INVERSORES DE MODULACIN DE ANCHO DE PULSO

Los convertidores de cd a ca se conocen como inversores.

La funcin de un inversor es cambiar un voltaje de entrada en
cd a un voltaje simtrico de salida como la frecuencia pueden
ser fijos o variables.
Si se modifica el voltaje de entrada de cd y la ganancia del
inversor se mantiene constante, es posible obtener un voltaje
variable de salida.
Por otra parte, si el voltaje de entrada en cd es fijo y no es
controlable, se puede obtener un voltaje de salida variable si
se vara la ganancia del inversor; esto por lo general se hace
controlando la modulacin del ancho de pulso (PWM) dentro
del inversor.
La ganancia del invertir se puede definir como la relacin
entre el voltaje de salida en ca y el voltaje de entrada en cd.
En los inversores ideales, las formas de onda del voltaje de
salida deberan ser senoidales.
Sin embargo, en los inversores reales no son senoidales y
contienen ciertas armnicas.
Para aplicaciones de mediana y baja potencia, se pueden
aceptar los voltajes de onda cuadrada o casi cuadrada; para
aplicaciones de alta potencia, son necesarias las formas de
onda senoidales de baja distorsin.

Dada la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de

potencia de alta velocidad es posible minimizar o reducir
significativamente el contenido armnico del voltaje de salida
mediante las tcnicas de conmutacin.
El uso de los inversores es muy comn en aplicaciones
industriales tales (como la propulsin de monitores de ca de
velocidad variable, la calefaccin por induccin, las fuentes de
respaldo y las del poder, alimentaciones interrumpidas de
potencia).
La entrada pueden ser una batera una celda de combustible,
una celda solar u otra fuente de cd.
Las salidas monofsicas tpicas son:
(1)

120 V a 60 Hz

(2)

220 V a 50Hz y

(3)

115 V a 400 Hz.

Para sistemas trifsicos de alta potencia las salidas tpicas

son:
(1)

220/380 V a 50 Hz y

(2)

120/208 V a 60 Hz

(3)

115 V a 400 Hz.

Para sistemas trifsicos de alta potencia.

Los inversores se pueden clasificar bsicamente en dos tipos:

(1) inversores monofsicos
(2) inversores trifsico.
Cada tipo puede utilizar dispositivos con activacin y
desactividacin controlada (es decir: MOSFET, IGBT,
MCT, SIT, GTO) o tiristores de conmutacin forzada,
segn la aplicacin.
Estos inversores utilizan por seales de control PWM para
producir un voltaje de salida en ca.
Un inversor se llama inversor alimentado por voltaje (VSI) si
el voltaje de entrada se conserva constante; e inversor
enlazado en cd variable si el voltaje de entrada es
controlable.
PRINCIPIO DE OPERACIN :
Mediante la fig10.1-a se puede explicar el principio de
funcionamiento de los inversores monofsicos.
El circuito inversor est formado por dos pulsadores.
Cuando slo el transistor Q1 est activo durante el tiempo
T0/2, el voltaje instantneo a travs de la carga v0 es VS/2.
Si slo el transistor Q2 est activo durante un tiempo T0/2,
aparece el voltaje VS/2 a travs de la carga.
El circuito lgico debe disearse de tal forma que Q1 y Q2 no
estn activos simultneamente.

La fig.10.1-b muestra las formas de onda para los voltajes de

salida y las corrientes de los transistores en el caso de una
carga resistiva.
Este inversor requiere de una fuente de cd de tres
conductores, cuando un transistor est inactivo, su voltaje
inverso es VS en vez de VS/2. Este inversor se conoce como
inversor de medio puente.

Fig.10.1 Inversor Monofsico de medio Puente.

El voltaje rms de salida se puede encontrar a partir de:
2
V0
T0

T0/2

VS2
dt
4

1/ 2

Vs
2

(10-1)

El voltaje instantneo de salida se puede expresar en una serie

de Fourier como:
V0

2Vs
sen nwt
n 1, 3, 5 n

= 0 para n=2,4,......

