Artigo de reviso de literatura

O Microscpio de Fora Atmica (AFM): importante ferramenta no

estudo da morfologia de superfcies na escala nanomtrica
Erveton Pinheiro Pinto1, Glenda Quaresma Ramos2 e Henrique Duarte da
Fonseca Filho3
1 Graduado em Licenciatura em Fsica pela Universidade Federal do Amap (2013). E-mail: pinheiro.everton@yahoo.com.br
2 Graduada em Cincias biolgicas pela Universidade Federal do Amap, Brasil. E-mail: gq.ramos@hotmail.com
3 Graduado em Fsica pela Universidade do Estado do Rio de Janeiro (2001), mestrado em Fsica pela Pontifcia Universidade
Catlica do Rio de Janeiro (2004) e doutorado em Fsica pela Pontifcia Universidade Catlica do Rio de Janeiro (2008). Atualmente professor Adjunto II da Universidade Federal do Amap. E-mail: hdf_filho@unifap.br

RESUMO: O surgimento do Microscpio de Fora Atmica (AFM)

promoveu um grande impacto na Cincia, de uma forma geral, devido a sua capacidade de gerar imagens com resoluo atmica, proporcionando o estudo da morfologia de superfcies, condutoras ou
no, em escala nanomtrica. Alm disso, o AFM no exige uma preparao prvia das amostras a serem estudadas, possuindo apenas
uma limitao no tamanho das mesmas devido ao porta-amostras.
Um breve histrico, desde o surgimento deste microscpio at os dias atuais, e uma abordagem mais aprofundada sobre o seu funcionamento sero apresentados, explicitando, dessa forma, a importncia deste poderoso equipamento para a Cincia e Engenharia dos
Materiais.
Palavras-chave: AFM, fora, tomos, morfologia de superfcies, escala
nanomtrica.
The Atomic Force Microscope (AFM):an important tool in the study
of surfaces morphology in the nano-scale.
ABSTRACT: The emergence of the Atomic Force Microscope (AFM)
has promoted a big impact on the science, in general, due to its ability to generate images with atomic resolution, providing the study of
the morphology of surfaces, conductive or not, at the nanoscale. Furthermore, AFM does not require a prior preparation of the samples
to be studied, having only one limitation on the size of the same due
to the sample holder. A brief history from the arising of this microscope until now and a more thorough approach to its operation will
be presented, explaining thus the importance of this powerful
equipment for Materials Science and Engineering.
Keywords: AFM, force, atoms, morphology of surfaces, nano-scale.

1 Introduo
Os instrumentos ticos, utilizados
para observao de detalhes ampliados
Estao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

de superfcies, possuem a limitao do

comprimento de onda da luz visvel
dada pelo critrio de difrao de Rahttp://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

42

yleigh1. Assim, para estudar superfcies

em uma escala menor, tornou-se necessrio buscar novos mecanismos,
como por exemplo, atravs da microscopia de varredura por sonda ou ponta
de prova.
Atualmente existe uma famlia de
microscpios de varredura por sonda
ou SPM (do ingls Scanning Probe Microscope) entre os quais possvel citar
o Microscpio de Tunelamento ou STM
(do ingls Scanning Tunneling Microscope) e o Microscpio de Fora Atmica ou AFM (do ingls Atomic Force Microscope). Essa classe de microscpios
tem como componente essencial uma
ponta ou sonda que varre a superfcie
da amostra detectando mudanas em
seu relevo atravs de variaes de
grandezas fsicas que dependem da
variante do SPM escolhida.
O princpio de funcionamento do
STM, por exemplo, baseado em um
fenmeno quntico chamado de efeito
tnel ou tunelamento (Cohen, 2002).
Quando a distncia ponta-amostra de
aproximadamente 10 angstroms (que
equivale a 1nm), os eltrons da amostra (que deve ser condutora ou semicondutora) comeam a tunelar na direo da ponta, que em geral um fio de
tungstnio, ou vice-versa dependendo
da polaridade da voltagem aplicada,
gerando uma corrente eltrica conhecida como corrente de tunelamento.
Essas variaes de corrente eltrica so
1

