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Clasificación
de enlaces
ESTRUCTURA MOLECULAR Y químicos
DE SÓLIDOS
11VA SEMANA
Enlaces Enlaces
Interatómicos Intermoleculares
Lic. Héctor Valdivia M. 1 Lic. Héctor Valdivia M. 3
Enlace Iónico
ENLACE COVALENTE
Enlace puente hidrogeno
0,5 meV
ESPECTROS
El ión de hidrógeno, sirve
MOLECULARES
de enlace entre los dipolos
moleculares inducidos del
ADN
m Hm F 1, 6 7 1 0 2 7 3,1 5 1 0 2 6 1 L 2z
1, 5 9 1 0 2 7 k g a)E I 2
m H m F 1, 6 7 1 0 2 7 3,1 5 1 0 2 6 2 2I
π μν 962,69 N m 2 d2
a k' 4 2 2 b) E
2I d 2
b) E h 8,22 10 20 J 0,514 eV
hc 2m2
c) 2, 4 2 1 0 6 m E m 0,1, 2...
E Lic. Héctor Valdivia M. 17
2I
Lic. Héctor Valdivia M. 19
2
E
L2 E=J J+1
2I 2I
Lic. Héctor Valdivia M. 18 Lic. Héctor Valdivia M. 20
Estructura
de Sólidos
TIPOS DE SÓLIDOS
Espectro I.R. del HCl gaseoso, simplificado
SÓLIDO SÓLIDO
CRISTALINO AMORFO
Orden de largo Orden de corto
Lic. Héctor Valdivia M. 22 alcanceLic. Héctor Valdivia alcance
M. 24
Tipos de redes
Celda Unitaria
Tipo de
Tipos de Fuerzas entre Niveles de Energía (3s) para los
partículas Propiedades Ejemplos
cristal individuales
las partículas
Fuerzas
Argón (Ar), metano
átomos de Sodio
intermoleculares Muy blandos, puntos de
Molecular átomos o moléculas débiles (Van de fusión bajos,
(CH4), azúcar
(C12H22O11), hielo seco
Waals, enlaces de conducción térmica y
(CO2)
hidrógeno) eléctrica pobre
Duros y quebradizos,
Iónico iones positivos y
negativos
Atracciones
electrostáticas
puntos de fusión altos,
conducción térmica y
Sales típicas: NaCl.
CaCO3, MgO, etc.
eléctrica pobre al estado
sólido
De blandos a muy
duros, puntos de fusión Todos los elementos
Metálico átomos Enlace metálico de bajos a muy altos, metálicos: Fe, Cu, Al,
conducción térmica y Ca, etc.
eléctrica excelente,
Lic. Héctor Valdivia M. maleables y dúctiles 29 Lic. Héctor Valdivia M. 31
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía
E
Niveles ocupados
BANDA Niveles vacíos
DE
CONDUCCIÓN
BANDAS DE 2p²
ENERGÍA BANDA
PROHIBIDA
2s²
BANDA
DE
VALENCIA
Diagramas de bandas
Diagrama de bandas del Carbono: diamante Bandas
Bandas de
de energía
energía del
del sodio
sodio
Banda de conducción
4 estados/átomo
Energía
Banda prohibida
Eg=6eV
- - 4 electrones/átomo
Banda de valencia
- -
Si
Si un
un electrón
electrón de
de lala banda
banda de
de valencia
valencia alcanzara
alcanzara lala energía
energía necesaria
necesaria para
para
saltar
saltar a la banda de conducción, podría moverse al estado vacíode
a la banda de conducción, podría moverse al estado vacío delalabanda
banda
de
de conducción
conducción de de otro
otro átomo
átomo vecino,
vecino, generando
generando corriente
corriente eléctrica.
eléctrica. AA
temperatura
temperaturaambiente
ambientecasi casiningún
ningúnelectrón
electróntiene
tieneesta
estaenergía.
energía.
Es
Esununaislante.
aislante.
