ESCUELA SUPERIOR POLITCNICA DE CHIMBORAZO

FACULTAD: INFORMTICA Y ELECTRNICA

ESCUELA INGENIERA ELECTRNICA EN CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
CARRERA: INGENIERA EN ELECTRNICA, CONTROL Y REDES INDUSTRIALES
GUA DE LABORATORIO DE ELECTRNICA
PRCTICA No. 1- DISPOSITIVOS DE 4 CAPAS

DATOS GENERALES:
NOMBRE: (estudiante(s)

CODIGO(S): (de estudiante(s)

Jhonatan Coronel

651

Tatiana Saquinga

636

GRUPO No.: .

FECHA DE REALIZACIN:
14/04/16

FECHA DE ENTREGA:
20/04/16

OBJETIVO(S):
2.1.

GENERAL

Implementar circuitos con dispositivos de cuatro capas para analizar su funcionamiento.

2.2.
-

ESPECFCOS
Disear circuitos con dispositivos de 4 capas en Multisim para comparar los
resultados medidos en la prctica.
Visualizar las grficas de los circuitos en el osciloscopio y analizar cada una de
ellas.

METODOLOGA
Para la presente practica de dispositivos de 4 capas utilizamos el osciloscopio para
poder observar cada una de las grficas y comportamientos de los mismos, tambin se
utiliz el programa Multisim con el cual podemos disear los circuitos presentados en la
clase y poder comprobar los resultados obtenidos en el laboratorio.
EQUIPOS Y MATERIALES:
Materiales para prctica dispositivos de 4 capas
Elementos resistivos:

1 resistor 470 Ohm watt

1 resistor 2.2 k Ohm watt

1 resistor 1.8 k Ohm 2 watts

1 resistor 27 k Ohm watt

1 resistor 2 k Ohm watt

2 resistor 1 k Ohm watt

1 resistor 47 k Ohm watt

1 resistor 68 ohm watt

1 potencimetro 5 k Ohm 1 watt

1 resistor 100 Ohm 1 watt

1 potencimetro 100 k Ohm 1 watt

1 resistor 10 k Ohm watt

Elementos semiconductores

1 diodo rectificador 1N4001

2 SCR 2N6397 o equivalente (5 amperios)

1 TRIAC BT136 o equivalente

1 UJT 2N2646
Capacitores

0.22 uF electroltico a 25 V

0.01 uF electroltico a 25 V
Otros

1 fusible Amperio

1 porta fusible con los extremos soldados a alambres de timbre para introducir en
la protoboard

1 transformador de 110: 12 Vrms

1 multmetro con puntas de medicin en buen estado

1 Osciloscopio con dos puntas de medicin en buen estado

MARCO TEORICO:
DISPOSITIVOS DE 4 CAPAS
Una familia de dispositivos conocidos como tiristores se construye con cuatro capas
semiconductoras (pnpn). Estos dispositivos actan como circuitos abiertos capaces
de soportar cierto voltaje nominal hasta que son disparados. Cuando son disparados,
se encienden y se convierten en trayectorias de baja resistencia para la corriente y
permanecen as, incluso despus de que desaparece el disparo.
La palabra tiristor viene del griego y significa puerta, puesto que se comporta como
una puerta que se abre y permite el paso de corriente a travs de ella. Un tiristor es un
dispositivo semiconductor que utiliza realimentacin interna para producir un nuevo
tipo de conmutacin. Al igual que los FET de potencia, el SCR y el triac pueden
conmutar grandes corrientes. Por ello, la principal aplicacin de estos dispositivos es el

control de grandes corrientes de carga para motores, calentadores, sistemas de

iluminacin y otras cargas semejantes. En s, el tiristor es un conmutador casi ideal,
rectificador y amplificador a la vez, el tiristor es un componente idneo en electrnica
de potencia. El Triac por su parte no es sino la variante bidireccional. [1]
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)
El SCR es un dispositivo de cuatro capas, posee tres terminales: nodo, ctodo y
puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin:
abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.
Equivalente

