ELECTRONICA DE POTENCIA I

CAPITULO 4

CIRCUITOS EXITADORES DE COMPUERTA

Ing. Deivis Jess Arias Alvarez

TEMAS:
TRANSFPORMADORES DE PULSO
OPTOACOPLADORES
CIRCUITO DE DISPARO PARA TIRISTORES

INTRODUCCIN

El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en dispositivos semiconductores
de potencia.
La salida de un convertidor depende de la forma en que el circuito de disparo excita los dispositivos de conmutacin
es una funcin directa de la conmutacin. Por consiguiente, las caractersticas del circuito de disparo son
elementos clave para obtener la salida deseada, y los requisitos de control de cualquier convertidor de
potencia.
El diseo de un circuito excitador requiere conocer las caractersticas de compuerta y las necesidades de
dispositivos como tiristores, tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unin (BJT),
transistores de efecto de campo metal xido serniconductor (MOSFET) y transistores bipolares de compuerta aislada
(IGBT).
La electrnica de potencia se usa cada vez ms en aplicaciones que requieren circuitos de activacin de
compuerta con control de avanzada, alta velocidad, alta eficiencia y que adems sean compactos, se disponen
en la actualidad circuitos integrados (CI) de activacin de compuerta estn disponibles comercialmente.

TRANSFORMADORES DE PULSOS

En forma bsica hay dos maneras de flotar o aislar la seal de control de compuerta con respecto a
tierra.

1. Transformadores de pulsos
2. Optoacopladores
Transformadores de pulsos
Los transformadores de pulsos slo tienen un devanado
primario, y pueden tener uno o ms devanados secundarios.
Con varios devanados secundarios se pueden tener seales
simultneas de compuerta para transistores conectados en serie
o en paralelo.
La figura muestra un arreglo de excitacin de compuerta
aislado por transformador.
El transformador deber tener:
-Inductancia de fuga muy pequea, y el tiempo de subida del pulso
de salida deber ser muy pequeo.
Con un pulso relativamente largo y con baja frecuencia de
conmutacin, el transformador se saturara y su salida se
distorsionara.

OPTOACOPLADORES
En los optoacopladores se combina un diodo emisor de luz infrarroja (ILED, de infrared light-emitting diode) y
un fototransistor de silicio. La seal de entrada se aplica al ILED y la seal de salida se toma del fototransistor.
Los tiempos de subida y bajada de los fototransistores son muy pequeos; los valores tpicos de tiempo de
encendido ton son de 2 a 5 S, y de tiempo de apagado toff son de 300 ns. Estos tiempos de encendido y
apagado limitan las aplicaciones en alta frecuencia.
En la figura se muestra un circuito de aislamiento de compuerta donde se usa un fototransistor. Este
fototransistor podra ser un par Darlington. Los fototransistores requieren suministro de potencia separado, y
aumentan la complejidad, el costo y el peso de los circuitos excitadores.

CIRCUITOS DE DISPARO PARA TIRISTORES

En los convertidores con tiristor, existen diferencias de potencial entre las diversas terminales. El circuito de
potencia est sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor que 100 V, y el circuito de compuerta se mantiene a
un voltaje bajo, de 12 a 30 V en forma tpica.
Se requiere un circuito de aislamiento entre un tiristor individual y su circuito generador de pulsos de compuerta.

Un optoacoplador podra ser un fototransistor, o un rectificador fotocontrolado de silicio

(fotoSCR). Un pulso corto a la entrada de un ILED D1 activa al foto-SCR T1 y se
dispara el tiristor de potencia TL' Este tipo de aislamiento requiere una fuente de
alimentacin separada, Vcc y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo.