Estudando os diagramas de difrao de duas

fontes luminosas Rayleigh concluiu, atravs de
clculos numricos, que s podem ser resolvidos
objetos de 200 a 350 nm (1nm = 10-9 m), ou seja,
da metade do comprimento de onda da luz visvel
(Halliday e Resnick, 2009).
Estao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

Pinto, Ramos e Fonseca Filho

detectadas e processadas atravs de

um sistema de retroalimentao da
eletrnica que compem o equipamento e enviadas para um computador
onde a topografia (imagem digital) da
superfcie da amostra construda (Zanette, 2010).
Por outro lado, o princpio de funcionamento do AFM est baseado na
interao que ocorre, ao longo da varredura, entre os tomos que compem
a sua ponta e os tomos que compem
a superfcie da amostra (Garcia e Prez,
2002). Por isso, ao comparar o STM
com o AFM fcil perceber que o segundo possui a vantagem de fazer imagens tanto de superfcies condutoras
quanto isolantes, j que todos os materiais so compostos por tomos.
Os instrumentos citados acima esto
presentes no Laboratrio de Cincias
dos Materiais (LabMat) do Departamento de Fsica da Universidade Federal do Amap (UNIFAP) e so ambos
ferramentas importantes na caracterizao de superfcies, pois so capazes
de gerar imagens com resoluo atmica e com o principal diferencial de
produzir imagens em trs dimenses.
Neste artigo dada nfase microscopia de fora atmica que, alm de
ajudar na descrio da estrutura superficial da amostra, tambm uma tcnica bastante utilizada para o estudo de
propriedades mecnicas e tribolgicas
(propriedades relacionadas com movimento relativo) de superfcies na escala nanomtrica (da ordem de 10-9m).

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

O Microscpio de Fora Atmica (AFM): ferramenta no estudo da morfologia de superfcies na escala nanomtrica

2 A inveno do AFM
Um dos feitos mais importantes da
nanocincia foi inveno do STM em
1981 pelos pesquisadores Gerd Binnig
e Heinrich Rohrer do laboratrio da
IBM (International Business Machines)
em Zurique na Sua, pois este dispositivo possibilitou pela primeira vez a
gerao de imagens de superfcies com
resoluo atmica (Herrmann et al,
1997).
Aps a inveno do STM vrios outros equipamentos foram construdos
para o estudo da matria na escala nanomtrica, fazendo surgir uma nova
classe: os microscpios de varredura
por sonda. Em 1986, os inventores do
STM ganharam o Prmio Nobel de Fsica e, neste mesmo ano, a partir de uma
modificao do STM, combinado com
um Profilmetro stylus (aparelho usado
para medir rugosidade em escala microscpica), Gerd Binnig, Calvin Quate
e Christoph Gerber desenvolveram o
Microscpio de Fora Atmica (Binnig
e Quate, 1986).
O Microscpio de Fora Atmica
surgiu para resolver uma limitao do
STM quanto condutividade das amostras que podem ser analisadas, pois
com o AFM possvel estudar tambm
todo o tipo de material isolante, j que
este no utiliza corrente de tunelamento, mas foras de interao atmica,
para produzir imagens.
O primeiro AFM comercial, com
produo em srie, foi apresentado em
1989 (Herrmann et al, 1997). A partir
desta data, os trabalhos publicados
utilizando o AFM (como ferramenta
Estao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

43

essencial ou de suporte) aumentaram

em grande nmero por todo o mundo
(Zanette, 2010).
Como um exemplo, na figura 1 temse uma imagem do AFM utilizado no
LabMat do Departamento de Fsica da
Universidade Federal do Amap (UNIFAP).

Figura 1: AFM/STM modelo Easyscan2 do

fabricante Nanosurf.