(10-2)

donde =2f0 es la frecuencia del voltaje de salida en rad/s.

Para n=1, la ecuacin proporciona el valor rms de la
componente fundamental como:
V1

2Vs
0.45 Vs
2

(10-3)

Para una carga inductiva, la corriente de la carga no puede

cambiar inmediatamente con el voltaje de salida.
Si Q1 es desactivado en t=T0/2, la corriente de la carga seguir
fluyendo a travs de D2, la carga y la mitad inferior de la
fuente de cd, hasta que la corriente llegue a cero.
En forma similar, cuando Q2 se desactiva en t=T0, la corriente
de la carga fluye a travs de D 1, la carga y la mitad superior
de la fuente de cd.
Cuando el diodo D1 o D2 conducen, la energa es
retroalimentada a la fuente de cd por lo que estos se conocen
como diodos de retroalimentacin.
La fig.10.1-b muestra la corriente y los intervalos de
conduccin de los dispositivos para una carga puramente
inductiva.
Se puede notar que para una carga puramente inductiva, un
transistor conduce nicamente durante T0/2 (es decir 90).
Dependiendo del factor de potencia de la carga, el perodo de
conduccin de un transistor vara desde 90 hasta 180.

Los transistores pueden substituirse por GTO o por tiristores

de conmutacin forzada.
Si tq es el tiempo de desactivacin de un tiristor, debe existir
un tiempo mnimo de retraso tq entre el tiristor que se
desactiva y el disparo del siguiente tiristor.
De lo contrario, entre ambos tiristores tendra lugar una
condicin de corto circuito.
Por lo tanto, el tiempo mximo de conduccin de un tiristor
sera T0/2 tq.
En la prctica, incluso los transistores requieren de un cierto
tiempo de activacin y desactivacin.
Para la operacin exitosa de los inversores, el circuito lgico
deber tomar todo esto en consideracin.
Para una carga RL, la corriente instantnea de la carga i 0 se
puede determinar a partir de:
i0

2Vs
sen (nwt m )
R (nwL)
n 1, 3, 5 n

(10-4)

donde n=tan-1 (nL/R).

Si I01 es la corriente rms de la componente fundamental de la
carga, la potencia de la componente fundamental de salida
(para n = 1) es:
P01 = V1I01 cos 1 = I012 R

2Vs

R (L)

(10-5)
2

(10-5a)

Nota. En la mayor parte de las aplicaciones (por ejemplo los

propulsores de motores elctricos) la potencia de salida debida
a la corriente de la componente fundamental es la potencia
til, y la potencia debida a las corrientes armnicas es
disipada en forma de calor aumentado la temperatura de la
carga.
PARMETROS DE RENDIMIENTO :
La salida de los inversores reales contiene armnicas.
La cantidad de un inversor por lo general se evala en
trminos de los siguientes parmetros de rendimiento.
Factor armnico de la ensima componente, HFn :
El factor armnico (correspondiente a la ensima armnica),
es una medida de contribucin armnica individual y se
define como:
HFn

Vn
V1

(10-6)

donde: V1 es el valor rms de la componente fundamental y Vn

es el valor rms de la ensima componente armnica.
Distorsin total armnica THD :
La distorsin armnica total, es una medida de la similitud
entre la forma de onda y su componente fundamental, se
define como:
THD

1
V1

n 2, 3

1/ 2

Vn2

(10-7)

Factor de distorsin DF :
El valor THD proporciona el contenido armnico total, pero
no indica el nivel de cada uno de sus componentes.
Si en la salida de los inversores se utiliza un filtro, las
armnicas de orden ms alto se atenuarn con mayor eficacia.
Por lo tanto, resulta importante conocer tanto la frecuencia
como la magnitud de cada componente.
El factor de distorsin indica la cantidad de distorsin
armnica que queda en una forma de onda particular despus
de que las armnicas de esa forma de onda hayan sido sujetas
a una atenuacin de segundo orden (es decir divididas por n).
Por lo tanto, el valor DF es una media de la eficacia en la
reduccin de las componentes armnicas no deseadas, sin
necesidad de especificar valores de un filtro de carga de
segundo orden, y se define como:
1
DF
V1

V
n
n 2,3 n
x

1/ 2

(10-8)

El factor de distorsin de una componente armnica

individual (o de orden n) se define como:
DFn

Vn
V1n

(10-9)

Armnica de menor orden LOH :

La armnica de menor orden es aquella componente cuya
frecuencia es ms cercana a la fundamental, y cuya amplitud
es mayor que o igual al 3% de la componente fundamental.

