Curso Física Estado Sólido

FSICA DEL ESTADO SLIDO
EN POWER POINT
2015
ARTURO TALLEDO
FACULTAD DE CIENCIAS
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA
CRISTALOGRAFA
Primer captulo de curso
FC UNI
Agosto 2013_2
Lima, Per
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Introduccin
Slidos cristalinos (ordenados) y slidos

amorfos (desordenados)
Lo que actualmente se conoce como FES es
bsicamente la fsica de los cristales o slidos
cristalinos. La Fsica de slidos amorfos se
explica en base a los conceptos de la Fsica de
cristales.
Los cristales son una disposicin peridica de
tomos en el espacio real tridimensional
(longitudes).
CRISTAL = RED + BASE

Un slido cristalino se puede describir
definiendo un conjunto ordenado de
puntos y asignando a cada punto un
conjunto de (1,2, 3...n) tomos en
posiciones bien definidas
Definicin de red cristalina

Conjunto de puntos descrito por tres vectores linealmente
independientes y todo el conjunto de ternas de enteros Z3
RED P / P n1 a 1 n 2 a 2
n 3 a 3 ; n1 , n 2 , n 3
donde a1 , a 2 , a3 son vectores

linealmente independientes
Vectores Primitivos y celdas primitivas

Se dice que una terna de vectores L.I es una
terna de vectores primitivos si junto con el
conjunto Z define dicha red cristalina.
El paraleppedo definido por la terna
primitiva se llama celda primitiva
La terna primitiva no es nica
Todas las celdas primitivas tienen el mismo
volumen
Red cristalina y vectores

primitivos
a2
a1
La terna (dupla) primitiva no es nica

u2
a2
b1
u1
a1
c2
b2
d1
c1
d2
Diferentes celdas primitivas de una red. Todas

tienen igual rea (volumen)
a2
b1
a1
c2
b2
d2
d1
c1
CLASIFICACIN DE LAS REDES

CRISTALINAS
Se clasifican por sus propiedades de
simetra
Hay 5 tipos de redes bidimensionales
Hay 14 tipos de redes 3D (redes de Bravais)
CELDA UNITARIA
Cada tipo de red cristalina se identifica con
una celda convencional o celda unitaria, no
necesariamente celda primitiva.
Los tres vectores l.i. que definen la celda
unitaria se llaman ejes cristalinos o
vectores convencionales.
Redes Bidimensionales
Oblicua
Rectangular
Rectangular centrada
Cuadrada
Hexagonal
Redes de Bravais 3D (1)
Cbico
Hexagonal
Trigonal
Vectores primitivos y ejes cristalinos

en una red sc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a
a2 = b
a3 = c

en una red bcc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = 1/2 a (i + j - k)
a2 = 1/2 a (- i + j + k)
a3 = 1/2 a (i - j + k)
a2
a3
b
a1

en una red bcc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a = 1/2 a (i + j - k)
a2 = b = 1/2 a (- i + j + k)
a3 = c = 1/2 a (i - j + k)

en una red fcc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = 1/2 a (i + j)
a2 = 1/2 a ( j + k)
a3 = 1/2 a ( k + i)
a3
a2
b
a1

en una red fcc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj
c=ak
Vectores Primitivos
a1 = a = 1/2 a (i + j)
a2 = b = 1/2 a ( j + k)
a3 = c = 1/2 a ( k + i)
Ejercicio
Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red bcc es la mitad del
volumen de la correspondiente celda
unitaria
Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red fcc es un cuarto del
volumen de la correspondiente celda
unitaria
El volumen de una celda primitiva es la cuarta

parte de una celda unitaria fcc
El volumen de una celda primitiva es la mitad

de una celda unitaria bcc
PLANOS CRISTALINOS
Un plano cristalino puede ser definido por:
Tres puntos no colineales de una red
cristalina
los vectores que van de uno de los puntos a
los otros dos.
la normal al plano
En FES se usa una convencin especial para
designar a los planos: Los ndices de Miller
ndices de Miller
Desde cualquier punto de la
red no contenido en el plano
se trazan los ejes cristalinos.
Se observan las
intersecciones del plano con
los ejes cristalinos.
Se invierten los coeficientes
Se multiplican por el entero
que los convierte en la terna
de enteros ms pequea,
(hkl) , en esa proporcin
ndices de Miller
El entero por el que hay que multiplicar a los interceptos

invertidos para obtener los ndices de Miller es 1 si se
toma origen en el plano paralelo vecino inmediato
O'
a
(1/2)
a
x
2b
Algunos planos cristalinos de redes

cbicas
Familias de planos paralelos

Dado un plano cristalino (hkl) por cualquier punto
de la red se puede trazar un plano paralelo.
Un cristal puede considerarse como la
superposicin de una familia de planos paralelos
(cualquier punto de un cristal est contenido en
una familia de planos)
Planos equivalentes por operaciones de simetra
{hkl}
Algunos planos en redes cbicas
ALGUNOS NDICES DE MILLER

VLIDOS
Cbico simple
(100), (110), (111), (120), (121), (221), (130)
BCC
(110), (200), (121),
(h+k+l) = entero par
FCC
(111), (200), (220)
(hkl) todos pares o todos impares
Distancia interplanar en redes

ortorrmbicas
cos
cos
d
xa
d
yb
cos k
d
zc
d
cos l
c
d
cos h
a
cos
1
2
h k l

a b c
a
2
h k l
d
b
z
plano (hkl)
d
, para redes cbicas
Estructuras cristalinas
(sc monoatmica)
Cristal = Red + base
Red: cbico simple

base: un tomo
en origen (cualquier
punto de red)
Polonio
(bcc monoatmica)

Red: bcc
base: un tomo
punto de red)
Li, Na, K, Rb, Cs, Ba,
Ta, W, Nb, Mo, Fe, Eu
(fcc monoatmica)

Red: fcc
base: un tomo
punto de red)
Ca, Sr, Ni, Cu, Al, Ag,
Au, Pd, Pt, Ir, Ne, Ar,
Kr, Xe, Pb
Estructuras cristalinas (CsCl)

Red: cbico simple
base: dos tomos
Cs en origen (cualquier
punto de red)
Cl en (1/2, 1/2, 1/2)a
TlBr, TlI, CuPd,
CuZn (bronce beta),
AgMg, LiHg, AlNi, BeCu
Estructuras cristalinas (CsCl)
Perovskita
Estructuras Cristalinas (NaCl)

Red: fcc
base: dos tomos
Cl en origen (cualquier
punto de red)
Na en (1/2, 0, 0)a
LiH, NaCl, KCl, PbS,
AgBr, MgO, MnO, KBr.
Estructuras cristalinas (diamante)

Red: fcc
base: dos tomos
C en origen (cualquier
punto de red)
C en (1/4, 1/4, 1/4)a
C, Si, Ge, estao gris.
Estructuras cristalinas (diamante)
Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)

Red: fcc
base: dos tomos
Zn en origen (cualquier
punto de red)
S en (1/4, 1/4, 1/4)a

ZnS, ZnSe, CuF, CuCl,
AgI.
Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)
Estructuras cristalinas (hexagonal

compacta)
Red: Hexagonal
simple
base: dos tomos
Uno en origen (cualquier
punto de red)
otro en (2/3) a + 1/3 b + (1/2) c
He, Be, Mg, Tl, Zn, Cd,
Co,Y.
DISTANCIA ENTRE VECINOS MS CERCANOS
SC
BCC
3 a/2
FCC
12
2 a/2
HCP
12
DIAMANTE
3 a/4
Factor de empaquetamiento de una

estructura fcc monoatmica
a 2 4R
4 R 3
4(
)
3
f
a3
2
6
f 0,74
Encontrar la relacin c/a en una

estructura hcp ideal
h
2
3
a
3 2
2
2
a
c
a2

4
3
8
c
a
3
c/2
a
h
a
CELDA WIGNER SEITZ

Desde cualquier punto de la
red
Se trazan segmentos a los
puntos vecinos ms
cercanos, segundos ms
cercanos, y as...
Se bisecan dichos
segmentos con planos
perpendiculares.
La celda WS es el slido
ms pequeo formado por
las intersecciones de los
planos.
Construccin de una celda WS
Una red cristalina como una

superposicin de celdas WS
(Hay una celda WS por punto de red)
Celda Wigner Seitz
Celda Wigner-Seitz de una red cuadrada
Celda Wigner-Seitz de una red cbica

cuerpo centrado (octaedro truncado)
Celda Wigner-Seitz de una red cbica

cara centrada (dodecaedro regular)
Imperfecciones de un cristal
Efectos de superficie
Impurezas
Vacancias
fracturas
OPERACIONES DE SIMETRA DE
REDES CRISTALINAS
Operaciones de simetra de un objeto son aquellas que lo
dejan invariante.
Cualquier rotacin respecto a un eje que pasa por su centro
es una operacin de simetra de una esfera.
Una operacin de simetra de una red cristalina es
cualquier traslacin de una red cristalina por un vector:
T n1 a 1 n 2 a 2
n 3 a3
Otras operaciones de simetra son la inversin, reflexiones

y rotaciones 2 / n ; n = 1, 2, 3, 4, 6.
TEORA DE GRUPOS
Grupo es un conjunto con una operacin
(producto) que :
es cerrado
es asociativo
hay un elemento identidad
hay un elemento inverso para cada elemento
conmutativo = abeliano
Operaciones de simetra de un
tringulo equiltero
E, identidad
A, B, C, rotaciones de 180
respecto a los ejes A, B y C,
respectivamente
D, rotacin de 120 en sentido
horario respecto a eje
perpendicular por el centro del
tringulo
F, rotacin de 120 en sentido
antihorario respecto a eje
perpendicular por el cenro del
tringulo
1
B
C
2
3
A
Tabla de multiplicacin del tringulo

equiltero
E
Operaciones de simetra de un tetraedro

regular ( T )
c
Identidad
C2x, C2y, C2z
8 rotaciones de 120
(C3) alrededor de las
diagonales de un cubo.
a
d
Algunos grupos de simetra
REDES CRISTALINAS Y GRUPOS DE SIMETRA

Sistema
Triclnico
Monoclnico
Ortorrmbico
Tetragonal
Celda unitaria
Grupos
abc

abc
/2
C1 ,
S2 (Ci)
Nmero de
operaciones de
simetra
1
2
C1h
C2
C2h
C2v
D2 (V)
D2h ( Vh)
C4
S4
C4h
D2d
C4v
D4
D4h
C3
S6
C3v
D3
D3d
C3h
C6
C6h
D3h
C6v
D6
D6h
T
Th
Td
O
Oh
2
2
4
4
4
8
4
4
8
8
8
8
16
3
6
6
6
12
6
6
12
12
12
12
24
12
24
24
24
48
abc
/2
abc
Romboedral
3
2
abc
Cbico
abc
Hexagonal
2
3
abc
Redes imposibles
(Simetra de orden5 )
Un eje de simetra de orden 5 es incompatible con el concepto
de red.
Considere que T es el vector de
traslacin de longitud ms pequeo
T
T
T
Ntese que T`+ T`` es de

menor longitud que T
Redes imposibles
(Simetra de orden 7 o mayor)
Un eje de simetra de orden n, donde n es 7 o mayor que 7, es
incompatible con el concepto de red.
Supongamos que T es el vector de traslacin
Ms pequeo.
T
T T` 2 T Sen ( /n) T , si n 7
Ejercicio: Estructura cristalina del grafito
altura c/2
altura c y 0
12 atomos por celda unitaria o celda primitiva
A1 : (0,0,0)
A2: 1/3 a +1/3 b
A3: 2/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)
esfera negra altura c/2

esfera roja altura 0 y c
4 tomos por celda unitaria
RED RECPROCA
Segundo captulo de curso

FC UNI
SETIEMBRE 2013
Lima Per
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
RED RECPROCA
DEFINICIN
La red recproca de la red cristalina definida por a1, a2, a3 es el conjunto de puntos en
el espacio recproco (L-1
L-1 L-1)
RR g / g h1 A1 h 2 A2 h3 A3 ; h1 , h 2 , h3 Z
donde a su vez los vectores A1, A2 y A3 se definen como:
A1 2
a 2 a3
a1 a 2 a 3
A2 2
a 3 a1
a1 a 2 a 3
a1 a 2
A3 2
a1 a 2 a 3
RED RECPROCA
PROPIEDAD 1
El volumen ( ) de una celda primitiva de una red
recproca est dado por
8 3

V
donde V es el volumen de la celda primitiva de la red
directa.
Efectivamente:
8 3

(a2 a3) (a3 a1) (a1 a2)
V3
8 3

(a 2 a3) a3 (a1 a 2) a1 a1 (a1 a 2)a3
3
V
RED RECPROCA
PROPIEDAD 2
El producto escalar de un vector R de la red directa
por un vector g de la red recproca es un mltiplo
entero de 2 .
Efectivamente:
R g n1a1 n 2 a2 n3 a3 (h1A1 h 2 A2 h3 A3 )
R g 2 (h1 n1 h 2 n 2 h3 n3 )
Observar que :
Ai a j 2 ij
RED RECPROCA DE UNA RED

CBICO SIMPLE
k
k
2
a
a
a
a
2
a
2
a
a1 a a i
a2 b a j
a3 c a k
2
A
i
a
2
j
a
2
k
a
A1 2
a j a k 2
i
3
a
a
A2 2
a k a i 2
j
3
a
a
A3 2
a i a j 2
k
3
a
a
La red recproca
de una directa sc
es una sc
RED RECPROCA DE UNA RED FCC
4
a
a3
a
a2
A1
j
a1
i
a
a
( j k ) k i
2
2
2
a3

4
A1
1
a b
2
1
a 2 b c
2
1
a 3 c a
2
2
i j - k
a
a1
2
i
a
A 1 A B-C
B
2
j
a
2
k
a
RED RECPROCA DE UNA RED FCC
4
a
4
a
A2
A3
a3
a2
a1
A1
1
a b
2
1
a 2 b c
2
1
a 3 c a
2
a1
2
i
a
2
j
a
A1 A B - C
A 2 A B C
A 3 A B C
2
C
k
a
La red recproca
de una directa fcc
es una bcc
RED RECPROCA DE UNA RED BCC

4
a
a2
a3
a1
A1
a
a
i j k i j k
2
2
2
a3
2
1
a b c
2
1
a 2 a b c
2
1
a 3 a - b c
2
a1
2
i
a
A1
2
i j
A1 AB
B
2
j
a
2
k
a
RED RECPROCA DE UNA RED BCC

4
a
4
a
a2
a3
a1
A1 A B
1
a b c
2
1
a 2 a b c
2
1
a 3 a - b c
2
a1
2
A
i
a
2
j
a
A 2 B C
A 3 C A
2
k
a
La red recproca
de una directa bcc
es una fcc
ALGUNOS VECTORES EN RED

RECPROCA DE UNA RED DIRECTA
BCC
4
a
g3
g4
g6
g1
g2
g5
i
g1 A C (1,0,1)
g 2 2A (2,0,0)
g 3 2B 2C (0,2,2)
g 4 2 A 2B 2C (2,2,2)
g 5 A 3B (1,3,0)
g 6 2A 4 B 2 C (2,4,2)
ALGUNOS VECTORES EN RED

RECPROCA DE UNA RED DIRECTA
FCC
k
4
a
g5
g1
g4
j
g2
i
g3
g6
g1 A B C (1,1,1)
g 2 2A (2,0,0)
g 3 2A 2B (2,2,0)
g 4 2 A 2B 2C (2,2,2)
g 5 2A 4B 2C (2,4,2)
g 6 2A 4 B (2,4,0)
RED RECPROCA DE UNA RED

RECTANGULAR
22
j i
ba
A=
b
a2
B =2 j
b
a
A=
2
i
a
a1 a a i
a2 b b j
a3 c c k
A
2
i
a
A1 2
A2 2
b j c k 2
i
a bc
a
cka i
a bc
2
j
b
2
j
b
Red recproca de una red rectangular centrada
a1 a a i
A2
b
a2
1
1
a2 a i b j
2
2
a1 = a
a3 c c k
A2 2
cka i
abc
2
4
j
b
4
j
b
b
a
i j c k
2
2
2
2
j
A1
abc
a
b
2
A1
2
j
b
A
2
i
a
PROPIEDAD 3 (parte 1)
La familia de planos paralelos {hkl} en la
red directa es perpendicular al vector de la
red recproca g hA kB lC
R1 m1 a1 n1 a 2 p1 a3
R 2 m2 a1 n 2 a 2 p 2 a3
R3 m3 a1 n 3 a 2 p3 a3
N
R 2 R1 R3 R1
N (h1 A1 h 2 A 2 h 3 A3 ) cte
h1 n 2 n1 p3 p1 n 3 n1 p 2 p1
PROPIEDAD 3 (parte 2)
La ecuacin del plano perpendicular a g
(R - R1 ) g 0
g es vector ms pequeo en esa direccin, o sea, vector primitivo de

red recproca
R g 2 N constante
g en trminos de ejes cristalinos recprocos
g hA k BlC
pa, qb , rc
Interceptos con ejes cristalinos:

p a .g 2 N 2 h p
N
p
, k
Los ndices de Miller del plano R . g = 2
N
, l
q
N son (hkl)
N
r
CONCLUSIN: Los ndices de Miller (hkl) definen una

familia de planos paralelos entre s y perpendiculares todos
ellos al vector de la red recproca:
g h A k BlC
DISTANCIAS INTERPLANARES (1)

Plano perpendicular a g que
pasa por el origen (0 ):

R g 0
Plano paralelo ms cercano
(1):
R g 2
a2
a3
R a1
g A1
(A1 a1 2 )
porque dos vectores primitivos del plano 0 y un vector R = a1

que va de origen a 1 forman una terna primitiva
DISTANCIA ENTRE PLANOS

PARALELOS EN LA RED DIRECTA (2)
0
1
R1
R a1
d
g
g A1
d R
d
g
g
2
g
(Observe que R es vector primitivo de red directa

y g es vector primitivo de red recproca)
Ver animacin 3D
RED RECPROCA Y SERIES DE

FOURIER (1)
Propiedades fsicas de un cristal
tales como densidad de carga
electrnica o potencial
electrosttico debido a los iones
en los puntos de la red son
funciones peridicas, con
periodicidad de la red, es decir,
son representadas por funciones
que satisfacen
r +R
f ( r R ) f (r )
donde R es un vector de la red cristalina
CASO UNIDIMENSIONAL
Si f (x + na) = f (x) ,
entonces:
f( x) a n Cos n
n
2
2
x bn Sen n
x
a
a
f(x) cn e
i(
2
)n x
a
a/2
-i ( ) n x
1
c n f (x) e a
dx
a -a / 2
x+na
SERIES DE FOURIER
TRIDIMENSIONAL
Si f (r + R ) = f ( r), entonces:
f(r) Cg e
i gr
Cg
1
-i gr
f
(
r
)
e
dV
V V
donde V es el volumen de la celda primitiva
EJEMPLO EN CRISTALES
UNIDIMENSIONALES
V0 , si x -a/4, a/4
V(x)
0, para otros x en la celda unitaria

V
V(x) cn e
i(
2
)n x
a
cn
a/4
1
V0 e
a -a / 4
-i (
a
2
)n x
a
-V0
dx
V0
1
V(x)
( e
n 1, 5,.. n
2
i
a
nx
a/2
1
- e
n 3, 7 ..,.. n
2
i
a
nx
EJEMPLO EN CRISTALES
BIDIMENSIONALES
V0 , si x -a/4, a/4 , y -a/4, a/4

V(x, y)
0, para otros (x,y) en la celda unitaria

Cg
1
c10 2
a
1
rea
-i gr
f
(
r
)
e
d(rea)
rea
a/4 a / 4
-i (
2
i ) ( x i y j )
a
-a/4 -a / 4
C10 C01
C11
V0
2
V0
dx dy
a/2
a/2
ZONAS DE BRILLOUIN
De un punto de la red recproca se trazan segmentos
sucesivamente a los vecinos ms cercanos, segundos
vecinos ms cercanos, terceros vecinos y as
sucesivamente.
Se bisecan los segmentos con planos perpendiculares

El slido ms pequeo encerrado por los planos bisectantes
es la Primera Zona de Brillouin (celda WS en el espacio
recproco)
El segundo slido ms pequeo es la segunda zona de
Brillouin, y as sucesivamente.
PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE

UNA RED CUADRADA
2
a
SEGUNDA ZONA DE BRILLOUIN DE

UNA RED CUADRADA
2
a
2
1
TERCERA ZONA DE BRILLOUIN DE

UNA RED CUADRADA
2
a
2
1
PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE

UNA RED HEXAGONAL
BIDIMENSIONAL
red directa
red recproca
a
B
A
a
Primera zona de Brillouin de una

red hexagonal bidimensional
Primera zona de Brillouin de una red

FCC
4
a
4
a
4
a
La primera zona de Brillouin de una red FCC es la celda WS

de una red BCC
Primera zona de Brillouin de una red

BCC
4
a
4
a
4
a
La primera zona de Brillouin de una red BCC es la celda WS

de una red FCC
Zonas de Brillouin de una red cristalina

unidimensional
2
a
TZB SZB
-
a
PZB
SZB TZB
DIFRACCIN DE RAYOS X
Tercer captulo de curso