TRANSFORMADORES DE PULSO
Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado a la base del transistor de conmutacin Q1, el transistor se satura,
y aparece el voltaje cd, Vcc, a travs del primario del transformador, induciendo un voltaje pulsante en el
secundario del transformador, que se aplica entre las terminales de compuerta y de ctodo del tiristor.
Cuando el pulso se retira de la base del transistor Q1, el transistor se apaga y se induce un voltaje de polaridad
contraria a travs del primario, y conduce el diodo Dm de corrida libre. La corriente debida a la energa
magntica disminuye hasta cero a travs de Dm. Durante esta disminucin transitoria, se induce el
correspondiente voltaje inverso en el secundario.

INCREMENTO DE LA DURACIN DEL PULSO

Se puede alargar el ancho de pulso conectando un capacitor c en paralelo con el resistor R.
El transformador conduce corriente unidireccional, y el ncleo magntico se puede saturar, limitando as el ancho
de pulso. Esta clase de aislamiento de pulso es adecuada en forma tpica para pulsos de 50 a 100 s.

En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el periodo de conduccin de un tiristor depende del
factor de potencia (FP) de la carga; por consiguiente, no est bien definido el inicio de la conduccin del tiristor.
En este caso con frecuencia es necesario disparar en forma continua a los tiristores.
Sin embargo, con un disparo continuo aumentan las prdidas en el tiristor. Un tren de pulsos es preferible y se puede
obtener con un devanado auxiliar. Cuando se enciende el transistor Q1 tambin se induce un voltaje en el devanado
auxiliar N3 en la base del transistor Q1, de tal modo que el diodo D1 se polariza en sentido inverso y Q1 se apaga.
Entre tanto, el capacitor C1 se carga a travs de R1 y enciende de nuevo a Q1. Este proceso de encendido y apagado
contina mientras haya una seal de entrada V1 al aislador.

En lugar de usar el devanado auxiliar como oscilador de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos con
una compuerta lgica AND. En la prctica, la compuerta AND no puede encender en forma directa al transistor
Q1, y se conecta una etapa de acoplamiento, en el caso normal, antes del transistor.

La salida de los circuitos de compuerta se conecta, en el caso normal, entre la compuerta y el ctodo junto con otros
componentes protectores de compuerta.
El resistor Rg aumenta la capacidad de la tasa dv/dt del tiristor, reduce el tiempo de apagado y aumenta las corrientes
de sujecin y de enganche.
El capacitor Cg elimina los componentes de ruido de alta frecuencia, y aumenta la capacidad de la tasa dv/dt y el tiempo
de retardo de la compuerta.
El diodo Dg protege a la compuerta contra voltaje negativo. Sin embargo, para los rectificadores asimtricos controlados
de silicio, SCR, es preferible tener cierta cantidad de voltaje negativo en la compuerta para mejorar la capacidad de dv/dt
y tambin para reducir el tiempo de apagado.
Todas estas funciones se pueden combinarse, donde el diodo D1 permite slo pulsos positivos R1 amortigua toda
oscilacin transitoria, y limita la corriente de compuerta.

CONSIDERACIONES GENERALES

Al aplicar una seal de pulso se activa un tiristor.

Se debe aislar el circuito de compuerta, bajo nivel de potencia, del circuito de potencia, alto nivel,
empleando tcnicas de aislamiento.
Se debe proteger a la compuerta contra el disparo por una seal de alta frecuencia o de
interferencia.

BIBLIOGRAFA
BIBLIOGRAFA BASE
[1] E. Ballester; R. Piqu, "Electrnica de Potencia: Principios Fundamentales y
Estructuras Bsicas", Mxico, Alfaomega, 2012.

BIBLIOGRAFA COMPLEMENTARIA
[2] A.M. Trzynadlowski, Introduction to modern Power Electronics, John Wiley &

Sons, 2010.
[3] H. Yoshihide, Handbook of Power Systems Engineering with Power Electronics
Applications, Wiley, 2013.

[4] G. Enriquez Harper, Electrnica de Potencia Bsica, Limusa, 2010

[5] MUHAMMAD H. RASHID, Electrnica de Potencia, Circuitos, Dispositivos y
Aplicaciones, Tercera Edicin, Editorial Prentice Hall, Mxico, 2004.