Ejemplo: Un inversor monofsico de medio puente como el de

la fig.10.1-a. Tiene una carga resistiva R=2.4 y una tensin
de entrada en cd VS= 48 V. Determine:
(a) La tensin rms de salida ala frecuencia fundamental.
(b) La potencia de salida P0.
(c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
(d) La tensin de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
(e) La distorsin armnica total THD,
(f) El factor de distorsin DF,
(g) El factor armnico y el factor de distorsin de

la

armnica de menor orden.

Solucion:
INVERSORES MONOFASICOS EN PUENTE :
Un inversor monofsico en puente aparece en la fig.10.2-a.
Est formado por cuatro pulsadores.
Cuando los transistores Q1 y Q2 se activan simultneamente,
el voltaje de entrada VS aparece a travs de la carga.
Si los transistores Q3 y Q4 se activan al mismo tiempo, el
voltaje a travs de la carga se invierte, y adquiere el

valor:

VS.
La forma de onda para el voltaje de salida se muestra en la
fig.10.2-b.

Fig.10.2 Inversor Monofsico Puente.

El voltaje rms de salida se puede determinar a partir de
2
V0
T0

To / 2

1/ 2

V dt
2
S

VS

(10-10)

La ecuacin se puede extender para que exprese el voltaje

instantneo de salida en una serie de Fourier como:
v0

4VS
sen n t
n 1, 3, 5... n

(10-11)

y para n=1, la ecuacin proporciona el valor rms de la

componente fundamental como:
V1

4VS
0.90 VS
2

(10-12)

Si utilizamos la ecuacin, la corriente instantnea de la carga

i0 para una carga RL se convierte en:

i0

4Vs
sen (n t n )
R (nwL)
n 1, 3, 5 n

(10-13)

donde n = tan-1 (nL/R).

Cuando los diodos D1 y D2 conducen, se retroalimenta la
energa a la fuente de cd por lo que se dice que D 1 y D2 son
diodos de retroalimentacin.
La fig.10.1-c muestra la forma de onda de la corriente para
una carga inductiva.
Ejemplo:
Un inversor para un inversor monofsico en puente como el
de la fig.10.2-a. tiene una carga resistiva R=2.4 y una
tensin de entrada en cd VS= 48 V. Determine:
(a) La tensin rms de salida a la frecuencia fundamental.
(b) La potencia de salida P0.
(c) Las corriente promedio y de pico de cada transistor,
(d) La tensin de bloqueo inverso pico VBR de cada
transistor.
(e) La distorsin armnica total THD,
(f) El factor de distorsin DF,
(g) El factor armnico y el factor de distorsin de la
armnica de menor orden.
Solucin:
Vs = 48 V y R = 2.4
(a)

De la ecuacin (10-12). V1 = 0.90 x 48 = 43.2 V

(b)

De la ecuacin (10-10), Vo = Vs = 48V. La potencia de

salida Po = Vs/R = 48/2.4 = 9.60 W

(c)

La corriente pico de transitor lp = 48/2.4 = 20A. Dado

que cada transitor conduce

durante el ciclo de

trabajo del 50%, la corriente promedio de cada

transitor es ID = 0.5 x 20 = 10A
(d)

El voltaje pico de bloqueo inverso, VBR = 48V

(e)

A partir de la ecuacin (10-12), V1 = 0.9 VS, el voltaje

armnico rms Vh es:
Vh =

n 3, 5 , 7

2
n

1/ 2

(V02 V12 )1 / 2 0.4352V

De la ecuacin (10-7):
THD = 0.4359VS/ (0.9VS) = 48.34%

V
n
n3, 5, 7 n

1/ 2

0.03424 V ,

De la ecuacin (10-8):
DF = 0.03424Vs/(0.9Vs) = 3.804%
(g) La armnica de menor orden es la tercera,

V3 = V1/3.