Smbolo esquemtico

Curva de funcionamiento
ENCENDIDO DEL
El SRC se
de corriente a
encienden (el
APAGADO
Cuando
la
de

SCR

enciende cuando se aplica un pulso (disparo) positivo

la compuerta, ambos transistores se
nodo debe ser ms positivo que el ctodo).
DEL SCR
compuerta regresa a 0 V una vez que cesa el pulso
disparo, el SCR no puede encenderse
permanece en la regin de conduccin en
directa. La corriente en el nodo se reduce por
debajo del valor de la corriente de retencin,
I
H, para que prenda otra vez.
Caractersticas
y
valores
nominales de un
SCR
Voltaje de ruptura en directa , VBR(F): ste es el voltaje al cual el SCR entra a la regin
de conduccin en directa.
Corriente de retencin, IH: ste es el valor de la corriente en el nodo por debajo del
cual el SCR cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de bloqueo en
directa.
Corriente de disparo en la compuerta, I GT: ste es el valor de la corriente en la
compuerta necesario para cambiar el SCR de la regin de bloqueo en directa a la
regin de conduccin en directa
Corriente en directa promedio, IF(prom): sta es la corriente mxima en forma continua
en el nodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de conduccin.
Regin de conduccin en directa: Esta regin corresponde a la condicin encendido del
SCR
Regiones de bloqueo en directa y en inversa: Estas regiones corresponden a la
condicin apagado del SCR

Voltaje de ruptura en inversa , VBR(R): Este parmetro especifica el valor de voltaje en

inversa del ctodo al nodo al cual el dispositivo irrumpe en la regin de avalancha y
comienza a conducir en exceso. [2]
EL TRIAC
Este dispositivo es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos, su
terminal de puerta se lo denomina (Gate). Se puede disparar mediante un pulso de
corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO. En la curva caracterstica se
indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas
en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de
ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor
corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, hay
que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.
Construccin bsica y smbolo
Curva de funcionamiento

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El
triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la
carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que
se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera
que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos. [3]
UJT
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor (transistor
uniunn), con las que se designa un elemento compuesto de una barra de silicio tipo N
de cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B2 ) Y base 1 (BI). Esta barra de
silicio consta de un grado de dopado caracterstico que le proporciona una resistencia
llamada resistencia interbases (RBB).[3]

Construccin bsica y smbolo

Circuito equivalente

Curva caracterstica
Resistencia entre las bases:
r BB =r B 1 +r B 2
El valor de V R '1 vara inversamente a
la corriente en el emisor I E , y por
consiguiente, se muestra como un
resistor variable.
r B1
V R ' 1=
V BB
r BB
Relacin de separacin intrnseca:
r
= B 1
r BB

( )

El valor del voltaje en el emisor que hace que la unin se polarice en directa se llama
V p (Voltaje de punto pico) y se expresa como:
V p= V BB +V pn
Cuando V EB 1 alcanza V p , la unin pn se polariza en directa e I E se inicia.
Se inyectan huecos en la barra tipo n proveniente del emisor tipo p. Este incremento de
huecos provoca un incremento de los electrones libres, incrementndose as la
conductividad entre el emisor y B1 (y se reduce). Una vez que se activa, el UJT opera
en una regin de resistencia negativa hasta un cierto valor de I E , como se muestra
en la curva caracterstica. Como se puede ver, despus del punto pico (
V E =V P e I E=I H ). V E Se reduce a medida que I E continua incrementndose, lo
que produce la caracterstica de resistencia negativa. Ms all del punto en el valle (
V E =V V e I E=I V ), el dispositivo est en saturacin y V E se incrementa muy poco
con una I E que aumenta.
PROCEDIMIENTO:
SCR

Implementamos un circuito con un SCR en un protoboard utilizando un transformador

110V-12V para el cual encontramos los voltajes V 1gnd y V 2gnd y las grficas de
las mismas
Implementacin
Grafica V 1gnd

Implementacion

Grafica V 2gnd

TRIAC
Mediante el uso de un Triac BT136, un potencimetro, implementamos el circuito y
medimos el voltaje en la carga 100 ohmios y obtuvimos forma de onda.
Circuito implementado
Grafica

Al manipular el potencimetro se observa que la forma de onda se reduce o se hace

ms grande y la forma de onda medido en el Triac queda de la siguiente manera:

UJT
Al implementar el tercer circuito utilizando un UJT observamos que las grficas
cambian en cada punto o pin del UJT
Implementacin

Forma de onda en:

e , V R 1 , V R 2 Respectivamente.