Lic. Héctor Valdivia M. 35
ATE-UO Sem 05
AA 00 K,
K, tanto
tanto los
los aislantes
aislantes como
como los
los semiconductores
semiconductores nono conducen,
conducen, ya
ya que
que
No
Nohay
haybanda
bandaprohibida.
prohibida.LosLos electrones
electrones de
delalabanda
bandade devalencia ningún
valencia ningúnelectrón
electróntiene
tieneenergía
energíasuficiente
suficientepara
parapasar
pasarde
delalabanda
bandadedevalencia
valenciaaa
tienen
tienen lala misma
misma energía
energía que
que los
los estados
estados vacíos
vacíos de
de lala banda
banda de lala de
de de conducción.
conducción. AA 300 300 K,
K, algunos
algunos electrones
electrones de
de los
los semiconductores
semiconductores
conducción,
conducción, por por lolo que
que pueden
pueden moverse
moverse generando
generando corriente alcanzan
corriente alcanzan este
este nivel.
nivel. Al
Al aumentar
aumentar lala temperatura
temperatura aumenta
aumenta lala conducción
conducción en
en
eléctrica.
eléctrica. AAtemperatura
temperaturaambiente
ambientees esun
unbuen
buenconductor. los
conductor. lossemiconductores
semiconductores(al (alcontrario
contrarioque
queen enlos
losmetales).
metales).
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía
BC BC BC
Eg = 10 eV Eg = 1 eV Modelo
Modelo de
de Electrones
Electrones libres
libres para
para
Metales
Metales
BV BV BV
Estadística de Fermi-Dirac
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía
energía 1
La probabilidad de encontrar un estado f E E EF
de una única partícula con energía E, es
E EF e kB T
1
La banda prohibida en el silicio es de 1,12 eV. BC
Si E>>EF f E e kB T
Un núcleo de radón emite un fotón gamma con
λ=0,00667 nm ¿Cuántos electrones puede excitar
Eg = 1,12 eV Es la función de distribución de Boltzmann (límite clásico)
desde la parte superior de la banda de valencia
BV hasta el fondo de la banda de conducción BC
la absorción de este fotón? BV a T 0
f E 1
E
hc
6,63 10 34 3 10 8 J 1,86 10 5 eV
para E EF
0,00667 10 9
fE0 para EEF
E 1,86 10 5
N
Eg
1,12
1, 66 10 5 electrones f EF 1
2
S i E E F
g k E g E f(E)
3
V 2m 2 1
g E dE 2 2 E 2 dE
Densidad de estados entre E y E+dE 0 0,5 1
2
El nivel de Fermi determina la energía que con una probabilidad 1/2 llegan a
EF alcanzar los electrones. A temperatura ambiente se puede admitir que el nivel
g E f (E )d E N
A 0 K, todos los estados con EEF
c o n f (E ) 1 de Fermi es el nivel energético de los electrones del metal.
están ocupados con los N electrones, 0
luego:
Lic. Héctor Valdivia M. 41 43
Fuente:ATE-UO PN 120
El germanio tiene una banda prohibida de 0,67 eV. El dopado con arsénico
añade niveles llenos de donadores en la banda prohibida de 0,01 eV por
debajo de la banda conductora. A una temperatura de 300 K, la probabilidad
de que un estado electrónico esté ocupado es de 4,4 x 10-4. ¿Dónde está el
nivel de Fermi relativo a la banda conductora en este caso?
Semiconductores
Semiconductores
1
E E EF kT ln 1 0,2 eV
f E
3
E1
N 8 2mEF 0 2
dE
29 elect gv(E)= densidad de estados en los que
a) 1,7910
V 3 h2 m3 gv(E) puede haber electrones en la banda de
N 2, 7 6, 022 10
N
23 valencia
b) at A 6, 024 1022 at / cm3
V M 26,982
2 EF 2 1,86 1029 Significado:gv(E1)·dE = nº de estados, por unidad de volumen, con energía
c) v F 2, 022 106 m
m 9,11031 s entre E1 y E1+dE, en los que puede haber electrones en la banda de valencia.
EF 11, 63 Lo mismo se define para la banda de conducción.
d ) TF 134919 K Lic. Héctor Valdivia M. 46
k B 8, 62 105
ATE-UO Sem 26
E
nn 1-f(E)
Nc(E) n 1-f(E)
1-f(E)
Ec
Sube
Baja el el nivel
nivel de
EF deFermi
Fermi
Ev
huecos
pp p
f(E)
f(E)
Nv (E) f(E)
f(E)
Estados posibles
Electrones
0 0,5 1 Semiconductor
Semiconductor
Semiconductor extrínseco
intrínseco
extrínseco tipotipo
P N
49
Fuente:ATE-UO PN 119 ATE-UO Sem 31
Huecosposibles
Estados 0 0,5 1 Lic. Héctor Valdivia M. 52
ATE-UO Sem 30
1
E E EF k B T ln
f E
1 8,62 10 5 300 ln
1
4,4 10
4
1 0,2 eV
T=0K T>0K
Modelo
Modelo de
de bandas
bandas de
de energía.
energía.
