ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRNICA

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

TRABAJO PREPARATORIO

DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

TEMA: Transistor de Efecto de Campo

Realizado por:

Alumno: CRISTIAN TIXE

Grupo:

PRACTICA # 10

Fecha de entrega: __2016__ / __07__ / __22__

______________________
ao
mes
da
Sancin:

f.
Recibido por:

________________________________________________

Semestre:
Mar - Ago. 2016

Objetivo:
Analizar e implementar un circuito de polarizacin para JFET.

Analizar e implementar un amplificador usando JFET.

PREPARATORIO:
1. Consultar las principales caractersticas de los transistores de efecto de
campo y presentar un cuadro con las semejanzas y diferencias entre este tipo
de transistores y los de juntura bipolar.
El JFET siempre opera con la unin pn de compuerta-fuente polarizada en
inversa. La polarizacin en inversa de la unin de compuerta-fuente con voltaje
negativo en la compuerta produce una regin de empobrecimiento a lo largo de
la unin pn, la cual se extiende hacia el canal n, y por lo tanto, incrementa su
resistencia al restringir el ancho del canal.
El ancho del canal y, consecuentemente, su resistencia pueden controlarse
variando el voltaje en la compuerta, controlando de esa manera la cantidad de
corriente en el drenaje, ID.

TBJ: controlado por corriente, puede manejar altas frecuencias y potencias,

usos interruptores amplificadores y comunicaciones.
JFET: controlado por voltaje, involucra una fabricacin de sustrato, dixido de
silicio como aislante y metal para las terminales, consume poca potencia, uso
en el rea digital, puede fabricarse en tamaos minsculos todos los
microprocesadores estn hechos a base de fet donde puedes encontrar en un
chip millones de estos transistores, como la corriente el mnima la potencia y
calentamiento tiende a cero. Adems tiene la cualidad de tener una zona donde
se comporta como resistencia por lo tanto en circuitos integrados se puede
usar para suplir a las resistencias porque son ms pequeos que las
resistencias. Tienen tiempos de conmutacin ms rpidos que los TBJ.
2. Revisar las hojas de datos de los dispositivos 2N3819, 2N3821, 2N3823 y
presentar un cuadro con los valores de los parmetros ms importantes.
Estructura del transistor: JFET 2N3819

Tipo de control de canal: N

Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.35
Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 25
Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 8
La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.05
Temperatura mxima (Tj), C: 150
Tiempo de subida (tr), nS:
Capacidad de flujo (Cd), pF:
Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
Caso: TO-92
Estructura del transistor: JFET 2N3819
Estructura del transistor: JFET
Tipo de control de canal: N
Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.3
Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 50
Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 2
La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.01
Temperatura mxima (Tj), C: 200
Tiempo de subida (tr), nS:
Capacidad de flujo (Cd), pF:
Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
Caso: TO-72_TO-206AF
Estructura del transistor: JFET 2N3823

Estructura del transistor: JFET

Tipo de control de canal: N

Potencia mxima disipacin de flujo constante (Pd) del transistor, W: 0.3
Tensin de ruptura drenaje-fuente (Uds), V: 30
Umbral de tensin compuerta-fuente (Ugs), V: 7.5
La puerta de la corriente mxima del transistor (Id), A: 0.01
Temperatura mxima (Tj), C: 200
Tiempo de subida (tr), nS:
Capacidad de flujo (Cd), pF:
Escurra-fuente de resistencia en el estado ON (Rds), Ohm:
Caso: TO-72_TO-206AF
3. Resolver la polarizacin del siguiente circuito:

VG=
ID=

R2
xVDD
R 1+ R 2

VDDVD
RD

VS=IDxRS
IG=0
ID=IDS
VGS=VG-IDxRS

4. Resolver el siguiente circuito en DC y AC, dibujar los voltajes de salida:

VD=17V
ID=3.6mA
VG=3V
VGS=-3.48V
VS=6.48V
VI=VGS+VS=9.48V
gm=0.56
rs=1/gm=1.8
AV=-RD||RL/rs=-472
5. Simular los circuitos del preparatorio.

15M
20V

C2

1uF

R5
BAT1

A
10uF

C3

Volts

1.8k

390k

Volts

VSINE

V1

1uF

C1

+3.00

R4

+3.40

R2

2N3819

Q1

Volts

850
2.2M

+3.07

R1
R3

6. Presentar los voltajes de polarizacin y las grficas.

ANEXO1
BIBLIOGRAFA:
[1] Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos, Boylestad, Nashelsky
[2] Dispositivos Electrnicos, Thomas Floyd
[3] Dispositivos y Circuitos Electrnicos, Donald Neamen