FC UNI
Lima Per
setiembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
DIFRACCIN DE RAYOS X
placa fotogrfica
haz de rayos X
cristal
Un haz monocromtico de rayos X al incidir sobre un

slido cristalino es re-emitido en ciertas direcciones
especficas que dependen de la estructura del cristal
LEY DE BRAGG
(una explicacin sencilla de la DRX)
d sen

d dsen
sen
El haz es desviado un ngulo 2 si encuentra en su

camino una familia de planos cristalinos que satisface:
2 d sen n
(21
0)
LEY DE BRAGG
Haz
(100)
22
(100)
incid
ente
21
0)
1
(2
Cada familia de planos cristalinos produce un haz

desviado 2 con respecto a la direccin incidente
Detec
tor
Anlisis de von Laue
(una explicacin ms analtica)
Radiacin re-emitida o desviada por un electrn

Radiacin re-emitida por dos electrones puntuales
Por varios electrones puntuales
Por un tomo
Por los tomos de una celda primitiva
Por los tomos de todo el cristal
Rayos X desviados por un electrn
Rayo incidente
do
a
i
sv
e
od
y
ra
2
electrn
Campos del rayo incidente:

Campos del rayo desviado:
4
2
e
1
cos
2
2
f e 2 4
m c
2
E inc A e i (K i x - w t)
E desv
fe
A i (K d D - w t)
e
D
(factor de polarizacin)
Rayos X desviados por dos electrones

Scattering
coherente
Kd
Kd
r12
Ki
P1
E desv
K d P1M - K i P1 N
P2
Ki
K d - K i K 2 K sen
A i Kd D
fe
e
+ ei K d D +
D
(K d - Ki ) r12
Rayos X desviados por n electrones

Para dos electrones:
E desv
A i Kd D
f e (e
) 1 + ei K (r2 - r1 )
D
E desv f e
A i K d D i K r1
(e
)e
+ e i K r 2
D
Se puede generalizar para n electrones que desvan un haz en K
E desv
A i Kd D
i K rm
f e (e
) e
D
m 1
n
Rayos X desviados por un tomo

E desv
A i K d D n i K rm
) e
f e (e
D
m 1
donde n es el nmero de electrones en un tomo, pero para ser ms precisos

tenemos que considerar que la carga de los electrones se distribuye como una nube
E desv
A i Kd D
i K r
f e (e
) e
dV
D
e
V
E desv
Factor atmico
A i Kd D
)
f e f a (e
D
i K r
f a e
dV
e
V
Rayos X desviados por dos tomos iguales
Kd
M
P2
Ki
P1
Kd
Ki
r12
K d - K i K 2 K sen
A i Kd D
E desv f e f a
e
+ ei K d D +
D
(K d - K i ) r12
E desv f ef a
A i K D i K r 1
(e d ) e
+ e i K r 2
D
Rayos X desviados por los tomos

de una celda primitiva
E desv
nP
A i Kd D
i K rj
fe
(e
) f aje
D
j1
donde n P , es el nmero de tomos por celda primitiva,
f aj
es el factor atmico de cada uno de los

elementos en una celda primitiva
E desv
donde FB
nP
j1
A i Kd D
f e FB (e
)
D
fa j e
i K rj
factor de base
Rayos X desviados por todos los

tomos de un cristal
E desv
A i K d D N i K Rl
f e FB (e
) e
D
l1
E desv
donde FR
FR
A iK D
)
f e FB FR (e
D
ei K Rl , es el factor de red
l1
N , si K g , vector de red recproca

0, si K g
N es el nmero de celdas primitivas en el cristal
Condicin de Difraccin
Kdesv2
haz de rayos X
cristal
g2
Kdesv1
g1
Kinc
La intensidad de la radiacin re-emitida por un cristal es

nula en todas direcciones excepto en aquellas donde el
cambio del vector de onda coincide con un vector de la
red recproca
K g
K desv Kinc + g
Condiciones de Laue
La condicin de difraccin:
K g
Fue enunciada originalmente por von Laue en la forma:
K a 1 2 h1
K a 2 2 h2
K a 3 2 h3
Y se llaman condiciones de Laue para la difraccin
Equivalencia Laue-Bragg
K g
Kd
2
Ki
2 K sen n g 0
donde g 0 es el vector de la red recproca ms pequeo en

esa direccin y n es un entero
2
2
2
sen n
2 d sen n
Descripcin convencional
E desv
A iK D
f e FR FB (e
)
D
E desv
A iK D
fe F S
(e
)
D
N , si K hA + kB + C; con h,k, enteros

F
0, si K hA + kB + C
Al factor F podemos llamarle factor de red primitiva.
Shkl
n c.u
j1
fa j e
i ( hA + k B + l C ) rj
S se llama factor de estructura y la suma es sobre todos

los tomos de una celda unitaria.
Clculo de F
N1
F ( e
i K m a
m 0
N1
F1 e
m 0
i K m a
N2
) ( e
i K n b
n0
1 ei K a N1
i K a
1 e
N K a
Sen 2 1
2
2
F1
K a
Sen 2
N3
) ( ei K p c )
p0
N K a
Sen 1
K a
Sen
2
1
2
2
2
3
F F F F
Condiciones de Difraccin
K h + k B + l C
K a 2 h
K b 2 k
K c 2 l
S hkl 0
Factor de estructura de una

estructura bcc monoatmica
Shkl
r1 (0,0,0)
r2
a
(1,1,1)
2
n c.u
j1
fa j e
i ( hA + k B + l C ) rj
Shkl f a (1 + ei(h + k +l C)(1/2)(a + b + c) )
Shkl f a (1 + ei (h+ k +l) )

2 f a , si h + k + l es par
Shkl
0, si h + k + l es impar
Factor de estructura de una

estructura fcc monoatmica
Shkl
r1 (0,0,0)
r2
a
(1,0,1)
2
r3
a
(1,1,0)
2
r4
a
(0,1,1)
2
n c.u
j1
fa j e
i ( hA + k B + l C ) rj
Shkl f a (1 + ei(h + k +l C)(1/2)(a + b ) + ei(h + k +l C)(1/2)( b + c ) + ei(h + k +l C)(1/2)(c + a ) )
Shkl f a (1 + ei (h+ k) + ei (k+l) + ei (l+ h) )

4 f a , si h, k y l tienen la misma paridad
Shkl
0, en caso contrario
Factor de estructura de una estructura

de diamante
r1 (0,0,0)
r2
a
(1,0,1)
2
r3
a
(1,1,0)
2
r4
a
(0,1,1)
2
r5
a
(1,1,1)
4
r6
a
(3,1,3)
4
r7
a
(3,3,1)
4
r8
a
(1,3,3)
4
i (h+ k +l)
Shkl f a (1 + ei (h+k) + ei (k+l) + ei (l+h) )1 + e 2
S hk
8 f a , si h, k y son pares y h + k + es 2(par)
4f a (1 i),si h,k y son todos impares

0, si h, k y son pares y h + k + es 2(impar)
0, no todos de la misma paridad
ESFERA DE EWALD
haz incidente
Kd
Ki
g1
Ki
g3
g2
Es una esfera en el espacio recproco cuyo radio es igual al mdulo del
vector de onda incidente (o desviado).
La condicin de Laue se interpreta geomtricamente como la interseccin de
la superficie esfrica de Ewald con la red recproca.
TCNICAS EXPERIMENTALES
Laue, haz policromtico
Cristal rotatorio
Debye Scherrer o mtodo del polvo
Mtodo de Laue
haz incidente
Kd
g1
Km C
KM
g3
g2
Se usa un haz polcromtico con vectores de onda con mdulos

comprendidas entre Km y KM. Esto permite que ahora ya no tengamos una
esfera de Ewald, sino un continuum de esferas y por lo tanto la interseccin con
red recproca es un conjunto mayor de puntos. Da informacin sobre la simetra d
monocristal.
Tcnica del cristal rotatorio
haz incidente
Kd
Ki
g1
Ki
g3
g2
Al rotar el cristal con respecto a un eje, rota tambin cada vector de la red
recproca e intercepta a la superficie esfrica de ewald en dos puntos.
Tcnica del polvo o Debye Sherrer
g
haz incidente
Ki
Al moler el cristal se tienen partculas de algunos micrones, todava cristales,

orientados en todas las direcciones posibles. Es como si cada vector g rotara
alrededor de todos los ejes posibles, describe una esfera. La interseccin de la
esfera generada por cada g con la esfera de Ewald es una circunferencia. Para
cada g se tiene entonces un cono de haces difractados que hace un ngulo 2
con la direccin incidente.
Cmara Debye Sherrer
Mtodo Debye Sherrer
Una cinta de pelcula fotogrfica sirve como detector de los ngulos en los
que se producen ngulos difractados.
Difractmetro de polvos
Una fuente de rayos X monocromticos emite en una direccin fija y un detector

de gas recorre una circunferencia intersectando a los conos de haces difractado
Automticamente con ayuda de un software se almacenan los datos 2 vs I
Difractmetro Xpert UNI
DIFRACTMETRO DE LA FC UNI
Algunos espectros
Verificacin de estructuras
K g
2 K sen g
El valor ms pequeo de
de menor mdulo
corresponde al vector de red recproca
Si podemos construir una sucesin de los g ms pequeos entonces

podemos determinar una sucesin de los ms pequeos para los cuales
se producen haces difractados.
Ejemplo: Discutir como hallar los 5 valores de ms pequeos para los que
existe rayo difractado en el caso de una ortorrmbica F de parametros a = 4,
b= 6, c = 10
Estructura cristalina del grafito

La estructura del grafito es hexagonal a = 2,46 ; c = 6,7 con base de 4
tomos: A1 (0,0,0); A2 (1/3 a + 2/3 b); A2 (2/3 a + 1/3 b + c); A4 (1/2 c);
D las dimensiones de los vectores convencionales de la red recproca (A y C)
D una expresin para el factor de estructura Shkl
Identifique los 4 mdulos ms pequeos de los vectores de la red recproca
Indique cules seran los 4 valores de 2 theta para los cules se obtendra rayos
difractados con radiacin incidente de longitud de onda 1,54 angstron
A1 : (0,0,0)
A2: 2/3 a +1/3 b
A3: 1/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)
b
esfera negra altura c/2

esfera roja altura 0 y c
4 tomos por celda unitaria
red recproca
red directa
a
a 2,46
c 6,7
4
A Primera zona de Brillouin
A 2,95de
1 una
3a
red hexagonal bidimensional
C 0,93 1
2
C
c
S hkl 1 + e
1
2
i ( hA + kB +lC) ( a + b )
3
3
+e
2
1 1
i ( hA + kB +lC) ( a + b + c )
3
3 2
(hkl)
Shkl
ghkl (-1)
(001)
0,93
(002)
1,87
26,5
(100); (010),(1-10)
algo
2,95
42,4
(101): (1-11)
algo
3,09
44,5
(102)
algo
3,49
50,6
(004)
(110)
4
4
3,74
5,10
(2 (theta)
+e
1
i ( hA + kB +lC) ( c )
2
INDEXACIN DE REDES CBICAS

K g
2 K sen g
El valor ms pequeo de corresponde al vector de red recproca
de menor mdulo y los siguientes valores de cumplirn con la relacin:
2
2
2
2
h
+
k
+
i
i
i
gi
sen i
a
sen 1 g1 2 h 2 + k 2 + 2
1
1
1
a
Para cada una de las estructuras cbicas (sc, bcc, fcc, diamante)
podemos hallar la sucesin de nmeros gi/g1. Esta nos da la relacin entre los
senos de los ngulos Seni ./ Sen1
INDEXACION DE REDES CBICAS

(h,k, )
h 2 + k 2 + l 2 sen
sen 1
sc
sen
sen 1
(100)
bcc
-
(110)
(111)
(200)
sen
sen 1
fcc
sen
sen 1
Diaman
-
(210)
(211)
(220)
2 2
(221)
(300)
(310)
10
10
(311)
11
11
11 / 3
11 / 3
(222)
12
(320)
13
13
(321)
14
14
(400)
16
2 2
4/ 3
4/ 3
(322)
17
17
2/
2/ 3
2/ 3
INDEXACION DE REDES CUBICAS

(h,k,l)
h 2 + k 2 + l 2
sen
sc
sen 1
sen
bcc
sen 1
sen
fcc
sen 1
(100)
Diamante
-
(110)
(111)
(200)
1,41
1.15
(210)
(211)
1,73
(220)
2 2
1.63
1.63
(221)
(300)
(310)
10
10
(311)
11
11
1.91
1.91
(222)
12
(320)
13
13
(321)
14
14
(400)
16
2 2
2,309
2,309
(322)
17
17
sen
sen 1
EJERCICIO
Prob1 Cap.6 Ashcroft and Mermin: Se han obtenido difractogramas
de tres materiales A, B y C por el mtodo Debye-Scherrer y se han
observado los valores de los cuatro primeros ngulos de desviacin
(2 ) para cada material:
42,2 28,8 42,8

49,2 41,0 73,2
72,0 50,8 89,0
87,3 59,6 115,0
Si se sabe que uno de ellos tiene estructura bcc monoatmico, otro fcc
y otro tiene estructutura de diamante; identifique cada material con su
respectiva estructura.
SOLUCIN A EJERCICIO
De los datos para cada material se obtienen los correspondientes
sen
Sen i
Sen 1
Sen
A
0,3599
0,2486
0,3648
0,4163
0,3502
0,5962
1,16
1,41
1,63
0,5877
0,4289
0,7009
1,63
1,73
1,92
0,6902
0,4817
0,8433
1,92
1,94
2,31
Comparando con tabla de indexacin a redes cbicas se llega a una

conclusin clara.
Generacin de rayos x
Espectros de rayos x generados

por un target de molibdeno
Difraccin de electrones
De Broglie:

h
p
p2
E eV
2m
( A)
150
V
V 8000V , entonces,
0,134 A
DIFRACCIN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL

(tratamiento cuntico)
Supongamos que mandamos un haz de electrones rpidos a travs del
cristal, la interaccin del potencial peridico con los electrones origina
transiciones entre estados electrnicos. En la aproximacin de Bohr, en
teora de perturbaciones, la probabilidad de transicin por unidad de
tiempo entre el estado inicial k y el estado final k es proporcional al
cuadrado del elemento de matriz:
M k k
kr U (r)k (r) dV
ei k. r
ondas planas
U(r)
i g.r
V
e
g
g
M k k
i k.r
e
i g.r i k .r
V
e
g e dV
g
i k + g k.r
V
e
dV
g
M k k
M k k
Vg , si k + g - k 0

Difraccin de neutrones
Eave
3
K BT
2
p 2mn Eave

h
p
ENLACE CRISTALINO
Captulo 4 de curso

FC UNI, Setiembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Qu fuerzas mantienen unidos a

los tomos de un cristal ?
La interaccin electrosttica atractiva entre las
cargas negativas de los electrones y las cargas
positivas de los ncleos es enteramente
responsable de la cohesin de los slidos.
Iones positivos separados entre s, electrones
de valencia tambin separados entre s,
electrones de valencia cerca a iones positivos
para minimizar la energa potencial y electrones
no localizados para disminuir su energa
cintica.
Algunas variantes de cmo actan

las fuerzas electrostticas
Enlace Van der Waals o dipolar inducido

Enlace inico
Enlace covalente
Enlace metlico
Enlace de hidrgeno
Analizaremos en este captulo slo los dos

primeros.
Cristales de gases inertes

Interaccin dipolar inducida o Van der
Waals
Potencial Lennard Jones
Constantes de equilibrio
Energa de cohesin
Mdulo de compresin y compresibilidad
Interaccin van der Waals-London

3 (p1 R) R 3 p1
E(R)
5
4 0
R
R3
1
1
E(R) 3
R
1
p 2 (cte)E 3
R
U p2 E
- constante
U
r6
Modelo cuntico de interaccin van der

Waals
Hamiltoniano de dos osciladores independientes
2
p12 1
p
1
2
2
H0
x1
x22
2m 2
2m 2
Hamiltoniano de interaccin de dos osciladores que experimentan interaccin dipolar:
p12 1
p22 1
2e2 x1 x2
2
2
H H0 H1
x1
x2
2m 2
2m 2
R3
Cambios de variable:
1
xs
( x1 x2 )
2
1
xa
( x1 x2 )
2
ps
1
( p1 p2 )
2
1
pa
( p1 p2 )
2
Modelo cuntico de interaccin van der

Waals
ps2 1
2e2 2 pa2 1
2e2 2
( 3 ) xs
( 3 ) xa
H H0 H1
R
R
2m 2
2m 2
2e
3
R
1/2

/ m

1 2e 2 1 2e 2 2
0 1 3 - 3 ...
2 R 8 R
1
U s a 0
2
C
U - 6
R
1 2e
3
8 R
2
Modelo de Slido de gases nobles
Potencial Lennard-Jones
El potencial repulsivo puede explicarse como una consecuencia del
traslape de nubes electrnicas de tomos vecinos as como al efecto
cuntico de aumento de energa cintica de los electrones por
confinamiento en un volumen muy pequeo. Se propone como frmula
emprica para este potencial:
U rep
U
B
12
r
B C
r12 r 6
12 6
Uij (R) 4
r r
Grfico del potencial Lennard Jones

12 6
U ij (r) 4
rij rij
es el valor de r para el cual U es cero
es el valor de la energa potencial mnima.

U i (4 )
j i rij
12
i j rij
Energa de interaccin de un tomo

con todos los dems
6
12

U i (R) (4 )
i j pij R
i j p ij R
-6
p
ij 14,45
pi2 R
i
pi4 R
pi1R p R
i3
pi5R
-12
ij
12,13
Constantes de la red en equilibrio

N
Ucristal (R)
(4 )
2
dUcristal
- 2N
dR
12
6

12,13 14, 45
R
R
12
(12)(12,13) R13
R 0 1,09
(6)(14,45)
R
7
Energa de cohesin
12
6

Ucristal(R 0 ) 2 N 12,13
14,45
R0
R0
R 0 1,09
Ucohesin(R) - (2,15) (4 N )
Propiedades de los cristales de

gases inertes
Elemento
Distancia
entre
vecinos
(Angstrons)
Energa de Punto de
fusi
cohesi
n
n
(K)
(Kj/mol)
He
Potencial de
ionizacin
del tomo
libre (en
eV)
en 10-23
J
en
24,58
14
2,56
Ne
3,13
1,88
24
21,56
50
2,74
Ar
3,76
7,74
84
15,76
167
3,40
Kr
4,01
11,2
117
14,0
225
3,65
Xe
4,35
16,0
161
12,13
320
3,98
Tabla 2 captulo 3 de C. Kittel
Mdulos de elasticidad
Mdulo de Young
F
L F
A
E
l
A l
L
F
1 F
A
Mdulo de rgidez = G
(Tg ) A
P
P
V
Mdulo de compresin=
V
V
V

Definicin de mdulo de compresin o bulk modulus:
dp
B V
dV
A 0K la entropa es constante as que la primera ley de la termodinmica es:
dU p dV
Y por lo tanto:
d2U
BV 2
dV
El mdulo de compresin es una medida de la dureza del cristal o de la

energa necesaria para producir una deformacin dada. A mayor valor de B
ms duro es el cristal

El volumen de un cristal fcc monoatmico en trminos de R (la distancia entre
vecinos ms cercanos) es:
NR 3
V
2
Por lo tanto, la expresin para la energa del cristal en trminos de V es:
b12 b 6
U cristal 4 2
V V
donde:
b12 (1/2)(12,13 )N5 12
En equilibrio a presin cero:
b6 (1/2)14,45) N3 6
dUcristal
4 b12 2 b 6
5 3 0
V
dV
V

Por consiguiente el volumen de equilibrio est dado por:
1/ 2
2b
V0 12
b6
1/ 2
12,13
N3
14,45
El mdulo de compresin es entonces:
d 2 Ucristal 20 b12 6 b6
b65 / 2

B V
3 2 3/ 2
2
3
V0
b12
dV
V0
75
ENLACE IONICO
3+
9+
Li
3+
Li+
9+
F-
Definiciones Bsicas
e
Cl
Cl-
3,6 eV
Afinidad electrnica
Na
5,1 eV
Na+
Energa de ionizacin
Na+
Cl-
Na+
Cl-
7,9 eV
Energa de cohesin
Energa electrosttica o de Madelung

1 q2
U ij (R) exp(-R/ )
4 0 R
1 q2
exp(-R/ ) 4 R , vecinos ms cercanos
0
Uij (R)
2
1
q
, otros
4 0 pij R
U i U ij
j i
Ucristal NU i
Energa electrosttica o de Madelung

Ucristal NU i
1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/ )
)
4 0 R

j i
constante de Madelung
pij
Constante de red y energa de

cohesin
dUi
z
N q2
N
-N
exp(-R/ )
0
2
dR
4 0 R
z exp(-R 0 / )
1
4 0
q2
R 02
1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/ )
)
4 0 R
U cohesin
N q2

(1 )
4 0 R 0
R0
Clculo de la constante de Madelung

para cristal unidimensional
R j i rij
1
1
1 1
...
R
R 2R 3R 4R
1 1 1
2 1 ...
2 3 4
x 2 x3 x 4
log (1 x) x - ...
2
3 4
2 log 2
Clculo de la constante de Madelung

para NaCl (convergencia lenta)
6
12
8

...
R R R 2 R 3

R j i rij
6 12
8 6
1 / 2 1/ 2 ...
1 2
3
2
Mtodo de Evjen para constante de

Madelung
6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)

