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LABORATORIO N 2 FUNDAMENTOS

DE ELECTRONICA

INFORME LABORATORIO DE FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA

N2

CARACTERISTICAS DE UN TRANSISTOR BJT

APELLIDOS Y
NOMBRES
FACULTAD

CHALCO GONZALES Christian Humberto

ING. DE PRODUCCION Y SERVICIOS

ESCUELA

ING. MECANICA

HORARIO

LUNES Y MARTES 19-21; JUEVES 13-15 HORAS

DOCENTE

ING. ORLANDO PEREZ PEREZ

I.

OBJETIVOS:
-

II.

Conocer e identificar las caractersticas de un transistor.

Identificar los instrumentos a utilizar.
Reconocer un transistor npn y pnp.
Reconocer el emisor-baje-colector (E, B, C).
CD
Medir el
y el potencial de barrera del transistor.

INTRODUCCION:
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para
entregar una seal de salida en respuesta a una seal de entrada.
Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima
corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y
como amplificador (siempre conduciendo corriente).

III.

Actualmente se encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos

de uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras, lmparas fluorescentes, tomgrafos,
telfonos celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos
integrados.
MARCO TEORICO

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TRANSISTORES
El transistor consta de un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas
artificialmente (contaminadas con materiales especficos en cantidades
especficas) que forman dos uniones bipolares: el emisor que emite portadores, el
colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos
primeras, modula el paso de dichos portadores (base), el transistor es un
dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En
el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, condensadores e inductores que son elementos
pasivos.

Tipos de transistores

Funcionamiento
De manera simplificada, la corriente que circula por el colector es funcin
amplificada de la que se inyecta en el emisor, pero el transistor slo grada la
corriente que circula a travs de s mismo, si desde una fuente de corriente
continua se alimenta la base para que circule la carga por el colector, segn el tipo
de circuito que se utilice. El factor de amplificacin o ganancia logrado entre
corriente de colector y corriente de base, se denomina Beta del transistor. Otros
parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor
son: Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Mxima, disipacin de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde
se grafican los distintos parmetros tales como corriente de base, tensin Colector
Emisor, tensin Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
(configuraciones) bsicos para utilizacin analgica de los transistores son emisor
comn, colector comn y base comn.

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Funcionamiento de un transistor

Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado tambin transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz
de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain.
Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido
que la combinacin cobre-xido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos
puntas metlicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es
capaz de modular la resistencia que se ve en el colector, de ah el nombre de
transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su da. Es
difcil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frgil (un golpe poda
desplazar las puntas) y ruidoso. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unin bipolar
El transistor de unin bipolar (o BJT, por sus siglas del ingls bipolar junction
transistor) se fabrica sobre un monocristal de material semiconductor como el
germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas cualidades son intermedias entre
las de un conductor elctrico y las de un aislante. Sobre el sustrato de cristal se
contaminan en forma muy controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando
lugar a dos uniones PN.
Las zonas N (en las que abundan portadores de carga Negativa) se obtienen
contaminando el sustrato con tomos de elementos donantes de electrones, como
el arsnico o el fsforo; mientras que las zonas P (donde se generan portadores
de carga Positiva o huecos) se logran contaminando con tomos aceptadores
de electrones, como el indio, el aluminio o el galio.

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La tres zonas contaminadas, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde
la letra intermedia siempre corresponde a la regin de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el emisor est mucho
ms contaminado que el colector).
Transistor de efecto de campo
El transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer transistor de efecto
de campo en la prctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio
de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto hmico,
tenemos as un transistor de efecto de campo tipo N de la forma ms bsica. Si se
difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente
entre s, se producir una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor
y al otro drenador. Aplicando tensin positiva entre el drenador y el surtidor y
conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que
llamaremos corriente de drenador con polarizacin cero. Con un potencial
negativo de puerta al que llamamos tensin de estrangulamiento, cesa la
conduccin en el canal.
El transistor de efecto de campo, o FET por sus siglas en ingls, que controla la
corriente en funcin de una tensin; tienen alta impedancia de entrada.
Transistor de efecto de campo de unin, JFET, construido mediante una
unin PN.
Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se asla del canal mediante un dielctrico.
Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metalxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metlica y est
separada del canal semiconductor por una capa de xido.
Fototransistor
Los fototransistores son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias
cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo
que un transistor normal, slo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn);
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (Modo de iluminacin).