As principais vantagens do AFM,

quando comparado aos outros microscpios so: maior resoluo, imagens
em 3 dimenses, no havendo a necessidade de recobrir a amostra com material condutor, no requer mtodos
especficos de preparao da amostra,
permite a quantificao direta da rugosidade da amostra, permite a medida
da espessura de filmes ultrafinos sobre
substratos e anlise por fractal. possvel fazer imagens da superfcie imersa
em lquidos e atravs de algumas variantes da famlia SPM possvel tambm diferenciar fases com diferentes
viscoelasticidades, encontrar domnios
magnticos e etc. Todas essas vantagens do AFM so extremamente teis
para reas que trabalham com caracterizao e produo de novos materiais,

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

44

Pinto, Ramos e Fonseca Filho

como a Cincia dos Materiais e a Engenharia dos Materiais.

3 Foras entre ponta e amostra
No momento em que est ocorrendo varredura, os tomos da ponta do
AFM interagem com os tomos da superfcie da amostra e, dependo da distncia ponta-amostra, essas interaes
podem ser atrativas ou repulsivas. A
repulso acontece quando os tomos
da ponta e da amostra esto to prximos (na distncia de uma ligao
qumica) que as nuvens eletrnicas
destes comeam a se repelir enfraquecendo a fora atrativa; est repulso
consequncia direta do Princpio de
Excluso de Pauli, o qual afirma que
dois frmions idnticos, como por exemplo, dois eltrons, no podem ocupar o mesmo estado quntico simultaneamente, isto , dois eltrons no
podem possuir os quatros nmeros
qunticos iguais em um mesmo tomo
(Feynman et al., 1987).
Na figura 2, tem-se a curva terica
que representa a energia potencial entre ponta e amostra, que se origina da
interao entre dois tomos descrita
pelo potencial de Lennard-Jones (Israelachvili, 1992).

Figura 2: energia potencial entre os tomos da ponta e os tomos da amostra.

A atrao ponta-amostra pode ser

resultado de diferentes tipos de foras
que se somam, como por exemplo:
fora eletrosttica, foras de Van der
Waals, foras qumicas e fora capilar.
Foras eletrostticas podem ser evitadas escolhendo-se apropriadamente os
materiais para evitar a acumulao de
cargas na interface ponta-amostra. As
foras qumicas se originam das ligaes entre os objetos. So ativas quando os objetos esto em contato (ou
seja, a distncia entre eles de cerca
de uma distncia intermolecular). A
Fora capilar entre dois objetos ocorre
quando existe a presena de lquido
entre eles, enquanto que as foras de
Van der Waals tm uma natureza eltrica e surgem devido polarizao das
molculas que ocorrem atravs de
campos eltricos de cargas vizinhas ou
dipolos permanentes. Estas foras podem ser classificadas em foras de orientao, de induo e de disperso
(Israelachvili, 1992):
a) Foras de orientao: resultam da
interao entre duas molculas po-

Estao Cientfica (UNIFAP)

ISSN 2179-1902

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

O Microscpio de Fora Atmica (AFM): ferramenta no estudo da morfologia de superfcies na escala nanomtrica

lares com momentos dipolares

permanentes.
b) Foras de induo: se devem interao de uma molcula polar e
uma apolar, onde a molcula polar
induz uma polaridade nas vizinhanas da outra. O campo eltrico da molcula polar destri a simetria da distribuio de cargas da
molcula apolar, resultando em
uma atrao semelhante registrada entre molculas polares.
c) Foras de disperso: resultam da
interao entre dipolos flutuantes
que ocorrem em molculas apolares, esses dipolos so finitos com
intervalos de tempo muito curtos.
Para as molculas apolares a distribuio eletrnica , em mdia,
simtrica. Mas, a cada instante,
uma parte da molcula possui mais
eltrons que outra. Assim, cada
molcula (ou tomo) se comporta
como polar, mas esta polarizao
varia constantemente em grandeza
e direo, dando origem a momentos dipolares flutuantes.
Deve-se ressaltar, por fim, que existem outros tipos de interao que podem ser consideradas neste estudo,
como foras magnticas e atrao gravitacional, entretanto, dentro da regio
de interao ponta-amostra elas so
muito fracas quando comparadas com
as foras citadas anteriormente, sendo
assim possvel desprez-las.