Conducción
Conducción extrínseca
extrínseca (tipo
(tipo p)
p)
E
Nivel aceptor
0,01 eV
aplicaciones
Ión de
T=0K Huecos en la BV T>0K
impureza
aceptora
Lic. Héctor Valdivia M. 54 Lic. Héctor Valdivia M. 56
- + Zona
Zona de
de Transición
Transición (no
(no neutra)
neutra)
Por campo eléctrico Existe
Existe carga
cargaespacial
espacial (que
(quegenera
generacampo eléctrico,,
campoeléctrico, ,yydiferencia
diferenciade
de
potencial
potencialeléctrico,
eléctrico,VVO))yy no
noexisten
existencasi
casiportadores
portadoresde
decarga.
carga.
O
Por difusión
El
Elcampo
campoeléctrico
eléctricolimita
limitaelelproceso
procesode
dedifusión
difusión 60
ATE-UO PN 08
ATE-UO PN 06
Diagramas de bandas en la unión PN sin polarizar Ejemplo 1: unión de Germanio sin polarizar
Datos del Ge a 300 K
Zona de transición Dp=50 cm2/s Dn=100 cm2/s ni=2,5·1013 port/cm3
p=1900 cm2/V·s n=3900 cm2/V·s r=16
- + Lp=0,22 mm Ln=0,32 mm p= n= 10 s
Zona P - + Zona N
- + (neutra)
(neutra) - + NA=1016 atm/cm3 VO=0,31 V ND=1016 atm/cm3
VO
+-
P N
Ec 0,313m
VO·q varios mm
EFi Ec
EF EF 1016
Portad./cm3
pP nN
Ev EFi
1014
Ev 1012 nP pN
62
1010
-1m 0 1m ATE-UO PN 35
ATE-UO PN 98
LLZTO
La unión PN polarizada ZT Relaciones entre , y VO
Baja resistividad: Baja resistividad: con polarización inversa
Zona P
Zona P ZonaNN
VP=0 VN=0 Polarización inversa -- ++ Zona
+- VOV+V
O
ext
P N
Vext (x)
+ - -V + + - •Más
•Máscarga
cargaespacial
espacial
VmP U V
i 0
Nm x
•Mayor
•Mayor intensidadde
intensidad decampo
campo
•Mayor
•Mayorpotencial
potencialde
decontaco
contaco
- V
+ (x) x
-maxO
V = -VmP + VU - VNm = -VO + VU -max
Luego: El
Elpotencial
potencialde
decontacto
contactode
delalaunión
unión VU(x)
semiconductora
semiconductoraaumenta. VO+Vext
VU = VO + V aumenta.