1
1/ 2
1/ 2
1
3
2
1 1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Madelung
6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)

1
1/ 2
1/ 2
1
3
2
1 1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Madelung
2 1,75
1,747565
2 1,75
La suma es sobre el segundo cubo neutro
6 12 8 6(1 / 2) 24(1 / 2) 24(1 / 2) 12(1 / 4) 24(1 / 4) 8(1 / 8)

2 1 / 2 1/ 2
1 2
3
2
3
5
6
8
2 3

en cristales ionicos
Definicin de mdulo de compresin o bulk modulus:
dp
B V
dV
dU dU dR
;
dV dR dV
d2U
BV 2
dV
Y por lo tanto:
N a3
V
;
4
V2NR ;
dR
1
1
dV dV/dR 6NR 2
d 2 U d 2 U dR dU d 2 R

2
2
dV
dR dV dR dV2
A la distancia de equilibrio, cuando R = R0 y dU/dR = 0, se tendr:
2
d U 1
1 d2U
BV 2
2
dR 6NR 18NR 0 dR 2
Mdulo de compresin en cristales

ionicos
2
d U 1
1 d2U
BV 2
2
dR 6NR 18NR 0 dR 2
d2U
N z R 0 / 2N q 2
N q2 R 0
2 2 e
3
3
4 0 R0 4 0 R0
dR R 0
R0
q2
2
4
4 018R 0
Parmetros y medibles en cristales

inicos
1 q2
U cristal(R) N ( z exp(-R/
)
4 0 R
2
q
R 02 exp(-R 0 / )
4 0 z
U cohesin
N q2

(1 )
4 0 R 0
R0
R0
q2
2
4
4 018R 0
De las medidas experimentales de B y R0 podemos hallar y

Luego calcular la energa de cohesin y verificar con el experimento
Energas de Madelung y repulsivas

para el KCl.
Ley de repulsin de potencia inversa

N q2 C
U (R) m
4 0 R R
dU
0
dR
N q 2 R 0m-1
C
4 0 m
(4 0 )18 B R 04
1
d2U
d2U 1
m 1
BV 2
2
2
q2
dR 6NR 18 N R 0 dR
Conociendo R0 y B se determinan C y m. Luego se verifican estos
resultados comparando la energa de cohesin experimental con la
terica:
terica
cohesin
q2 m 1
4 0 R 0
Propiedades cristales alcalinos con

estructura NaCl
Elemento
Distancia
entre
vecinos
(Angstrons)
Punto de Potencial de
Energa de
fusin
cohesin
ionizaci
(K)
respecto a
n del
iones
tomo
libres
libre (en
(Kcal/mol)
eV)
LiF
2,014
-242,3
LiCl
2,570
-198,9
LiBr
2,751
NaCl
NaBr
z
en 10-23
J
en
24,58
0,296
24
21,56
50
2,74
-189,8
84
15,76
167
3,40
2,820
-182,6
117
14,0
225
3,65
2,989
-173,6
161
12,13
320
3,98
Tabla 5 captulo 3 de C. Kittel 4ed ingles, 2da espaol.
FONONES
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Captulo V de curso
FC UNI
Lima, abril 2008
Introduccin
Los tomos estn sometidos a potenciales que se pueden aproximar al de un

oscilador armnico simple. Constituyen un sistema de osciladores acoplados.
La descripcin del movimiento se puede hacer clsica (Newton) o cunticamente
(Schrodinger). A un modo de vibracin de frecuencia , segn Planck,
se le puede considerar como una partcula de energa
. A esta partcula
se le llama fonn.
Ondas elsticas en una barra contnua

u
u du
F (x +dx)
F (x)
F
S
Esfuerzo
A
x x+ dx
Ley de Hooke: S Y e
du
Deformacin unitaria e dx
; Y es el mdulo de Young
2u
( A' dx) 2 S(x dx) S(x)A'
t
2u S
( A' dx) 2 dx A'
t
x
2u 2u
2
x Y t 2
Ondas elsticas en una barra contnua

2
u u
2
2
x
Y t
i(q x t)
u (x, t) A e
2u
2
q
u
2
x
2u
t2
vs q
Relacin de dispersin:
vs
vs q
Densidad de modos de vibracin en 1D

u (x) u (x L)
Condiciones de frontera peridicas:
x x+ dx
x0
2
L
F (x +dx)
F (x)
xL
2
qn
L
Nmero de modos entre q y q + dq :
Nmero de modos entre
iqL
g (q) dq
y d :
L
dq
2
dq
g() 2 g(q)
d
g()
L 1
vs
Ecuacin de onda en un medio

continuo 3D
2
u
u
0
2
Y t
2
i( q r t)
u (r, t) A e
vs q
Por condiciones de frontera peridicas:
i(q1 L)
q1 , q 2 , q3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L
i(q 2 L)
i(q3 L)

q1 , q 2 , q3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
Nmero de modos de vibracin con

vector de onda entre 0 y q :
3
q2
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
2
L
. .
. .
. .
. q.
. .
. .
. .
. .
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. 2
. L
.
.
. q1
.
.
V 4 3
L 4 3
q
q

3
2 3
2 3
Nmero de modos de vibracin con vector
de onda entre q y q + dq :
g(q) d q
V
2
4
q
dq
3
2

Nmero de modos de vibracin con vector de onda entre q y q + dq :
V
2
g(q) d q
4
q
dq
3
2
g ()
Nmero de modos de vibracin con vector

de onda entre y d
2
d
V
4
g () d
3
2 vs vs
(3)V 2
g ()
2 2 v3s
Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatmico
un-1
un
un+1
d2u n
M 2 - u n u n 1 u n u n-1
dt
d2u n
M 2 - 2 u n - u n 1 u n-1
dt
un (x) = un (x+L)
Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatmico
i(qXn t)
un A e
M
iqna
Ae
2e
i(q n a t)
iqna
iqa
iq ( n1) a
M 2 e e
2
iqa
M 2 2 1 Cos q a
4
Sen(qa/2)
M
iq ( n1) a
Relacin de dispersin para vibraciones

en un cristal unidimensional
m Sen(qa/2)
(q)
(q)
4
m
M
Por CFP :
qn
44
MM
2
L
Obsrvese la periodicidad:
2
(q) (q
)
a
(-q) (q)
Hay N modos de vibracin en la PZB
2
Na
Comparacin con relacin de

dispersin lineal
Para longitudes de onda grande,
es decir, q prximo a cero, la ecuacin:
Sen(qa/2)
M
Se reduce a :
4 qa
M 2
Comparable con la ecuacin:
vs a
M
vs q
La medida de la velocidad del sonido
nos permite determinar las fuerzas
interatmicas
Velocidad de grupo y velocidad de fase
vf
q
Para longitudes de onda grandes
vg
v f vg vs
Para valores de q cerca a la frontera de zona de Brillouin:
vg 0
Las ondas elsticas cerca de la frontera de zona experimentan

difraccin de Bragg
Densidad de modos de vibracin en un

cristal monoatmico
L 1
g()
d
dq
2L
g()
a m
qa
Cos ( 2 )
Cristal unidimensional diatmico

2n 1
M1
2n
2n 1
M2
d 2 u 2n1
M1
2u 2n1 u 2n u 2n2
2
dt
d 2 u 2n
M2
2u 2n u 2n1 u 2n1
2
dt
un (x) = un (x+L)
Cristal unidimensional diatmico

iq (2n1)a
i t
u
A
e
2n1
1
e
u
iq(2n)a
2n A 2 e
2 M12 - 2 Cos (qa)
2
2
Cos
(qa)
2
2 M12
- 2 Cos (qa)
- 2 Cos (qa)
2 M2
A1
0
A 2
Relaciones de dispersin para vibraciones

en cristal unidimensional diatmico
1
1

2
M1 M 2
1
1 4sen 2 (qa)
M1M 2
M1 M 2
vf
Signo - , rama acstica. Signo + rama ptica.

Para q = 0:
1/ 2
1
1
O 2
M1 M 2
A 0
1/ 2
1
1
O 2
M1 M 2
Para q =
2a :
2
M2
2
M1
2a
M1 M 2
2a
Relacin de dispersin para vibraciones en

cristal unidimensional diatmico
M1
M2
2a
2a
Relacin de dispersin para vibraciones en

cristal unidimensional diatmico
1/ 2
1
1
O 2
M
M
1
2
2a
2
M1
2
M2
2a
Modos pticos y modos acsticos

2 M12 - 2 Cos (qa)
2
- 2 Cos (qa) 2 M 2
0 A1 A 2
A1
0
A 2
tomos vecinos vibran en fase
1/ 2
1
1
O 2
M1 M 2
M1A1 M 2 A 2 0
Desfasaje de 1800
Vibraciones en cristales
tridimensionales monoatmicas
M
xx xy xz
lmn -
yx yy yz 6 u lmn - u lmn 1 u lmn -1 ...

2
dt
zx zy zz
d 2u
i(qrn t)
un A e
M 2 A - (q) A
Diagonalizando
s (q)
M
3 ramas acsticas
, j 1,2,3
Vibraciones en cristales tridimensionales

diatmicas
xx xy xz
d 2 u1mn
M1
- yx yy yz 6u lmn - u lmn 1 u lmn -1 ....
dt 2
zx zy zz
LO
M2
d 2 u pqr
dt 2
xx xy xz
- yx yy yz 6 u pqr - upqr1 u pqr -1
zx zy zz
TA2
TA1
LA
TO2
TO1
q
3 ramas acsticas y 3 ramas pticas
Determinacin Experimental de
Relaciones de Dispersin
Dispersin de neutrones
Dispersin inelstica de rayos X
Espectroscopa Raman
Dispersin de Neutrones por un Cristal

n
p
n
p2
E
2M n
cristal
p2
E'
2M n
Un haz de neutrones de energa E y momentum p inciden sobre un cristal.

Los neutrones pueden ganar o perder energa y momentum.
Los neutrones interactan fuertemente con los ncleos y muy dbilmente
con los electrones
Las leyes de conservacin de energa y de momentum cristalino permiten
obtener informacin sobre los modos de vibracin del cristal
Conservacin de energa y momentum

cristalino
E'E h j (q) n q j
q, j
p' - p h qn q j h g
q, j
En el proceso de dispersin de un neutrn por el cristal pueden involucrase
diferente nmero de fonones.
El momentum cristalino de un fonn definido como q no es

necesariamente la suma algebraica de las cantidades de movimiento de los
iones del cristal. Es simplemente un nombre. Juega un papel similar.
Dispersin de neutrones sin

participacin de fonones
(ZERO PHONON SCATTERING)
El estado vibracional final del cristal es igual al inicial

La energa del neutrn no cambia
La cantidad de movimiento del neutrn cambia en
p' - p g
(condicin de Von Laue para difraccin)
La informacin que se obtiene es la misma que en difraccin de rayos X
Dispersin de neutrones con la

participacin de un fonn
(ONE PHONON SCATTERING)
Los eventos en que un neutrn absorbe o emite slo un fonn son los
que proporcionan mayor informacin sobre las relaciones de dispersin.
Las leyes de conservacin:
E'E h j (q)
p' - p h q hg
Podemos escoger una direccin en la cual medir E, y obtener as un punto
de la relacin de dispersin.
La constante aditiva g puede ser ignorada porque podemos restringirnos a
la PZB
Dispersin de neutrones con

participacin de dos fonones
(TWO PHONON SCATTERING)
E'E j (q) j' (q' )
p' - p h q h q' h g
p'p
E' E h j (q) h j' (
q)
h
Si observamos la energa de los neutrones en una direccin dada es posible
obtener suma de energas de cualesquiera dos modos de vibracin con q en la
PZB. Si hubiera slo procesos con absorcin de dos fonones el espectro de
E-E vs nmero de cuentas sera un continuum
Determinacin Experimental de la relacin de dispersin
En la figura, p1 y p2 son momenta de neutrones que se han dispersado sin

crear ni absorber fonones.
Al colocar el detector en la posicin D ya se sabe cul es el q del fonon absorbido
Se determina midiendo la energa de los neutrones que all llegan.
Resultados Tpicos
Nmero relativo de neutrones dispersados en una direccin dada en funcin

de la energa ganada por los neutrones. La curva continua es el ruido de
fondo debido a los procesos multifonnicos. Los picos se deben a los
procesos que involucran un solo fonn.
Espectrmetro de neutrones
Convencin para relaciones de dispersin

q d q d
d
d
dS d q dS
dS
vg
q
L
g((
2
dS
vg
resumen. Haga un esquema de las relaciones de dispersin w vs k

para los siguientes tipos de slidos:
a) un slido continuo
b) un cristal unidimensional monoatmico de parmetro de red a
c) un cristal unidimensional diatmico de parmetro de red a
d) un cristal tridimensional monoatmico de parmetro de red a
e) un cristal tridimensional diatmico de parmetro de red a
EL OSCILADOR ARMNICO CUNTICO

p2 C 2
h
x
2m 2
P
p
m0
0 2
h
P Q2
2
Q, P
C 1
m 0
x, p
C
x
0

2 Q i P
2 P 2 Q2 1
2 P 2 Q2 1
P2 Q2 2 1
0 2
h
P Q2
2
2 Q i P
1

h 0
2

p2 C 2
h
x , h
2m 2
0 2
1
2
P Q , h 0 N
2
2
1
N N
N
n 1
0

funcin propia de N para el valor propio n - 1

1
N N
N
n cte n1
n 1 n1
1
n
0
n!
TEORA CUNTICA DEL CRISTAL ARMNICO

2 Q i P
Q
C
x
0
C m
m0
1
x i
p
2
2m0
p2 C 2
h
x
2m 2
2 Q i P
2
0
m0

2
p
m0
1
x i
p
2m0
1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

H
1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M
1
ks
N
1
ks
N
i k . R
i k .R
ms (k )
1
es (k )
u( R) i
P( R )
2
2ms k
ms (k )
1
es (k )
u( R) i
P(R)
2
2ms k
1

s k k s k s
2
k ,s
u (R), P R
i RR
u (R), u R P (R), P R
i k .R
k ,s
k ,s
0, k no es vector de la red recproca

N , k es vector de la red crecproca
, ks
i kk ss
, k s
k ,s
, ks
uR
k s k ,s e s k ei k.R
N k ,s 2ms (k )
PR
m s k
i
k s k ,s e s k ei k .R
N k ,s
2
e k e k
s 1
e
k
i k .R
0,
R0
1
1
2
(
)
(
)
P
R
k s
R 2M
s
ks
k s
ks
4 k ,s
1
U s (k ) k s k s k s ks
4 k ,s
1

s k k s k s
2
k ,s

M k k
kr U (r)k (r) dV
ei k. r
ondas planas
U(r)
i g.r
V
e
g
g
M k k
i k.r
e
i g.r i k .r
V
e
g e dV
g
i k g k.r
V
e
dV
g
M k k
M k k
Vg , si k g - k 0

DIFRACCIN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 1
U(r)
V (r R )
a
M kk
M k k
i k .r
e
i k .r
V
r
R
e
dV
a
i k k.r
e
Va r R dV
M kk
i k k.R
i k k.(r R )
e
e
Va r R dV
M k k
1
Va (K)
N
iK.R
e
K kk
1
iK .r
Va (K )
V
(
r
)
e
dV
a
Vc
Si la red est fija, es decir, si no hay vibraciones:
iK.R
1 eiK1L 1 1 eiK2 L 2

iK1
iK 2
e
e
1
iK .R
e
1 eiK3L 3

iK3
1
N K ,g
M k k
Va (g) k k,g
Aqu mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento

de difraccin cuando s consideramos las vibraciones de la red
R R u R (Aq eiq. Aq eiq. )

q
Fred
1
1
iK .R
e
exp i K R A q eiq.R A q eiq.R
N
N
q
1
1
iK.R
iK.R
iq.R
iq.R
e
exp
i
K
A
e
q
qe
q
N
N
exp i K Aqeiq.R Aqeiq.R 1 iK Aqeiq.R Aqeiq.R ...

Fred
1
iK .R
iq.R
e
1 exp i K Aq e
N
q

Fred
Fred
M k k
1
1
iK .R
e
exp i K A q ei qK .R
N
N q
1
1
iK .R
e
N
N q
Va (g) k k,g i kk A q Va kk
Si hablamos de la difraccin de electrones por las vibraciones de la red,

Tenemos que considerar slo:
M k k
i kk A q Va kk
1
n q
Eq
2
Nmq2
Nmq
Aq
TEORA DE BANDAS
FC-UNI
octubre 2013
ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FSICA
ESTADOS ELECTRNICOS EN UN
CRISTAL (TEORA DE BANDAS)
MODELO DE DRUDE (Ashcroft)

GAS DE FERMI DE ELECTRONES LIBRES (Kittel)
TEOREMA DE BLOCH (Aschcroft)
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES (Ashcroft)
MODELO DE ELECTRONES FUERTEMENTE
LIGADOS (Omar)
MODELO KRONIG PENNEY (Mckelvey)
Modelo de Drude
Los electrones de valencia de un metal se mueven por todo el

volumen del metal no ocupado por los iones. Esto significa
aproximadamente el 80% del volumen de una muestra metlica.
El comportamiento de estos electrones es como el de un gas
monoatmico ideal U = 3/2 N KB T. Obedecen la estadstica de
Boltzman.
Existe la probabilidad dt/ de que un electrn experimente un
choque en el intervalo de tiempo (t, t+dt). se llama tiempo de
relajacin, tiempo de vida media del electrn, o tiempo de colisin.
Los choques son con los iones fijos.
Entre dos choques cada electrn obedece las leyes de Newton, es
decir, se mueve en lnea recta con MRU si ningn campo es aplicado
a la muestra o con movimiento acelerado si algn campo elctrico o
magntico es aplicado.
ELECTRONES LIBRES EN 1D
E
Ecuacin de Schrodinger:
2 d 2
E
2m dx 2
EZE
Soluciones:
( x) A e ikx
2
k
E
2m
Condiciones de frontera peridicas,
4
- ..
a
2
..
a
2
..
L
2
..
a
(x) (x L)
2
2
i
kL
e
1 k
n
n, n 1, 2, ....
L
Na
4
..
a
Periodicidad en el espacio recproco: E(k+g) = E(k). k+g es equivalente a k.
El vector k es indeterminado en un vector g de la red recproca
Esquema de Zona Reducida
kk
ELECTRONES LIBRES
Esquema de Zona Peridica.
Tercera banda
Segunda banda
Primera banda
ELECTRONES LIBRES EN3D

Ecuacin de Schrodinger:
2 2
E
2m
Soluciones:
(r) A e i k r
2
k
E
2m
Condiciones de frontera peridicas

k2
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
. .
. .
. .
. q.
. .
. .
. .
. .
(x, y, z ) = (x + L, y + L, z + L)
2
L
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
.
2
L
ei(k1 L) ei(k2 L) ei(k3 L) 1

k1 , k 2 , k 3 ( 2 m, 2 n, 2 p)
L
k1
Nmero de estados con

vector de onda entre 0 y k :
3
V 4 3
L 4 3
k
k

3
2 3
2 3
ENERGA DE FERMI
.
.
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.EF .
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2
L
. .
. .
. kF.
. .
. .
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.
(2) V 4 3
N
kF
3
2 3
2
L
k F (3 n)
2
1/ 3
2
2/3
EF
(3 n)
2m
Densidad de Estados
Nmero de estados con vector de onda entre k y k + dk :
V
2
g(k) dk
4
k
dk
3
2
g(E)
Nmero de estados con vector

de onda entre E y E + dE
(2)V
2
g (E) dE
4
k
dk
3
2
1/2
2m
k 2 E1/2

2m
2k dk 2 dE

g (E)
V 2m
2
2
2
g(E F )
3N
2E F
3/ 2
E1/ 2
Teorema de Bloch
Las funciones de onda espaciales de un electrn en un
cristal (potencial peridico) son de la forma:
n k (r) ei k r u nk (r)
donde:
u nk (r R) u nk (r)
PRUEBA:
En la ecuacin de Schrodinger
2 V(r) E ...(1)
2m
V(r R) V(r) V(r) Vg e
igR
...(2)
CFP (r) cqeiqr

q
...(3)
Teorema de Bloch
Obsrvese que el trmino V(r ) (r ) en la ecuacin (1) ser:
ig . r
i q. r
V(r)(r) Vg e cq e
g
q
V(r)(r) Vgcq ei(gq) . r

gq
i q '. r
i q. r
V
c
e
V
c
e
g q ' g
g ' q g '
g q'
g 'q
Reemplazando (2) y (3) en (1) tendremos entonces la ecuacin de

Schrodinger en la forma:
2
iq.r
2
q e 2m q E cq
V
g'
g'
cq g '
Puesto que las funciones ei q . r son linealmente independientes,

tendremos para cada q una ecuacin as: 2
2
q
E cq
2m
V
g'
g'
cqg ' 0
Teorema de Bloch
Cualquier q siempre puede ser escrito como k - g donde k est en la PZB
y g es cualquier vector de la red recproca. Luego:
(k g) E ck g Vg ' ck gg ' 0
g'
2m
Cambiando el nombre de los ndices: g = g - g

