FIJA Y POR DIVISOR DE VOLTAJE

POLARIZACION
Torres Moreno Jes
us, Perez Lopez Jose Manuel
POR
3. CIRCUITO DE POLARIZACION
AbstractIn this document we will determiDIVISOR DE VOLTAJE
nate the gain(hfE) for a fixed and voltage divisor polarization, with many math operations we
will find the resistances to configure the circuits Con este tipo de polarizacion la estabilidad del punto Q
Keywords hfE, Fixed polarization, Voltage es mucho mejor, es decir a medida que el transistor este
trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendr
an
divisor polarization
casi inalterables. Es por esta razon que este tipo de

polarizacion es la mas utilizada cuando se trata de di1. INTRODUCCION

se
nar un amplificador. Las condiciones de polarizaci
on
El transistor bipolar es el m
as com
un de los transisto- las fijaremos de la siguiente manera:
res, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
En ambos casos el dispositivo tiene 3 patillas y son: el
emisor, la base y el colector. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direcci
on del flujo de la
corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el
gr
afico de cada tipo de transistor. Los transistores tienen como funci
on principal la amplificaci
on de se
nales,
para lograr este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicaci
on de voltajes DC en
sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a traves de
circuitos de polarizaci
on, los cuales garantizan que el
transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su
recta de carga en su zona activa.
2

FIJA
2. CIRCUITO DE POLARIZACION
Este circuito es el m
as sencillo de todos los circuitos
de polarizaci
on. La resistencia Rc limita la corriente
m
axima que circula por el transistor cuando este se
encuentra en saturaci
on, mientras que la resistencia de
base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la
base del transistor (IB), la cual determina en que zona
se polarizar
a el transistor (saturaci
on, activa o corte).
Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias
podremos determinar con exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencion
o al inicio, lo
que se busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr esto debemos
hacer uso de ecuaciones caractersticas del circuito.

Figura 2: Polarizacion por divisor de voltaje

Al hacer esto, estamos ubicando el punto Q en la mitad
de la recta de carga, lo cual nos permite obtener m
axima excursion simetrica en la salida (esto es adecuado
en amplificadores de clase A).En la terminal de base
existen dos mallas por lo que se empleara el teorema
de Thevenin para simplificar a una sola malla
4. ECUACIONES
Polarizacion fija:
RB =

VCC V BE
2VCE VBE
=
....,1
IB
IB
VCC = (RA IB ) + VBE ....,2

IC
....,3
hf E
VCC VCE
VCE
RC =
=
....,4
IC
IC
Polarizacion por divisor de voltaje:
IB =

IC = IE ....,5
Figura 1: Polarizaci
on fija

VCC = 2VCE ....,6

1

VC = VCC VE VCE ...,7

RC =

VC
....,8
IC

RE =

VE
....,9
IE

RT H << RE hf E(0,1)....,10
Figura 5: Corriente de colector

VT H = VE + VBE + IB RT H ....,11
R1 =

RT H VCC
....,12
VT H

R2 =

RT H
....,13
H
1 VVTCC

hf E =

IC
19,4
=
= 194
IB
0,1

Polarizaci
on por divisor de voltaje:
IC = 10mA

5. CALCULOS
Y RESULTADOS

VCE 6V

Polarizaci
on fija:

VBE = 0,7V
hf E = 100
IC = 10mA

VE = 0,1VCC

VCE 6V

RC =?

VBE = 0,7V

RE =?

hf E = 100

R1 =?

RB =?

R2 =?
de la ecuacion 5

RC =?

IC = IE = 10mA

de la ecuaci
on 1
RB =

de la ecuacion 6

12 0,7
= 113K
0,0001

VCC = 2VCE = 12V

de la ecuaci
on 3

de la ecuacion 7

0,01
IB =
= 0,0001V
100

VC = 12 1,2 6 = 4,8
de la ecuacion 8

de la ecuaci
on 4
VC =

6v
= 600
0,01

RC =

4,8
= 480
0,01

RE =

1,2
= 120
0,01

de la ecuacion 9

de la ecuacion 10
RT H << (120)(100)(0,1) << 1200
de la ecuacion 11
Figura 3: Circuito polarizaci
on fija

VT H = 1,2 + 0,7 + (0,0001(1200))

de la ecuacion 12
R1 =

1200 12
= 7128
2,02

de la ecuacion 13
R2 =
Figura 4: Corriente de base
2

1200
= 1442
1 2,02
12

Figura 7: Corriente de colector

hf E =

IC
24,1
=
= 3,3 100 = 330
IB
7,3

6. CONCLUSIONES
Esta practica ha permitido demostrar la ganancia del
BJT en dos configuraciones distinas, obteniendo as valores distintos a los esperados, esto por diferentes factores que afectan al transistor, como la temperatura, o
errores en el mismo circuito como el caso de la inexactitud resistiva.

Figura 6: Corriente de base

Referencias
[1] L. R. Boylestad, Introducci
on al An
alisis de
Circuitos,Edit. Trillas, 2003.