(' .

\ P I T t: LO

El osciloscopio y otros
instrumentos de
medicin

--11-------------------22.1 INTRODUCCION

Una de las funciones bsicas de los circuitos electrnicos

es la generacin
y
manipulacin
de formas de onda electrnicas.
Estas seales electrnicas pueden
representar informacin de audio, datos de computadoras, seales de televisin, seales
temporizadoras
(como las que se utilizan en el RADAR), etctera. Los medidores
comunes empleados en mediciones electrnicas son los multmetros (analgico o digital),
que permiten la medicin de voltajes de cd o ea, corrientes o impedancias. La mayora de
los medidores proporcionan mediciones de ea que son correctas solamente para seales
sinusoidales no distorsionadas. El osciloscopio, por otra parte, visualiza la forma de onda
exacta, y el observador puede decidir la accin a efectuar a partir de un conjunto de
lecturas observadas.
El osciloscopio de rayos catdicos (ORC) proporciona una presentacin visual para
cualquier forma de onda que se aplique a las terminales de entrada. Un tubo de rayos
catdicos (TRC), muy semejante al de una televisin, suministra la exhibicin visual que
muestra la for,ma de la seal aplicada como una forma de onda sobre la pantalla. Un haz
de electrones se deflecta a medida que va barriendo a travs de la cara del tubo, dejando
un trazo de la seal aplicada a las terminales de entrada.
Mientras que los multmetros proporcionan informacin numrica acerca de una
seal aplicada, el osciloscopio permite visualizar la forma precisa de la forma de onda. Se
encuentran disponibles una amplia gama de osciloscopios, algunos ms adecuados para la
medicin de seales bajo una frecuencia determinada; otros, para proporcionar medicin
de seales de duracin ms corta. Un ORC puede construirse para funcionar en intervalos
que van de algunos hertz a cientos de megahertz; los ORC tambin pueden utilizarse para
medir intervalos de tiempo desde algunas fracciones de nanosegundo (1O~) hasta varios
segundos.

22.2

EL TUBO DE RAYOS CATODICOS: TEORIA Y

CONSTRUCCION

El tubo de rayos catdicos (TRC) es el "corazn" del ORC, proporcionando

una
presentacin visual de la forma de onda de la seal de entrada. Un TRC se compone de
cuatro partes bsicas:
1. Un can de electrones para producir un flujo de electrones.
2. Elementos de enfoque y aceleracin para producir un haz bien definido de electrones.
3. Placas deflectoras horizontales y verticales para controlar la trayectoria del haz de
electrones.
4. Una ampolla de vidrio al vaco con pantalla fostorescente, que se ilurruna visualmente
cuando incide sobre ella el haz de electrones.
La figura 22.1 ilustra la construccin bsica de un TRC. Consideraremos en primer
lugar el funcionamiento
bsico del dispositivo.
Un ctodo (K) que contiene un

872

Anodo
preacelerador

(A 1)

Anodo acelerador
(A3)

Placas de
deflexi6n
horizontal (H)

Terminales

Haz de electrones

Rejilla de control (G)

Ampolla de
vidrio al vaco

Figura 22.1 Tubo de rayos catdicos: construccin

::-

bsica.

*Suspensi6n coloidal de
grafito de agua

recubrimiento de xido se calienta en forma indirecta por medio de un filamento, lo que

da por resultado la liberacin de los electrones de la superficie del ctodo. Se suministra
una rejilla de control (G) para controlar el nmero de electrones que pasan ms adelante
por el tubo. Un voltaje sobre la rejilla de control determina a cuntos electrones liberados
por medio del calentamiento se les permitir continuar movindose hacia la parte frontal
del tubo. Despus de que los electrones pasan la rejilla de control, son enfocados en un
delgado haz y acelerados a muy alta velocidad por medio de los nodos de enfoque y
aceleracin. Las partes discutidas hasta aqu comprenden el can de electrones del TRC.
El bien definido haz de electrones de alta velocidad pasa a continuacin a travs de
dos conjuntos de placas deflectoras. El primer conjunto de estas placas se orienta para
desviar el haz de electrones en forma vertical, hacia arriba o hacia abajo. La direccin de
la desviacin vertical se determina por la polaridad del voltaje aplicado a las placas
deflectoras. La magnitud de la desviacin se establece por la cantidad del voltaje
aplicado. El haz tambin se desva en sentido horizontal (a la izquierda o a la derecha)
mediante la aplicacin de un voltaje a las placas deflectoras horizontales. El haz desviado
se acelera entonces en forma adicional por medio de muy altos voltajes aplicados al tubo,
llegando finalmente el haz a incidir sobre el material fosforescente de la cara interna del
tubo. Este fsforo brilla cuando inciden los electrones con su energa, permitiendo que la
persona que emplea el instrumento observe el destello visible frente al tubo.
El TRC es una unidad auto-contenida con terminales que conducen a travs de una
base. Se fabrican diversos tipos de TRC en una variedad de tamaos, con diferentes
materiales fosforescentes y colocacin de electrodos de deflexin. Ahora, podemos
considerar cmo se utiliza el TRC en un osciloscopio.

22.3 OPERACION DEL OSCILOSCOPIO DE RAYOS

CATODICOS (ORC)
Para el funcionamiento u operacin de un osciloscopio, el haz de electrones se desva en
forma horizontal por un voltaje de barrido, y en forma vertical por medio del voltaje que
se va a medir. Mientras el haz de electrones se mueve a travs de la pantalla del TRC por
medio de la seal de barrido horizontal, la seal de entrada desva el haz en sentido
vertical, resultando en la visualizacin de la forma de onda de la seal de entrada. Un
barrido del haz a travs de la pantalla del tubo, seguido por un periodo "en blanco"
durante el cual el haz se apaga mientras retorna al punto de partirda a travs de la pantalla
del tubo, constituye un barrido del haz.
Una visualizacin ms estable se obtiene cuando el haz barre repetidas veces a travs
del tubo con exactamente la misma imagen en cada barrido. Esto requiere una
sincronizacin, comenzando el barrido en el mismo punto de un ciclo de forma de onda
repetitiva. Si la seal se encuentra adecuadamente sincronizada, la imagen visualizada se
mantendr estacionaria. En ausencia de sintonizacin, la imagen aparecer con un
corrimiento o movimiento horizontal a travs de la pantalla.
22.3 Operacin del osciloscopio de rayos catdicos (ORC)

873

Partes bsicas del ORe

Las partes bsicas de un ORC se presentan en la figura 22.2. Consideraremos primero la
operacin del ORC para este diagrama de bloques simplificado.
Para obtener una
deflexin perceptible del haz, de uno a unos cuantos centmetros, el voltaje usual
aplicado a las placas de deflexin debe encontrarse en el orden de decenas a centenas de
de voltios. Puesto que las seales medidas haciendo uso de un ORC son por lo general
unos pocos voltios, o incluso de unos cuantos mili voltios, se necesitan circuitos de
amplificacin para incrementar la seal de entrada a los niveles de vltaje requeridos
para hacer funcionar el tubo. Existen secciones amplificadoras tanto para la deflexin
horizontal del haz, como para la deflexin vertical del mismo. Para ajustar el nivel de una
seal, cada entrada pasa a travs de un circuito atenuador que puede ajustar la amplitud
de la imagen visualizada.
Control de arnpli tud
de escala

/
Seal de
entrada vertical

___

Amplificador
vertical

Atenuador de
entrada vertical

TRC
Seal de entrada >---horizontal
o

Control de
base de tiempo

Atenuador de
e_~~~~~.?~:izontal

Generador de
barrido de
~
diente de sien-a

---?'

