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IL comienza a bajar una vez que se enciende el diodo. Cuando el interruptor MOSFET se enciende, la
situacin se revierte tal como se indica en la figura. Este tipo de conmutacin se denomina conmutacin
dura. El voltaje mximo y la corriente mxima se deben admitir de manera simultnea durante la transiente
de conmutacin. Por lo tanto, esta conmutacin dura expone al interruptor MOSFET a mayor tensin.
Cuando este diseo simple y emprico no limita el voltaje pico de manera suficiente, se aplicar el
procedimiento de optimizacin.
Snubber RC optimizado: En estos casos donde la disipacin de potencia es crtica, se debera usar un mtodo
de diseo mejor. Primero, mida la frecuencia de oscilacin transitoria (Fring) en el nodo del interruptor MOSFET
(SW) cuando se apague. Suelde un capacitor con ESR baja, de 100 pf y de tipo pelcula a lo largo del
MOSFET. Aumente la capacitancia hasta que la frecuencia de oscilacin transitoria sea la mitad del valor
original medido. Ahora el total de capacitancia de salida del interruptor (la capacitancia agregada ms la
capacitancia parsita original) es aumentada por un factor de cuatro, ya que la frecuencia de oscilacin es
inversamente proporcional a la raz cuadrada del producto de capacitancia de inductancia del circuito. Por lo
tanto, la capacitancia parsita Cp es un tercio del valor del capacitor agregado de manera externa. La
inductancia parsita Lp ahora se puede obtener al usar la siguiente ecuacin:
Una vez que se calculen la inductancia parsita Lp y la capacitancia parsita Cp, el resistor amortiguador
Rsnub y el capacitor Csnub se pueden elegir mediante el siguiente clculo.