2
(k g) E ck g Vg 'g ck g ' 0
Ecuacin A
2
m
g'
Enfatizamos que sta es simplemente la ecuacin de Schrodinger en el

espacio recproco. Cada valor de energa esta asociado con c k
y todos los coeficientes ckg donde g es cualquier vector de la red
recproca. Luego:
k (r) ck g e
g
i (k g )r
ik.r
c
g
k g
i gr
i k.r
e uk (r). Lqqd
MODELO DE ELECTRONES CASI

LIBRES
2
(k g) E ck g
2
m
V
g'
g 'g
ck g ' 0
Ecuacin A
Potencial peridico nulo, Vg = 0

2
(k g) 2 E ck g 0
2m
EE
( 0)
k -g
ck -g 1, si q k - g
ck -g ' 0, si q k - g'
2
, E
(k - g)2 ,
2m
2 2
E
q
2m
q (r) Aeiq.r

LIBRES
V, g g1
(0)
(0)
Caso no degenerado: Ek-g - Ek-g
E E c
(0)
k -g1
E E c
(0)
k -g
k g
ck g
k g 1
Ecuacin A1
Vg1 -g ck - g1
g ' g1
g 'g
ck g ' Ecuacin A2
Vg 'g ck g '
Vg1 -g ck - g1
(0)
(0)
E E k -g
E
E
g 'g1
k -g
Puesto que V es pequeo, esperamos:
ck g
Vgg 1 ck g
ck -g1 1, y ck -g 0, si g g1
Vg1 -g ck - g1
2
0(V
)
(0)
E E k -g
Ecuacin B

LIBRES
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g
1
Caso no degenerado:
V, g g1
Reemplazo ecuacin B en ecuacin A:
E E c
(0)
k -g1
EE
k g 1
(0)
k -g1
Vg g 1 Vg1 g
EE
Vg g 1 Vg1 g
E Ek(0)-g
(0)
k -g
ck g1 0(V )
0(V3 )
Los niveles no degenerados no cambian apreciablemente

LIBRES
Caso Casi Degenerado:
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g j
i
(0)
(0)
Ek-g
E
k-g
i
E E c
(0)
k -g i
E E c
(0)
k -g
k g i
Vg j g i ck g j
j1
k g
ck g
Vg j g ck g j
j1
E E k(0)-g
V, si i, j 1, m.
V, si g g1,g 2 ,...g m
ck g , i 1, 2, ... m
Ecuacin A1
ck g ' , g g1 , g 2 ,... g m
Ecuacin A2
g g i
g g1 , g 2 ,..g m
g 'g
g ' g1 , g 2 ,..g m
V
c
0(V
)
g1 -g k - g1
j 1
Ecuacin C

LIBRES
E E c
(0)
k -g i
k g i
Vg j g i ck g j
ck g
j1
E E k(0)-g
g g i
g g1 , g 2 ,..g m
j 1
g1 -g k - g1
ck g , i 1, 2, ... m
0(V 2 )
Ecuacin A1
Ecuacin C
Reemplazo la ecuacin C en A1:
E E c
(0)
k -g i
k g i
j1
j1 g g1 , g 2 ,..g m
Vg j g i ck g j (
Vgg i Vg j g
E E
(0)
k -g
)ck g j 0(V 3 ) , i 1, 2, ... m

LIBRES
En una aproximacin de primer orden los desplazamientos respecto al potencial
cero se calculan a partir de:
E E c
(0)
k -g i
k g i
Vg j g i ck g j , i 1, 2, ... m
j1
Matricialmente, por ejemplo, para m = 4:
E E k(0)-g 1 - Vg 2 g 1
- Vg3 g 1
(0)
E E k -g 2 - Vg3 g 2
- Vg1 g 2
(0)
V
V
E
E
g1 g 3
g 2 g 3
k -g 3
- Vg3 g 4
- Vg1 g 4 - Vg 2 g 4
- Vg 4 g 1 ck -g
1
- Vg 4 g 2 ck -g 2
0
- Vg 4 g 3 ck -g3
(0) c
E E k -g 4 k -g 4

LIBRES
E

E E (0) - V
g
(0)
E Ek -g
- Vg
(0)
k
E E
E
2
(0)
k g
c k
c k - g

0
k g
4 V
0 2
k
(0)
E E k Vg
Eg
kk
(0)
E E k V 2
( )
a
E g 2 V 2
(

LIBRES
E

E E (0)
k g - V2 g
(0)
- V2 g
E Ek g
Gap 2
kk
c k g
0
c k g
E Ek(0)g V2g
EE
(0)
k g
V 4
(
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES
Interpretacin de Bragg
Cerca de la frontera de zona de Brillouin:
2a
2dsen n
La superposicin de ondas incidentes y reflejadas produce ondas

estacionarias seno y coseno con diferentes valores de energa
( x) B Cos
( x) BSen
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
La molcula H 2 :
1
1 2
2
1
1 2
2
Niveles de energa
N ncleos y un solo electrn

+
N funciones de onda para N

niveles de energa
N funciones de onda para
un solo nivel de energa
FUERTEMENTE LIGADOS
Cuando hay N iones y un solo electrn cada nivel atmico da
lugar a N niveles de energa, los cuales constituyen una banda
de energa.
FUERTEMENTE LIGADOS
a) Potencial peridico
b) Funciones de onda atmicas
c) Funciones de onda atmicas multiplicadas por onda plana
FUERTEMENTE LIGADOS
Escojamos una funcin de onda que satisfaga el teorema de Bloch y que
se reduzca a una funcin de onda atmica para valores de x cerca de cada ion
1 N i kXj
k (x) 1/2 e (x X j )
N j1
Ec (1)
Satisface el teorema de Bloch
1 ikx N -i k( x-X j )
k (x) 1/2 e e
(x X j )
N
j1
Ec (1a)
Cerca del j-simo ion se comporta como un orbital atmico:
k (x) e
i kX j
(x X j ) (x X j )
Ec (1b)
FUERTEMENTE LIGADOS
Clculo de la energa
E(k) *k H k dx
E(k) k H k
Ec (2)
Reemplazando Ec (1) en Ec (2):

1
i k(X j X 'j )
E (k) e
(x X j' ) H (x X j )
N j, j'
j
E (k)
N 1
2
N
j
2
i k Xj
(x) H (x X j )
Ec (3)
FUERTEMENTE LIGADOS
Clculo de la energa
j
E (k)
N 1
2
N
2
i k Xj
(x) H (x X j )
E (k) (x) H (x) e

'
2 d2
H V(x)
2 m0 dx 2
V(x) v (x - X j )
j
V(x) v(x) V' (x)
i kXj
(x) H (x X j )
Ec (3)
Ec (4)
FUERTEMENTE LIGADOS
Primer trmino de la ecuacin (4)
2 d 2
(x) H (x) (x)

v( x) (x) (x) V' ( x) (x)
2
2m0 dx
- (x) V' ( x) (x)

*
(x) H (x) E
Ec (4a)
FUERTEMENTE LIGADOS
Segundo trmino de la ecuacin (4), considerando slo vecinos ms cercanos
'
i k Xj
(x) H (x X j ) eika (x) H (x a) e-ika (x) H (x a)
2 d 2
(x) H (x - a) (x)
v
(
x
a
)
(x - a) (x) V' ( x a) (x)
2
2m0 dx
- * (x) V' ( x a) (x - a)
Integral de traslape
E(k ) E 2 Cos ka
Ec (5)
FUERTEMENTE LIGADOS
ka
E (k ) E 0 4 sen ( )
2
2
E0 E 2
Ek E0 a 2k 2
FUERTEMENTE LIGADOS
Caso 3 dimensional: banda s de un slido con estructura fcc monoatmica
Es (k) Es -
ik R 0j
j, vecinosms cercanos
a
2 (i j)
a
k (k x , k y , k z ) y R 0 (k j)
2
a
2 (i k )
k ya
k ya
k xa
k za
k za
k x a
Cos
Cos
Es (k ) Es 4 Cos
Cos
Cos
Cos
2
2
2
2
2
2
Es (k ) Es 12 k a
2 2
MODELO KRONIG PENNEY

0, si x 0, b
V(x) - V0 , si x b, a
V(x) V(x n a)
2 d 2
V(x) E
2 m dx 2
-V0
aa
d 2
dx 2
2 0 , si x 0, b
1/2
2mE
d 2
2 0 , si x b, a
dx 2
1/2
2 m (E V0 )

d 2
2 0 , si x 0, b
dx 2
d 2
2 0 , si x b, a
dx 2
k (x) e ikx u k (x)
k (x) eikx u1k (x)

d 2u 1
dx 2
d 2u 2
dx 2
k (x) e ikx u 2k (x)
2i k
du 1
(k 2 2 ) u 1 0 , si x 0, b
2i k
du 2
(k 2 2 ) u 2 0 , si x b, a
dx
dx

d 2u 1
dx 2
d 2u 2
dx 2
Caso 1: Si E>0
du 1
2i k
dx
2i k
(k 2 2 ) u 1 0 , si x 0, b
du 2
dx
(k 2 2 ) u 2 0 , si x b, a
u1 (x) A e i( - k)x B e -i( k)x , si x 0, b

i(-k)x
u 2 (x) C e
De
-i( k)x
, si x b,a

Usando como condiciones de frontera la continuidad de la funcin y
su derivada en x = 0 y en x = b
A BCD 0
i - k A i k B i - k C i k D 0
A ei( - k)b B e -i( k)b C e -i( - k)c De i( k)c 0
i - k A e i( - k)b i k B e -i( k)b i - k C e -i( - k)c i k De i( k)c 0

Los coeficientes A,B, C y D se encuentran resolviendo estas ecuaciones
simultneas y la solucin existe slo si el determinante de sus
coeficientes es nulo, lo cual implica:
2 2
Sen b Sen c Cos b Cos c Cos k (b c) (Sol. 1)

2

Caso 2: -V0 < E < 0
El procedimiento es igual pero es imaginario y podemos escribirlo as:
i
Y teniendo en cuenta que:
Cos (i x) Cos h x y Sen (i x) i Senh x

Puede deducirse que habr solucin no trivial para A,B,C y D slo si:
2 2
Senh b Sen c Cosh b Cos c Cos k a .... (Sol. 2)

2

Ambas, Solucin 1 y Solucin 2 son de la forma:
f (E) Cos k a
Esto significa que dado un valor de k podemos hallar el correspondiente E
Para ver cualitativamente la existencia de bandas prohibidas y permitidas
reescribimos ambas soluciones en las formas:
1/2
( )
2
1 4 2 2 Sen b
( 2 2 )
2
1
Senh b
2 2
Cos ( c - 1 ) Cos k a
1/2

Donde:
2 2
Tan 1 Tan b , si E 0
2
2 2
Tan 2 Tanh b
2
, si - V0 E 0
1/2
( )
2
Senh
b
1
4 2 2
f(E) =
MODELO
KRONIG
PENNEY
1/2
f(E)
( 2 2 )
2
1
Sen b
2
2
2
a
E=0
si - V0 E 0
2
a
E = - V0
, si E 0
3
a

Para resolver exactamente E vs k puede procederse del siguiente modo:
1) Asegurarse de tener los datos V0 (en eV), a y c (en angstron) .
2) Tomar 2000 valores de energa E en el intervalo (- V0 , V0) y para cada

uno de ellos escribir los valores de
3) Reemplazar
y ( ) .
y ( ), as como a, b y c en la solucin (1) o
solucin (2). De este modo se obtiene f (E).
4) Para los valores de f(E) en el intervalo (-1,1) tome arco cos f ( E ) y

as podr obtener k. Con lo cual habr obtenido un punto de la relacin de
Dispersin E vs k).
Otros mtodos de clculo de bandas

El mtodo celular
El mtodo de ondas planas aumentadas
El mtodo del seudo potencial
EL MTODO CELULAR
Resuelve la ecuacin de schrodinger en una zona de Brillouin con
Condiciones de frontera:
(r) e-ik.R (r R)
n (r ) (r) -e -ik.R n(r R) (r R)
En la publicacin original para calcular el estado de ms
baja energa de la banda 3s del sodio se aproxim la celda
WS a una esfera y se resolvi el problema como si fuera un
problema atmico pero con condiciones de frontera :
0, (r0 ) 0
SUPERFICIES DE FERMI
La superficie de Fermi es definida como la superficie en el espacio k dentro de la
cual todos los estados estn ocupados por electrones de valencia a 0K. Todos los
estados fuera de la esfera de Fermi estn vacos.
Mtodo de Harrison: Una tcnica para construir superficies de Fermi de metales.
En primera aproximacin consideramos que los electrones son libres. Las superficies
De Fermi son esferas. Si salen de la PZB usamos dos o mas bandas.
3ZB
2ZB
1ZB
Cmo puede pasarse de las superficies de Fermi para electrones libres a
las de electrones casi libres?
a) El potencial del cristal redondea las esquinas afiladas de las
superficies de Fermi.
(b) La mayor parte de las superficies de Fermi cortan perpendicularmente
a los lmites de la zona.
(c) La interaccin del electrn con el potencial peridico del cristal
origina la aparicin de bandas prohibidas en los lmites de la zona.
d) El volumen total encerrado por la superficie de Fermi depende

solamente de la concentracin electrnica y es independiente de los
detalles de la interaccin con la red.
CONDICIN DE LAUE
k
g/2
frontera de zona
de Brillouin
A diferencia de los experimentos de

DRX con un haz monocromtico,
todos los electrones estn expuestos a
experimentar una reflexin de Bragg,
pero slo la experimentarn aquellos
que satisfacen la condicin de Laue.
Estos son los que estn en las
fronteras de las ZB. La difraccin de
Bragg, a su vez, origina la aparicin de
bandas prohibidas
k k g 2 k . g
2
2 k . g g2
g
k.
g
g
2
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:
k F (3 2n)1/ 3
a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:
k F (3 2n)1/ 3
a) Cuando la concentracin de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.

Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relacin entre concentracin de electrones y de tomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los tomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatmica son gradualmente reemplazados por tomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razn de
tomos de cobre a tomos de zinc en una aleacin CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razn de concentraciones)
Solucin:
La esfera comienza a tocar a la PZB cuando
kF
Reemplazando este valor en la frmula del enunciado se obtiene:
Mientras que na = 4/a3
a3
SUPERFICIES DE FERMI DE ALGUNOS

METALES
Ver tabla de superficies de Fermi en archivo de internet
FUNCIONES DE DISTRIBUCIN
En el estado fundamental, es decir a OK los
N electrones en un cristal ocupan los N
estados de energa ms baja, pero qu pasa
a una temperatura T ?
La Distribucin Maxwell Boltzmann(*)

Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa Ei, con
degeneracin gi es:
Ni A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalizacin y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
Nmero total de partculas
Energa total del sistema de partculas
N A e-E/KBT g(E) dE
Etotal A E e-E/KBT g(E) dE
Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de

Pauli
(*)
Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
Estadstica Fermi Dirac

La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:
f (E)
1
e(E-)/KBT 1
donde es el potencial qumico (depende de cada material) y KB la constante

universal de Boltzmann.

N f(E) g(E) dE
Etotal E f(E) g(E) dE
Es vlida para N partculas indistinguibles que obedecen principio de exclusin de

Pauli
f (E)
INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI
f
0 f(E) h(E) dE H(E) f(E) 0 H(E) E dE
H (E )
h(E)dE
0
1
H ( E ) H( ) (E - ) H( ) ( E ) 2 H ( )
2
f(E) h(E) dE H( )
0
2 ( K BT )2 h
6
2 ( K BT ) 2
f
H(E) (- )dE H( )
E
6
E
E
2H
E 2
Dinmica Semiclsica de los electrones

en un cristal
Cmo se comportan los electrones de un slido
cristalino en presencia de campos externos?
1. Permanecen en su banda, n es constante
2. Un electrn con vector de onda k y energa En(k) tendr
1
v k E
2. Obedecen la segunda ley de Newton en la forma:

dk
F
dt
Lmite de validez del modelo semiclsico

Los electrones obedecen la dinmica semiclsica con la condicin
de que los campos E y B no sean muy intensos. En la prctica esto
significa:
E gap (k)
e a <<
EF
E gap (k)
c <<
EF
eB
c
m
a es el parmetro de red

en un cristal
mv k
1 dE
v
dk
v (-k ) - v (k )
v se puede interpretar como la velocidad de grupo de un paquete de
funciones de onda con k en el intervalo k k

en un cristal
mv k
1
v k E
v (-k ) - v (k )
v tambin se puede interpretar
como el valor esperado del
operador i para una funcin de
m
Bloch

en un cristal
Segunda ley de Newton y momentum cristalino

dE(k )
e v
dt
dE(k )
1
e k E (k )
dt
dE(k )
dk
k E(k )
dt
dt
dk
e
dt

en un cristal
Masa efectiva de un electrn en un
cristal
dv
a
dt
a
dv dk
dk dt
1 d2E
a 2 2 F
dk
2
m 2
dE
dk 2

en un cristal
Masa efectiva de un electrn en un
cristal
dv
a
dt
a
dv dk
dk dt
1 d2E
a
F
2
dk
2
m 2
dE
dk 2
TENSOR MASA EFECTIVA

1
v vg k E
dvx v x dkx v x dky v x dkz
dt k x dt k y dt k z dt
dv x
dt
dv
y
dt
dv
z
dt
v x
k x
v y
k x
vz
k x
v x
k y
v y
k y
vz
k y
v x dk
x
k z
dt
v y dk y
k z dt
dk z
vz
k z dt
2
2
2E
E
E
2
k x k y k x dk z
k X
2
2
2
m 12
2
k x k y k y
k z k y
2
2
2
E
E E
2
k x k z k z k y k z
CONCEPTO DE HUECO
Es una seudopartcula cuyas propiedades fsicas son equivalentes a las de
todos los electrones de una banda con todos los estados ocupados
excepto uno.
El vector de onda del hueco es :
kh ke
La energa del hueco es: Eh (k h ) Ee (k e )

La velocidad del hueco es: vh (k h ) ve (k e )
*
*
m
(k
)
m
La masa efectiva del hueco es: h h
e (k e )
La carga elctrica del hueco es: qh = e
CONCEPTO DE HUECO
Ee
Eh
kh
Ee(ke)
Ke
Eh (kh)
Kh
ke
kh ke
Eh (k h ) Ee (k e )
vh (k h ) ve (ke )
m*h (k h ) m*e k e
CONCEPTO DE HUECO
Ee
Eh
kh
ke
dk h
dk e

e
dt
dt
La carga elctrica del hueco es positiva
Conductores, semicondutores y aislantes

E
BC
BC
BV
Conductores
gap
gap
BV
semicondutores
BV
aislantes
Conductores semicondutores y aislantes
(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal
Concentracin de portadores en
semiconductores intrnsecos
E(electrones)
2k 2
E c (k ) E g
2m*e
2k 2
E v (k )
2m*h
1 2m e
g e (E) 2 2
2
E(huecos)
3/2
1 2m h
g h (E) 2 2
2
E E
g
3/2
E1/ 2
1/ 2
E C2
f (E) g(E) dE
E C1
EV 2
EV 1
(E) g h (E) dE
3/2
1 2me EF/K BT
n 2 2 e
2
E E
g
1/ 2 E/K BT
Eg
1/ 2 x
x
e dx
0
3/2
1/2
2
me k BT E F /K BT Eg /K BT
n 2
e
e
2
2
dE
p f h (E) g h (E) dE
0
f h 1 f (-E) 1 -
e-E-E F /K BT 1
g h (E)
1
e(EF E)/KBT 1
1 2m h
2
2
2
3/2
3/2
E1/ 2
m k T
p 2 e B 2 e-E F /K BT
2
e E F /K BT e-E/KBT
np
mh
1
3
E F Eg K BT Ln
2
4
me
1/T
k BT
ni 2
2
2
3/2
me mh
3/4
E g /2K BT
Estados de Impurezas
e2
V(r)
4 r 0 r
r 10 ,
me
0,2
m0
1 me - m0 e 4

Ed 2
r m0 2(4 0) 2
Ed 0,01eV
1 m h - m0e 4

E a 2
r m0 2(4 0) 2
Ordenes de magnitud:
Ea 0,01 eV
semiconductores extrnsecos
3
k T
3/2 E /K T
n p 4 B 2 me m h e g B
2
np n
2
i
semiconductores extrnsecos tipo n

n Nd
n i2
p
Nd
semiconductores extrnsecos tipo p

p Na
n i2
n
Na
CONDUCTIVIDAD
ELCTRICA DC
FC UNI
Octubre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
MODELO DE DRUDE
Si no hay campo elctrico los electrones se mueven con velocidades del

orden de hasta 106 pero en direcciones al azar de modo que en promedio v = 0
vd
En presencia de un campo elctrico constante los electrones adquieren

una velocidad constante, conocida como velocidad de arrastre, v d .
MODELO DE DRUDE
dv
m
q
dt
q
v t, entre t 0 y t
m
En t = los electrones chocan con iones y regresan a v = 0
Entonces, en promedio los electrones viajan con velocidad :

q
vd
2m
drift velocity o
velocidad de arrastre
MODELO DE DRUDE
dv
mv
m
qdt
dv q
v
dt m
q
dv
1
- v
dt
dv
1
- d t
q
v m
q
v m
t
Ln
q
q
v
( 1 - e - t/ )
m
Si t >>
q
v
, velocida d constante
m
MODELO DE DRUDE
J nq v d
vd
vd t
t=0
v d t
vd
t = t
n A v d t q
I
t
q
J nq
m
J
n e2
MODELO DE SOMMERFELD
Se basa en la descripcin cuntica del movimiento de electrones libres
(gas de Fermi)
Si no hay campo elctrico externo, los electrones con k < kF se distribuyen

simtricamente dentro de la esfera de Fermi. En presencia de un campo
elctrico, la esfera de Fermi se desplaza.
k
m vd
k
MODELO DE SOMMERFELD
Slo contribuyen a la conductividad elctrica los electrones llevados fuera
de la esfera de Fermi por el campo elctrico.
2 k
4
k
1
F
n ef n
n ef n
3 4 3
kF
3
vd
vF
J n ef q v F
J nq v d
n e2
Conductividad vs temperatura en metales