Amplificador
horizontal

Seal de
Pulso de
sincrona externo

Figura

sincrona
o

Pulso de sincrona
interno

22.2 Osciloscopio de rayos catdicos: diagrama general de bloques:

22.4 OPERACION DEL VOLTAJE DE BARRIDO

Cuando la entrada vertical es de O V, el haz de electrones puede colocarse al centro de la
componente vertical de la pantalla. Si tambin se aplican O V a la entrada horizontal, el
haz se posiciona entonces en el centro de la pantalla del TRC y permanece como un
punto estacionario.
Los controles de posicin vertical y horizontal
permiten el
movimiento del punto hacia cualquier sitio de la pantalla del tubo. Cualquier voltaje de
cd aplicado a una entrada resultar en el desplazamiento
del punto. La figura 22.3
muestra la pantalla de un TRC con un punto al centro, y con un punto desplazado a causa
de un voltaje horizontal positivo (hacia la derecha) y un voltaje de entrada vertical
negativo (abajo del centro).

(a)

874

Figura 22.3 Punto sobre la pantalla

debido a un haz de electrones
estacionario: (a) punto en el centro a.
consecuencia del haz de electrones
estacionario; (b) punto estacionario
desplazado del centro.

(b)

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Seal de barrido horizontal

Para visualizar una seal sobre la pantalla del TRC es necesario deflectar o desviar el haz
a travs del TRC mediante una seal de barrido horizontal de modo que cualquier
variacin de la seal vertical se pueda observar. La figura 22.4 muestra la lnea recta que
se visualiza para un voltaje positivo aplicado a la entrada vertical empleando una seal
de barrido lineal (diente de sierra) que se aplica al canal horizontal. Con el haz de
electrones fijado a una distancia vertical constante, el voltaje horizontal que va de
negativo a cero para el voltaje positivo, ocasiona que el haz se mueva del extremo
izquierdo del tubo al centro y al extremo derecho. La imagen resultante es una lnea recta
sobre la divisi6n central vertical con el voltaje de cd representado adecuadamente como
una lnea recta.

Figura 22.4 Imagen en la pantalla del

osciloscopio para una seal vertical de
cd y una seal de barrido horizontal.

El voltaje de barrido se representa como una forma de onda continua, no s610como

un barrido simple. Esto es necesario si se dispone a visualizarse una imagen de gran
longitud. Un barrido simple a travs de la pantalla del tubo se extinguira rpidamente.
Al repetir el barrido, la imagen visualizada se genera una y otra vez, y si se genera un
nmero suficiente de barridos por segundo, la imagen parecer estar presente en forma
continua. Si se disminuye la velocidad del barrido (que se establece por los controles de
escala de tiempo del aparato), se puede observar el recorrido real del haz a travs de la
pantalla del tubo-.
La aplicaci6n sealada de una seal sinusoidal a las entradas verticales (sin barrido
horizontal) da por resultado una lnea recta vertical como la que se ilustra en la figura

-f-----\-----+-----\----

t (ms)

t (ms)

Figura 22.5 Imagen resultante en

osciloscopio para una entrada vertical
sinusoidal sin una entrada horizontal.

22.4 Operacin del voltaje de barrido

875

22.5. Si se reduce la velocidad de barrido (frecuencia de la seal sinusoidal), ser posible

apreciar el haz de electrones desplazndose hacia arriba y hacia abajo a lo largo de una
trayectoria en lnea recta.

Uso de un barrido lineal de diente de sierra para visualizar una entrada

vertical
Para apreciar una seal sinusoidal es necesario el uso de una seal de barrido sobre el
canal horizontal, de modo que la seal aplicada al canal vertical pueda observarse sobre
la pantalla del tubo. La figura 22.6 ilustra la imagen que se visualiza en el ORe como
resultado de un barrido lineal horizontal y una entrada sinusoidal al canal vertical. Para l
ciclo de la seal de entrada que aparece en la figura 22.6a, es necesario que las
frecuencias de la seal y el barrido lineal se encuentren sincronizados. Si existiera alguna
diferencia la imagen aparecer en movimiento (no estar sincronizada), a menos que
la frecuencia de barrido sea algn mltiplo de la frecuencia sinusoidal. Disminuir la
frecuencia de barrido har posible que aparezca un mayor nmero de ciclos de la seal
sinusoidal, mientras que el incremento de la seal de la frecuencia de barrido resultar en
una disminucin en la visualizacin de la entrada vertical sinusoidal, apareciendo por
consiguiente como un aumento de una parte de la seal de entrada.
Uy

(ms)

t (ms)
(a)

Uy

t (ms)

Figura 22.6 Visualizacin de la entrada

vertical sinusoidal y de la entrada de barrido
horizontal: (a) visualizacin de la seal de
entrada vertical haciendo uso de la seal
lineal de barrido para reflexin horizontal;
(b) visualizacin en el osciloscopio para una
entrada vertical sinusoidal y una velocidad
de barrido horizontal igual a un medio de la
seal vertical.

t (ms)
(b)

876

Captulo

22 El osciloscopio

y otros instrumentos

de medicin

Determine cuntos ciclos de una seal sinusoidal de 2 kHz se observan si la frecuencia

de barrido es:
(a) 2 kHz.
(b) 4 kHz.
(c) 1kHz.

EJEMPLO 22.1

Solucin
(a) Cuando las dos seales tienen la misma frecuencia, se ver un ciclo completo.
(b) Cuando la frecuencia de barrido se incrementa a 4 kHz, se ver medio ciclo.
(e) Cuando la frecuencia de barrido se reduce a 1 kHz, se vern dos ciclos.

La figura 22.7 muestra una forma de onda discreta (tipo pulsante) aplicada como una
entrada vertical con barrido horizontal, obteniendo como resultado una visualizacin en el
osciloscopio de la seal del pulso. La numeracin en cada forma de onda permite seguir la
visualizacin para la variacin de la entrada y el voltaje de barrido durante un ciclo.
Sealvertical

~~3~---------- ---~----~

----.r"--t--+.---~-

.... Sealhorizontal

Figura 22.7 Empleo del barrido lineal

para una forma de onda discreta (tipo
pulsante).

22.5 SINCRONIZACION

y DISPARO

La visualizacin en un ORC puede ajustarse al establecer la velocidad de barrido

(frecuencia) para apreciar ya sea un ciclo, varios ciclos, o parte de un ciclo. Esta es una
muy valiosa caracterstica del ORe. La figura 22.8 muestra la imagen resultante para
algunos ciclos de la seal de barrido. Cada vez que el voltaje de barrido horizontal de
diente de sierra pasa a travs de un ciclo de barrido lineal (de un negativo mximo a cero
para un mximo positivo), ocasiona que el haz de electrones se mueva horizontalmente a
travs de la pantalla del tubo, de la izquierda al centro y luego a la derecha. El voltaje
de diente de sierra decae entonces rpidamente de regreso hacia el voltaje negativo de
arranque, con el haz retornando hacia el extremo izquierdo. Durante el tiempo que el
22.5 Sincronizacin

y disparo

877

Sella! de entrada vectical

Sella! de barrido horizontal

Figura 22.8 Imagen estable del

osciloscopio: seales de entrada y
de barrido sincronizadas.

voltaje de barrido se hace rpidamente negativo (retrasado), el haz se borra (la rejilla
de voltaje previene que los electrones incidan en la pantalla del tubo).
Para observar una imagen estable cada vez que el haz es barrido a travs de la pantalla del tubo, es necesario que se arranque el barrido en el mismo punto del ciclo de la
seal de entrada. En la figura 22.9 la frecuencia de barrido es demasiado baja y la imagen
del ORe tendr un "desplazamiento" aparente hacia la izquierda. La figura 22.10 ilustra
lo que ocurre cuando se establece una frecuencia de barrido demasiado alta, con un
desplazamiento aparente hacia la derecha.
Debera ser obvio que es poco prctico ajustar la frecuencia de barrido exactamente
al mismo valor de la frecuencia de la seal para obtener un barrido estable. Un
Sella! de entrada vertical

Seal de barrido horizontal

Figura 22.9 Frecuencia de barrido

demasiado baja: desplazamiento
aparente hacia la izquierda.