VO
x
ATE-UO PN 29
ATE-UO PN 24
+- -jn campo
P N nP
-V + Ec
-- ++ nN
U
EFi (VO-V)·q nN Ec
i EF Ec EF
= Ev EFi
EF
+ V - EE
VU = VO - V, pP v
- + pN
Fi
Ev
siendo: V < VO (aparcamos la posibilidad real de
que V >VO)
- + jp campo pN
Conclusión:
Conclusión: jtotal jn campo + jp campo
Polarización
Polarizacióndirecta:
directa: 00<<VV<V
<VOO Muy
Polarización importante Corriente total débil debida a campo eléctrico y que no varía casi con la
Polarizacióninversa:
inversa: VV<<00
tensión inversa (V<0) aplicada 68
ATE-UO PN 25 ATE-UO PN 101
pP nN En
Enesta
estaparte
partedel
delcristal
cristalse
se
1014 produce
produce una
una disminución
disminución
muy
muy fuerte
fuerte de de los los
1012 nP pN
minoritarios
minoritarios
1010 jtotal jn difusión + jp difusión
nPV pNV
108 Corriente total fuerte debida a difusión, que varía mucho con la tensión
directa (V>0) aplicada 71
-1m 0 1m
ATE-UO PN 37 ATE-UO PN 102
LLZTO
ZT Relaciones entre , y VO Ejemplo 1 con polarización directa
con polarización directa
Zona P
Zona P
-- + ZonaNN
Zona V=180mV
VOV-V
O
ext
VVUu=0.31
=0,13 VV
Vext (x)
+-
•Menos
•Menoscarga
cargaespacial
espacial PP -+ NN
x
•Menor
•Menorintensidad
intensidadde
de 0.313m
0,215m
campo
campo varios mm
•Menor
•Menorpotencial
potencialde
de
(x) x 1016
Portad./cm3
contaco pP nN En
contaco Enesta
estaparte
partedel
delcristal
cristalse
se
1014 nPV pNV produce
produce unun aumento
aumento muy
muy
-max fuerte
1012 nP pN fuertede
delos
losminoritarios
minoritarios
-maxO
1010
-1m 0 1m
VU(x)
VO
VO-Vext x ATE-UO PN 28
ATE-UO PN 36
i [mA]
1
-
(exponencial)
i [A]
0 0
-0,25 0,25 V [Volt.] -0,5 eV
i is e 1
V [Volt.]
kT
-0,8
* Fuente: www.fis.puc.cl/~spm/public/ fiz3600/2001/mp-JorgePinochet.pdf
(constante)
Lic. Héctor Valdivia M. 75
ATE-UO PN 62
V ID Curva Real
curva característica
Curva Idealizada
Cátodo
- V
Diodos Diodos
Efecto fotovoltaico (I) Luz
Luz (Eluz = h·)
i • Permite convertir corriente
+ sin luz alterna en corriente continua.
N
P i
V N
– Ej: Rectificador de Media Onda
- VCarga
- +
V
+
v
+
GL=0 t t
GL1
+
-
GL2
GL3 RCarga
-
-
+
-
t
Ev
- - nN
pP
Ec
Vcarga
Electrones de valencia
Ev
t
pN
RCarga
Corriente casi exclusivamente debida a electrones de valencia que
atraviesan la zona de transición por efecto tunel
78 Lic. Héctor Valdivia M. 80
Fuente: ATE-UO PN 107
Tipos de transistores
Diodos PNP
BJT NPN
Fuente de Voltaje:
Es una aplicación del Circuito Rectificador de Canal P
Onda Completa: JFET Canal N
MESFET
FET Canal N Canal P
Acumulación
Vcarga MOSFET Canal N
V
Deplexión Canal P
t R t Canal N
Portad./cm3
•La salida se comporta como: pE =1015
pC =1014
1012
•Fuente de corriente controlada (zona lineal o activa).
•Corto circuito (saturación). escala
108 pB =107 logarítmica
•Circuito abierto (corte). nC=106
nE =105
104
ATE-UO Trans 03 1m ATE-UO Trans 06
Resumen Transistor
Zona Activa Zona de Corte Zona de Saturación
-IC -IC -IC
Estructura
VCB < 0
IC 0, IE 0 y VCB > 0 (VCE 0)
-IC ·IE y -IB (1-)·IE
-IC -·IB y IE -(1+)·IB IB 0 -IC V1/R
Transistor Transistor
Aplicació
Aplicación Amplificador:
Funcionamiento
Amplificador
• El voltaje en R2 se puede calcular en forma exacta aplicando las leyes de
Kirchhoff.
• Debe estar “polarizado”.
• Para que opere deben ser
• La característica de amplificación del transistor viene dada por su curva
proveídos voltajes de
característica:
encendido (turn-on) de tal
forma que la corriente pueda
fluir desde o hacia la base.
• La base y el emisor
funcionan como un diodo pn
de silicio. Luego el voltaje
base emisor VBE:
V BE 0 .7 V Configuración Básica
Lic. Héctor Valdivia M. 93 Lic. Héctor Valdivia M. 95
Transistor
Amplificador:
Funcionamiento
I E I C I B ( 1) I B
• Los condensadores de acoplamiento C1 y C2 bloquean la corriente
continua y dejan pasar la alterna, la cual se desea amplificar.
•Siendo IB<<IR2 : V R
VR2 CC 2
R1 R 2
Lic. Héctor Valdivia M. 94