Si el cristal fuera perfecto no habran choques de los electrones
con la red. Los choques se producen por las impurezas y por
losfonones.
Conductividad vs temperatura en metales
n e2
n e2
m 1
n e2
m 1
1
(
)
2
n e i fon
n e2
i fon
Conductividad elctrica en
semiconductores
n e2
e
e
m
n e2
h
h
m
e n e e
ve
e e
e e
me
vh
e
h h
mh
h n e h
(n e e p e h )
Conductividad vs temperatura en
n i e ( e h )
ni depende de la temperatura exponencialmente
e y h
( e h ) depende de la temperatura
polinomialmente
Prevalece el comportamiento exponencial
f (T) e-Eg/ 2 KB T
Conductividad vs temperatura en
e n e e
En un amplio rango de temperatura n = Nd se

mantiene constante. Los cambios de con la
temperatura se deben a la movilidad.
e n e e
e e
me
e T -1
e e
me v r
-2
1
3
me v r K B T
2
2
e e
1/2
(
)
m1/2
3
K
T
e
B
e T -3/2
EFECTO HALL
Si sobre una muestra por la que circula corriente elctrica se aplica un campo
magntico perpendicular a la corriente, entonces, aparecer una diferencia de
potencial en la direccin perpendicular a ambos. Sirve para determinar el tipo de
portadores en semiconductores.
H
H vd B
q (vd B H ) 0
H vd B
vd -
Jx
ne
1
H Jx B
ne
1
RH ne
vd
Jx
pe
1
Jx B
pe
1
RH
pe
EFECTO HALL
q (vd B H ) 0
FLe - e (ve B) e ve B
Le ve B
Je B
Le
ne
Lh
- Jh B
pe
J y n e e Le p e h Lh (n e e p e h ) H
n e
Je
n e p h
Jx
p 2h n e2
R
e(n e p h ) 2
RESONANCIA CICLOTRNICA
m 2 r - e v B
c
e
B
*
m
c
c
2,8B GHz
2
B en kilogauss
La resonancia ciclotrnica es comnmente
usada para medir la masa efectiva del electrn
en metales y semiconductores
RESONANCIA CICLOTRNICA
La trayectoria no es necesariamente
una circunferencia:
dk
- e v(k ) B
dt
k -
e
v (k ) B t
T t
eB
k
v (k )
v( k) es la velocidad normal a la rbita

c
2eB
k
v (k )
Para electrones libres regresamos a:

c
e
B
*
m
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
d 1
m v e (E v B )
dt
d 1
m v x e (E x B vy )
dt
d 1
m v y e (E y B vx )
dt
d 1
m vz e Ez
dt
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
e
vx E x c v y
m
e
vy E y c v x
m
E x 1
c
E y - c 1
m
0
Ez 0
0
0
1
vz -
vx

vy

vz
e
Ez
m
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
Jx
ne 2
Jy
m

J
z
Jx

Jy n e

Jz
vx

vy

vz
c
1
- c 1
0
0
0
0
1
-1
Ex

Ey

Ez
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
Jx

0
J
y
2
1
)

c
J
z
Jy 0
c E x -E y ; J x
- c
1
0
0
1 ( c )
Ex

Ey

1 ( c ) 2 E z
0
0
(E x c E y ) J x 0 E x
La resistividad es independiente del campo magntico

E y - c E x - c
(B) 0
RH
1
ne
Jx
1
JxB
2
ne /m
ne
MAGNETORESISTENCIA
PROPIEDADES TRMICAS
DE SLIDOS
FC UNI JUNIO 2014
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Calor Especfico de slidos

(definicin)
El calor especfico molar es definido como:
Q
C
T
donde Q es el calor requerido para elevar en T la temperatura de una
mol del slido.
Recordando la primera ley de la termodinmica: Q E P V

y puesto que en slidos el proceso se realiza aproximadamente
a volumen constante, tendremos:
E
C
T V
Calor Especfico de slidos

(Evidencia experimental)
El calor especfico molar depende de la temperatura en la forma

mostrada en la figura:
A altas temperaturas el valor CV de cualquier slido es aproximadamente

3R donde R es la constante universal de los gases (R 2 cal/K) (Ley de
Dulong y Petit). Al disminuir T, el calor especfico tambin decrece hasta
hacerse cero a 0K.
Modelo clsico
Cada tomo es un oscilador tridimensional
En un slido con N tomos tenemos 3N
osciladores unidimensionales.
Los osciladores son independientes
Pueden tener valores continuos de energa
Obedecen la estadstica de Boltzmann.
Calor Especfico de la red

(modelo clsico)
Cada tomo est fijo a un punto de red oscilando
como un oscilador armnico simple
Recordamos de Fsica elemental que la energa promedio para un
oscilador unidimensional es
E prom k B T
Entonces la energa por tomo, considerado como un oscilador 3D es

3 k B T y la energa por mol es:
E 3 N Av k B T
El calor especfico molar a V constante
es entonces:
CV 3 N Av k B 3 R
Modelo de Einstein
Cada tomo es un oscilador tridimensional
Los osciladores son independientes
Slo Pueden tener valores discretos de
energa E n n

(modelo de Einstein)
Los tomos son tratados como
osciladores independientes pero
los valores de la energa estn
dados por la MECNICA CUNTICA
En n
E n e - E n / K BT
E prom n 0
e - E n / K BT
n0
E prom
e /K B T 1
E prom
En e
n 0
- E n / K BT
- n / K BT
n 0
- E n / K BT
n0
- n / K BT
e
n 0
x e- / K BT
E prom
n xn
n 0
n
x
n0
1
n
x
1 x
n 0
E prom
-1
1 - x x -1
d
x
n
n n x x dx n x 1 x 2
E prom
e /K B T 1

E
E 3 N Av
e E /K B T 1
E
C V 3 R
K
T
B
C V 3 R E
T
e E /K B T
e E /K B T 1
e E /T
e E /T 1


CV 3 R E
T
e E /T
E /T
A bajas temperaturas, T << E , la expresin para CV se reduce a:

2
E - E /T
B(T ) e- E /T
CV 3 R e
T
A altas temperaturas, T >> E , la expresin para CV se reduce a:

2
1
E
CV 3 R
2
T
E
1
1
T
3R
Modelo de Debye
Pero cada tomo no es un oscilador, sino cada
modo de vibracin colectivo, cada fonn es un
oscilador.
Cada oscilador slo tener valores discretos de
energa
Cada oscilador tiene frecuencia diferente.

(Modelo de Debye)
Cada modo de vibracin de la red es considerado como
un oscilador cuntico con valores de energa n h
e /K B T 1
Se usa aproximacin de vibraciones

en slido continuo
3V 2
g ( )
2 2 v3
s
vs q
E E() g ( ) d

(modelo de Debye)
D
3V
d
2
2
3
/K
T
B 1
2 vs 0
e
La integral es de 0 a un valor D tal que:

D
g ( ) d
0
3 N Av D vs 6 n
2
1/ 3

(modelo de Debye)
D
3V
2
d
2 2 v3
e /K B T 1
s 0
CV
3V
2
2 2 v3
s K BT
T
C V 9R
D
/K BT
4
e
0 e /K B T 1
3 D / T
x4 ex
e x 1
dx

(modelo de Debye)
Para bajas temperaturas, T <<
4 4
d x
2
15
x
0 e 1
x4 ex
T
12 4
CV
R
5
D
Para altas temperaturas, T >> D :

3V
CV
2 2 v3s
K BT 2
K
T
3R

(Teora exacta)
E
E( ) g( ) d
E
C V
T V
L
g( )
2
dS
vg
Calor Especfico de los electrones

En metales:
C V Ce C red
Considerando la contribucin electrnica como la de un gas ideal:

Ce
3
R 3 cal/mol K
2
Se esperara entonces que la capacidad calorfica de los metales sea:

CV 3 R
3
R 4,5 R 9 cal/mol K
2
Sin embargo, el experimento contradice este razonamiento.

Experimentalmente se observa que la contribucin de los electrones
al calor especfico es slo 0,01(3/2) R.

No todos los electrones del metal contribuyen al calor especfico:
n ef N Av
E N Av
Ce 2 R
K BT
EF
K B T 2
EF
K BT
EF
Ms exactamente:
EF
E f(E) g(E) dE - E g(E) dE

E
EF
E f(E) g(E) dE - E g(E) dE
EF N
f (E)
1
e(E -)/K BT 1
EF
f(E) g(E) dE
E - EF
e(E - EF )/KBT
f
K BT 2 (e(E - EF )/KBT 1) 2
T
E
Cel
=
T
E g(E)
N
0 EF
=
T
f
dE
T
EF g(E)
0
f
dE
T
x=
E - EF
K BT
2
B
Cel g(E F ) (K T)
E
Cel
=
T
f
(E - E F ) g(E)
dE
T
K T
2
Ce
NK B B
2
EF
ex
x
dx
N = n N = NAv
INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI
f(E) h(E) dE H(E) f(E)
H (E )
f
H(E)
dE
E
0
h(E)dE
0
1
H ( E ) H( ) (E - ) H( ) ( E ) 2 H ( )
2
f(E) h(E) dE H( )
0
2 ( K BT ) 2 h
6
2 ( K BT ) 2
f
H(E) (- )dE H( )
E
6
E
E
2H
E 2
Clculo de Cel
f(E) h(E) dE H( )
2 ( K BT ) 2 h
Etotal f(E) E g(E) dE E g(E) dE
E
E
2 ( K BT ) 2
6
n f(E) g(E) dE g(E) dE
g ( ) g ( )
2 ( K BT ) 2
6
EF
h(E) dE h(E) dE - E H ( E
F
g ( )
)
Clculo de Cel
EF
2 ( K BT ) 2
2 ( K BT ) 2
g ( EF )
g ( EF )
Etotal E g(E) dE E F EF g EF
6
6
0
EF
2 ( K BT ) 2
g ( EF )
n g(E) dE EF g EF
6
2 ( K BT ) 2
g ( EF )
0 EF g EF
6
EF -
2 ( K BT ) 2 g ( EF )
6
g ( EF )
Clculo de Cel
1 K BT 2
E F 1 - (
)
3 2 EF
Etotal
E total 0
2
2
K BT 2 g ( EF )
Etotal 2 2
CV
K B T g ( EF )
T
3
CV
2 KB T
2
EF
nK B
Conductividad trmica de los electrones

1 Q
dT
H
K
t A
dx
K K e K fonones
1
K e C Ve v
3
v, velocidad de los electrones,
H n c ( T ) v
(asi como J n q v)
dT
dT
T
vx
dx
dx
, trayectoria libre media
1 n K T
v F F
K e
3 2 EF
2
B
1
m v2
F
2
2 n K 2B T F
K
3 m*
H n v 2x c
dT 1
dT
n v 2 c
dx 3
dx
1
dT
H CVe v
3
dx
Conductividad trmica vs conductividad

elctrica de metales
2 n K 2B T F
K
3 m*
n e2
m
K
L
T
2 K B
3 e
Nmero de Lorentz
= 2,45 10-8 watt-ohm/grad 2
Valores experimentales del numero de Lorentz

L x 108 watt-ohm/grad2
Metal
00C
1000C
Ag
2,31
2,37
Au
2,35
2,40
Cd
2,42
2,43
Cu
2,23
2,33
Ir
2,49
2,49
Mo
2,61
2,79
Pb
2,47
2,56
Pt
2,51
2,60
Sn
2,52
2,49
3,04
3,20
Zn
2,31
2,33
Conductividad trmica de la red

dT
H K
dx
K K fonones
1
K e CVfonones v
3
A bajas temperaturas:
3
T
1
K fonones 234 NK B vs
3
D
A altas temperaturas:
Kfonones R vs
Resistividad elctrica vs temperatura en metales
m 1
1
(
)
2
n e i fon
A x
m 1
i
= cte ,
n e 2 i
(Ley de Mathiensen)
m 1
f
n e2 f
m vF
n e2 f
A 1
1
k x2
2
e
x2
/K BT
KB T
2 N KB
m
v
T
F
2
ne
k
Resistividad elctrica vs temperatura en metales
n e2
n e2
Movilidad vs temperatura en semiconductores
e n e e
En un amplio rango de temperatura n = Nd se
mantiene constante. Los cambios de con la
temperatura se deben a la movilidad.
e n e e
e e
me
e T -1
e e
me vr
e T -3/2
-2
1
3
m e v r K BT
2
2
e e
1/2
m1/2
3
K
T
e
B
Los electrones en el fondo de la BC

obedecen la estadstica clsica.
EXPANSIN TRMICA
Consideremos la anarmonicidad del potencial y supongamos:
U ( x) c x 2 - g x 3 - f x 4
Calculamos el desplazamiento medio utilizando la distribucin de Boltzmann
que da los valores posibles de x segn su probabilidad termodinmica.
U ( x)
dx
x
e
U ( x)
dx
e
3g
k T
2 B
4c
Fenmenos termoelctricos
Efecto Seebeck
Efecto Peltier
Efecto Thompson
EFECTO SEEBECK
En un circuito formado por dos metales distintos homogneos, A y B,
con dos uniones a diferente temperatura, T y T+ T, aparece una corriente
elctrica J, o bien, si se abre el circuito una fuerza termoelectromotriz
(f.t.e.m.) VAB que depende de los metales utilizados en la unin y de la
diferencia de temperatura entre las dos uniones.
material A
T
T
T T
material B
Q T
V
Q T
VA
VB
QA T
QB T
VB - VA
V
QB -
QB -
QA T
QA T
Clculo de la termopotencia
Velocidad de arrastre de los electrones debido al gradiente de temperatura
vQ
1
vx - v vx v - v dv
2
dx
d v2

v Q
dx 2
vQ
d v2
6 dT
d v 2 dT
v Q

dT 2 dx
2
cV
1 d mv
3ne
3e d T 2
vd
k
Q B
2e
Drude
e
m
Q
2 k B k BT
6 e EF
Sommerfeld
EFECTO PELTIER
El efecto Peltier consiste en el enfriamiento o calentamiento
de una unin entre dos conductores distintos al pasar una corriente
elctrica por ella y que depende exclusivamente de la composicin
y temperatura de la unin.La potencia calorfica intercambiada en la
unin entre A y B es [Biel J. G., 1997]:
Llega calor
HA
HB
A J,
B J
Sale calor
QT
H
( A B ) J
EFECTO THOMPSON
El efecto Thomson consiste en la absorcin o liberacin de calor
por parte de un conductor elctrico homogneo, con una distribucin
de temperaturas no homognea, por el que circula una corriente
Coeficiente de Thomson
Q= termopotencia
H
Q
T
T
J T
EFECTO TERMOIONICO
El efecto termoinico consiste en la emisin de electrones de un filamento
metlico por efecto de calentamiento.
J
T2 T1
ampermetro
Alto
vacio
filamento
Alto voltaje
Fuente para calentar
filamento
T1
J S (T2 )
J S (T1 )
Este efecto se explica calculando la corriente debido a los electrones que

pasan a travs de la barrera de potencial
Nivel de
vaco
funcin
trabajo
EF
e
Jx
V
e
v x (k )
V
k
v x (k ) 2
E EF
v x ( k ) 0
d dk x dk y dk z
d
2
Considerando la probabilidad de ocupacin segn Fermi Dirac.
2e
Jx
dk y dk z
k x dk x f E k , T
3
k x min
2 m
K B T
Jx
4 3 m
Boltzmann
dk y e
E F
2 m
2
2k 2
y
/ 2 mK B T
k x dk x e
2k 2
x
dk z e
2 k 2 / 2 mK
z
B
/ 2 mK B T
4me
2 / K B T
K B T e
Js
3
h
Formula de Richardson-Dushman para la corriente de saturacin
Correccin por factor de transmitancia cuntica en un potencial escaln.
4me
2 / K B T
K B T e
Js
3
h
K T/E
4 E 1/2 ( E U ) 1/2
1/2
(E U )
1/2
Correccin a la funcin trabajo por efecto de un campo elctrico.
e

4 0
3
TEORA SEMICLSICA DE
CONDUCCIN
CAPTULO 9

FACULTAD DE CIENCIAS UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Dr. EN FSICA
FLUJOS DE CARGA ELCTRICA Y DE CALOR
Flujo de carga ( Densidad de corriente elctrica):
d
J e 3 vn k f n
4
n
Ec. (1)
Flujo de calor:
fn
d
n 4 3 En vn k f n
Se llama funcin de distribucin de no equilibrio
Ec. (2)
APROXIMACIN TIEMPO DE
RELAJACIN
En equilibrio:
f n (r, k , t ) f n0 (r, k ) f 0 ( En (k ))
1
0
f ( En (k )) E / K BT
e
1
Fuera de equilibrio :
d f n (r, k , t )
dt /
dt
0
f (r, k )
n (r, k )
es la fraccin de electrones que sufren una colisin y

tambin la fraccin de electrones que emergen hacia r, k
Ec. (3)
Clculo de la funcin de
distribucin de no equilibrio
dV d
f n (r , k , t )
3
4
dN
dV d dt f n0 rn (t), kn (t) Pn (r , k , t; t)
dN
n rn (t), kn (t)
4 3
t
fn
dt 0
f (t) P(t , t)

(t)
P(t,t) es la fraccin de electrones que emerge en ty sobrevive hasta t
La fraccin P(t,t)
dt
P(t , t) P(t , t dt) 1
(t)
P(t , t)
t
P(t , t ) 1
P(t , t)
t
dt
P(t , t) exp
t
t

Clculo de la funcin de distribucin de

no equilibrio
f (t ) dt f (t) P(t , t)
t
t
f (t )
d 0
f (t)
f t dt P(t , t)
dt
f 0 En k n f 0 T rn f 0 rn
d f 0 (t)
En k t T r t r t
dt
0
f
E
0
v -eE-
T
f (t ) f dtP(t , t)
T

E
t
SIMPLIFICACIN DE LA FUNCIN DE NO
EQUILIBRIO PARA CASOS ESPECIALES
1) Campos elctricos y gradientes de temperatura dbiles
2) Campos electromagnticos y gradientes de temperatura

espacialmente uniformes
3) Tiempo de relajacin dependiente de la energa
f (k, t ) f 0 dtet t/ E k
f 0
vk t

E
T
-e-
Ec. (4)
CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DC
Si B = 0, T= constante, = constante, la ec. 4 se reduce a :
0
f
0
f (k ) f (k ) e vk ( E(k )
E
J e
J e
Ec. (5)
d
vk f
3
4
d
f
vk vk E k

3
4
E
( n)
(n)
d
f
En k v n k v n k
3 n
4
E E En k
CONDUCTIVIDAD ELCTRICA DC
d
f
E k vk vk
3
4
E E En k
1
f
vk

f ( E (k ))
k
E E En k
d
1 f ( E (k ))
E k vk
3
4
k

E E n k
Teorema apndice I
dV u v dV v u
e ( EF )
2
f ( E (k )) ( v(k )
3
4
EQUIVALENCA DE ELECTRONES Y
HUECOS
f ( E (k )) ( v(k )
3
4
k
e ( EF )
d
e ( EF )
3
estados ocupados
d
e ( EF )
3
estados desocupados
2
M 1 (k )
(M 1 (k ))
Ec. (6)
Regreso al modelo de electrones libres
m
2
e2
CONDUCTIVIDAD TRMICA
t
f (k, t ) f dte
0

f 0
E
-e
Ec. (4)
vk t

T
t t / E k
Si B = 0, = 0, = constante, la ec. 4 se reduce a:

0
f (k ) f (k )
T vk ( E(k ))
T
E
Ec. (7)
d
4 3 E vk f
Ec. (2)
Reemplazamos ec. (4) y ec. (7) en ec (2)
d
4 3
E vk v(k) (E(k))( f 0 ) T
2
CONDUCTIVIDAD TRMICA
d E
f
4 3 T vk v(k) (E(k))( E )
2
k T
2
2
B
3 e
COEFICIENTES GENERALES DE TRANSPORTE

t
f (k, t ) f 0 dtet t/ E k

f 0
E
-e
vk t

T
Ec. (4)
Si existen al mismo tiempo un campo elctrico y un gradiente de temperatura

0
f (k ) f (k ) e
T vk ( E(k ))
T
J e
d
vk f
3
4
d
4 3 E vk f
Ec. (7)
Ec. (1)
Ec. (2)
COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE
Reemplazando ec. (7) en ec. (1) y ec.(2)
J L11 L12 T
H L21 L22 T
d
1
L12 3
e
4
L21
E vk v(k) (E(k))( f 0 )
T
d
f
1
3 E vk v(k ) ( E(k ))(
)
e
4
E
0
Q potencia termoelctrica,
es el coeficiente de Peltier
COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE
L11
L22 K
L12 Q L11
Q es la potencia termoelctrica y
lega calor
Sale calor
( A B ) J
L2 1 L11
es el coeficiente de Peltier
Otras Formas de Integrar