878

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Seal de entrada vertical

Seal de barrido horizontal

Cada forma de onda es 3/4 de una

onda sinusoidal (O ~ 2 7t).
Cada forma de onda se determina por
la seccin de entrada vertical entre las
lneas interrumpidas determinadas por
la seal de barrido.

I -

lA

l'
Figura 22.10 Frecuencia

de barrido demasiado alta: desplazamiento

aparente hacia la derecha.

procedimiento ms prctico es esperar hasta que la seal alcance el mismo punto en un

ciclo para comenzar el trazado. Este disparo tiene diversas caractersticas, como se
describe a continuacin.

Disparo
El mtodo usual de sincronizacin
emplea una porcin de la seal de entrada para
disparar un generador de barrido de modo que la seal de barrido se fije o sincronice con
la seal de entrada. Al utilizar una porcin de la misma seal por visualizarse a fin de
proporcionar la seal de sincrona, se asegura la sincronizacin. La figura 22.11 muestra
un diagrama de bloques que representa cmo se deriva una seal de disparo en una
visualizacin de canal simple. La fuente de la seal del disparo se obtiene a partir de la
frecuencia de lnea (60 Hz), para visualizar las seales relacionadas a la lnea de voltaje,
de una seal externa (alzuna otra de la que se observa), o ms adecuadamente, de una
Acoplador
de disparo

o
Fuente
del disparo

Entrada
EXT ----,

EXT

I
I

Nivel

I
I

I
I

I
I
I

I
I

Pendiente

Generador
de disparo
Amplificador
De los circuitos
interno
verticales de -+
del disparo
oscioscopio

INT
------e

I
I

Generador

de

compuerta

o
Ajuste de
tiempo/cm

L1NEA

,-----0

IL

o---

Integrador

Voltnjc de
ti lmea
Barrido
principal

Figura 22.11 Diagrama de bloques mostrando la operacin de disparo del osciloscopio.

22.5 Sincronizacin y disparo

879

seal derivada de la aplicada como entrada vertical. El interruptor de seleccin en

osciloscopio al fijarse en la opcin interna (INTERNAL) proporcionar una parte de
seal de entrada al circuito generador de disparo. La salida del generador de disparo
una seal de disparo que se emplea para arrancar el barrido principal del osciloscopio,
cual dura el tiempo establecido por el ajuste de tiempo/cm. La figura 22.12 ilustra
disparo que se arranca en varios puntos de un ciclo de seal.

el
la
es
el
el

(b)

(a)

(d)

(e)

Figura 22.12 Disparo en varios

puntos del nivel de la seal (Nora:
el signo arranca en el mismo punto
del ciclo de cada barrido y por lo
tanto se encuentra sineronizado):
(a) nivel de positivo a cero; (b)
nivel de negativo a cero; (e) nivel
de disparo de voltaje positivo; (d)
nivel de disparo de voltaje
negativo.

La operacin del disparo de barrido tambin puede apreciarse al observar algunas

de las formas de onda resultantes. De una seal de entrada dada se obtiene una forma de
onda de disparo para proporcionar una seal de barrido. Como se ve en la figura 22.13, el
barrido se arranca a un tiempo en el ciclo de la seal de entrada y dura el periodo
establecido por los controles de longitud de barrido. Entonces el osciloscopio espera
hasta que la entrada alcanza un punto idntico en su ciclo antes de arrancar otra operacin
de barrido. La longitud del barrido determina cuntos ciclos se podrn observar, mientras
que el disparo asegura que la sincronizacin tenga lugar.
Voltaje de entrada

Seal de disparo

Seal de barrido

~
Longitud de
tiempo de barrido
establecido por los
controles de ttcs

880

Captulo

22 El osciloscopio

y otros instrumentos

Figura

de medicin

22.13 Barrido con disparo.

22.6 OPERACION DEL MULTITRAZADO

La mayora de los osciloscopios modernos proporciona la exhibicin de dos o ms trazos
sobre la pantalla del osciloscopio al mismo tiempo. Esto permite comparar la amplitud,
caractersticas especiales de la forma de onda y otras caractersticas importantes de las
formas de onda. Un trazado mltiple puede obtenerse empleando ms de un can de
electrones, creando los haces separados, imgenes separadas. Sin embargo, con mucha
frecuencia se emplea un haz de electrones simple para crear las imgenes mltiples.
Dos mtodos para desarrollar dos trazos son CONMUT ADO (CHOPPED) y ALTERNADO (ALTERNA TE). Con dos seales de entrada aplicadas, un interruptor electrnico conecta primero una entrada, luego la otra, al circuito de deflexin. En el modo de
operacin ALTERNO el haz es barrido a travs de la pantalla del tubo, exhibiendo sin
embargo muchos ciclos de una seal de entrada que estn por visualizarse. Luego la entrada
se alterna (conmuta) a la segunda entrada y exhibe el mismo nmero de ciclos de la segunda
seal. La figura 22.14a muestra la operacin con la visualizacin alternada. En el modo de
operacin CONMUTADO (figura 22.14b), el haz se conmuta repetidamente entre las dos
seales de entrada durante un barrido del haz. En tanto la seal es de relativa poca
frecuencia, la accin de conmutacin no es visible y se observan dos imgenes por separado.

arrido
durante

Iaentr.rl!A
~

Nota: Las lneas blancas

muestran la conmutacin del
haz de electrones en trazado
alterno (alternate) que no es
visible en la imagen real del
osciloscopio.

[l ---:
~

durante~U
la entrada B

(a)
Operacin de conmutacin
(chopping) para visualizar un
trazado doble con un haz
simple de electrones (a bajas
frecuencias de seal, las lneas
de conmutacin o chopping
son escasamente visibles)

...--:--

(b)

Figura 22.14 Modos de visualizacin alterno (alterna/e) y conmutado (chopped) para operacin de doble
trazado: (a) modo alterno para doble trazado empleando un haz simple de electrones; (b) modo conmutado
doble trazado utilizando un haz simple de electrones.

22.7

para

MEDICION CON LAS ESCALAS CALIBRADAS DEL ORC

La pantalla del tubo del osciloscopio tiene una escala calibrada para
efectuar mediciones de amplitud o tiempo. La figura 22.15 ilustra una
tpica. Los cuadrantes se dividen en centmetros (cm), con 4 cm a cada
Cada centmetro de los cuadrantes se divide adicionalmente en intervalos

emplearse para
escala calibrada
lado del centro.
de 0.2 cm.

22.7 Medicin con las escalas calibradas

del ORe

881

Figura 22.15 Pantalla calibrada del

osciloscopio

Mediciones de amplitud
La escala vertical est calibrada en voltios por centmetro (V/cm), o en milivoltios por
centmetro (mV/cm). Haciendo uso de la escala establecida por el osciloscopio y la seal
medida fuera de la pantalla del osciloscopio, se pueden medir normalmente voltajes pico,
o pico-a-pico para una seal de ea.

EJEMPLO 22.2

C~1cule la amplitud pico-a-pico de la seal sinusoidal en la figura 22.16 si la escala del

osciloseopio se ajusta a 5 mV/cm.