RECOLECCION DE DATOS
SCR
Voltaje
V 1gnd
V 2gnd

Valores medidos
5.34V
5.31V

Valores simulados
6.026V
9.136V

UJT
Voltaje
Emisor
VR1
VR2

Valores medidos
6.13V
12.71V
158.9mV

Valores simulados

ANLISIS, GRFICAS E INTERPRETACIN DE RESULTADOS.

Voltajes medidos

SCR v1-GND

En esta grafica observamos que el comportamiento de la seal en el circuito simulado

se comporta de una manera similar a la realizada en la prctica, adems sabemos que
variando el potencimetro va cambiar la frecuencia de la onda.
SCR v2-GND

Podemos observar que la parte negativa de la onda se forman una especie de picos
que son consecuencia de la parte recortada en en V1.
TRIAC
V_Carga

Esta grafica corresponde al voltaje que cae sobre la carga de 100 ohmios del circuito,
este pico es consecuencia de la descarga del capacitor, en comparacin a la grfica
obtenida experimentalmente podemos decir que en la prctica es poco apreciable,
dado que los tiempos de descarga del capacitor pueden variar del ideal.
V_terminales

Esta grafica corresponde a la cada de tensin en los terminales del triac, se observa
claramente el instante en el cual se produce la descarga del capacitor, en la forma
experimental no se muestra como una cada vertical sino un poco mas inclinado dado
que se producen variaciones de los dispositivos ideales utilizados en la simulacin.
OBSERVACIONES
Para la prctica se utilizaron transistores de comportamiento similar a los simulados
dado que no pudimos conseguir los necesarios.
Los valores medidos difieren de los simulados, dado a la tolerancia de los elementos
resistivos y a la variacin en el voltaje de entrada entregado por el transformador.

CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

El transistor SCR necesita un voltaje de disparo para ser accionado y adems

mantener una corriente mnimas para seguir en ese estado, de lo contrario se
apaga, adems solo se activa con un pulso positivo, en la parte negativa se
comporta como un diodo normal.
El transistor TRIAC tiene la diferencia con el SCR que este se activa con
diferentes niveles de voltaje en la puerta, adems se activa en ambos sentidos
de la seal, tanto positivo como negativo.
El transistor UJT acta con un voltaje pico, una vez alcanzado este pico se
trabaja con una resistencia negativa hasta alcanzar lo conocido como zona de
valle.

RECOMENDACIONES

Conocer el Datasheet correspondiente a cada elemento para poder conectar

cada pin en el lugar correspondiente y evitar que su funcionamiento no sea el
deseado.
Medir el valor de ingreso dado por el transformador utilizado, ya que esto
producir variaciones de los resultados deseados y calculados.

BIBLIOGRAFA:
BOYLESTAD, R. (2009) ELECTRONICA: TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS, Prentice Hall, Dcima Edicin
Colocar toda la bibliografa en formato APA pueden utilizar el ejemplo citado
[1]. Scribd, dispositivos de cuatro capas, recuperado a partir de:
https://es.scribd.com/doc/61823602/Dispositivo-de-Cuatro-Capas
[2]. Thomas Floyd, Electronica, Dispositivos Electrnicos, Octava Edicion.
[3]. Electrnica de Potencia, tiristores, recuperado a partir de:
http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/enica_pot.html
ANEXOS
CIRCUITO UTILIZANDO SCR

Imagen 1: Circuito SCR simulado en Multisim.

Imagen 2: Circuito SCR realizado en protoboard.

CIRCUITO UTILIZANDO TRIAC

Imagen 3: Circuito TRIAC realizado en protoboard.

Imagen 4: Circuito TRIAC simulado en Multisim.