J e
d
f
vk vk E k

3
4
E
dS
f
J e dE vk vk Ek
vk
E
2
f
J e g ( E )dE vk vk E k

E
2
d
4 3
E 2 vk v(k) (E(k))( f 0 )
T
PROPIEDADES DIELCTRICAS
Y PTICAS DE SLIDOS
FC UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Permitividad Elctrica
E0
E E0 / r
0 E0
D 0 E P
D ( 0 + ) E
D 0 r E
Permeabilidad Magntica
B0
N
B 0 0 I
L
N
B 0 I M
L
B 0 H H
B r 0 H
B0 0 H
B 0 r H
Ecuaciones de Maxwell
E da Q
B da 0
B 0
d
E d - dt B da
B
E t
B d (I Id )
E
B J
t
Ecuaciones de Maxwell en el vaco

0 E 0
B
E t
B 0
B 0 0
E
t
Identidad vectorial:
( A) ( A) - 2 A
Aplicada a la tercera ecuacin

E 0
2
2E
2E
0 0 2 0
2
x
t
2E
0
0
t2
Onda plana que se propaga a lo largo del eje X

1
Con velocidad:
c
0 0
Ecuaciones de Maxwell en medios

dielctricos
E 0
B
E t
B 0
E
t
Identidad vectorial aplicada a la tercera ecuacin

2E
E 2 0
t
2
2E
2E
0 0 r r 2 0
x2
t
Onda plana que se propaga a lo largo del eje X

1
c
c
c

con velocidad: v
n
r r 0 0
r r
r n2
Nota: En general, r depende de la frecuencia y puede ser real positivo, real
negativo o complejo, por lo tanto, en general n es nmero complejo n + ik
ndice de refraccin complejo y

coeficiente de absorcin
E E0 e
E E0 e
q n
i (q x t)
i q ( x v t)
n
c
Si el ndice de refraccin es complejo, entonces:
(n ik)
i (n ik) x t
c
E E0e
I E 2 I I0e
k
x
c
I0e x
k
2
c
E0e
k
c
i n
x t
c
es el coeficiente de absorcin. La
onda no slo disminuye su
velocidad, sino que tambin se amortigua.
Reflectancia normal
y
B1
E1i
E1t
E2
q1
B1i
B1r
E1r
BB21t
q2
B2
1 q1
E1
c q1
2 q2
E2
c q2
E1i E1i0 e
E1r E1r0 e
i (q1 x t)
i q1 ( x v t)
E 2 E t0 ei q 2 ( x v t)
B1i B1i0 ei (q1 x t)

B1r B1r0 ei q1 ( x v t)
B2 Bt0 ei q 2 ( x v t)
Reflectancia normal
Condiciones de frontera:
y
E1i
E 1i E 1r E 2
E1t
E2
q1
B1i
B1r
E1r
BB21t
B 1i B 1r B 2
q2
1 ( E 1i E 1r ) 2 E 2
E1r
E1t
2 1
E1i
2 1
2 1
E1i
2 1

R 2 1
2 1
1 1, vaco
2 n i k
(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2
Permitividad elctrica y polarizabilidad

en gases y lquidos
D 0 E P
P Np
donde N es el nmero de tomos (molculas) por unidad de volumen y
p es el momento dipolar elctrico de un tomo
p E
D 0E P
D 0 E N E 0 r E
r (1
) 1

en slidos
D 0 E P
P Np
donde N es el nmero de tomos (molculas) por unidad de volumen y p es el momento
dipolar elctrico de un tomo
p Elocal
E E0 E1 E2 E3
E0 es el campo externo
E1 es el campo debido a las cargas de
polarizacin en la superficie externa
de la muestra
E2 es el campo debido a las cargas de
polarizacin en la superficie de la esfera
E3 es el campo debido a las cargas

dentro de la esfera.
Elocal E Em E E3

en slidos
Elocal E
P
3 0
P N Elocal
E es el campo de Maxwell
N
P
1 N
3
0
2
N
3 0
N
1
3 0
N
D 0 E +
1 N
3
0
E = 0 r E
r 1 N
r 2 3 0
Ecuacin Clausius Mosotti
Fuentes de polarizabilidad
Polarizabilidad dipolar
Polarizabilidad inica
Polarizabilidad electrnica
Dispersin de la polarizabilidad
(experimental)
electrnica
d 2x
m 2 m02 x eElocei t
dt
x x 0ei t
m(-2 02 ) x 0 eE loc
e2
p 0 ex 0
Eloc
2
2
m(0 )
e 2 /m
2 2
0 -
2
e /m
2
0
0 usualmente en el ultravioleta
r (1
Ne2
m 0
2
0
) n 2 constante
en el visible
3.91 1016;
ancho de linea
b 7.5731 1016;
frecuencia fundamental
Plot b
b2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016
6.
10 17
4.
10 17
2.
10 17
2.
10 17
4.
10 17
6.
10 17
5.
10 16
1.
10 17
1.5
10 17
electrnica considerando relajacin
d2x
dx
m 2 kx b eE0ei t
dt
dt
e
1
-i t
x( )
E
e
0
m 02 2 i
N e2
1
( )
m 02 2 i
p2 (02 2 )
( )
(02 2 )2 + 2 2
d2x
dx
e
2
i t
E
e
0
0
2
dt
dt
m
e2
1
( )
2
2
m 0 i
1
( )
2
2
0 i
2
p
( )
p2 ( )
(02 2 )2 + 2 2
LORENTZIANAS
3.
10 34
2.
10 34
1.
10 34
1.
10 34
2.
10 34
3.
10 34
p2 (02 2 )
( )
(02 2 )2 + 2 2
5.
6.
10 34
5.
10 34
4.
10 34
3.
10 34
2.
10 34
1.
10 34
10 16
1.
10 17
1.5
10 17
( )
5.
10 16
1.
10 17
1.5
10 17
p2 ( )
(02 2 )2 + 2 2
LORENTZIANAS
3.
10 34
2.
10 34
1.
10 34
1.
10 34
2.
10 34
3.
10 34
5.
6.
10 34
5.
10 34
4.
10 34
3.
10 34
2.
10 34
1.
10 34
3.91 1016;
ancho de linea
7.5731 1016;
frecuencia fundamental
10 16
5.
Plot
a x
Plot
1.
10 16
10 17
x2
b2
1.5
1.
10 17
b2
x2
x2
x2
10 17
1.5
10 17
b2
b2
a2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016

x2
b2
a2 x2 , x, 0.0011 1010 , 16.5731 1016
Propiedades pticas de slidos inicos

d 2 u 2n
*
M2
2u
e
E
2n
2n1
2n1
2
dt
d 2 u 2n1
*
M1
2u
u
u
e
E
2n1
2n
2n 2
2
dt
u 0
E E0e
e*
M 1 ( )
2
0
i ( q x t )
u 0
E0
e*
M 2 (02 2 )
E0
P nme (u0 u0 )
*
1
1
2
M1 M 2
2
0
Pe
nme
1
r ( ) 1
0 E 0 02 1 2
*2
02
M 1M 2
M1 M 2

r (0) r ()
r () r ()
2
1
02
1/ 2
r (0)
1
0
r ()
Frecuencia de modos longitudinales
Observar que entre 0 y 1 la

permitividad relativa es negativa
y por lo tanto la parte real del
ndice de refraccin es cero

1/ 2
r (0)
1
0
r ()
Frecuencia de modos longitudinales
0 r E 0
E E0 e i k . r
k 0 r E 0
0
Las ondas planas tienen que ser

transversales, pero si r = 0,
pueden existir modos
longitudinales

Permitividad
Reflectancia
1
(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2

Resultados experimentales para el cloruro de sodio (b) y (c)
2
a( )
k
c
Coeficiente de absorcin
Polarizabilidad dipolar en campo

constante
El momento dipolar de una molcula es cero en ausencia de campo y puede alcanzar el

valor p0 en presencia de ste. La forma cmo evoluciona el momento dipolar est dado
por:
dp p (t) - p 0
dt
donde se llama tiempo de relajacin.

Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = 0:
p(t ) p0 (1 e t / )
Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = p0 y se
elimina el campo elctrico, entonces:
p(t ) p0e t /
Dispersin de la polarizabilidad dipolar

Supongamos que sobre nuestra muestra acta un campo
E(t) A ei t
Se alcanzar una situacin de equilibrio dinmico en la cual:
p(t) (0) E(t) (0) A e-it

La evolucin hacia este equilibrio estacionario est dado por:
dp 1
(0)E p(t)
dt
i t
p(t)
()e
Asumimos soluciones de la forma:
()
(0)
1 i
La polarizabidad no est en fase con el campo
Dispersin de la permitividad en slidos

dipolares
Por simplicidad ignoramos las correccin del campo local y consideramos que la
contribucin inica es muy pequea.
d e
r ( ) 1
0 0
Debido a su pequea masa los electrones siguen al campo instantneamente
d
r ( ) n
0
2
r ( ) n
2
r n 2
N 0
1
1 i
r (0) n 2
1- i
r ( ) r' ( ) i r'' ( ) Los campos E y D no estn en fase
r (0) n
2
n
2 2
'
r

''
r
r (0) n 2
2 2
Dispersin de la permitividad
Ntese que:
r (0) n 2
n
1 2 2
'
r
Si
constante igual a r 0

''
r
r (0) n 2
1 2 2
1
'
, entonces r
Si
, entonces
Se aproxima a n2
es una
r' disminuye y

''
r
alcanza un mximo cuando
y la curva decrece a la mitad cuando (1 2 2 ) / 4
Para materiales dipolares es aprox 10-11 s (microondas)
Absorcin ptica y Permitividad Compleja
La situacin es que en los tres casos la permitividad es una funcin

compleja de la permitividad. Mostramos en las dos diapositivas
siguientes que la parte imaginaria de la permitividad elctrica est
directamente relacionada con el calor disipado por efecto Joule de la
corriente de desplazamiento.

Calor disipado por efecto Joule por unidad de volumen:
dW
Re J d
dt
Jd
Re E
dD
dt
D(t) 0 ( r ( ) i r ( ) ) Es ei t
Jd (t) - i 0 ( r ( ) i r ( ) ) E(t)

E(t) Es eit = (ER i EI ) Cos t - i Sen t
ReE
ERCost EI Sent
ReJ d (t) r ERCost EI Sent r EI Cost ER Sent

Promediando en un perodo la potencia disipada:
dW
Re J d
dt
Re E

dW
1
2
''
0 r ( ) E
dt
2
Conclusin: la rapidez de absorcin de energa por el medio es
proporcional a la parte imaginaria de la permitividad elctrica :
r'' ( )
NOTA: La perdida de energa por unidad de volumen y por unidad de
tiempo es igual a la variacin del vector de Poynting por unidad
de espesor.
d S
dW
S (x+x)-S(x)
x
dt
dx
Propiedades pticas de metales

Anlogamente a modelo de Drude, expresin para conductividad ac :
m
dv
mv
qEdt
Ey
E0e
i t
e
1
vy *
E
me 1 i
0
( )
1 i
0
'
1 2 2
0
''
1 2 2

Permitividad elctrica compleja en metales:
E
H 0
J
t
E
- i E
t
E
H 0
E
t
E
H 0 i
t
()
( ) 0 i
0
0
'
''
i
r r i r 1
2 2
2 2
)
(
1
)
(
1
0
0

( )
(n 1) 2 k 2
R
(n 1) 2 k 2
2
a( )
k
c
n
k
r 1/ 2
n ik
Reflectancia
Coeficiente de absorcin
ndice de refraccin
Coeficiente de extincin
0
0
r i 1
i
2 2
2 2
)
(
1
)
(
1
0
0
'
r
''
r
Regin de bajas frecuencias
1/ 2

n k
2
''
r
I I 0e x
1/ 2

2 0
1/ 2
0c

2 0
2
r ( ) i r''
Skin depth, profundidad de penetracin

Regin de altas frecuencias
r r' i r'' 1
1 :
0
0
i
0 (1 2 2 ) 0 (1 2 2 )
2
Nq
p2
0 me*
r ( ) (1 )
2
p
2
donde q es la carga del electrn y N es la concentracin de electrones

Algunos valores de frecuencia de plasma:
Li
p
p
1,22 x 1016 Hz
155 nm
Na
Rb
0,89
0,593
0,55
210
315
340
Ag

TRANSPARENCIA EN EL ULTRAVIOLETA
p2
r ( ) (1 2 )
( ) r
1/ 2
n ik
Si < p entonces n() = i k
(n 1) 2 k 2
R
1
2
2
(n 1) k
Si > p entonces n() = n real,
Entonces el metal transmite como
un dielctrico normal.

Si = p entonces
r ( ) = 0, la ecuacin de maxwell:
E 0
Ser satisfecha para cualquier E, sin necesidad de que ste sea
perpendicular al vector K, es decir, tenemos la posibilidad de modos
longitudinales. A estos modos de oscilaciones longitudinales de los
electrones se les llama plasmones
PLASMONES
Al valor de frecuencia = p se tiene que r = 0 y por lo tanto la
Ley de Gauss E 0 permite la propagacin de ondas
electromagnticas longitudinales.
u
A
++++++++++++++++++++++
E(t)
--------------------------------------
=
d2u
N 2 e2
Nm 2 =-NeE=
u
0
dt
2
Nq
p2
0 me*
NeAu
n e Au N e u
A n e u
A
d2u
2
+
p u = 0
2
dt
Frecuencia de plasmn volmico en un
slido ideal (infinito)
PLASMONES
Espectrmetro con analizador

electrosttico para el estudio de
plasmones
Espectro de prdida de energa para electrones

que pasan a travs de una pelcula delgada de
magmesio.
Plasmones superficiales: Considere un plasma semiinfinito en el lado

positivo del plano z = 0. Una solucin a la ecuacin de Laplace en el
plasma es:
Ui ( x, z )
Ezi ( x, z)
A Cos k x e- k z
kA Cos k x e- k z
a) Demostrar que U e ( x, z )
Exi ( x, z)
kA Sen k x e- k z
A Cos k x e k z , para z 0
Satisface la condicin de frontera para la componente tangencial de E..

Encontrar E0x.
b) Demostrar que la condicin de frontera par D requiere que r = -1,

por lo tanto

2
s
Prob 1 cap 10 Kittel 5ta edicin
1 2
p
2
Modo de plasmn de una esfera: La frecuencia del modo de plasmn
uniforme est determinado por el campo despolarizante de una esfera, donde

P = - n e r, y r es el desplazamiento promedio de los electrones de concentracin n.
Demostrar usando la segunda ley de Newton que la frecuencia de resonancia del
gas de electrones es:
2
Nq
p2
3 0 me*
Debido a que todos los electrones participan en la oscilacin, tal excitacin es llamada
Una excitacin colectiva o un modo colectivo del gas de electrones.
Prob 5 cap 10 Kittel 5ta edicin
SPR en un experimento de reflexin

interna total
En un experimento de reflexin interna total la intensidad reflejada es igual a la

Intensidad incidente. Sin embargo hay un campo evanescente que se propaga
a lo largo de la interface. Si la onda evanescente tiene la frecuencia del plasmn
i
superficial, entonces, la onda reflejada tendr un mnimo.
Sen i
Modelo SPREETA Texas Instruments
Texas Instruments (35 dolares)
Transiciones interbandas en slidos

d 2x
m 2 m02 x eElocei t
dt
e 2 /m
2 2
0 -
Modelo cuntico, teora de perturbaciones dependientes del tiempo:
f
e2
e 2 j0 2
m j0 j 0

1
p eA 2 V(r)
H
2m
H0
1 2
p V(r )
2m
H1 (r, t)
e
Ap
m
A es el potencial vectorial magntico y se relaciona con E as:

E
A
t
A A0 e expik r t c.c.
De la teora de perturbaciones dependientes del tiempo:

2
e
w , t, k v , k c 2 2
m
dt dr (k , r, t ) A p (k
c
, r, t )
v (k v , r, t ) exp - i -1E v (k v ) t exp (ik v r) u v (k v , r)

w , t, k v , k c
2 t
0
2 2
0
eE
m
1
dt
exp
i
(E c E v )te Mvc
e M vc d r exp i (k v k ) r u*c e exp i (k v r) u v

V
w , t, k v , k c
e E expiEc E v t / 1
e M vc
iEc E v /
m
2
0
2 2
d w e2 E02
2
2 2 e Mvc 2 (Ec - E v - )
dt m

dWVC
e2 E02
dt
2 2 m2 2
2 e2
( )
0 2 m 2 2
e M vc (E c - E v - ) d
e M vc (E c - E v - ) d
2 e2
2
( )
dS
e
M
vc
0 2 m2 2
dE
(E c - E v - )
k E c - E v
2 e2
r ( )
0 2 m2 2
Ec (k ) Ev (k ) Eg
dS e M vc
(Ec - E v )
E E
c
k
2
r( )
Problema 24 captulo 8 Omar
8 e
0 m2 2
2m
2

3/2
e M vc
- E0 1/ 2
Relaciones Kramers-Kronig
TEOREMA 1:
f (z) = u(x,y) + i v(x,y) tiene singularidades slo debajo del eje real
f(z) 0 uniformemente cuando z
u(x) es par y v(x) es impar .
Entonces:
2
x v(x) dx
u(x 0 ) P
0 x 2 x 02
2 x 0 u(x) dx
v(x 0 )
P
0 x 2 x 02
Frmula integral de Cauchy:
1
f(z)
2 i
f ( ) d
z
z (x 0 ,0)
A travs de contorno superior:
C1
C1
f ( ) d
0
z
f ( ) d
f ( ) d
PP
i f (z)
z
z
1
f( ) d
f (x 0 ) P P
z
i
u ( x0 )
v (x) dx
x x0
u (x) dx
v( x0 ) P
x x 0
u ( x0 )
v (x) dx
x x0
1
v (x) dx
v (p) dp
u( x0 ) P
0 x x 0 p x 0
p-x
v (x) dx
v (-x) (-dx)
v (x) dx

- (x x 0 ) x x 0
x x0
0
u( x0 )
P
0
x v (x) dx
x 2 x 02
1
u (x) dx
v( x0 ) P P
x x0
u (x) dx 0 u (p) dp
1
v(x 0 ) PP
0 x x 0 p x 0
0
u (x) dx
u (-x) (-dx)
p-x

- (x x 0 )
x x0
2x 0
u (x) dx
v(x 0 )
P P 2
2
x
0
0
Demostraremos ahora que la susceptibilidad elctrica
( ) ' ( ) i ' ' ( )

Satisface las condiciones del teorema 1 y por lo tanto:
' ()
1
(s)
() PP
i
s
P
0
s ' ' (s) ds

s2 2
' (s) ds
2
' ' ( )
P 2
2
0 s
Obsrvese que si extendemos la susceptibilidad como una funcin
compleja de variable compleja, entonces () :
1
( )
02 2 i
2
p
satisface las condiciones del teorema 1.
Efectivamente:
Los polos estn en la parte inferior del plano complejo y son:
1,2
2
i
- 0 donde 02 02
2
4
Consideremos ahora la transformada de Fourier de la susceptibilidad:
G(t)
2
p
e-i t d
,
2
2
0 i
que la interpretamos como la respuesta del material a un pulso de

campo elctrico:
E(t) E 0
e-i t d
Hay varias maneras de evaluar la integral A, pero slo una conduce a

Resultados fsicamente compatibles con principio de causalidad:
0, si t 0
G(t) 2 Sen 2 0 t - t/2

e
,
p
0
si t 0
Consideremos ahora la relacin entre los campos E y P y sus
respectivas transformadas de Fourier:
P (t) (t) E (t)
P( ) ( ) E ( )
P( )
P( t ) ei t d
P(t)
P( ) e-i t d
P(t )
( ) E ( ) e-i t d
Por teorema de convolucin

P(t)
G (t') E (t-t') dt' , donde....
G(t)
( ) e-i t d
En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier
( )
G(t) e
( )
-i t
par
d
impar
G(t) e-i t d
Efectivamente, puede verse que esta funcin considerada como una

funcin definida en el plano complejo satisface las condiciones para el
teorema 1. (La nica condicin que debe cumplir G(t) es que:
G(t) 0 cuando t
Relaciones Kramers-Kronig para la

permitividad
En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier
' ( )
P
0
s ' ' (s) ds

s2 2
2
' (s) ds
''( ) P 2
0 s 2
Bibliografa sobre relaciones Kramers-Kronig
Mathematics for Physicists P. Dennery

seccin 23.
Introduction to Solid State Physics 5ta
edicin, captulo 11
Classical Electrodynamics second edition
J.D.Jackson
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases

Energa potencial de un dipolo en un campo elctrico:
V p E - p E Cos
f e
-V/K BT
pE Cos / K BT
Promedio de la polarizacin en presencia de un campo E a lo largo del

eje X:
p x f( ) d
px
f( ) d
px
pECos / K BT
p
Cos
e
2 sen d
pECos / K BT
e
2 Sen d
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases

px
p Lu
L u = Coth(u) -
u=
1
u
pE
K BT
Si u << 1 ( campo pequeo) entonces:
px
p2
E
3K BT
r 1
1
p2
e i
r 1
3 0
3K BT
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en slidos

w
1-w
Dos orientaciones
Posibles para p
e-2 p E / K B T
e-2 p E / KB T
1 e-2 p E / KB T
Si pE mucho menor que KBT
1 -2 p E / KB T
e
2
px = p (1- w) - p w = p ( 1- 2w)
px = p 1 - e-2 p E / KB T
2 p2
d
K BT
CRISTALES FERROELCTRICOS
Son aquellos cristales en que puede existir una polarizacin an en
ausencia de campo externo.
La ferroelectricidad ocurre slo en algunos pocos materiales y por
debajo de una cierta temperatura TC llamada temperatura de Curie.
(r ) B
C
,
T TC
T TC
Tpicamente: B 5, r 1000
C
r
T TC
Divergencia de
Catastrofe de la
polarizacin
Algunos materiales ferroelctricos:
Material
TC (K)
Ps en esu cm-2 a T (K)
KH2PO4
123
KD2PO4
213
13500
RbH2AsO4
147
16800
(90)
KH2AsO4
96
15000
(80)
BaTiO3
393
78000 (296)
SrTiO3
32
WO3
223
KNbO3
712
90000
PbTiO3
763
150000 (300)
Sulfato de triglicina
322
8400
(293)
Seleniato de triglicina
295
9600
(273)
16000
(96)
9000
(4)
-
(523)
p2

3K BT
2
1
3
1
1
3
r
TC
T TC
Asumiendo polarizabilidad dipolar:

2Np2
C
9 0 K B
N p2
TC
9 0 K B
El modelo parece conducir naturalmente al fenmeno de ferroelectricidad, pero no

est de acuerdo con los rultados experimentales: Para el agua:
1
N 10 29 m 3
3
y p 0,62 debye
TC 1100 K
Sin embargo el agua

no es ferroelctrica
El fenmeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad inica
r ( )
r ( 0)
n2
A
2t 2
n2
A
2t
El fenmeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad inica,

Por qu decrece t?
d2 u
2 2 u 0
dt
2t
P
3 0
N e*u
3 0
d2 u
2 2 u 2e* E
dt
d2 u
2Ne*2
2 d t2
3 0
*2
t
*2
t
*
u 2e E
2Ne*
3 0
2Ne*
3 0
2
t
Cristales ferroelectricos
1 2 1 4 1
F PE g 0 g 2 P g 4 P g 6 P 6
2
2
2
F
0 - E g 2 P g 4 P3 g 6 P 5
P
g 2 (T - T0 )
(T - T0 )Ps g 4 Ps3 0

P T0 T
g4
2
s
1/ 2

Ps
g4
T0 T1/ 2
PROPIEDADES MAGNTICAS
DE SLIDOS
Fsica del estado slido
FC-UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
Revisin de frmulas bsicas

m I A
e
r 2 Momento
2
magntico
L m r2
-e
m
L
2m
Momento angular
orbital
Razn giromagntica orbital: -e/2m

-e
m S
m
Razn giromagntica de spin: -e/m

m B
V - m B
m
B
Revisin de frmulas bsicas

dL
dt
Segunda ley de Newton

rotacional
d -e
B
dt 2m
eB
L
2m
E
Frecuencia de
Larmor
e
Lz B
2m
e
E
B mL
2m
B0
Magnetn de
Bohr e
2m
B0
ml 1
ml 0
ml -1
Susceptibilidad Magntica
B0
BM
B 0
N
B 0 0 I
L
B0 0 H
N
IM
L
B 0 H 0 M
B 0 H 0 H
0 1
Permeabilidad magntica del
material
r 1
Clasificacin de los materiales

magnticos
Paramagnticos
Al, Mn, W
Diamagnticos
Cu, Au, Hg, agua, H
Ferromagnticos
10
Fe, Ni, Co
Diamagnetismo de Langevin
F0 m 02 r
Momento magntico del
electrn:
e
el I A 0 r 2
2
Paul Langevin
(18721946)
F0
FL
F0 - e B r m 2 r
m 2 r - m 02 r - e B r
eB
0 2m
Aproximacin vlida
para campos
pequeos
F0
Electrn girando en sentido horario
FL
Electrn girando en sentido

antihorario
F0
FL
En cualquier caso el momento magntico orbital se hace mas negativo

respecto al campo B
e2 r 2
B
-
4m
Si la rbita fuera
plana
e2 r 2
B
-
6m
Para una nube electrnica

esfrica
M 0M

0 e 2
6m
N Z r
2
prom
2
10-20 10-5
N 1029 m3 , Z 10, rprom
La susceptibilidad diamagntica es ms claramente observada
en aquellos slidos en que las capas atmicas estn
completamente llenas
-6
Elemento
Susceptibilidad (X 10 )
He
- 1,9
Ne
- 7,6
Ar
- 19,0
F-
- 44,0
Cl -
- 24,2
Br -
- 34,5
Na+
- 6,1
K+
-14,6
Paramagnetismo: modelo clsico

Energa potencial de un dipolo en un campo magntico:
V B - B Cos
f e
-V/K BT
B Cos / K BT
Promedio de la polarizacin en
presencia de un campo B a lo largo del
eje Z:
BCos / K T
Cos
e
2 sen d
BCos / K BT
e
2 Sen d
Paramagnetismo: modelo clsico

z
L v
L v = Coth(v) Mara Sklodowska

1867-1934
v=
1
v
mB
K BT
Si v << 1 ( campo pequeo) entonces:
2
3K BT
0 2
=
3K BT
N 2
M = N z =
B
3K BT
Susceptibilidad paramagntica de
Langevin o ley de Curie
Paramagnetismo: modelo cuntico

e
g J
2m
e
E - B - z B g
m j B g B m j B
2m
1
mj
2
1
E1 - g B B
2
1
E 2 g B B
2
E g B B
e E1 / K BT
N1 E1 / K BT
e
e E2 / K BT
e E2 / K BT
N 2 E1 / K BT
e
e E2 / K BT
Paramagnetismo: modelo cuntico

e B B / K BT
N1 B B / K BT
e B B / K BT
e
e B B / K BT
N 2 B B / K BT
e
e B B / K BT
M g B N1 N2
ex e-x
M Ng B x -x Ng B Tanh x
e e
x
g B B
K BT
0 N g B 2
K BT
Fig. 9.9
2
0 Nefect
3K BT
Paramagnetismo
El origen atmico del magnetismo
L Li
i
S Si
i
J LS
e
prom Cos g J
2m
j j 1 s s 1 - l l 1
g 1
2j j 1
Figura 9.10
Paramagnetismo
Reglas de Hund
1) El nmero de spin s toma su mximo valor permitido segn
Pauli
2) El nmero l toma su mximo valor permitido segn
Pauli consistente con 1.
3) Si la capa es menos llena que la mitad, j = | l s |, y

si la capa es mas llena que la mitad, j = | l + s |,
EJEMPLOS:
Ce
Pr3
Un electrn f
1
5
s , l 3, L - S
2
2
s 1, ml 3, ml 2, L = 5, J = L - S
Dos
electrones f
Paramagnetismo en Metales
N 0 B2
K BT
En los metales, la susceptibilidad no
depende de la temperatura y sus
valores son menores
N ef
M N ef
g (E F ) B B
2
2
B
Densidad de estados de electrones

libres (a) en ausencia y (b) en
presencia de un campo B
1
g (E F ) B B 2 B B2 g(E F )B
2
p 0 2B g(E F )
3 T
p
2 TF
Ferromagnetismo
Magnetizacin espontnea debajo de una cierta temperatura,
llamada temperatura de transicin o temperatura de Curie.
Por encima de dicha temperatura la susceptibilidad magntica
obedece la ley de Curie - Weiss.
T - Tf
Figura 9.14
Figura 9.15
Ferromagnetismo de la red
La teora del campo molecular
W M
0 g B M
M N g B Tanh
KB T
KB T
M
x
0 g B
..(A)
M N g B Tanh x
k B Tf
0 N g B 2
... (B)
La teora del campo molecular explica tambin ley de Curie
M Ng B Tanh x
g B B
K BT
k B Tf
0 N g B 2
tot H HW
0 g B
M M0
(H+M)
K BT
1 Tf
T
M 1 f
H
T
T
T 1
M f
H
T- Tf
C

T- Tf
C
Tf
El origen fsico del campo molecular
Vexch - j' s1 s2
Vexch y j energa y consante de intercambio,
j positivo
z J' s 2 g s B 0 W
J'
0 N g B
z
2
interaccin dipolar?
V12
2B
0 3
r
tres rdenes de magnitud menos que experimento
e2
Vexch
4 0r
Criterio de Slater: cuando r/2ra >1,5

(r distancia interatmica y ra radio atmico) jse hace
positivo. Es la misma fuerza entre spines que explica
principio de Pauli pero favorece spines paralelos.
Antiferromagnetismo
Orden antiferromagntico
Orden ferromagntico
T Tn1
Fluoruro de
manganeso
Susceptibilidad paralela y perpendicular al

campo para el MnF2.
Antiferromagnetismo
Cmo se diferencia un antiferromagntico de un paramagntco?

1. Por el comportamiento de la susceptibilidadad magntica
2.
Por experimentos con difraccin de neutrones
Antiferromagnetismo
Datos de materiales antiferromagnticos

Substancia
MnO
FeO
CoO
NiO
TN (K)
116
198
291
525
TN1(K)
610
570
330
2000
Ferrimagnetismo
Orden ferromagntico
Orden ferromagntico
Ferritas: xidos inicos

Estructura espinel: Mg Al2O4
Prototipo: magnetita Fe3O4
(56 iones en total, 24 de fierrro, 16
Fe3+ (frricos), 8 Fe2+).
Total cancelacin de los momentos
magnticos de los frricos.
Son los ms tiles, son aislantes
Ferromagnetismo en metales
De acuerdo a la teora anterior, el momento magntico de un tomo debera
Ser s B donde s es entero o semientero, sin embargo toma valores 2.22,
1.72 y 0.54 respectivamente para Fe, Co y Ni respectivamente.
El modelo de electrones itinerantes: La figura muestra densidad

de estados para banda 3d. Si no hubiera campo B, la
magnetizacin sera cero. La interaccin de intercambio produce
B = HW tiende a alinear los momentos en la direccin paralela.
Bandas 3d
El modelo de electrones itinerantes
Energa que pierde un electrn cuando su momento magntico rota 180 0
1
1
1
1
2
B M W M
0 M 2 0 2 B
2
2
2
2
Energa cintica que un electrn gana por encima del nivel de Fermi?
1
n gE F E
2
E
2
respuesta
gE F
Condicin para que los electrones de la BC produzcan ferromagnetismo:
2 0 2B
2
gE F
g(EF) produce ferromagnetismo porque cuando g(EF) es
grande acomoda ms electrones en un rango pequeo
de energa
Densidad de estados en las bandas 3d y 4s del nquel
Dominios Ferromagnticos
En su estado natural los materiales ferromagnticos
estn usualmente desmagnetizados
Weiss postul que el cristal est subdividido en un gran
nmero de dominios y cada dominio s est magnetizado
Los dominios se pueden ver en un microscopio, puliendo
bien la muestra y colocando un polvo fino ferromagntico
sobre la superficie
Los dominios se forman para minimizar la energa total
constituida por cuatro contribuciones:
Energa magnetosttica, energa de intercambio en las paredes de Bloch,
Energa magntica anisotrpica y energa de magnetostriccin.
La energa magnetosttica disminuye cuando

un dominio grande se divide en 2 porque hay un
factor de desmagnetizacin pequeo para
geometras alargadas.
La interaccin de intercambio hace que

cuando un spin rote 1800 para formar
una pared se consuma energa. Esto
limita el nmero de dominios.
Los cuatro tipos de energa
El efecto de la energa de anisotropa es

reducir el espesor de la pared porque cuando
ms gruesa es la pared, ms spines apuntan
en la direccin dficil
Pequeos dominios en
los bordes relacionados
A la energa de
Magnetostriccion.
Los cuatro tipos de energa
Figura 9.24: Observacin de los dominios ferromagnticos con

ayuda de un microscopio ptico
El Proceso de
magnetizacin
En cada ciclo se pierde energa igual

al rea de la curva de histresis:
Figura 9.29
Disposicin experimental para observar la curva de

histresis
SUPERCONDUCTIVIDAD
CAPTULO 12

FC UNI
Diciembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Fsica
RESISTENCIA ELCTRICA CERO

En un material superconductor la resistencia elctrica es nula.
Esto generalmente ocurre por debajo de una temperatura
crtica Tc . Por encima de esta temperatura el material es un
metal normal.
Heike Kamerlingh Onnes

Laboratorio Leiden, Holanda
[Estudi en Alemania, sus
profesores: Bunsen y
Kirchhoff]
Se han observado corrientes que persisten varios aos. R = 0 , R = 10-25 ohm.
RESISTENCIA ELCTRICA CERO

En los metales existe una resistividad elctrica residual atribuida a
los choques de los electrones con las impurezas
Los grficos muestran la comparacin del comportamiento de la

Resistividad elctrica en un metal y en un superconductor.
La forma como se produce la transicin de metal a superconductor

depende de la concentracin de impurezas. En un metal puro la
transicin es abrupta.
OCURRENCIA DE LA SUPERCONDUCTIVIDAD
DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
El campo B dentro de un cuerpo en estado superconductor es cero.
B 0 H M
B 0 1 H
M H
1
En una serie de experimentos con cilindros superconductores,
demostraron que por debajo de Tc , el flujo magntico es sbita y
completamente expulsado.
Observacin hecha en Berln en 1933 por dos fsicos alemanes
Walther Meissner y Robert Ochsenfeld.
DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
Diamagnetismo perfecto significa tambin que el superconductor repele
a cualquier imn.
El efecto Meissner-Ochsenfeld podra ser la base de un tren de levitacin magntica.
CAMPO MAGNETICO EN UNA

ESFERA PARAMAGNTICA
Blindaje magntico
EFECTO ISOTPICO
Ha sido observado que la temperatura crtica de los superconductores
vara con la masa isotpica. Las primeras observaciones fueron hechas
por Maxwell y Reynolds (1950-51). En mercurio Tc vara de 4,185 a
4,146 K cuando la masa atmica media vara de 199,5 a 203,4.
M Tc constante
EFECTO ISOTPICO
CAMPO CRTICO
Poco despus que Onnes descubri la superconductividad, se descubri
tambin que la superconductividad puede ser destruida por el efecto de un
campo magntico. Si un campo magntico suficientemente fuerte,
llamado campo crtico es aplicado a una muestra superconductora, ella
vuelve a ser normal y recobra su resistividad, aun a T menor que Tc.
T 2
H c (T ) H c (0)1
Tc
CAMPO CRTICO
Tabla
Algunos valores de campo crtico para algunos superconductores
Superconductores tipo I y tipo II
TERMODINMICA DE LA TRANSICIN
SUPERCONDUCTORA
En esta seccin tratamos de unificar las observaciones anteriores.
El pico de CV en T = Tc indica un apreciable incremento de la entropa
(desorden) cuando T aumenta hacia Tc y la transicin hacia el estado
normal es inminente. El estado superconductor tiene un orden mayor que
el estado normal.
b T / Tc
V
C ae
El comportamiento exponencial implica la

presencia de un gap de energa en el espectro
de los electrones. Este gap que est justo en el
Nivel de Fermi previene a los electrones de ser
Rpidamente excitados.
k BTc 10 eV
4
SUPERCONDUCTORA
La densidad de estados g(E) vs E para un superconductor, ilustrando el gap

superconductor en el nivel de Fermi. Est magnificado.
/ EF 0,0001eV
SUPERCONDUCTORA
E energa de condensacin, equivalente a calor latente de cambio
de estado
E E N EA
Hc
Hc
E BdM 0 H (dH )
E
A 0K:
1
0 H c2 (0)
2
1
0 H c2
2
Si Hc(0) = 500 gauss,E 103 J / m3
SUPERCONDUCTORA
Re lacin entre HC , TC , E y
k BTc
n ef n
EF
n k BTc
E
EF
1
0 H c2 (0)
2
2nk
H c (0)
0 EF
2
B
1/ 2
Tc
1
E 0 H c2 (0)
2
Tc 50 K , EF 5 eV , n 10 29 m3 ,
Hc (0) 0,01 T 100 Gauss
EL MODELO DE DOS FLUIDOS

Los electrones de conduccin en una sustancia superconductora son de
dos clases: superelectrones y electrones normales. Los superelectrones
tienen algunas propiedades especiales: no chocan, tienen entropa cero,
(orden perfecto) y una gran longitud de coherencia (104 ). El nmero
de electrones depende de la temperatura. En 1934, Gorter y Casimir
encontraron que la concentracin de los superelectrones debe estar
dada por:
4
T
ns n 1
Tc
A 0K todos los electrones

son superelectrones pero
cuando T aumenta, los
superelectrones decrecen en
nmero y a T= Tc, todos son
electrones normales.
EL MODELO DE DOS FLUIDOS

El modelo de dos fluidos explica la resistencia cero del superconductor.
Para T menor que Tc, algunos superelectrones estn presentes y puesto
que tienen resistencia cero, cortocircuitan a los electrones normales.
El modelo puede relacionarse al concepto de gap. Todos los
electrones debajo del gap estn congelados en su estado de
movimiento. Aquellos encima del gap son electrones normales. El
gap decrece cuando la temperatura aumenta y desaparece a T = Tc.
Cuando T tiende a Tc y el gap desaparece, todos los electrones se
hacen normales.
ELECTRODINMICA DE SUPERCONDUCTORES
J s ns evs
dv
m s e
dt
dJ s ns e2
dt
m
En el estado estacionario, el campo elctrico dentro de un superconductor

desaparece. La cada de voltaje a travs de un superconductor es cero.
Entonces, de acuerdo con la ley de Faraday:
dB
0
dt
En estado estacionario el campo magntico dentro del superconductor

es constante, en contradiccin con el efecto Meissner. Este formalismo
requiere una modificacin:
2
dJ s ns e
m
dt
dJ s
dB
m
De
dt
dt
ns e2
ns e2
J s
ELECTRODINMICA DE
SUPERCONDUCTORES
B
m
ns e
J s Ecuacin de London
2
B 0 J s Ley de Ampere
F y H London
2B
0 ns e 2
m
ELECTRODINMICA DE
SUPERCONDUCTORES
2B
2B y
x2
0 ns e 2
m
B y B y 0e x /
1/ 2
0 ns e 2
m
By

2
0 ns e
Profundidad de penetracin de London
Clculos a mano alzada muestran que 500 A
verifica experimentalmente
lo cual se
Otra confirmacin impresionante es la variacin de con la temperatura.

T 4
ns n 1
Tc
1/ 2

2
0 ns e
T4
01 4
Tc
1/ 2
1/ 2
con
0
2
n
e
0
Una tercera conclusin de la teora de London es la existencia de una
corriente elctrica fluyendo cerca de la superficie.
B y B y 0 e x /
ns e2
J s
2 1 / 2
n e
J Z x s B y x J s
m
0
Entonces:
0e x /
El efecto Meissner est acompaado de una corriente superficial.
LA TEORA BCS
Dos electrones dentro de la esfera de Fermi se repelen entre s por la
interaccin coulombiana. Esta fuerza de Coulomb es reducida
sustancialmente por el apantallamiento debido al resto de electrones en
la esfera de Fermi. Es ms, es posible una fuerza atractiva entre dos
Electrones, lo cual permite que dos electrones se atraigan entre s y
formen una especie de molcula: el par de Cooper. La energa de enlace
es ms fuerte cuando los electrones tienen k opuestos y spines opuestos
LA TEORA BCS
Suponer que dos electrones 1 y 2 pasan uno cerca del otro como se
muestra en la figura. Debido a su carga negativa el electrn 1 atrae iones
positivos de modo que el electrn 2 ve un electrn apantallado por los
iones. El apantallamiento reduce la carga efectiva del electrn. Si esto
sucede el electrn 2 ser atrado hacia el 1.
LA TEORA BCS
Se dice que el electrn 1 es rodeado por una nube de fonones y que

entre los dos electrones hay una interaccin atractiva por intercambio de
fonones. El electrn 1 emite un fonn que es rpidamente absorbido por
el electrn 2.
LA TEORA BCS
La teora muestra que el gap de energa a temperatura cero est dado por:
0 4 D
2 / g EF V
DondeD es la frecuencia de Debye, g(EF) es la densidad de estados para

el metal normal en el nivel de Fermi, y Ves la intensidad de la
interaccin electrn-fonn.
Los estados en el rango de energa
1
1
EF 0 , EF 0
2
2
Son ahora prohibidos y la funcin

densidad de estados experimenta
deformaciones como se muestra en la
figura.
LA TEORA BCS
La teora BCS muestra que la temperatura crtica est dada por:
0 3,52 kBTc
La tabla muestra algunos resultados experimentales:
TUNELAJE NORMAL
Al cero absoluto no puede fluir corriente hasta que se aplique un voltaje
Eg
0
2e 2e
El gap es la energa necesaria para que un par de Cooper se disocie en

0
dos electrones, o un electrn y un hueco en el estado normal.
EFECTO JOSEPHSON DC
i
1
t
T 2
1 n1ei1 y
2
t
T 1
2 n2ei2
J J 0 Sen J 0 Sen(2 1 )
superconductor
superconductor
EFECTO JOSEPHSON AC
Cuando un voltaje dc es aplicado a travs de la unin, se obtendr una
corriente alterna.
i
1
t
T 2 eV
1
2
t
T 1 eV
2
(t) (0) 2eVt / .
J J 0 Sen 0 2eVt /
superconductor
superconductor
2eV
SQUID: Superconducting quantum interference device
1) La produccin de grandes campos magnticos. Al decir grandes nos

referimos tanto a una gran intensidad del campo magntico como al
espacio en el cual se crea el campo.
2) La fabricacin de cables de transmisin de energa. Aunque stos ya
se manufacturan a partir de los superconductores convencionales (no de
los nuevos superconductores cermicos), actualmente no son
competitivos comercialmente con respecto a los cables areos normales,
a menos de que cubran una gran distancia (de cientos de kilmetros). En
los casos en que las lneas de transmisin deben ser subterrneas, habra
cierta ventaja econmica con la utilizacin de los cables
superconductores.
3) La fabricacin de componentes circuitos electrnicos. Estos
dispositivos electrnicos fueron ideados originalmente con la intencin
de utilizar la transicin de estado normal a estado superconductor como
un interruptor, mas resultaron decepcionantes con respecto a los logros
alcanzados por los transistores de pelculas delgadas y se ha abandonado
su uso en este aspecto
EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR
Tenemos N electrones, cuya energa es principalmente cintica, en estados

indicados por el vector de onda k y el spin , y que interaccionan a travs
del potencial U(K)
H (k ) ak ak
k ,
U
(
K
)
a
a
a a
k 2 K , k1 K , k1 , k 2 ,
k1 , k 2 , K
El primer trmino representa la energa cintica de los electrones medida a

partir del nivel de Fermi.
El segundo trmino representa la interaccin entre electrones a travs de
Los fonones.