--

-t-

+ti: ..:',It

;~

~~~~r:-;;
~0:i\
::t--

-H+'

~'"'::::,.
. - -;-'

Figura 22.16 Forma de onda para el

ejemplo 22.2.

Solucin
La amplitud pico-a-pico es
2 x 2.6cm

x 5mV/cm=26mV

Ntese que un osciloscopio proporciona mediciones fciles de valores pico-a-pico.

mientras que un multmetro normalmente proporciona mediciones de valores rms (para
una forma de onda sinusoidal).

882

Captulo 22

El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

Calcule la amplitud de la seal del pulso en la figura 22.17 (el osciloscopio est ajustado
en 100 mV/cm).

"r

EJEMPLO 22.3

.'-l-

,1 ti

-+-+,,1+

1:
1:

:;-

-::t

-b

H-

nt-

-+

-1+

+..J

-+..~

'-

Ir-::r

.++

..

'O'

=H:-

-++

.tt

"',

...-l+
r-:

Figura 22.17 Forma de onda para

el ejemplo 22.3.

Solucin
La amplitud de pico-a-pico es
(2.8 cm + 2.4 cm) X 100 mV/cm

= 520 mV = 0.52

Mediciones de tiempo
PERIODO
La escala horizontal del osciloscopio puede utilizarse para medicin del tiempo, ya
sea en segundos (s), milisegundos (ms), microsegundos (us) o nanosegundos (ns).El
intervalo que abarca un pulso desde su comienzo hasta el final, es el periodo del pulso.
Cuando la seal es repetitiva, el periodo es un ciclo de la forma de onda.

Calcule el periodo de la forma de onda que se ilustra en la figura 22.18 (el osciloscopio
se encuentra establecido a 20 us/cm).

EJEMPLO 22.4

Figura 22.18 Forma de onda para

el ejemplo 22.4.
22.7 Medicin con las escalas calibradas del ORe

883

Solucin
Para la forma de onda de la figura 22.18,
periodo

ee T::;:

3.2 cm

20 us/cm ::;:64 us

FRECUENCIA
La medicin de un periodo repetitivo de la forma de onda puede emplearse para
calcular la frecuencia de la seal. Puesto que la frecuencia es el recproco del periodo,

(22.1)

EJEMPLO 22.5

Determine la frecuencia de la forma de onda que se ilustra en la figura 22.18 (el ociloscopo se
encuentra fijado a 5 us/cm),

Solucin
De la forma de onda
periodo = T = 3.2 cm

f=

5 J-Ls/cm

= 16 J-Ls

T=

16 J-LS

= 62.5 kHz

ANCHURA DEL PULSO

El intervalo de tiempo en que una forma de onda se encuentra en alto (o bajo) es la
anchura del pulso de la seal. Cuando los extremos de la forma de onda ascienden o
descienden instantneamente, la anchura se mide del comienzo (extremo inicial) al final
(extremo frontal) (vase la figura 22.19a). Para una forma de onda con extremos que
suben o bajan en cierto intervalo de tiempo, la anchura del pulso se mide a la mitad de los
puntos, como se muestra en la figura 22.19b.

Figura 22.19 Medicin de la anchura

del pulso.

884

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

EJEMPLO 22.6

Determine la anchura del pulso de la forma de onda en la figura 22.20.

,
,,

1+ - ...,+ ----------+-+---

+ -- + - -+-

+H+

.-. + - +H:

.... - -~-- ...

,.

-- - - -+

-H- --H-.Fgura 22.20 Forma de onda

para el ejemplo 22.6.

Parmetro de OSCilOSCOPi0G:
2ms/cm

Solucin
Para una lectura de 4.6 cm en el punto medio de la forma de onda la anchura del pulso es
Tpw

= 4.6 cm x 2 us/cm = 9.2

f..lS

RETARDO DEL PULSO

El intervalo de tiempo entre los pulsos se conoce como el retardo del pulso. Para
formas de onda, como se ilustra en la figura 22.21, el retardo del pulso se mide entre el
punto medio y el comienzo de cada pulso.

+....

- -1+

-1+

+--

.. -- H--

Parmetro de osciloscopio
50 sIcm

Figura 22.21 Forma de onda

para el ejemplo 22.7.

Determine el retardo del pulso (pulse delay) para las formas de onda de la figura 22.21.

EJEMPLO 22.7

Solucin
De las formas de onda de la figura 22.21,
retardo de pulso = TpD = 2 cm x 50 us/cm

= 100 us

22.7 Medicin con las escalas calibradas

del ORe

885

22.8 CARACTERISTICAS ESPECIALES DEL ORC

El ORC ha llegado a ser cada vez ms sotisficado y especializado
de mediciones de amplitud, las escalas para medidas de tiempo,
que se visualizan, los mtodos para suministrar disparo de
mediciones son diferentes dependiendo del rea de uso especfico

en su uso. El intervalo
el nmero de trazados
barrido y los tipos de
del osciloscopio.

Barrido con retardo

Una til caracterstica
del ORC emplea dos bases de tiempo para proporcionar la
seleccin de una pequea parte de la seal por visualizarse.
Una base de tiempo
selecciona la seal total vista en la pantalla del osciloscopio, mientras que una segunda
base permite seleccionar una pequea parte de la seal observada para visualizarse en un
modo expandido. La base de tiempo principal se conoce como la base de tiempo A
mientras que la segunda base de tiempo, denominada como B, exhibe la seal despus de
un retardo de tiempo seleccionado.
La figura 22.22 proporciona un diagrama de bloques que muestra la operacin de las
dos bases de tiempo. Con los controles frontales del panel ajustados para operar desde el
barrido A, se establece una seal de barrido principal para observar un nmero de ciclos
de la seal de entrada. Los controles permiten entonces fijar el barrido B empleando
un selector de regulacin graduado variable, con el barrido B por lo regular como un
intervalo intensificado que puede moverse sobre la imagen del barrido visualizado.
Cuando se establece la porcin deseada del barrido visualizado, los controles se mueven
para exhibir la parte retardada de la seal, la cual se observa en la segunda base de
tiempo establecida como una imagen aumentada. La figura 22.23 ilustra una seal de tipo
discreto visualizada primero haciendo uso del barrido A y luego la porcin seleccionada
en un ajuste de barrido aumentado.
Figura 22.22 Operacin
del barrido retardado:
diagrama de bloques.

Seal de
disparo

---

-r

Circuitos de :
disparo
principal

Circuitos de
compuerta
principal

rt

Barrido
principal

Integrador
principal

Comparador
de barrido

Figura 22.23
Barridos principal y
retardado.

Seal de
