Eletrnica Bsica I

EELI10
Prof. Renan Kozan

Aula 2

TEORIA DOS SEMICONDUTORES

Caractersticas eltricas dos materiais

Considera-se como caracterstica dos materiais a

propriedade destes em conduzir a corrente eltrica com
maior (ou menor) facilidade.
Relacionado sua resistividade:

RESISTIVIDADE

CONDUTIVIDADE

Sendo assim existem trs tipos diferentes de materiais:

Condutores;
Isolantes; e
Semicondutores.

Caractersticas eltricas dos materiais

Considera-se como caracterstica dos materiais a

propriedade destes em conduzir a corrente eltrica com
maior (ou menor) facilidade.
Relacionado sua resistividade:

RESISTIVIDADE

CONDUTIVIDADE

Sendo assim existem trs tipos diferentes de materiais:

Condutores;
Isolantes; e

Semicondutores.

Caractersticas eltricas dos materiais

Material condutor
qualquer material que sustenta um grande fluxo de
carga ao se aplicar uma fonte de tenso de amplitude
limitada atravs de seus terminais.
Material isolante
qualquer material que oferece um nvel muito baixo
de condutividade quando submetido a uma fonte de
tenso.

Material semicondutor
possui um nvel de condutividade entre os extremos de
um isolante e de um condutor.

Coeficiente de Resistividade
+

V = RI (a condutividade est
relacionada com a resistncia de um
material)
resistividade

rL

A
L

O coeficiente trmico da resistividade

de um semicondutor negativo (T, )

Material

Classificao

Resistividade (r)

Cobre

Condutor

10-6 [W.cm]

Mica

Isolante

1012 [W.cm]

Silcio (Si)

Semicondutor

50103 [W.cm]

OS SEMICONDUTORES

Os Semicondutores
Existe uma grande variedade de materiais semicondutores:
Silcio Si;
Germnio Ge;
Arseneto de Glio GaAs, etc.

Tetravalentes - Possuem 4
eltrons na ltima camada;
Trivalentes - Possuem 3
eltrons na ltima camada;
Pentavalentes - Possuem 5
eltrons na ltima camada;

Os Semicondutores

Qual o material semicondutor mais utilizado

na fabricao de dispositivos eletrnicos?

20 a 30% da crosta terrestre;

Fcil de fabricar com grande pureza.

Este curso ser focado no Silcio, porm, todos os aspectos qualitativos mencionados
podem ser estendidos a qualquer outro material semicondutor.

O Silcio

tomo Isolado de Si
Modelo de Bohr
Ncleo

Estrutura
eletricamente neutra
14 e- = 14p

rbita de valncia
Mais importante

DETERMINA AS PROPRIEDADES
QUMICAS E ELTRICAS DO
MATERIAL

O tomo de Si tetravalente (possui 4e- na rbita de valncia)

O Silcio
Os eltrons da rbita de valncia podem ser liberados atravs do
fornecimento de energia (por exemplo calor e luz)
Quanto maior a rbita do eltron maior ser sua energia potencial
(em relao ao ncleo)
Os tomos tendem buscar a estabilidade
qumica completando todos os seus nveis
de energia.
No caso do silcio, so necessrios
mais 4 eltrons.

Ncleo

O Silcio
Os quatro eltrons que faltam so conseguidos atravs do compartilhamento dos
eltrons da ltima camada de outros tomo. Este tipo de ligao conhecida como
LIGAO COVALENTE.
Ligao
Covalente
Ncleo

Em um cristal puro os 4 eltrons de

valncia esto ligados a 4 tomos

rbita de
Valncia

O Silcio
Quando os tomos do Si se combinam para formar um slido, eles
so arranjados periodicamente segundo um padro ordenado
chamado cristal.

O cristal de Si tem estrutura de

diamante tridimensional

O Silcio

As Impurezas

Durante o processo de fabricao, os materiais

semicondutores so cuidadosamente refinados para se
obter a reduo de impurezas a um nvel muito baixo.
Esses semicondutores puros so conhecidos como
MATERIAIS INTRNSECOS.
A obteno de semicondutores intrnsecos pode apresentar
um grau de pureza de 1:1010
1:10.000.000.000
Uma parte de impureza a cada 10 bilhes de partes!!

O Silcio Instrnseco
Silcio intrnseco
O cristal de silcio eletricamente neutro
Nenhuma carga foi retirada ou introduzida

Semicondutores
O semicondutores tem suas caractersticas eltricas
modificadas em funo da:
Dopagem;
Temperatura; e
Luz (dispositivos especializados sensores p.ex.);

Gerando os portadores livres sensveis a campos eltricos

Atualmente, os semicondutores so amplamente utilizados
para a fabricao dos dispositivos de estado slido (diodos,
transistores, etc);

NVEIS DE ENERGIA

Pergunta:

Como um material semicondutor pode se

comportar como isolante e condutor?