H (k ) ak ak
k ,
U
(
K
)
a
a
a a
k 2 K , k1 K , k1 , k 2 ,
k1 , k 2 , K
Transformaciones de Bogoliubov: tienen en cuenta propiedades de

emparejamiento
bk uk ak v k ak , bk uk ak v k ak
bk uk ak v k ak , bk uk ak v k ak
uk Cosk , vk Senk
uk2 v 2k 0
H 2 (k ) v 2k
k
U ( K ) u
k ,K
v k uk K v k K
2
2
2
k
u
v
u
v
k k
k
k
U (K ) u
k ,K
k K

v k K bk bk

H 2 (k ) v 2k
k
U (K ) u
k ,K
v k uk K v k K
2
2
k
u
v
k k
k
k
2 k uk v k uk2 v 2k
U (K ) u
k ,K
U (K ) u
K
k K
uk2 v 2k 0
0 U
u
w
k K
vk K
vk K
k K

v k K bk bk

k
1
u 1 2
2
2
0 k
2
k
k
1
v 1 2
2
2
0 k
2
k
w
1
1
U 20 2 (k )
2 w
1
2w
g ( EF ) U n
2
0
EL ESTADO FUNDAMENTAL
SUPERCONDUCTOR
E0
1/ 2
1 2
2
2
2 k 0 0 (k ) .
2
0
k
El estado fundamental es un auto estado de H con una energa ms baja

que la de una esfera de Fermi llena de electrones.

p2 C 2
h
x
2m 2
P
p
m0
0 2
h
P Q2
2
Q, P
C 1
m 0
x, p
C
x
0

2 Q i P
2 P 2 Q2 1
2 P 2 Q2 1
P2 Q2 2 1
0 2
h
P Q2
2
2 Q i P
1

h 0
2

p2 C 2
h
x , h
2m 2
0 2
1
2
P Q , h 0 N
2
2
1
N N
N
n 1
0

funcin propia de N para el valor propio n - 1

1
N N
N
n cte n1
n 1 n1
1
n
0
n!

2 Q i P
Q
C
x
0
C m
m0
1
x i
p
2
2m0
p2 C 2
h
x
2m 2
2 Q i P
2
0
m0

2
p
m0
1
x i
p
2m0
1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M

H
1
1
2
P( R) u ( R) D ( R R)u ( R)

2 R, R
R 2M
1
ks
N
1
ks
N
i k . R
i k .R
ms (k )
1
es (k )
u( R) i
P( R )
2
2ms k
ms (k )
1
es (k )
u( R) i
P(R)
2
2ms k
1

s k k s k s
2
k ,s
u (R), P R
i RR
u (R), u R P (R), P R
i k .R
k ,s
k ,s
0, k no es vector de la red recproca

N , k es vector de la red crecproca
, ks
i kk ss
, k s
k ,s
, ks
uR
k s k ,s e s k ei k.R
N k ,s 2ms (k )
PR
m s k
i
k s k ,s e s k ei k .R
N k ,s
2
e k e k
s 1
e
k
i k .R
0,
R0
1
1
2
(
)
(
)
P
R
k s
R 2M
s
ks
k s
ks
4 k ,s
1
U s (k ) k s k s k s ks
4 k ,s
1

s k k s k s
2
k ,s

M k k
kr U (r)k (r) dV
ei k. r
ondas planas
U(r)
i g.r
V
e
g
g
M k k
i k.r
e
i g.r i k .r
V
e
g e dV
g
i k g k.r
V
e
dV
g
M k k
M k k
Vg , si k g - k 0

U(r)
V (r R )
a
M kk
M k k
i k .r
e
i k .r
V
r
R
e
dV
a
i k k.r
e
Va r R dV
M kk
i k k.R
i k k.(r R )
e
e
Va r R dV
M k k
1
Va (K)
N
iK.R
e
K kk
1
iK .r
Va (K )
V
(
r
)
e
dV
a
Vc
Si la red est fija, es decir, si no hay vibraciones:
iK.R
1 eiK1L 1 1 eiK2 L 2

iK1
iK 2
e
e
1
iK .R
e
1 eiK3L 3

iK3
1
N K ,g
M k k
Va (g) k k,g
Aqu mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento

de difraccin cuando s consideramos las vibraciones de la red
R R u R (Aq eiq. Aq eiq. )

q
Fred
1
1
iK .R
e
exp i K R A q eiq.R A q eiq.R
N
N
q
1
1
iK.R
iK.R
iq.R
iq.R
e
exp
i
K
A
e
q
qe
q
N
N
exp i K Aqeiq.R Aqeiq.R 1 iK Aqeiq.R Aqeiq.R ...

Fred
1
iK .R
iq.R
e
1 exp i K Aq e
N
q

Fred
Fred
M k k
1
1
iK .R
e
N
N q
1
1
iK .R
e
N
N q
Va (g) k k,g i kk A q Va kk
Si hablamos de la difraccin de electrones por las vibraciones de la red,

Tenemos que considerar slo:
M k k
i kk A q Va kk
1
n q
Eq
2
Nmq2
Nmq
Aq
Interaccin electrn electrn via un fonn

Para el primer proceso
M k ,k K M k,kK
k K, kK U k, k
E(k) Ek K q
k+K
k-K
q
k
Para ambos procesos:
U K
k+K
k-K
-q
k
M k ,k K 2q
E (k) E k K 2 q 2
Interaccin electrn electrn via un fonn

U K
M k ,k K 2q
E (k) E k K q
2
Para el intervalo : E(k ) E(k K) q

U K
2 M k ,k K
M k k
i kk A q Va kk
M k ,k K
Va K K Aq Va K
2
K 2
2 N m q
FSICA DE SEMICONDUCTORES
FC-UNI
Diciembre 2013
ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FSICA
La Distribucin Maxwell Boltzmann(*)

Dado un sistema de N partculas como las molculas de un gas en un
recipiente, el nmero de partculas en un nivel de energa Ei, con
degeneracin gi es:
Ni A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalizacin y KB es la constante de Boltzmann
N A e-E/KBT g(E) dE
Etotal A E e-E/KBT g(E) dE
Es vlida para N partculas distinguibles que no obedecen principio de exclusin de

Pauli
(*)
Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey

La probabilidad de que un estado de energa E sea ocupado por un
electrn a una temperatura T es:
f (E)
1
e(E-)/KBT 1
donde es el potencial qumico (depende de cada material) y KB la constante

universal de Boltzmann.

N f(E) g(E) dE
Etotal E f(E) g(E) dE
Es vlida para N partculas indistinguibles que obedecen principio de exclusin de

Pauli
f (E)
CONCEPTO DE HUECO
Ee
Eh
kh
Ee(ke)
Ke
Eh (kh)
Kh
ke
kh ke
Eh (k h ) Ee (k e )
vh (k h ) ve (ke )
m*h (k h ) m*e k e
CONCEPTO DE HUECO
Ee
Eh
kh
ke
dk h
dk e

e
dt
dt
La carga elctrica del hueco es positiva
Conductores, semicondutores y aislantes

E
BC
BC
BV
Conductores
gap
gap
BV
semicondutores
BV
aislantes
(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal
2k 2
E c (k ) E g
2m*e
2k 2
E v (k )
2m*h
1 2m e
g e (E) 2 2
2
3/2
1 2m e
g h (E) 2 2
2
E E
g
3/2
1/ 2
E 1/ 2
E C2
f (E) g(E) dE
E C1
-
3/2
1 2me EF/K BT
n 2 2 e
2
E E
g
1/ 2 E/K BT
Eg
1/ 2 x
x
e dx
0
3/2
1/2
2
n 2
e
e
2
2
dE
0
-
f h 1 f (E) 1 -
eE-E F /K BT 1
g h (E)
1
e(EF E)/KBT 1
1 2m e
2 2 2
3/2
3/2
E 1/ 2
m k T
p 2 e B 2 e-E F /K BT
2
e E F /K BT e E/KBT
np
mh
1
3
E F Eg K BT Ln
2
4
me
1/T
k BT
ni 2
2
2
3/2
me mh
3/4
E g /2K BT
e2
V(r)
4 r 0 r
r 10 ,
me
0,2
m0
1 me - m0 e 4

Ed 2
r m0 2(4 0) 2
Ed 0,01eV
1 m h - m0e 4

E a 2
r m0 2(4 0) 2
Ordenes de magnitud:
Ea 0,01 eV
3
k T
3/2 E /K T
n p 4 B 2 me m h e g B
2
np n
2
i
semiconductores extrnsecos tipo n

n Nd
n i2
p
Nd
semiconductores extrnsecos tipo p

p Na
n i2
n
Na
DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Difusin bajo diferentes circunstancias: (a) un pulso de concentracin

n vs x en t = 0. Las flechas indican corrientes de partculas. (b) El
Ensanchamiento del pulso debido a la difusin en tres instantes sucesivos.
(c) Un pulso de electrones difundindose y trasladndose en un campo
elctrico. (d) La desaparicin del pulso debido a la recombinacin.
DIFUSIN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES

Ley de Fick: Para una concentracin no uniforme , la corriente de
partculas J(nmero de partculas por unidad de rea y por unidad de
tiempo) est dado por:
n
J D
x
donde D es llamada la constante de difusin. Esta ley establece que la

corriente es proporcional al gradiente de concentracin.
En el caso de semiconductores el flujo por difusin de electrones y huecos

implica corrientes elctricas:
n
J e eDe
x
J h eDh
p
x
Usando mecnica estadstica se puede demostrar que: D
k BT
e
La ecuacin de difusin para un tipo de portador.
p
J e D
pe E
x
Por ecuacin de continuidad:

p
1 J
2 p

D 2
p E
x
e x
x
t flujo
No todos los portadores fluyen, algunos se recombinan:

p
p p0
t recombinacin
p
p p

t t flujo t recombinacin
p
2 p
p p0
D 2
p E
t
x
x
Esta es la ecuacin de difusin.
Solucin en dos casos

1) Solucin estacionaria para campo igual acero.
2 p p p0
D 2
0
p1 p - p0 Ae
x / LD
LD
1/ 2
2) Solucin estacionaria para campo diferente de cero.
p1 E p1 p1
2 0
2
D x LD
x
2
p1 p - p 0 Ae
x / LD
1 s s, s
2
ELD
2D
Grafico de las dos soluciones
UNION p-n: Propiedad de rectificacin

p
BC
BC
Ed
J nr0 J pr0
J nr0 J pr0
Ea
BV
BV
J nr0 J ng0
J pr0 J pg0
Unin p-n
I n e( J nr J ng ) eJ ng0 (eeV0 / KBT )
I n e( J nr J ng ) eJ ng0 (eeV0 / KBT 1)
J ng J ng0
J nr0 J nr0e
I p e( J pr J pg ) eJ pg 0 (eeV0 / K BT 1)
eV0 / K BT
I n I n I p e ( J ng 0 J pg 0 ) (eeV0 / K BT 1)
I I0 (eeV0 / K BT 1)
I I0 (1 - e
eV0 / K BT
I I0 (1 - eeV0 / K BT )
I I0 (eeV0 / K BT 1)
I I0 (1 - eeV0 / K BT )
I I0 (1 - e
eV0 / K BT
I I0 (e
eV0 / K BT
1)
Unin p-n: Clculo de I0: corriente de saturacin

I0 e J ng0 J pg0
- El campo elctrico est concentrado
en la unin misma.
- Discutimos primero la polarizacin positiva.

La barrera de potencial es reducida por eV0.
Huecos son inyectados desde regin p donde
son mayoritarios a regin n donde son
minoritarios.
- El exceso de concentracin de huecos en

la regin est dado por:
pn1(x) pn (x) - pn0 pn1 x0 e
x / Lp
, x0
pn0 es el valor de la concentracin en equilibrio.
Unin p-n: Clculo de I0

La corriente es debida a la inyeccin y subsecuente difusin de portadores minoritarios
La barrera de potencial es reducida por eV0:
pn x0
pn1 x0
pn 0 eeV0 / k BT
pn 0 eeV0 / k BT 1
pn1 x pn0 eeV0 / kBT 1 e

J pn
x / Lp
, x0
pn1
pn
Dp
Dp
x
x
Unin p-n: Clculo de I0
pn x 0
pn x 0
e Dp pn 0 eV0 / k BT
x / Lp
e
1 e
Lp
e Dp pn0 e Dn n p 0 eV0 / kBT

x / Lp
e
1
e
e
Ln
Lp
Dn n p 0 Dp pn0
I0 e J ng0 J pg0 e
L
L
n
p
Dn
Dp
I0 e n (T )
L
p
L
n
n
p
0
p
n
0
2
i
Unin p-n: Clculo del potencial de contacto

3/2
n 2
e
e
2
2
n n0 U c eEcn E F /K BT
EF
n p0 U c e
E cp E F /K BT
n n0
ee 0 / K BT
n p0
k BT n n0 p p 0
0
Ln
2
e
ni
0 0,3V
k BT N d N a
0
Ln 2
e
ni
Para germanio con Nd = Na = 1016 cm-3
EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO

d 2
( x)
dx2
x e px Nd x nx Na x
Aproximacin: No hay portadores
d 2n
eN d
, 0 x wn
2
dx
d 2 p eN a
, - wp x 0
2
dx
(1)
(2)
(3)
(4)
El campo es cero fuera de la unin

El campo es continuo en el punto x = 0 (el centro de la unin)
El potencial es continuo en x = 0 y lo escogemos igual a cero.
La deiferencia de potencial entre los bordes de la unin es 0
EL ANCHO DE LA UNIN Y EL CAMPO ELCTRICO

wn N d wp N a
wn 2 0 Na / Nd Nd Na e
1/ 2
wp 2 0 N d / N a N d N a e
2 0
w wn wp
e
1
1
Na Nd
El campo en x = 0
20
E (0)
w
1/ 2
1/ 2
El transistor

Primera edicin digital
Noviembre, 2015
Lima - Per
Arturo Talledo
PROYECTO LIBRO DIGITAL
PLD 2918
Editor: Vctor Lpez Guzmn
http://www.guzlop-editoras.com/
guzlopster@gmail.com
facebook.com/guzlop
twitter.com/guzlopster
731 2457 - 959 552 765
Lima - Per
PROYECTO LIBRO DIGITAL (PLD)
El proyecto libro digital propone que los apuntes de clases, las tesis y los avances en investigacin
(papers) de las profesoras y profesores de las universidades peruanas sean convertidos en libro digital
y difundidos por internet en forma gratuita a travs de nuestra pgina web. Los recursos
econmicos disponibles para este proyecto provienen de las utilidades nuestras por los trabajos de
edicin y publicacin a terceros, por lo tanto, son limitados.
Un libro digital, tambin conocido como e-book, eBook, ecolibro o libro electrnico, es una
versin electrnica de la digitalizacin y diagramacin de un libro que originariamente es editado para
ser impreso en papel y que puede encontrarse en internet o en CD-ROM. Por, lo tanto, no reemplaza al
libro impreso.
Entre las ventajas del libro digital se tienen:
su accesibilidad (se puede leer en cualquier parte que tenga electricidad),
su difusin globalizada (mediante internet nos da una gran independencia geogrfica),
su incorporacin a la carrera tecnolgica y la posibilidad de disminuir la brecha digital (inseparable de
la competicin por la influencia cultural),
su aprovechamiento a los cambios de hbitos de los estudiantes asociados al internet y a las redes
sociales (siendo la oportunidad de difundir, de una forma diferente, el conocimiento),
su realizacin permitir disminuir o anular la percepcin de nuestras lites polticas frente a la supuesta
incompetencia de nuestras profesoras y profesores de producir libros, ponencias y trabajos de investigacin de alta calidad en los contenidos, y, que su existencia no est circunscrita solo a las letras.
Algunos objetivos que esperamos alcanzar:
Que el estudiante, como usuario final, tenga el curso que est llevando desarrollado como un libro (con
todas las caractersticas de un libro impreso) en formato digital.
Que las profesoras y profesores actualicen la informacin dada a los estudiantes, mejorando sus
contenidos, aplicaciones y ejemplos; pudiendo evaluar sus aportes y coherencia en los cursos que dicta.
Que las profesoras y profesores, y estudiantes logren una familiaridad con el uso de estas nuevas
tecnologas.
El libro digital bien elaborado, permitir dar un buen nivel de conocimientos a las alumnas y alumnos
de las universidades nacionales y, especialmente, a los del interior del pas donde la calidad de la
educacin actualmente es muy deficiente tanto por la infraestructura fsica como por el personal docente.
E l p e r s o n a l d o c e n t e j u g a r u n r o l d e t u t o r, f a c i l i t a d o r y c o n d u c t o r d e p r o y e c t o s
de investigacin de las alumnas y alumnos tomando como base el libro digital y las direcciones electrnicas recomendadas.
Que este proyecto ayude a las universidades nacionales en las acreditaciones internacionales y
mejorar la sustentacin de sus presupuestos anuales en el Congreso.
En el aspecto legal:
Las autoras o autores ceden sus derechos para esta edicin digital, sin perder su autora, permitiendo
que su obra sea puesta en internet como descarga gratuita.
Las autoras o autores pueden hacer nuevas ediciones basadas o no en esta versin digital.
Lima - Per, enero del 2011

El conocimiento es til solo si se difunde y aplica
Vctor Lpez Guzmn
Editor

Curso Física Estado Sólido

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FSICA DEL ESTADO SLIDO

FSICA DEL ESTADO SLIDO

Slidos cristalinos (ordenados) y slidos

CRISTAL = RED + BASE

Definicin de red cristalina

donde a1 , a 2 , a3 son vectores

Vectores Primitivos y celdas primitivas

Red cristalina y vectores

La terna (dupla) primitiva no es nica

Diferentes celdas primitivas de una red. Todas

CLASIFICACIN DE LAS REDES

Redes de Bravais 3D (1)

Redes de Bravais 3D (2)

Redes de Bravais 3D (3)

Vectores primitivos y ejes cristalinos

Vectores primitivos y ejes cristalinos

Vectores primitivos y ejes cristalinos

Vectores primitivos y ejes cristalinos

Vectores primitivos y ejes cristalinos

El volumen de una celda primitiva es la cuarta

El volumen de una celda primitiva es la mitad

(hkl) , en esa proporcin

El entero por el que hay que multiplicar a los interceptos

Algunos planos cristalinos de redes

Familias de planos paralelos

Algunos planos en redes cbicas

ALGUNOS NDICES DE MILLER

Distancia interplanar en redes

, para redes cbicas

Red: cbico simple

Cristal = Red + base

Cristal = Red + base

Estructuras cristalinas (CsCl)

Estructuras cristalinas (CsCl)

Estructuras Cristalinas (NaCl)

Estructuras Cristalinas (NaCl)

Estructuras Cristalinas (NaCl)

Estructuras cristalinas (diamante)

Cristal = Red + base

Estructuras cristalinas (diamante)

Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)

Cristal = Red + base

S en (1/4, 1/4, 1/4)a

Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)

Estructuras cristalinas (hexagonal

DISTANCIA ENTRE VECINOS MS CERCANOS

Factor de empaquetamiento de una

Encontrar la relacin c/a en una

CELDA WIGNER SEITZ

Construccin de una celda WS

Una red cristalina como una

Celda Wigner Seitz

Celda Wigner-Seitz de una red cuadrada

Celda Wigner-Seitz de una red cbica

Celda Wigner-Seitz de una red cbica

Otras operaciones de simetra son la inversin, reflexiones

Tabla de multiplicacin del tringulo

Operaciones de simetra de un tetraedro

Algunos grupos de simetra

REDES CRISTALINAS Y GRUPOS DE SIMETRA

Ntese que T`+ T`` es de

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito

Ejercicio: Estructura cristalina del grafito