barrido

Circuitos de

disparo retardado

Barrido de
compuerta
retardado

lruegrador
retardado

ri

Barrido
retardado

jJI."

i:iE

+--i-

tt,:'

;,

J.

--H- -' "~

,.
.'-4

"T,
.....

'1.+

.i.,

..:.

-=

t ..

'...!:i-

t~

't-t

~H "1

'1

~.;...

.' ih

lit .i:tt+ +++++

tr

j.'"

886

r---'

-+
r

~
,~

-++-+-

+-+ ~

~r-'
.....:;-

:'-<'"

"++h-

tt1ittt ttl: ~t1Jlit ij.lllrrJt

-Eth

22.9 GENERADORES DE SEALES

Un generador
de seales proporciona
una seal de ea de amplitud ajustable y
frecuencia variable para usar en la operacin de un amplificador u otro circuito lineal. La
frecuencia puede ajustarse normalmente
desde unos cuantos hertzs hasta algunos
megahertz. La amplitud de la seal puede ajustarse en un intervalo que va de los
milivolts hasta unos cuantos volts de amplitud. Mientras que la seal sea por lo regular
una forma de onda sinusoidal a menudo se contar con formas de onda discretas
(cuadradas) o incluso formas de onda triangulares.

el

Generador de formas de onda (8038)

Un generador de formas de onda de precisin se suministra por medio de la unidad de CI

8038 que se ilustra en la figura 22.24. El sencillo CI de 14 terminales es capaz de
producir formas de onda sinusoidales, cuadradas o triangulares altamente precisas para su
uso en la operacin o prueba de otro equipo. La consideracin de la operaci6n del CI
ayudar a comprender
cmo funciona cualquier generador de seales disponible
comercialmente. Este CI en particular puede suministrar frecuencia de salida que puede
ajustarse desde menos de 1 Hz hasta cerca de 300 kHz. El rango de las unidades
comerciales puede ser considerablemente mayor. Como se indica en la figura 22.24, el CI
proporciona tres tipos de formas de onda de salida: todas a la misma frecuencia, siendo
sta seleccionada por el usuario.
Ajuste
sinusoidal

V(gnd)

803!!

Figura 22.24 Cl generador de

formas de onda 8038.

NN

La figura 22.25 muestra las conexiones del CI cuando se utiliza para suministrar una
salida de frecuencia ajustable. La frecuencia de la unidad sera entonces de

G[J

(22.2)

f=-

Re

V+(+9 V)

RL
IkQ

6
7
8

8038
11

12

.rtr

./V\

lV'v
Figura 22.25 Conexiones del 8038
como generador de frecuencia
variable.
22.9

Generadores

de seales

887

EJEMPLO 22.8

Determine las frecuencias ms baja y ms alta obtenidas cuando se vara el potencimetro

kn de su calibracin minima hasta su calibracin mxima.

del 10

Solucin
Haciendo uso de la ecuacin (22.2), para un potencimetro

f=

0.15
(lO kO)(0.5 .tF)

fijo en O, R

IOn:

30 Hz

Para un potencimetro establecido a su valor mximo,

0.15
(lO 0)(0.5 .tF) == 30 kHz

AMPLITUD DE SALIDA AJUSTABLE

La conexin de la figura 22.26 muestra cmo proporcionar un ajuste de la amplitud
de la forma de onda sinusoidal con la salida sinusoidal suministrada a travs de un
manejador. El amp-op 310 es un manejador (buffer) de ganancia unitaria que proporciona
la salida sinusoidal de una salida de baja impedancia. [El 310 tiene una ganancia de
voltaje cercana a la unidad (1), con una impedancia de salida de alrededor de In.] La
frecuencia de salida es ajustable sobre un intervalo de alrededor de 30 Hz hasta 30 kHz,
con una amplitud ajustable de casi 9 V pico.

6
+9 V

7
8038

Ramp

10

11

12

100 kn
R2 kn

l0 0
3O~0TV
Salida
de onda

':"

Figura 22.26 Generador de formas de onda siousoidaJes con frecuencia y amplitud ajustables.

GENERADOR DE PULSOS DE 5 V (TTL)

Un circuito que suministra una forma de onda discreta (de pulsos) de 5 Y para
emplear con circuitos digitales TIL se ilustra en la figura 22.27. El CI 8038 proporciona
una forma de onda rectangular o discreta a una salida fija entre O y +5 V. La frecuencia
de la salida puede variarse desde cerca de 30 Hz hasta 30 kHz cuando se ajusta el valor
del potencimetro de 10 kn . Un generador de seales comercial probablemente incluir
capacitores de conmutacin para suministrar frecuencias sobre un intervalo de valores.
En tanto que la fuente emplee un CI regulador para suministrar el voltaje fuente de +5 Y,
la salida ser un valor bien definido, como se utiliza tpicamente en circuitos TIL. El
seguidor unitario 310 proporciona la salida de una fuente de baja impedancia haciendo
posible conectar la salida hacia varias cargas, sin afectar la amplitud o la frecuencia de la
seal de la forma de onda.

888

Captulo 22 El osciloscopio y otros instrumentos

de medicin

,-----~-----{)

+5Y

+5Y
4

8038

reD

8
10

11

e
0.5 .F

307

Salida TTL

+5Iu
OY

Figura 22.27 Generador

de formas de onda de seal ITL.

22.9 Generadores de seales

889

\PENDICE

Parmetros hbridos:
ecuaciones de conversin
(exactas y aproximadas)

A.1EXACTAS
Configuracin emisor comn

h.,

= (1 +

h.,

= (1

=
fe

hfb)(

hibhob -

hrb(

hfb) ( 1

-hfbO

(1

hfb) ( 1

Configuracin base comn

890

hib
hrb)

+ hobhib

1-

hrb)

hfb)

hrb) -

hobhib

hobhib

h
le

= 1-

hobhib

hrb)

h
re

-O + hfc)

Cont1guracin colector comn

A.2 APROXIMADAS
Configuracin emisor comn
h.;

hib
1+h

==

_
fb

hibhob

+ hfb

-hfb
+ hfb

=f3re
_ h
rb

== f3

Conflzuracin base comn

rb

hfb

==

_ h re =
- h re _

hiehoe
---':.:.......:=--

1_

1 + hfe

==

-hfe
+ hfe

hichoc
h
'fc

==

Configuracin colector comn

==

1+ h

h.;

==

hfc

==

+ hfb == - f3

=
1

h.

fb

==

f3r e

-1

oc -

hob
ht

A.2 Aproximadas

891

.\ P E N 1) I (' E

Factor de rizo y
clculos de voltaje
B.I FACTOR DE RIZO DEL RECTIFICADOR
El factor de rizo de un voltaje se define mediante
rms valor de la componente ea de la seal

r:---------------------------valor medio de la seal

que puede expresarse como
V,(rms)

r=

Ved

Puesto que la componente de voltaje ea de una seal que contiene un nivel cd es

Vac

V -

el valor rms de la componente ea es

V,(rms) =

[2~rl7 v;c ae
1