De la ecuacin (10-6), HF3= V3/V1 = 1/3 = 33.33% y, de la

ecuacin (10-9), DF3 = (V3/3/V1 = 1/27=3.704%
Nota:
El voltaje pico de bloque inverso de cada transistor y la
calidad

del voltaje de salida para inversores de medio

puente y puente completo es el mismo.

Sin embargo para los inversores de puente completo, la

potencia de salida es cuatro veces ms alta y la componente
fundamental es dos veces la correspondiente a la de los
inversores de medio puente.
Ejemplo:
El inversor puente de la fig.10.2-a tiene una carga RLC con
R=10 , L=32.5 mH, y C=112 F.
La frecuencia del inversor, fo = 60 Hz y el voltaje de entrada
en cd, Vs = 220V,
(a) Exprese la corriente instantnea de la carga en series de
Fourier. Calcule:
(b) la corriente rms de la carga a la frecuencia fundamental
I1 ;
(c) la distorsin armnica total THD de la corriente de la
carga;
(d) la potencia demandada por la carga Po y la potencia
fundamental Po1;
(e) la corriente promedio de la alimentacin en cd Is; y
(f) la corriente rms y pico de cada transistor,
(g) Dibuje la forma de onda de la corriente fundamental de
la carga y muestre los intervalos de conduccin de los
transitores y de los diodos.
(h) Calcule el tiempo de conduccin de:
los transistores e

 los diodos.
Solucin:
XL = j2n x 60 31.5 x 10-3 = j 11.87 n

La reactancia capacitiva para el voltaje de la ensima

armnica es:
Xc =

j106
j 23.68

2nx60 x112
n

La impedancia para la ensima armnica es:

Z n 10 (11.87n 23.68 / n1 / 2
Y el ngulo del factor de potencia para el voltaje de ensima
armnica es:
n tan 1

a)

11.87 n 23.68 / n
2.368

tan 1 1.187 n

10
n

De la ecuacin (8-11), el voltaje instantneo de salida

expresarse como:

o(t) = 280.1 sen(377t)+93.4sen(3x377t)+56.02 sen(5x377t)

+ 40.02 sen (7 x 377t) + 31.12 sen (9 x 377t) + ...

Dividiendo el voltaje de salida entre la impendancia de la
carga y considerando el retraso apropiado en razn de los
ngulos del factor de potencia, podemos obtener la corriente
instantnea de la carga como:
io(t) = 18.1 sen (377t + 49.72) + 3.17 sen (3 x 377t 10.17) +
sen (5 x 377t 96.63) + 0.5 sen (7 x 377t 82.85) + 0.3 sen (9
x 377t - 84.52) + .

(b) La corriente fundamental pico de la carga, I m1 = 18.1 A.

La corriente rms de la carga a la frecuencia
fundamental, Io1 = 12.8A.
(c)

Considerando hasta la noventa armnica, la corriente

pico de la carga.
Im = (18.1 + 3.17 +1.0 + 0.5 + 0.3)1/2 = 2.3789 A

La corriente armnica rms de la carga es:

Ih = I

2
m

I m21

1/ 2

18.41 18.1
2.3879 A
2

Utilizando la ecuacin (10-7) la distorsin armnica total de

la corriente de la carga.
THD =

2
m

I m2 1
I m1

1/ 2

18.41

18.1

(d) la corriente rms de la carga Io

1/ 2

Im/

18.59%
2 18.41 /

2 13.02 A,

la potencia de la carga Po = 13.022 x 10 = 1695 W.

