlos por pantalla.
6.- Botn de cursores (los cursores permiten al usuario establecer dos puntos en la
escala horizontal o vertical entre los que medir la diferencia).
7.-Botn de medidas. Permite obtener de forma automtica ciertas medidas de la forma
de onda visualizada.
8.- Rueda para posicionar la referencia de tierra de un canal.
9.- Rueda de posicionamiento de los cursores.
10.- Botones de seleccin de medidas y caractersticas.
-8-
c) Cable BNC-cocodrilo
Este tipo de cable se presenta en la Fig. 18. Se usar nicamente para el generador de
seales. En su extremo tiene un conector BNC y en el otro dos conectores tipo cocodrilo.
NUNCA PARA EL OSCILOSCOPIO.
-9-
d) Sonda
La sonda es un componente auxiliar del osciloscopio, Fig.19. En un extremo tiene un
conector BNC, que ser el que se conecte al canal del osciloscopio, y en el otro un conector
que se usar para tomar las seales que se quiera representar en la pantalla (este extremo se
conectar por tanto en el punto del circuito cuya tensin elctrica deseemos medir y
visualizar en el osciloscopio). SLO PARA OSCILOSCOPIO.
Para ello:
1234-
- 10 -
Multmetro (k)
V(fuente)
(V)
R1
(k)
R2
(k)
V(R1)
(V)
V(R2)
(V)
I(R1)=I(R2)
(mA)
V(R1)+ V(R2)
(V)
- 11 -
Pantalla de osciloscopio
Frecuencia (Hz)
Periodo (s)
- 12 -
Prctica 2
Preamplificador de audio con etapa de
potencia
Profesores de
(toral@esi.us.es)
prcticas:
Francisco
Perdigones
(perdi@zipi.us.es),
Sergio
Toral
-1-
Entrada
de seal
Filtro de entrada/
Proteccin contra
inversin de
polaridad
Etapa de
ganancia en
tensin
Control de
volumen
Ecualizador 2
bandas tipo
Baxandall
Buffer de
salida
Etapa de
potencia
clase AB
Salida
de seal
-3-
4.-Desarrollo de la prctica.
4.1. Caracterizacin del control de volumen y de la etapa preamplificadora.
1. Alimentar la placa con 9V entre el pin Vcc y uno de los pines GND.
2. Programar el generador de funciones para obtener una seal senoidal de 1 kHz de
150mVP y aplicarla a la entrada del circuito (terminal P1).
3. Girar el potencimetro de volumen a tope en sentido horario.
4. Monitorizar el punto de pruebas P3 con el osciloscopio y comprobar cmo, al variar el
potencimetro de volumen, vara la amplitud de la seal entre 0VP y unos 1.4VP.
-4-
VREF =
mVP
-5-
Prctica 3
Puente H
Profesores de la prctica: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es), Sergio Toral
(toral@esi.us.es)
Responsable asignatura: Federico Barrero (fbarrero@esi.us.es)
Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autores de la prctica: Francisco Perdigones, Antonio L. Rodrguez
La parte superior del puente se conecta a la tensin de alimentacin mientras que la parte
inferior se conecta a tierra. La carga (motor, bombilla y otros dispositivos) se conecta en la
parte central. Los transistores, sean BJT o MOSFET, se operan siempre en los estados de corte
o saturacin lo que simplifica su anlisis: los transistores pueden verse como interruptores que
pueden estar abiertos o cerrados (Fig. 2).
En general, se podra abrir o cerrar cada transistor de manera independiente, pero hay una
restriccin obvia: Los dos transistores de una misma rama no pueden conducir al mismo
tiempo o se producira un cortocircuito que quemara los transistores (Fig. 3).
Q3
IRF9Z24N
S
S
G
gatA
D
VoA
VoB
Q2
IRLZ24
Q4
IRLZ24
D
gatA
gatB
S
GND
-2-
gatB
2. Drivers de los MOSFET. Los drivers de los MOSFET utilizan 2 BJTs, uno para cada
rama del circuito. Es un circuito auxiliar que asegura que los MOSFET de una misma
rama no entran en estado activo a la vez, o lo que es lo mismo, que no se produce la
situacin de cortocircuito reflejada en la Fig. 3. Este circuito se muestra en la Fig. 5.
VCC
VCC
R1
100K
R3
100K
TP
1
Q5
NPN
InA
Q6
NPN
InB
TP
TestPoint TH
TestPoint TH
3
3
gatA
gatB
R2
100K
R4
100K
GND
GND
rojo
J1
DL2
VoA
R6
VoB
470
JUMPER
verde
VoA
VoB
30
1
2
CON1
-3-
1) Funcionamiento esttico
Cada transistor puede ser de tipo N-MOS o P-MOS. Una de las diferencias entre ambos es el
voltaje que hay que aplicar a la puerta de transistor para que el interruptor est abierto o
cerrado. Recordemos:
Tabla I. Estados del transistor como interruptor.