= [ 21T

Lo

Vdc

]1/2

17

(v - Vdc)2 dO

[2~rl7

(v2

zvv

= [V2(rms) - 2Vae
= [V2(rms) -

+ Vac)

ae J'2

+ Vae]112

Vae] 112

donde V(rms) es el valorrms del voltaje total. Para la seal rectificada de media onda,

[(~mr- c;rr2
(~r- (~rr2

V,(rms) = [V2(rms)
=

- Vae] 1/2

= Vm[
V,(rms)

892

= 0.385V

(media onda)1

(B.I)

Para la seal rectificada de onda completa,

[(~r - (2:mrr

=V
m

(!_
~)1I2
2
1T'2

I V,(rms) = O.308V

(onda completa)

(B.2)

B.2 VOLTAJE DE RIZO DEL FILTRO CON CAPACITOR

Suponiendo una aproximacin de forma de onda de rizo triangular como se muestra en la
figura B.l, podemos escribir (vase la figura B.2)

V(
,
' P-P)

V _

(B.3)

cd

Durante la descarga del capacitor el cambio de voltaje a travs de

e es
(B.4)

A partir de la forma de onda triangular de la figura B.I

V(
r

rms

) -

V,(p-p)

2V3

(B.5)

(obtenida mediante clculos que no se presentan).

Forma de onda
triangular
aproximada

Figura B.l Voltaje de rizo

triangular aproximado para un
filtro con capacitor.

;..

---'-t/2V
r

Figura B.2 Voltaje de rizo.

B.2 Voltaje de rizo del filtro con capacitor

893

Empleando los detalles de la forma de onda de la figura B.I se obtiene

Vr(p-p)

v,

TI

T/4
TI = Vr(p-p)(T/4)
Vm

Asimismo,

T2=--TI=-T -

2Vm

Vr(p-p)(T/4)

v,

Vr(p-p)

2 -

_ 2TVm

Vr(p"p)T

-'

4Vm

I...
(B.6)

Puesto que la ecuacin (B.3) puede escribirse como

podemos combinar la ltima ecuacin con (B.6):

que, insertada en la ecuacin (B.4), produce

Vr(p-p) =

Ied(V
e
v"2T)
cd

1
T=-

/
V

Ied

Ved

2/e Vm

r(P-P) -

(B.7)

Combinando las ecuaciones (B.5) y (B.7), resolvemos para V,(rms):

(B.8)

B.3 RELACION DE Ved y Vm CON EL RIZO, r

El voltaje cd desarrollado a travs del capacitor del filtro a partir de un transformador que
proporciona un voltaje pico, V m' que puede relacionarse con el rizo como sigue:
r=

Vr(rms)
Ved

Ved =

Vr(p-p)

Vr(p-p)

2V3 Ved
Vr(p-p)/2

2V3~

V3r

_ Vr(p)

- V3r

Vm - Ved = ;[3rVecL..
V m = (1 + "V3r)Ved

894

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

Vm

Ved

V3r

(B.9)

La relacin de la ecuacin (B.9) se aplica tanto a rectificadores de media onda como de

onda completa de filtro con condensador y se grafica en la figura B.3. Como ejemplo, a
un rizo de 5% el voltaje cd es-Ved = 0.92 V m' O dentro de 10% del voltaje pico, donde
como en el rizo de 20% el voltaje cd disminuye slo hasta 0.74 V m que es ms de 25%
menor que el valor pico. Ntese que V cd se encuentra dentro de 10% de Vm para un rizo
menor que 6.5%. Esta cantidad de rizo representa la lnea frontera de la condicin de carga
baja.

,
~ga

baja [Ved dentro del 160% de V~

0.900

0.800
H'

,
..l

0.700

Carga baja
6.5%)
Figura B.3 Grfica

.....J

.-~

10

15

20

0.,

o-o

25

%r

de (VeIV"')

como funcin del % de r.

B.4 RELACION DE

v, (RMS) y Vm CON EL RIZO, r

Podemos tambin obtener una relacin entre Vr (rms), Vm y la cantidadde rizo para
rectificadores de media onda y de onda completa con filtro y capacitor como se indica:
B.4 Relacin de Vr (RMS) y Vm con el rizo, r

895

V3Vr(rms)

v,

i _V.ed

v,

Empleando la ecuacin (B.9), obtenemos

V3Vr(rms) _ 1 _
1
Vm
1+

\13 r

Vr(rms)

Vm

_1_(1 _
V3

1 ) = _1_( 1 + V3r - 1)

1 + V3r

V3

+ V3r

-----;=~
1 + V3r

(B

La ecuacin (B. lO) se grafica en la figura B.4

Puesto que V cd se encuentra dentro dellO% de Vm para un rizo ~ 6.5%,
(carga baja)

=r

y podemos emplear V, (rms)/V m =r para un rizo ~ 6.5%

V,(nns)

V,,;

1 +{3r

150

X 10-3

100

50
a baia

Cargabaja

6.5%)

'

10

15

Figura B.4 Grfica de Vr (rms)IVm como funcin del % de r.

896

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

20

25

%r

B.5 RELACION ENTRE EL ANGULO DE CONDUCCION,

% DE RIZO E IpicJ1cd PARA CIRCUITOS
RECTIFICADO RES CON FILTRO DE CAPACITOR
En la figura B.I podemos determinar
como sigue, ya que

el ngulo al cual el diodo empieza a conducir, O,

v = V m sen 9 = V m - V,(p - p)

9 =9

hasta

La utilizacin de la ecuacin (B. 10) y V, (rms) = V,(p-p )/2 produce

V,(p-p)
2v'3Vr(rms)
---'-~-'-= -_"":"":"_-'-

v,

1 - V,(p-p)

por consiguiente,

v,

Vm

1 _ 2v'3V,(rms)

v,

1 _ 2v'3 (

r
)
1 + v'3r

1 - v'3r
1 + v'3r
9 = sen-! 1 -:-#r

(B.11)

1.f.V3r

donde 91 es el ngulo al cual se inicia la conduccin.

Cuando la corriente se vuelve cero despus de cargar las impedancias en paralelo R L Y
C, podemos determinar que

Una expresin para roR L C puede obtenerse en la forma siguiente:

(Icd/4v'3C)(VcdlVm) _ VCd,/RL 1
Vcd
- 4v'3C Vm

r=

27T( 1

+ lv'3r)

4v'3 wCRL
en consecuencia

wRLC

27T
4v'3 (1 + v'3r)r

0.907
=

r(1

+ v'3r)

De este modo, la conducin se interrumpe a un ngulo

0.907

-1

(}z =

7T - tan

(1

(B. 12)

+ v'3r)r

De acuerdo con la ecuacin (16.10b) podemos escribir

Ipico

=.J. =

.!....

Icd

lcd

TI

1800
()

(onda completa)
(B.13)
(media onda)

B.5 Relacin entre el angulo de conduccin, % de rizo e lprJ la! para drcutos rectificadores con ltro de capacitor

897

Una grfica de [pico / [cd como funcin del rizo se presenta en la figura B.5 para la
operacin de media onda y de onda completa.

-t-

-t--

fMedia onda

nda completa

15

10

5
1 +{3r)
(

1 +{3r

10
9

2=1t-tan-

Figura D.5 Grfica de 1pico /Icd versus al % de

898

r,

1[

25 %r

20

15
1.814

r[I+v'3rJ

para operacin de media onda y de onda completa.

Apndice B Factor de rizo y clculos de voltaje

'.'

APENDICE

Grficas y Tablas

TABLA C.I

,"

Alfabeto griego y designaciones comunes

Nombre

Mayscula

alpha
beta
gamma
delta
epsilon
zeta
eta
theta
iota
kappa
lambda
mu
nu
xi
omicron
pi
rho
sigma
tau

A
B

a.

'Y
b

upsilon
phi
chi
psi
omega

I:l

Minscula

'll

K
A
M
N

1C

A.
Il

1t

l:

p
o

't

Y
<l>

'l'
n

Utilizada para designar

Angulos, rea, coeficientes
Angulos, densidad de flujo, coeficientes