Utilizando la ecuacin (10-5), la potencia fundamental de
salida es:
Po1 =
(e)

I 02 R 12.8

x 10 = 1538.4 W

La corriente promedio de alimentacin:

IS=1695/220=7.7A
(f)

La corriente pico del transistor Ip=Im=18.41 A.

La corriente
IR

rms mxima permisible de cada transistor,

I p 18.41
Io

9.2 A
2
2
2

(g)

La forma de onda para la corriente fundamental de la

carga, i1(t), aparece en la fig.10-3.

(g)

De la fig.10.3-a, el tiempo aproximado de conduccin

de cada transistor se determina a partir de:
t0 =180 49.72 = 130.28 o bien,
t0 = 130.28 x /(180 x 377) = 6031 s.

(h)

El

tiempo

de

conduccin

de

cada

diodo

es

aproximadamente:
td = (180 130.28) x

180 x 377

= 2302 s

Notas:

INVERSORES TRIFSICOS :
Los inversores

trifsicos

se utilizan

normalmente en

aplicaciones de alta potencia.

Tres inversores monofsicos de medio puente (o de puente
completo) pueden conectarse en paralelo, tal y como se
muestra en la fig.10.4, para formar la configuracin de un
inversor trifsico.

Las seales de compuerta de los inversores monofsicos deben

adelantarse o retrasarse 120 uno con respecto al otro, a fin de
obtener voltajes trifsicos balanceados (fundamentales).
Los embobinados primarios del transformador deben aislarse
unos de otros, en tanto que los embobinados secundarios
pueden quedar conectados en estrella o en delta.
Por lo general, el secundario del transformador se conecta en
estrella, a fin de eliminar armnicas mltiplos de tres (n = 3,
6, 9, ...) que aparecen en los voltajes de salida (la disposicin
del circuito se muestra en la fig.10.4-b).
Este

dispositivo

requiere

de

tres

transformadores

monofsicos, 12 transistores y 12 diodos.

Si los voltajes de salida de los inversores monofsicos no estn
perfectamente equilibrados en magnitud y en fase, los voltajes
de salida trifsicos tambin estarn desequilibrados.

Fig-10.4 Inversor Trifsico formado por tres inversores

monofsicos.
Se puede obtener una salida trifsica a partir de una
configuracin de seis transistores y seis diodos, tal como la
que se muestra en la fig.10.5-a.
A los transistores se les puede aplicar dos tipos de seales de
control: conduccin a 180 o conduccin a 120.

Fig.10.5 Inversor Trifsico Puente de 6 pulsos

CONDUCCIN A 180:
Cada transistor conducir durante 180.
Tres transistores se mantienen activos durante cada instante
del tiempo.
Cuando el transistor Q1 est activado, la terminal a se conecta
con la terminal positiva del voltaje de entrada.

Cuando se activa el transistor Q4, la terminal a se lleva a la

terminal negativa de la fuente de cd.
En cada ciclo existen seis modos de operacin, cuya duracin
es de 60.
Los transistores se numeran segn su secuencia de excitacin
(por ejemplo, 123, 234, 345, 456, 561, 612).
Las seales de excitacin mostradas en las fig.10.5-b estn
desplazadas 60 unas de otras, para obtener voltajes trifsicos
balanceados (fundamentales).
La carga puede conectarse en estrella o en delta, como se
muestra en la fig.10.6.

Fig.10.6 Carga conectada en delta-estrella.

En el caso de una carga conectada en delta, las corrientes de
fase se obtienen directamente de los voltajes lnea a lnea.
Una vez que se conocen las corrientes de fase, pueden
determinarse las corrientes de lnea.

En caso de una carga conectada en estrella, los voltajes de

lnea a neutro deben determinarse a fin de encontrar las
corrientes de lnea o de fase.
Existen tres modos de operacin en un medio ciclo, los
circuitos equivalentes aparecen en la fig.10.7-a, para el caso de
una carga conectada en estrella.