45

tos. Alm de seus componentes internos bsicos, como por exemplo, a sonda ou ponta que fica presa em um suporte chamado de cantilever, cermicas piezeltricas para posicionar a amostra e fazer varreduras, tambm
necessita de outros instrumentos acoplados a ele como circuitos de realimentao para controlar a posio vertical da ponta e um computador para
mover os scanners de varredura, armazenar dados e os converter em imagens por meio de softwares especficos
para isso (Butt, 2005).
Uma descrio mais profunda de alguns componentes do microscpio
necessria para se entender como o
AFM funciona.
I.

O cantilever

O suporte que sustenta a ponta do

AFM chamado de cantilever ou haste
e pode ter forma de V ou, em geral, a
forma retangular (Zanette, 2010). Na
figura 3, so apresentadas duas imagens feitas com um microscpio de
eletrnico de varredura (MEV) dos dois
tipos de cantilevers mais utilizados nos
experimentos com o AFM.

4 Os componentes bsicos do AFM

O funcionamento do AFM depende
de um conjunto de outros instrumenEstao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

46

Pinto, Ramos e Fonseca Filho

ver feito e pela geometria do mesmo)

(Zanette, 2010). Na figura 4 mostrada
uma ilustrao desta analogia.

Figura 3: Imagens feitas com um MEV. a)

um cantilever de silcio (Si) em forma de
haste. b) um cantilever de nitreto de silcio
(Si3N4) em forma de V.

Durante a varredura o cantilever sofre deflexes devido interao pontaamostra. Na regio de foras atrativas
o suporte se curva na direo da amostra e na regio de foras repulsivas ele
se curva na direo contrria.
O estudo da dinmica do cantilever,
j que ele pode defletir, pode ser feito
fazendo analogia com um sistema massa-mola segundo a lei de Hooke
= , sendo a deflexo da haste e a sua constante elstica (determinada pelo material do qual o cantileEstao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

Figura 4: analogia da dinmica do cantilever com o sistema massa-mola.

A constante elstica da haste deve

ser to pequena quanto possvel, para
poder atingir alta sensibilidade e no
permitir que a ponta danifique a amostra. Por outro lado, ele necessita de
uma alta frequncia de ressonncia
para minimizar a sensibilidade a vibraes mecnicas, tais como: trnsito na
rua, barulho de outros equipamentos,
balano de prdios altos, entre outros.
A frequncia de ressonncia do sistema massa-mola dada por
= ( ) , onde m a massa
efetiva que carrega a mola (Halliday e
Resnick, 2009). Assim, para conseguir
http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

O Microscpio de Fora Atmica (AFM): ferramenta no estudo da morfologia de superfcies na escala nanomtrica

47

um valor grande de
basta fabricar
pontas to pequenas quanto possvel,
o que levou diretamente a ideia da utilizao de tcnicas de microfabricao
na produo de catilevers, geralmente,
feitos de xido de silcio (SiO2), nitreto
de silcio (Si3N4) ou silcio puro e, podendo serem feitos j com uma ponta
fixada em suas extremidades.
II. A ponta (ou sonda)
Para obter um entendimento adequado da interao ponta-amostra
muito importante conhecer o material
do qual a amostra feita tal como o
material que compem a ponta e, alm
disso, conhecer a geometria da ponta
utilizada. A ponta de AFM mais comum
uma pirmide de nitreto de silcio
como mostrado na figura 5(a). Sua base quadrada possui um lado de aproximadamente 5 m e o raio do pice
aproximadamente 100 nm. Outra geometria, muitas vezes utilizada, a da
ponta em forma de um cone afiado
feita de silcio como na figura 5(b), com
raio da base variando de 3 a 6 m e
raio do pice de aproximadamente 20
nm. As alturas das pontas de AFM variam entre 10 e 20 m (Zanette, 2010).

Estao Cientfica (UNIFAP)

ISSN 2179-1902

Figura 5: Imagens de dois tipos de pontas

feitas com um Microscpio Eletrnico de
Varredura.

Deve-se ressaltar ainda, que em

condies ambiente (em ar e a temperatura ambiente) existe sempre uma
camada de contaminao proveniente
da umidade relativa do ar. Nesta camada podem existir resduos que preenchem as irregularidades da superfcie da amostra e, alm disso, esta camada faz com que a interao pontaamostra se torne mais intensa devido
capilaridade. Assim, uma ponteira fina
pode entrar e sair mais facilmente da
camada de contaminao, evitando
que a ponta seja danificada.