Conductividad, gravedad especfica
Variacin, densidad
Base de logaritmos naturales
Impedancia, coeficiente, coordenadas
Coeficiente de histrisis, eficiencia
Temperatura, ngulo de fase
Constante di elctrica, susceptibilidad
Longitud de onda
Micro, factor de amplificacin, permeabilidad
Reluctancia

Razn de la circunferencia al dimetro

Resistividad
Signo de suma
Constante de tiempo, desplazamiento en
tiempo de la fase

$
X

Flujo magntico,

'1'

Flujo dielctrico, diferencia de fase

Mayscula: ohms; minscula: velocidad
angular

O)

ngulos

l
899

TABLA C.2 Valores estndar de resistores adquiribles en el comercio

0.10
0.11
0.12
0.13
0.15
0.16
0.18
0.20
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
0.47
0.51
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91

Ohms

Kilohms

Megohms

(O)

(hD.)

(MD.)

1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8
2,0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1

10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91

100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910

1000
1100
1200
1300
1500
1600
1800
2000
2200
2400
2700
3000
3300
3600

!~
4700
5100
5600
6200
6800
7500
8200
9100

1.0

100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910

10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91

10.0

l.J

U.O

1.2

12.0
13.0
15.0
16.0
18.0
20.0
22.0

J.3

1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1

TABLA C.3 Valores tpicos de componentes de capacitor

.tF

pF

900

10
12
15
22
27
33
39
47
56
68
82

100
120
150
220
270
330
390
470
560
680
820

Apndice

1000
1200
1500
2200
2700
3300
3900
4700
5600
6800
8200

Grficas

y Tablas

100

0.10

1.0

10

100

1000

15000
22000

0.15
0.22

1.5
2.2

18
22

180
220

1800
2200

33000

0.33

3.3

33

330

3300

47000

0.47

4.7

47

470

4700

68000

0.68

6.8

APENDICE

PSpice

SPICE es un popular programa de anlisis de circuitos elctricos que permite al usuario

introducir una descripcin de cualquier circuito dado de una manera descriptiva simple, y
luego solicitar puntos de cd, ea o grficas que se proporcionan por varios puntos nodales
(nodos) en el circuito. Conociendo cmo utilizar este programa se pueden efectuar diseo
de circuitos, anlisis e inclusive simulacin en una forma ms fcil y sencilla.
El paquete de programacin (software) PSpice empleado para analizar problemas en
las secciones de Anlisis por Computadora a lo largo de este libro es distribuido por la
compaa MicroSim Corporation. Se puede proporcionar una versin de evaluacin para
aquellos educadores y estudiantes que quieran comenzar a descubrir algunas de las muchas
formas en que PSpice puede utilizarse a fin de analizar diversos circuitos de numerosas
maneras distintas.
A pesar de que los programas
en este libro fueron ejecutados en mquinas
compatibles con el estndar ffiM, PSpice tambin puede ejecutarse en sistemas VAX,
SUN y MAC, as como en otros sistemas. Este apndice proporcionar una ayuda para el
uso de PSpice en un sistema tipo ffiM. Para informacin ms detallada, existe una
variedad de textos educativos adecuados, * manuales de compaas y textos comerciales
disponibles en el mercado.

Requerimiento bsico del sistema

PSpice puede ejecutarse en un sistema tipo ffiM PC o AT configurado adecuadamente.
Puede ejecutarse
bajo DOS en un sistema con 640K de memoria principal,
preferentemente utilizando un rnicroprocesador 80286 o uno ms rpido. La mayora de
las impresoras pueden proporcionar
lo mismo una salida grfica que una de texto
suministrada por el programa PSpice. La salida se obtiene con mayor facilidad cuando el
programa se ejecuta desde un disco fijo o rgido debido a la gran capacidad de
almacenamiento que necesitan el programa y las libreras auxiliares. La ltima versin de
PSpice incluye un editor de entradas integrado y el programa de anlisis SPICE, junto
con la capacidad de hojear a travs del archivo de salida (que contiene los resultados de
anlisis) y de ejecutar PROBE para visualizar las imgenes grficas de salida.

Operacin completa empleando PSpice

Para llevar a cabo un anlisis
continuacin:

de PSpice

se deben proceder

SPICE: A Guide 10 Circuir Simulation

1988, Computer-Aided
Circuir Analysis
1989.

and Analysis Using PSpice, Prentice-Hall,

Using SPlCE, W. Banzhaf, Prentice-Hall,

como se describe

Englewood Cliffs, N.J.,

Englewood Cliffs, NJ.,

901

1. Identificar el circuito completo, marcando todos los puntos nodales o nodos, as como
les componentes (por nombre y valor del componente).
2. Hacer uso de un editor de texto (como el suministrado por PSpice o cualquier otro que
proporcione una salida tipo ASCII), para introducir un archivo de circuito (con
extensin: .CIR) que describa el circuito dado.
3. Ejecute o "corra" el anlisis de PSpice para producir un archivo de salida (con
extensin: .OUT) que liste los resultados obtenidos, o un archivo de prueba
(PROBE.DA T) que puede visualizarse haciendo uso del programa incluido con
PSpice.

Nombres de archivo
Los archivos utilizados con PSpice emplean extensiones estndar de tres letras .
Archivo de entrada que describe el circuito
Archivo de salida que conserva los resultados
Archivo de datos de prueba para ejecutar

.CIR
.OUT
PROBE.DAT (slo se tiene un
archivo presente a la vez)

Obtencin de un listado impreso

Para obtener una copia permanente (impreso o hard copy) del archivo de salida .OUT,
utilice la instruccin PRINT del DOS. Por ejemplo, para obtener una copia impresa del
archivo HW5.0UT, teclee
PRINT HW5.0UT
Si la prueba ha sido utilizada, teclee PROBE y siga las instrucciones para obtener una
imagen grfica y, si se desea, una copia impresa.

902

Apndice D PSpice

APENDICE

Soluciones a los
problem.as escogidos de
.
num.ero lm.par
~

CAPITULO 1