Nveis de Energia
A energia total de um eltron pode ser identificada pela
camada na qual ele orbita.
Cada raio possui um nvel
de energia equivalente

Ncleo

Nveis de Energia
Os eltrons apresentam nveis discretos de energia ocupando somente
rbitas bem definidas em relao ao ncleo, existindo um gap (regio
proibida) entre as rbitas
A energia E para o eltron ir
da rbita inferior para a rbita
superior deve ser maior ou
igual ao GAP

A energia E fornecida pode

ser na forma de calor ou luz
Para voltar a rbita anterior, o
eltron deve liberar a energia
E armazenada (liberao na
forma de calor ou luz)

Nveis de Energia para os semicondutores

O calor (energia trmica GAP
25C = temperatura ambiente)
rompe algumas ligaes covalentes
gerando portadores livres.
Os eltrons adquirem energia
suficiente para sair da banda de
valncia, atravessar o GAP de
energia e entrar na banda de
conduo (para o silcio intrnseco
1,51010 portadores/cm3);

ELT009 - Eletrnica Analgica I

Aula 2 - Teoria dos semicondutores

22

Nveis de Energia para os semicondutores

No espao deixado pelo eltron
surge uma LACUNA;

LIVRE
O termo livre revela que o movimento
do eltron bastante sensvel a campos
eltricos aplicados como os
estabelecidos pelas fontes de tenso ou
qualquer diferena de potencial.
Quanto menor Eg maior o nmero de
portadores livres.

Nveis de Energia para os semicondutores

Temperatura de 0 K

Acima de 0 K

Recombinao

Gerao Trmica de Pares de Eltron-Lacuna

O reestabelecimento da ligao
covalente (eltron encontra a
lacuna) recebe o nome de
recombinao
Eltron deve perder energia (calor ou luz);

Para uma temperatura ambiente

constate existe um equilbrio
Gerao de pares eltrons-lacunas igual
a quantidade de recombinaes

Pergunta :

Como um material semicondutor pode se

comportar como isolante e condutor?

Desfazer o equilbrio entre a gerao

de pares eltrons-lacunas e a
quantidade de recombinaes
Como?

Nveis de Energia para os Materiais

Isolante

Semicondutor

Condutor

DOPAGENS E MATERIAIS
EXTRNSECOS

Materiais Extrnsecos do Tipo N e P

As caractersticas dos materiais semicondutores podem ser
consideravelmente alteradas pela adio de determinados tomos de
impurezas no material semicondutor puro;
Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem
chamado de material extrnseco;
Dopagem a insero de impurezas no material de forma
controlada;

H dois materiais extrnsecos imprescindveis para a fabricao de um

dispositivo semicondutor:
Material do tipo N
Material do tipo P

Material Tipo N

Material Tipo N
O material do tipo n criado com a
introduo dos elementos de
impureza que tem cinco eltrons
de valncia (pentavalente) como
antimnio, arsnio e fsforo;
As ligaes covalentes ainda esto
presentes e o quinto eltron est
relativamente livre para se mover.

As impurezas difundidas com

cinco eltrons de valncia so
chamados de tomos doadores;

Material Tipo N
Banda de Conduo
0,05 [eV]
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Doadores

A dopagem acrescenta um nvel

discreto de energia (chamado nvel
doador) na banda proibida com um
Eg bem menor do que o material
intrnseco.

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

Banda de Valncia

O aumento da concentrao de eltrons

na banda de conduo aumenta a
condutividade do material

Eltrons livres devido impureza

adicionada se estabelecem nesse
nvel de energia e tm menos
dificuldade para absorver uma
quantidade suficiente de energia
trmica para mover-se em direo a
banda de conduo temperatura
ambiente.

Material Tipo N

Banda de Conduo
0,05 [eV]
1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Doadores

Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

Banda de Valncia

A maioria dos eltrons na banda de

conduo surgiu como consequncia da
dopagem. As lacunas na banda de
valncia foram produzidas pelo
processo de gerao trmica.

Material Tipo P

Material Tipo P
O material do tipo p criado com a
introduo dos elementos de
impureza que tem trs eltrons de
valncia como boro, glio e ndio;
H um nmero insuficiente de
eltrons para completar as ligaes
covalentes. A lacuna resultante
aceitar rapidamente um eltron
livre.
As impurezas difundidas com trs
eltrons
de
valncia
so
chamados de tomos aceitadores

Material Tipo P

Banda de Conduo
Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Aceitadores

0,05 [eV]
Banda de Valncia

A dopagem acrescenta um nvel

discreto de energia (chamado nvel
aceitador) na banda proibida com
um Eg bem menor do que o material
intrnseco.

Material Tipo P

Banda de Conduo
Gerao Trmica - Pares Eltron-Lacuna

1,1 [eV]

Nvel de Energia dos Aceitadores

0,05 [eV]
Banda de Valncia

A maioria das lacunas na banda de

valncia surgiu como consequncia da
dopagem. Os eltrons na banda de
conduo foram produzidas pelo
processo de gerao trmica.

Fluxo de Eltrons versus Lacuna

O movimento da lacuna no sentido contrrio ao do eltron. Sendo

assim, ela pode ser modelada como um portador de carga positiva.

Material Tipo N

Os eltrons esto em maioria e so ditos portadores majoritrios.

As lacunas esto em minoria e so chamadas de portadores
minoritrios.
Quando o quinto eletron deixa o tomo de origem, o tomo adquire uma
carga positiva (ons doadores)

Material Tipo P

Os eltrons esto em minoria e so ditos portadores minoritrios.

As lacunas esto em maioria e so chamadas de portadores

majoritrios.
Quando a lacuna deixa o tomo de origem, o tomo adquire uma carga
negativa (ons aceitadores)

Material Tipo N X Material Tipo P

A mobilidade dos eltrons livres na banda de conduo de 2 a 3 vezes

maior do que na banda de valncia
No material do tipo P muitos eltrons na banda de conduo
No material do tipo N muitas lacunas na banda de valncia

Desse modo a mobilidade das lacunas inferior mobilidade dos eltrons.

Concluso

Material do Tipo N
Mais prximo de um condutor

Material do Tipo P
Mais prximo de um isolante