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

48

III. As cermicas piezeltricas

A piezeletricidade a habilidade de
certos materiais cristalinos desenvolverem uma carga eltrica proporcional a
um stress mecnico. Os materiais com
esta propriedade (cristais de titnio,
zircnio, chumbo etc.) mostram tambm o inverso, isto , sofrem uma deformao geometricamente proporcional a uma voltagem aplicada (Kittel,
2006). esta ltima a propriedade usada nos microscpios de varredura
por sonda para realizao de diversas
funes.
O controle de movimentos em distncias to pequenas, como as que
aparecem no AFM, possvel graas ao
uso das cermicas piezeltricas. Estas
so fabricadas em uma grande variedade de formas, em geral, de um aglomerado de pequenos cristais de titnio, zircnio e chumbo (Zanette,
2010).
A figura 6 mostra um esquema do
circuito de realimentao de um piezeltrico usado no AFM.

Figura 6: circuito de realimentao para

posicionamento de um piezeltrico.

Estao Cientfica (UNIFAP)

ISSN 2179-1902

Pinto, Ramos e Fonseca Filho

Quando programada a varredura

no software do AFM deve-se fornecer
uma fora de referncia denominada
setpoint. Sabe-se que a interao ponta-amostra depende da distncia e,
dessa forma, quando a ponta est muito prxima da amostra aumenta a sada
da eletrnica a ela acoplada. O amplificador diferencial compara o valor aumentado com o valor de referncia e
envia uma sada de correo de voltagem que excita o piezeltrico para contra-lo e, assim, afast-lo da superfcie
da amostra. O integrador (basicamente
um capacitor) serve para suavizar a
realimentao, pois sem ele a correo
seria um pulo de voltagem sobre o piezo (mudana brusca).
5 Princpio de funcionamento do AFM
Quando a ponta do AFM se aproxima da amostra (a uma distncia da
ordem de alguns angstroms), os primeiro tomos da ponta interagem
com os tomos que compe a superfcie da amostra. Ao longo da varredura,
a haste sofre deflexes por causa da
interao atmica, desviando o laser
que incide sobre ele, conforme ilustra
o esquema de funcionamento do AFM
mostrado na figura 7. O laser detectado por um fotodiodo que envia essas informaes de desvio da haste
para o controle de realimentao que
ajusta a posio da amostra (e/ou da
ponteira) e para o computador onde
construda a topografia digitalizada da
superfcie da amostra.

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

O Microscpio de Fora Atmica (AFM): ferramenta no estudo da morfologia de superfcies na escala nanomtrica

49

guir boa flexo e no danificar a amostra. O cantilever utilizado neste modo

, geralmente, em forma de V para
minimizar as foras laterais de atrito,
que poderiam degradar as imagens. E a
ponta para o modo contato possui, em
geral, a forma piramidal.

Figura 7: esquema de funcionamento do

AFM.

Dessa forma, fcil perceber que existem vrios aspectos que podem interferir na interao ponta-amostra,
como por exemplo: a existncia de sujeira na amostra, a umidade relativa do
ar, os materiais que compem a amostra e a ponta, e ainda a geometria da
ponta (Zanette et al., 2000). a combinao de todos esses aspectos que determina uma boa imagem ou uma pssima imagem, pois em alguns casos
eles do origem aos chamados artefatos de imagem, isto , traos falsos que
escondem a verdadeira morfologia da
superfcie da amostra.
Com relao gerao de imagens
em AFM, existem trs modos de operao: o modo contato, o modo tapping e o modo no contato.
) Modo contato: o modo mais utilizado para fazer imagens, porm, recomendvel us-lo, de preferncia, em
amostras parcialmente duras. Atua na
regio de foras repulsivas e, por isso,
a constante elstica do cantilever deve
ter o menor valor possvel para conseEstao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