Fig.10.7 Circuitos Equivalentes para una carga resistiva

conectada en estrella.
Durante el modo 1 para: 0 < t < /3:
Req R

i1

R 3R

2
2

Vs
2V s

Req
3R

v an v cn

i1 R V s

2
3

v bn i1 R

2V s
3

Durante el modo 2 para: /3 t < 2/3:

Req R

i1

R 3R

2
2

Vs
2V s

Req
3R

v bn i 2 R
v an v cn

2V s
3

i2 R Vs

2
3

Durante el modo 3 para: 2/3 < t < :

Req R

i1

R 3R

2
2

Vs
2V s

Req
3R

v an v cn

i3 R V s

2
3

v bn i3 R

2V s
3

En la fig.10.7-b se muestran los voltajes lnea a neutro.

El voltaje instantneo lnea a lnea vab, de la fig.10.5-b, se
puede expresar en una serie de Fourier, reconociendo que vab
est desplazada en /6 y las armnicas pares son cero.
(10-14)
vbc y vca pueden determinarse a partir de la ecuacin mediante
el desplazamiento de fase de vab en 120 y 250,
respectivamente:

vbc

4Vs
n

cos
sen n t -
6
2

n 1, 3, 5... n

(10-15)

vca

4Vs
n
7

cos
sen n t
6
2

n 1, 3, 5... n

(10-16)

Podemos observar que las ecuaciones, que en los voltajes lnea

a lnea, las armnicas mltiplos de tres (n = 3,9,15...) son cero.
El voltaje rms lnea a lnea se puede determinar a partir de:
2
VL
2

2 / 3

1/ 2

Vs2 d ( wt )

2
Vs
3

0.8165 Vs

(10-17)

De la ecuacin, la ensima componente rms del voltaje de

lnea es:
V Ln

4V s
2n

cos

n
6

(10-18)

que, para n = 1, da el voltaje de lnea fundamental

VL1

4Vs cos 30 0

0.7797 VS
2

(10-19)

El valor rms de los voltajes de lnea a neutro se puede

determinar a partir del voltaje de lnea:

VP

Vl
3

2V s
0.4714 Vs
3

(10-20)

Con las cargas resistivas, los diodos a travs de los

transistores no tienen funcin.
Si la carga es inductiva, la corriente de cada brazo del
inversor se reemplazar en relacin con su voltaje, tal y como
se muestra en la fig.10.8.

Fig.10.8 Inversor Trifsico con carga RL.

Cuando el transistor Q4 de la fig.10.5-a est desactivado, la
nica trayectoria para la corriente de lnea negativa i a es a
travs de D1 hasta que se invierta la polaridad de la corriente
de la carga en el tiempo t = t1.
Durante el perodo 0 < t < t1, el transistor Q1 no conduce.
En forma similar, la conduccin del transistor Q 4 slo arranca
en t=t2.
Los transistores deben ser disparados continuamente, dado
que el tiempo de conduccin de los transistores y de los diodos
depende del factor de potencia de la carga.
En el caso de una carga conectada en estrella, el voltaje de
fase es van=van/3 con una retraso de 30.
Utilizando la ecuacin, la corriente de lnea i a para una carga
RL est dada por:
i0

n 1, 3, 5

4Vs
n
cos
sen (nwt n )
6
3n R (nwL)

(10-21)

donde n = tan-1 (nwL/R).

Ejemplo:
El inversor trifsico de la fig.10.5-a tiene una carga resistiva
conectada en estrella de R=5 y L=23 mH.
La frecuencia del inversor es 0=60 Hz y el voltaje de entrada
de cd es Vs = 220 V.
(a)

Exprese el voltaje instantneo lnea a lnea v ab(t) y la

corriente de lnea ia(t) en series de Fourier. Determine:

(b)

el voltaje rms de la lnea VL;

(c)

el voltaje rms por fase Vp;

(d)

El voltaje rms de lnea VL1 a la frecuencia

fundamental;

(e)

El voltaje rms por fase a la frecuencia fundamental,

Vp1;

(f)

la distorsin armnica total, THD;

(g)

el factor de distorsin DF;

(h)

el factor armnico y el factor de distorsin de la

armnica de orden menor;

(i)

la potencia de la carga Po:

(j)

la corriente promedio del transistor ID; y

(k)

la corriente rms del transistor IR.

