Universidad Tecnolgica Israel

Carrera de Electrnica Electrnica de Potencia

DEBER PERDIDAS DINAMICAS Y ESTATICAS TRANSISTORES

CARGA R
1.

Para el circuito de la figura ton= 100 (ns) nanosegundos, el toff= 250 (ns) nanosegundos,
Vcc= 200 V Ic= 90 A. f= 10 Khz relacin de trabajo = 0,5 (Vcesat = 0 v Ifuga = 0 A.)
determine:
a. Formas de onda en VB, VCE, IC, P.
b. Encuentre las expresiones para calcular las prdidas dinmicas y la potencia
mxima.
c. Si la frecuencia de conmutacin es f = 1000 Khz calcule las prdidas dinmicas
y la potencia mxima.

La Potencia Mxima se encuentra con

2.

En la figura ton= 10 (ms) microsegundos, el toff= 30 (ms) microsegundos

Vcc= 100v,
R=20 ohm Vcesat = 0 v Ifuga = 0 A. frecuencia de 10 Khz = 0,5 determine:
a. Formas de onda en VB, VCE, IC, P.
b. Calcule las prdidas estticas y dinmicas (potencia).
c. Las prdidas totales.

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Carrera de Electrnica Electrnica de Potencia

3. Para un transistor de Potencia que se encuentra controlando una carga netamente

resistiva que tiene los siguiente Parmetros:
Vcc= 250 V.

Ic= 100 A.

ton=1,5 (us).

toff= 8 (us).

Vcesat= 2 V.

Ifuga=3 mA.

Tiene una relacin de trabajo = 0,5 ; frecuencia de trabajo 10000 hz.

a. Determine la Potencia de disipacin (prdidas):
1. Durante el encendido.
2. Durante el apagado.
3. Durante el perodo de conduccin (activado).
4. Durante el perodo de desactivado.
b. Potencia total.
c. Trazar las grficas de voltaje, corriente y Potencia durante un periodo.

4. Para un transistor de Potencia con carga resistiva que tiene los siguiente Parmetros:
Vcc= 200 V.

Ic= 80 A.

ton=2500 (ns).

toff= 4000 (ns).

Vcesat= 1 V.

Ifuga=2 mA.

Tiene una relacin de trabajo = 0,4; frecuencia de trabajo f= 15 Khz.

a. Determine la Potencia de disipacin (prdidas):
a. Durante el encendido.
b. Durante el apagado.
c. Durante el perodo de conduccin (activado).
d. Durante el perodo de desactivado.
b. Potencia total.
c. Trazar las grficas de voltaje, corriente y Potencia durante un periodo.

5. Para un transistor con carga R se tiene:

T=1 ms
relacin de trabajo = 0,5 ton= 10 us toff= 50 us Vcc=500 v R= 1 ohm
Ifuga= 0 uA Vce sat= 0 V.
a.
b.
c.
d.

Grafica de corriente, voltaje y Prdidas en el transistor.

Expresin para encontrar la Prdidas Estticas y Dinmicas.
Expresin para encontrar la Potencia Mxima.
Calcular las prdidas totales y la Potencia Mxima.

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DEBER PERDIDAS DINAMICAS Y ESTATICAS TRANSISTORES

CARGA R-L

6. Para un transistor con carga R-L se tiene:

Vcc= 200 V.
Ic= 120 A.
td=0,5 (us). tr=1 (us).
ts=5 (us).
Vcesat= 2 V.
Ifuga=2 mA.
Tiene una relacin de trabajo = 0,5; frecuencia de trabajo f= 10 Khz.

td=3 (us).

Determine las expresiones de potencia pico mxima (Pmax) durante el intervalo de

tiempo tr y en el intervalo de tiempo tf.
Considerar:

Para el intervalo de tiempo tr la corriente de fuga es despreciable.

Para el intervalo de tiempo tf la corriente de fuga y Vcesat es
despreciable.

7. Calcule Prdidas Dinmicas, Estticas y Totales en el transistor que alimenta de

voltaje a una carga R-L (Dibujar corriente, voltaje, Potencia) cuyos parmetros son:
T=5 ms
relacin de trabajo = 0,5 ton= 20 us toff= 40 us Vcc=400 v Ifuga= 0 uA
Vce sat= 0 V.
8. Para el circuito de la figura ton= 1 (us), el toff= 2,5 (us), Vcc= 500 V Ic= 100 A.
relacin de trabajo = 0,5 (Vcesat = 0 v Ifuga = 0 A.) determine:
a. Formas de onda en VB, VCE, IC, P.
b. Encuentre las expresiones para calcular las prdidas dinmicas y la potencia
mxima.
c. Si la frecuencia de conmutacin es f = 1000 Khz calcule las prdidas dinmicas
y la potencia mxima.