Estado Interruptor N MOS (Vth ~ 2V) P MOS (Vth ~ - 4V)
Abierto
Vgs<Vth
Vgs>Vth
Cerrado
Vgs>Vth
Vgs<Vth
1. Configurar las fuentes de tensin para una salida de 8 V, limitando la corriente de salida a
300 mA en aquellas fuentes en las que sea posible.
2. Conectar un cable de masa a InA o InB en cada 0 de la tabla, o dejar sin conectar InA o InB
cuando se indique abierto.
3. Medir la tensin en GateA, VoA, GateB y VoB, para deducir el estado de cada transistor.
InA
InB
(VgQ1,Q2) (VgQ3,Q4)
0
0
0
Abierto
Abierto
0
Abierto
Abierto
Q4
(N-MOS)
Motor
Conectar el motor y comprobar que efectivamente el motor puede girar hacia un lado, hacia
otro o estar parado en funcin de las entradas InA o InB.
-4-
2) Funcionamiento dinmico
Para comprobar el funcionamiento del circuito en conmutacin se va a generar, utilizando el
generador de funciones, una seal modulada por ancho de pulso o PWM (del ingls, Pulse
Width Modulation). Una seal PWM es una seal cuadrada de una cierta frecuencia (f) donde
el tiempo a nivel alto y el tiempo a nivel bajo se relacionan segn el ciclo de trabajo o Duty
Cycle.
Duty _ cycle(%) =
tnivel _ alto
T
100
Donde tnivel alto, es el tiempo que est la seal a nivel alto y T es el periodo completo de la
onda. Por ejemplo, en la Fig. 9 se muestra una seal de duty cycle al 50% y otra al 20%.
A continuacin, generar una seal PWM de entrada al circuito y dibujar la salida entre VoA
y VoB cuando se conecta una carga resistiva y una inductiva (motor):
1. Conectar el generador de onda al canal 1 del osciloscopio.
2. Generar una onda cuadrada de frecuencia 100 Hz, nivel bajo 0 V y nivel alto 8 V
(comprobarlo en la pantalla del osciloscopio).
3. Conectar la salida del generador de onda a VinA y el canal 2 del osciloscopio entre VoB
y VoA. El canal 1 del osciloscopio debe seguir conectado al generador de onda.
4. Cambiar el duty cycle a 30%, 50% y 80% y dibujar las formas de onda detallando
voltajes, tiempos de subida y tiempos de bajada.
-5-
Grafica (V Resistencia)
30
50
80
-6-
Grafica (V Resistencia)
30
50
80
-7-
Prctica 4
Dado electrnico
Profesores de la prctica: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es), Sergio Toral
(toral@esi.us.es)
Responsable asignatura: Federico Barrero
Responsable prcticas: Francisco Perdigones (perdi@zipi.us.es)
Autores de la prctica: Francisco Perdigones, Francisco Delgado
-1-
La seal de salida tiene un nivel alto por un tiempo t1 y un nivel bajo por un tiempo t2. La
duracin en segundos de estos tiempos depende de los valores de R1, R2 y C, segn las
frmulas siguientes:
t1 = ln(2)( R1 + R 2)C
t2 = ln(2)R 2C
Por tanto, la frecuencia (en hertzios) con la que la seal oscila vendr determinada por la
frmula:
f
1
ln(2)C ( R1 + 2 R 2)
-2-
Para obtener la relacin entre las entradas y las salidas, hay que hallar la tabla de verdad que
relaciona estas seales y obtener las cuatro funciones minimizadas (una por salida) usando
mapas de Karnaugh. Una vez obtenidas las funciones, se implementar el circuito usando
puertas lgicas bsicas.
Uniendo los tres subcircuitos, se obtiene el dado electrnico. El funcionamiento es el
siguiente: el contador cuenta constantemente entre 0 y 5, y se detiene en un valor cuando se
activa el pulsador Tirar. Realmente este dado no es aleatorio, ya que cuenta secuencialmente
desde 0 hasta 5 de manera continua. No obstante, la frecuencia de trabajo es lo suficientemente
alta para que sea imposible acertar en un valor concreto. Para comprobar el funcionamiento a
baja frecuencia, desconectar el jumper que conecta la seal CLK con el resto del circuito e
introducir con el generador de funciones una seal cuadrada de 1 Hz (5V de amplitud, 2.5V de
offset) en el pin identificado como CLK2.
Valor real =
Q2
Entradas
Q1
Q0
Salidas
BE
CD
AF
3. Para cada una de las 4 seales de salida, hallar la funcin minimizada usando mapas de
Karnaugh.
AF
Q1Q0
Q2
00
01
11
10
0
1
AF =
-4-
Q1Q0
Q2
00
01
11
10
11
10
11
10
0
1
BE =
CD
Q1Q0
Q2
00
01
0
1
CD =
G
Q1Q0
Q2
00
01
0
1
G=
4. Dibujar el circuito combinacional para cada una de las seales de salida usando puertas
lgicas de dos entradas.
Q0 -Q1 --
-- AF
Q2
-5-
Q0 -Q1 --
-- BE
Q2
Q0 -Q1 --
-- CD
Q2 --
Q0 -Q1 --
-- G
Q2 --
-6-