Solucin:
Vs = 220 V, R = , 0 = 60 Hz, y =2 x 60=377 rad/s.

(a)

Utilizando la ecuacin (10-14), el voltaje instantneo

lnea a lnea vab(t) se puede escribir como:

vab(t) =

242.58 sen(377t + 30) 48.52 sen 5(377t + 30)

- 34.66 sen 7(377t + 30) + 22.05 sen11(377t+30)
+ 18.66 sen13(377t + 30) 14.27 sen17(377t+30)

R 2 nwL

ZL=

tan-1(nL/R)=

52 8.67 n

tan-1(8.67n/5)

Utilizando la ecuacin (10-21), la corriente instantnea de

lnea (o de fase) est dada por:
ia(t) =14 sen(377t 60) - 0.64 sen(5x377t 83.4)
-0.33 sen(7x377t 85.3) + 0.13 sen(11x377t-87)
+0.10 sen(13x377t-87.5) 0.06sen(17x377t88)(b) De la ecuacin (10-17):
VL

2
Vs 0.8165 Vs 0.8165 x 220 179.63V
3

(c)

De la ecuacin (10-20):

VP

Vl

2Vs
0.4714 Vs 0.4714 x 220 103.7V
3

(d) De la ecuacin (10-19):

VL1 = 0.7797 x 220 = 171.53V.
(e)

Vp1 = VL1/

(f)

De la ecuacin (10-17):
VL1

4Vs cos 30 0
0.7797 VS
2
X

= 99.03 v.

2
Ln

N 5 , 7 ,11...

1/ 2

= (VL VL1)1/2 = 0.24236Vs

De la ecuacin (10-17): THD=0.24236VS/(0.7797Vs)=31.08%.

El voltaje armnico rms de la lnea es:

VLh =

(f)

VLn

2
n 5, 7 ,11... n
x

1/ 2

= 0.00666Vs

De la ecuacin (10-8): DF = 0.00666Vs/(0.7797Vs) =0.854%

La armnica de orden menor es la quinta, VLS=VL1/5.

(g)

De la ecuacin (10-6): HF5=VL5/VL1=1/5= 20%, y de la

ecuacin (10-9): DF5=(VL5/5)/VL1=1/125 = 0.8%
(i)

Para cargas conectadas en estrella, la corriente de lnea

es la misma que la corriente de fase y la corriente rms de
lnea.

14
IL =

0.64 2 0.332 0.132 0.10 2 0.062

2

1/ 2

= 9.91 a

La potencia de la carga P0 = 3lLR = 3 x 9.91 x 5 = 1473W.

(j)

La

corriente

promedio

de

la

alimentacin:

IS=Po/220=1473/220=6.7 A y la corriente promedio del

transistor: ID=6.7/3=2.23 A.
(k) Dado que la corriente de lnea est compartida entre dos
transistores, el valor rms de la corriente del transistor es
IR = IL/

= 9.91/

= 5.72 A.

CONDUCCIN A 120:
En este tipo de control, cada transistor conduce durante 120.
En cualquier instante del tiempo, slo conducen dos
transistores.
Las seales de excitacin se muestran en la fig.10.9.
La secuencia de conduccin de los transistores es 61, 12, 23,
34, 45, 56, 61.

Fig.10.9 Seales de compuerta para conduccin a 1200.

Existen tres modos de operacin en un medio ciclo, los

circuitos equivalentes para una carga conectada en estrella
se muestran en la fig.10.10-a.