) Modo tapping: neste modo a haste

oscila quase na sua frequncia de ressonncia (por isso a necessidade de
uma constante elstica maior que a do
modo contato), com alta amplitude,
mantendo um contato intermitente
com a amostra (tocando a superfcie da
amostra periodicamente). Assim, dependendo da distncia mdia entre a
ponta e a amostra, a amplitude de oscilao reduzida. Neste modo as foras
de atrito da ponta sobre a amostra so
desprezveis, e com relao s pontas
utilizadas neste modo, geralmente
possuem forma cnica. Este modo vem
sendo muito utilizado para o estudo de
polmeros e materiais biolgicos, pois
alm de evitar maiores danos na amostra, ele capaz de fornecer a imagem
de contraste de fase, onde possvel
obter informaes sobre a heterogeneidade da amostra.
C) Modo no contato: neste modo o
cantilever oscila na sua frequncia de
ressonncia com baixa amplitude, assim
a amostra no tocada e no existe
preocupao em relao contaminao da ponta. Atua na regio de foras
atrativas, exigindo que a haste seja suficientemente rgida com constante elstica de valor alto. O modo no contato
utilizado para a realizao de imagens
http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013

50

de amostras muito moles, e na prtica

muito semelhante ao modo tapping,
porm, fornecendo imagens com menos detalhes devido ponta estar sempre afastada da amostra ao longo da
varredura.
6 Concluso
A inveno do AFM foi muito importante para investigao de propriedades mecnicas e tribolgicas (propriedades de materiais relacionadas com
interao de interface em movimento
relativo), pois devido a sua sensibilidade, permite a aplicao de foras fracas
o suficiente para no produzir o deslocamento de tomos durante o contato,
fato que possibilita o estudo e anlise
de superfcies na escala atmica seja
de materiais cristalinos, amorfos ou de
sistemas orgnicos. Devido a isso, ele
tem causado um grande impacto positivo s cincias dos materiais.
Propriedades como elasticidade, atrito e desgaste que dependem da morfologia da superfcie (ou asperezas microscpicas) e da adeso podem ser
estudadas com o uso do AFM fornecendo resultados com boa preciso. Essas
propriedades influenciam diretamente
na construo de materiais nanoestrutura dos. Assim, pode-se dizer que o
AFM uma ferramenta bastante importante para o desenvolvimento da nanotecnologia e reas afins.
Referncias
Butt, H.; Cappella, B.; Kappl, M. Force
measurements with the atomic force
Estao Cientfica (UNIFAP)
ISSN 2179-1902

Pinto, Ramos e Fonseca Filho

microscope: Technique, interpretation

and applications. Surface Science Reports. n. 59. 2005.
Binnig, G.; Quate C. F. Atomic Force
Microscope. Physical Review Letters.
v. 56. 1986.
Cohen, S. H. Quantum Mechanics. New
York Kluwer Academic Publishers. v. 1.
2002.
Feynman, R. P. et al. The Feynman
Lectures on Physics. Massachusetts:
Addison-Wesley Publishing Company.
v. 3. 1965.
Halliday, D.; Resnick, R. Fundamentos
de Fsica. LTC. v. 2 e 4. 2009.
Herrmann, P. S. P. et al. Microscopia de
Varredura por Fora: uma Ferramenta
Poderosa no Estudo de Polmeros. Polmeros: Cincia e Tecnologia. 1997.
Israelachvili, J. N. Intermolecular and
surface force. San Diego: USA Academic Press. 1992.
KITTEL, C. Introduction to Solid State
Physics. New York: John Wiley & Sons.
1996.
Zanette, S. I. et al. Theoretical and experimental investigation of the forcedistance relation for an atomic force
microscope with a pyramidal tip. Surface Science. n.453. 2000.
Zanette, S. I. Introduo Microscopia
de Fora Atmica. CBPF. 2010.
License information: This is an open-access article
distributed under the terms of the Creative Commons Attribution License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

Artigo recebido em 10 de setembro de 2014.

Aceito em 29 de janeiro de 2015.

http://periodicos.unifap.br/index.php/estacao
Macap, v. 3, n. 2, p. 41-50, jul.-dez. 2013