UNIVERSIDAD NACIONAL FEDERICO

VILLARREAL
ING MECATRONICA

TEMA:
INFORME TRANSISTOR BJT Y FET

PROFESOR:
ING.SORIANO

INTEGRANTES:

CAMACHO PEREZ JORGE LEONARDO

2016

Transistor BJT
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction
Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado
slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que
permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales.
La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar
gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un
solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha.
De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar

fuertemente dopada, comportndose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del

colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Funcionamiento

Caracterstica idealizada de un transistor bipolar.

En una configuracin normal, la unin emisor-base se polariza en
directa y la unin base-colector en inversa. Debido a la agitacin
trmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez,

prcticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por

el campo elctrico que existe entre la base y el colector.
Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la
regin del nodo compartida. En una operacin tpica, la unin baseemisor est polarizada en directa y la unin base-colector est
polarizada en inversa. En un transistor NPN, por ejemplo, cuando una
tensin positiva es aplicada en la unin base-emisor, el equilibrio
entre los portadores generados trmicamente y el campo elctrico
repelente de la regin agotada se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados trmicamente inyectarse en la regin de la base.
Estos electrones "vagan" a travs de la base, desde la regin de alta
concentracin cercana al emisor hasta la regin de baja
concentracin cercana al colector. Estos electrones en la base son
llamados portadores minoritarios debido a que la base est dopada
con material P, los cuales generan "huecos" como portadores
mayoritarios en la base.
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN

PNP

NPN es uno de los dos tipos de

transistores bipolares, en los cuales
las letras "N" y "P" se refieren a los
portadores de carga mayoritarios
dentro de las diferentes regiones del
transistor.
La
mayora
de
los
transistores bipolares usados hoy en
da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que
la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores,
permitiendo
mayores corrientes y velocidades de
operacin.

El otro tipo de transistor de unin

bipolar es el PNP con las letras "P" y
"N"
refirindose
a
las
cargas
mayoritarias dentro de las diferentes
regiones
del
transistor.
Pocos
transistores usados hoy en da son
PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la
mayora de las circunstancias.

Los transistores NPN consisten en una

capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas
de material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en
configuracin
emisor-comn
es
amplificada en la salida del colector.

Los transistores PNP consisten en una

capa de material semiconductor
dopado N entre dos capas de material
dopado P. Los transistores PNP son
comnmente operados con el colector
a masa y el emisor conectado al
terminal positivo de la fuente de
alimentacin a travs de una carga
elctrica
externa.
Una
pequea
corriente circulando desde la base
permite que una corriente mucho

La flecha en el smbolo del transistor

NPN est en la terminal del emisor y
apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando
el dispositivo est en funcionamiento
activo.

mayor circule desde el emisor hacia el

colector.
La flecha en el transistor PNP est en
el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente
convencional
circula
cuando
el
dispositivo est en funcionamiento
activo.

El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a travs de la proporcin
de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto
dopaje de la regin del emisor y el bajo dopaje de la regin de la base
pueden causar que muchos ms electrones sean inyectados desde el
emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor comn est representada por F o por
hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de
colector a la corriente continua de la base en la regin activa directa y
es tpicamente mayor a 100. Otro parmetro importante es la
ganancia de corriente base comn, F. La ganancia de corriente base
comn es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a
colector en la regin activa directa. Esta tasa usualmente tiene un
valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta
estn ms precisamente determinados por las siguientes relaciones
(para un transistor NPN):

Configuraciones
Entonces, existen tres configuraciones:
Emisor comn

La seal se aplica a la base del transistor y se

extrae por el colector. El emisor se conecta a
las masas tanto de la seal de entrada como a
la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia tanto de tensin como de corriente y
alta impedancia de entrada. En caso de tener
resistencia de emisor, RE > 50 , y para
frecuencias bajas, la ganancia en tensin se
aproxima bastante bien por la siguiente
expresin:
salida, por RC

; y la impedancia de

Base comn
La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae
por el colector. la base se conecta a las masas tanto de
la seal de entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia slo de tensin. La
impedancia de entrada es baja y la ganancia de
corriente algo menor que uno, debido a que parte de la
corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia
impedancia de salida de la fuente de seal, un anlisis
similar al realizado en el caso de emisor comn, nos da
la ganancia aproximada siguiente:
.
La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes
de seal de baja impedancia de salida como, por
ejemplo, micrfonos dinmicos.
Colector comn

La seal se aplica a la base del transistor y

se extrae por el emisor. El colector se
conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. En esta
configuracin se tiene ganancia de
corriente, pero no de tensin que es
ligeramente inferior a la unidad. La
impedancia
de
entrada
es
alta,
aproximadamente +1 veces la impedancia
de carga. Adems, la impedancia de salida
es baja, aproximadamente veces menor
que la de la fuente de seal.

Regiones operativas del transistor

Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
polarizados:

Regin activa:
Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en
la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la
regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en
modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son
diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo

activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente

menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = 0,(Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del
transistor es el voltaje de alimentacin del circuito. (como no
hay corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de
Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corrientedecolector = corrientedeemisor = corrientemaxima,(Ic
= Ie = Imaxima)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector veces ms grande. (recordar que Ic = * Ib)

EJERCICIOS RESUELTOS
Un transistor BJT de tipo npn y = 100 se conecta de la siguiente
manera: la base se conecta al terminal positivo de una pila de 5 V a
travs de una resistencia de 100 kohmios; el colector se conecta al
terminal positivo de otra pila de 10 V a travs de una resistencia de
100 ohmios el emisor se conecta a los terminales negativos de ambas
pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector.

Un transistor BJT del tipo NPN con =100, se conecta a una pila
de 30 V de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal
positivo de la pila a travs de una resistencia de 330 ohmios . La base
tambinn se conecta al mismo terminal positivo de la pila a travs de
una resistencia de 560 kohmios. El emisor de conecta directamente al
terminal negativo de la pila. Calcule la tensin entre colector y

emisor.

Un transistor NPN funciona en zona activa cuando su base se conecta

al terminal positivo de una fuente de tensin de 5 V a travs de una
resistencia de 10 kohmios, su colector se conecta al terminal positivo
de una fuente de 20 V a travs de una resistencia de 100 ohmios y el
emisor se conecta a los terminales negativos de ambas fuentes. Si
=100, calcule la corriente que circula por el colector.

la

Si =100 y UCC=20 V cul es la zona de trabajo del circuito de

figura?

se

Dado el circuito de la figura determine en que zona de trabajo

encuentra
el
transistor
(
=100).

Un transistor BJT del tipo NPN se encuentra en un circuito

electrnico y presenta las siguientes tensiones entre sus terminales:
UEB=-0.7 V y UCB=-0.7 V. En estas condiciones, en qu zona est
trabajando
el
transistor?.

El transistor de la figura, de parmetro =100, alimenta una carga

de 1kohmio a partir de una batera de 15V. Calcular la potencia
disipada por el transistror en los dos casos siguientes: a) U E=0 V
b)UE=30
V.