Fig.10.10 Circuitos equivalentes para una carga resistiva

conectada en estrella.
Durante el modo 1:
Para: 0 t /3, conducen los transistores 1 y 6.
van =

Vs
2

vbn =

Vs
2

vcn = 0

Durante el modo 2:
Para: p/3 t 2p/3, conducen los transistores 1 y 2.
Van =

Vs
2

, Vbn = 0 , Vcn =

Vs
2

Durante el modo 3:
Para: 2/3 t 3/3, conducen los transmisores 2 y 3.
van = 0 , vbn =

Vs
2

vcn =

Vs
2

Los voltajes de lnea a neutro que se muestran en la

fig.10.10-b se pueden expresar en una serie de Fourier como:
x

Van = n 1
, 3, 5.....

2Vs
n

cos
sen n wt
n
6
6

(10-22)

Vbn =

n 1, 3, 5.....

Vcn =

n 1, 3, 5.....

2Vs
n

cos
sen n wt
n
6
2

(10-23)

2Vs
n
7

cos
sen n wt

n
6
6

(10-24)

El voltaje de lnea ab es vab =

van con un adelanto de fase de

30.
Existe un retraso de /6 entre la desactivacin de Q1 y la
activacin de Q4. por lo tanto, no debe existir un corto circuito
en la alimentacin de cd a travs de un transistor superior y
uno inferior.
En cualquier momento, dos terminales de la carga estn
conectadas con la alimentacin de cd y la tercera se conserva
abierta.
El potencial de este terminal abierta depende de las
caractersticas de la carga y es impredecible.
Dado que un transistor conduce durante 120, para una
misma condicin de la carga los transistores se utilizan menos
que en la conduccin a 180.
CONTROL DE VOLTAJE DE LOS INVERSORES
MONOFASICOS
En muchas aplicaciones industriales, a menudo es necesario
controlar el voltaje de salida de los inversores para hacer
frente a las variaciones de entrada de cd, para la regulacin

del voltaje de los inversores y para los requisitos de control

constante del voltaje y la frecuencia.
Existen varias tcnicas para modificar la ganancia del
inversor.
El mtodo ms eficiente de controlar la ganancia (y el voltaje
de salida) es incorporar en los inversores el control de
modulacin del ancho de pulso (PWM).
Las tcnicas comnmente utilizadas son:
1. Modulacin de un solo ancho de pulso
2. Modulacin de varios anchos de pulso
3. Modulacin senoidal del ancho de pulso
4. Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso
5. Control por desplazamiento de fase.
MODULACIN DE UN SOLO ANCHO DE PULSO:
En el control por modulacin de un solo ancho de pulso, existe
un solo pulso por cada medio ciclo, el ancho del pulso se hace
variar, a fin de controlar el voltaje de salida el inversor.
La fig.10.11 muestra la generacin de las seales de excitacin
y el voltaje de salida para los inversores monofsicos en
puente completo.
Las seales de excitacin se generan comparando una seal
rectangular de referencia de amplitud, Ar, con una onda
portadora triangular de amplitud Ac.

La frecuencia de la seal de referencia determinada la

frecuencia fundamental del voltaje de salida.
Si se vara Ar desde 0 hasta Ac, el ancho de pulso, , se puede
modificarse desde 0 hasta 180.
La relacin de Ar con Ac es la variable de control y se define
como el ndice de modulacin de la amplitud, o simplemente
ndice de modulacin.
M

Ar
Ac

(10-25)

Fig.10.11 Modulacin de un solo Ancho de Pulso.

El voltaje rms de salida se puede determinar a partir de:

2
V0
2

/ 2

/ 2

1/ 2

V s2 d ( wt )

Vs

(10-26)

Aplicando la serie de Fourier al voltaje de salida nos da:

x

V0 ( t )

4VS
n
sen
sennwt
n
n 1,3,5... n

(10-27)

Para evaluar el comportamiento de la modulacin de un solo pulso para inversores monofsicos en puente se ha desarrollado
el programa para computadora PROG-5, que se lista en el apndice F

La fig.10-12 muestra el perfil de armnicas con la variacin

del ndice de modulacin, M.
La armnica dominante es la tercera, y el factor de distorsin
aumenta en forma significativa a un bajo voltaje de salida.

Fig.10-12 Perfil Armnico dela Modulacin de un solo ancho

de pulso.