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Tipos de encapsulado del transistor

IV.

INSTRUMENTOS A UTILIZAR:
Multmetro digital:

Es un instrumento elctrico porttil para medir

directamente magnitudes elctricas activas,
como corrientes y potenciales (tensiones), o
pasivas, como resistencias, capacidades y otras.

Transistores:
El transistor es un dispositivo electrnico
semiconductor utilizado para entregar una
seal de salida en respuesta a una seal de
entrada.
TRANSISTOR 2N2222
TRANSISTOR BD140 JB 408
TRANSISTOR 2N3904

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V.

PROCEDIMIENTO Y PARTE EXPERIMENTAL

Para medir un transistor necesitamos de la ayuda de un multmetro el cual

colocaremos en la menor escala de o en donde se miden los diodos

Entre el emisor y el colector no debe de dar ningn valor en ninguno

de los dos sentidos
Entre el colector y la base debe dar un valor en un solo sentido es
decir que si se coloca inverso no debe de marcar ningn nmero
Entre el emisor y la base se mide igual que como se mide igual que
C con B teniendo en cuenta que en este caso el valor debe ser
mayor al anterior.

TRANSISTOR 2N2222
El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es
un transistor bipolar NPN de baja potencia de uso
general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como
de conmutacin. Puede amplificar pequeas
corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo
tanto, slo puede tratar potencias bajas). Puede
trabajar a frecuencias medianamente altas.
Usos y aplicaciones
Transmisores
Amplificadores de HF y VHF
Radiofrecuencia
Aplicaciones de conmutacin

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TRANSISTOR BD140 JB 408

BD140. Transistor bipolar compuesto por silicio con
un amplio uso en diversos circuitos y aparatos
electrnicos.
Usos y aplicaciones
Alto voltaje
Audio
Corrientes medias
La radio
Televisin
Equipos electrnicos de medicina
TRANSISTOR 2N3904
El transistor 2N3904 es uno de los ms comunes
transistores NPN generalmente usado para
amplificacin.
Es un transistor de 200 miliamperios, 40 voltios, 625
milivatios, con una Frecuencia de transicin de 300
MHz, con una beta de 100.
Usos y aplicaciones
Transmisores
Amplificadores de HF y VHF
Radiofrecuencia
Aplicaciones de conmutacin
DATOS
TRANSISTOR 2N2222

TRANSISTOR BD140 JB 408

Polaridad de transistor: NPN

Polaridad de transistor: PNP

Voltaje colector-emisor: 8.31 mV

Voltaje colector-emisor: 7.48 mV

Ganancia de corriente

CD

: 280

Ganancia de corriente

CD

: 34

TRANSISTOR 2N3904
Polaridad de transistor: NPN
Voltaje colector-emisor:
Ganancia de corriente

CD

: 341

MULTIMETRO

TRANSISTORES

VI.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

Un transistor puede ser usado como un interruptor (ya sea a la mxima

corriente, o encendido ON, o con ninguna corriente, o apagado OFF) y
como amplificador (siempre conduciendo corriente).
El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.
Los parmetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de
transistor son: las tensiones de ruptura de Colector Emisor y el factor de
amplificacin o ganancia de corriente logrado entre corriente de colector y
CD
corriente de base, denominado Beta del transistor
.

VII.

BIBLIOGRAFIA

Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin Thomas L. Floyd

Transistor de unin bipolar - https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni
%C3%B3n_bipolar
Transistor - http://www.ecured.cu/Transistor