3 . Conduccin en una sola direccin.
S. (a) 150 kn (b) 12.5 kn (c) 800 kn
(d)3~0
RSi: Rcu =50 x 109: 1
9. 18 J
21.56.35
mA
23. (b) 1 (e) Para V = O V, J = 1 Y
ID=OmA
27.330 O
29. -10 V: 100 MO, -30 V: 3OOMO
31. RCD = 76 O
rd

=3O

RCD ~ rd
33.ID
= 1 mA,rd=520vs.
550(#32)
ID = 15 mA, rd = 1.73 O vs.
20(#32)
35. 33.3 O vs. 24.4 0(#34)
37. Uso de la mejor aproximacin a la
curva ms all de VD = 0.7 V
rprom = 4 O
39. Disminuyen rpidamante con el
aumento del voltaje de polarizacin
inversa.
41. Escala log, T = 25"C:/R = 0.5 nA
T = 1oo"C:/R = 60 nA
S, a 95"C IR aument a 64 nA.
43. T = 25"C: Pmx = 500 mW, IFm =
714.29 mA
T = 1oo"C:Pmx = 260 mW, IF =
371.43 mA
..
45. (a) VR = -25V: CT =::. 0.75 pF
VR=-lOV:
CT=::. 1.25 pF
I1ClI1VR = 0.033 pFN
(b) VR =-10 V: CT=::. 1.25 pF
VR =-1 y: CT=::. 3 pF
I1ClI1VR = 0.194 pFN

(c) 0.194 pF/v : 0.033 pFN =::. 5.88: 1

Awnent la sensibilidadceceade VD = O Y
49. IF= 1 mA, IR =0.5 mA
ts = 3 ns, t, = 6 ns
51. TI = 129.17
53. 20 V: Te =::. 0.06%/"C
5 V : Te =::. -0.025%/"C
5 5 0.2 mA: =::. 400 O 1 mA =::. 95 O,
lOmA =::. 13 O. Relacin no lineal
entre lz y la impedencia dinmica.
57. VF=2.3Y
59. (a) Ipico (mx) = 37 mA
(b) Ipico (mx) = 56 mA

CAPITULO 2
1. (a) ID =::. 21.5 mA, VD
a

=::.

0.92 V,

VR= 7.08 y
(b) ID =::. 22.2 mA, VD = 0.7 V,
a

= 7.3 y

VR

(c)ID=24.24mA,
VD =OV,
a
a
3. R = 0.62 kn
S. (a) I =0 mA (1))1=0.965 A
7. (a) Vo = 9.5 Y (b) Vo = 7
9. (a) Vo, = 11.3 Y, Vo, = 0.3
(b) Vo , = -9 V, Vo z = --6.6 V

VR=8V
(c)1= 1A
V
V

25. Pulso posit., pico = 155.56 V,

Vcd=49.47V
27.(a)ID ...=20mA(b)/mx=36.71mA
(c)ID=18.36mA ~ S~) ID= 36.71 mA >
ID=20mA
29. Forma de onda rectificada completa,
pico = 100 V; PIV = 100 Y
31. Forma de onda rectificada completa,
pico = 56.67 V; Vcd=36.04 V
33. (a) Pulso posit. de 3.28 V
(b) Pulso posit. de 14.3 V
35. (a) Recortado a 4.7 Y (b) Recorte
positivo a 0.7 V, pico neg = -12 V
37. (a)OVa40Ybalanceo
(b)-5Y
a 35 V balanceo
39. (a) 28 ms (b) 56: 1 (e) -1.3 Ya
-21.3 V balanceo
41. Red de la figura 2.161 con la
batera invertida
43.(a)Rs=200,
Vz=12Y
(b) Pz...= 2.4 W
45. R, = 0.5 kn, IZM= 40 mA
47. Vo = 339.36 V

CAPITULO 3

(b) Vo= 14.6 V, 1= 0.553 mA

3. Con la polarizacin directa e inversa

9. le = 7.921 mA, lB = 79.21 ~A
11. VeB = 1 V : V BE = 800 m Y

13. Vo= 6.2 V, ID = 1.55 mA

VeB = 10 V : V BE = 770 m V

15. Vo=9.3V

VeB = 20 V : V BE = 750 mV Slo ligero

13. (a) le =::. 4.5 mA (b) le =::. 4.5 mA

11. (a) Vo= 9.7 Y, 1= 9.7 mA

17.Vo""lOV
19. Vo=-0.7
21. Vo=4.7V

(e) Desdeable (d) le

23. vi: V m = 6.98 Y,

=::.

lE

15. (a) le = 3.992 mA (b) <X = 0.993

Vd:

posit. mx =

0.7 V, neg. pico = -6.98 V

id : pulso posit. de 2.85 mA

(c)IE
2 mA
17. Av = 50'
21. (a) I3cd = 117.65 (b) <Xcd = 0.992

903

(c) ICEO= 0.3 mA (d) ICBO= 2.4 !lA

23. (a) ~cd = 83.75 (b) ~cd = 170
(e) ~cd = 113.33
25. ~cd = 116, ucd = 0.991,
IE=2.93 mA
31. le=le m VeB= 5 V
VeB = VeB.le = 2 mA
le= 4 mA, VeB= 7.5 V
VeB= lOV,le=3mA
33. le= le .
' VeE= 3.125 V
VeE = VeEml'e = 20.83 mA
le= 100 mA, VeE= 6.25 V
V CE= 20 V, le = 31.25 mA
35. hFE: le= 0.1 mA, hFE 43
le = 10 mA, hFE 98
hfe: le= 0.1 mA, hfe 72
le== 10 mA, hfe
160
37. le= 1 mA, hfe== 120
le = 10 mA, hfe == 160
39. (a) ~ca = 190 (b) ~cd = 201.7
(c) ~ca = 200 (d) ~cd = 230.77 (e) S

=
=
=

CAPITULO 4
1. (a) lB = 32.55 !lA (b) le = 2.93 mA
(c) V ce ~.g.09V (d) Ve = 8.00 V (e) VB =
0.7 V (f) VE=OV
3. (a)le = 3.98 mA (b) Vee = 15.96 V
(c) ~ = 199 (d) RB = 763 k:.Q
5. (b) RB = 812 k:.Q (e) le = 3.4 mA,
VeE = 10.75 V (d) ~cd = 1~6 (e) u =
Q
0.992 (f) le = 7 mA (h) P D = 36.55 mW
(i) Ps =71.92 mW G) PR=3537 mW
7. (a) Re = 2.2 k:.Q(b) RE = 1.2 k:.Q@
RB=356kQ@VCE=52V(e)VB=3.lV
9. le = 5.13 mA
11. (a) le = 2.93 mA, VeE = 8.09 V
(b) le = 4.39 mA, VeE = 4.15 V
(e) %Me = 49.83%, %L\VeE = 48.70%
(d) le = 2.92 mA, VeE = 8.61 V
(e) le = 3.93 mA, VeE = 4.67 V
(t) %Me = 34.59%, %L\VeE = 46.76%
13. (a) le = 1.28 mA (b) VE = 1.54 V
(e) VB = 2.24 V (d) R = 39.4 k:.Q
15. le = 3.49 mA
17. (arle = 2.28 mA (b) VeE = 8.2 V
(e) lB = 19.02 !lA (d) V E == 2.28 V
(e) VB = 2.98 V Mtodo aproximado
vlido
19. (a) Re = 2.4 k:.Q, RE = 0.8 k:.Q
(b)VE=4V
(c)VB=4.7V
(d) R2 = 5.84 k:.Q (e) ~cd = 129.8
(t) 103.84 k:.Q ~ 58.4 (concuerda)
21. l. (a) le = 2.43 mA, VeE=7.55 V
(b) le = 2.33 mA, VeE = 7.98 V;

904

(e) Mtodo aproximado: %Me = 0%,

%L\VeE=O%
Mtodo exacto: %Me = 2.19%,
%L\VeE = 2.68%
(d) %Me. = 2.19% vs. 49.83% para el
problema 11, %L\V es = 2.68 vs. 49.70%
para el problema 11. (e) Configuracin
menos sensible de divisor de voltaje
11. %Me Y %L\VCESOnbastantes pequeos
23. (a) le = 2.01 mA (b) Ve = 17.54 V
(e) VE = 3.02 V (d) VeE = 14.52 V
25. Ve para 5.98 V a 8.31 V
27. (a) lB = 13.04 !lA (b) le = 2.56 mA
(e) ~ = 196.32 (d) VeE = 8 V
29. (a) lB = 13.95 !lA (b) le = 1.81 mA
(e) VE = -4.42 V (d) VeE = 5.95 V
31. (a) lE = 3.32 mA (b) Ve = 4.02 V
(e) VeE = 4.72 V
33. R B = 430 k:.Q,Re = 1.6 k:.Q, RE =
3900.
35. RE = 1.1 k:.Q, Re = 1.6 k:.Q, R =
51 k:.Q,R2 = 15 k:.Q
37. RB = 43 k:.Q, Re = 0.62 k:.Q
39. (a) Circuito abierto, transistor
daado
(b) Abierto en la terminal de colector,
unin acortada de emisor base
(e) Circuito abierto, transistor abierto
41. (a) RBJ..,IBJ..,leJ.., Ve t.
(b)~, leJ.. (c)Inalterado
(d) Ve
IBJ..,leJ..
(e)~, leJ.., VR)' VR.J..,veEi
43. (a) R B abierto, lB = O !lA, le = lCEO
O mA, Ve
Vee
18 V (b)
le i,
V Rc..i, VR.i, V e~ (e) RcJ..,lBt, le t,
V ET (d) Cae a voltaje relativamente
bajo == 0.06V
(e) Terminal de base abierta
45. Ve = -13.53 V, lB = 17.5 !lA
47. (a) S(leo) = 91 (b) S(V BE)= -1.92
x 10-4 S (e) S(~) = 32.56 x 10-6 A
(d) Me = 1.66 mA
49. (a) S(leo) = 11.08 (b) S(V BE)=-1.27
x 10-3 S (c) S(~) = 2.41 X 10-6 A
(d) Me = 0.411 mA
51. S(leo) - Divisor de voltaje menor
que los otros tres
S(V BE)- Divisor de voltaje ms
sensible que los otros tres (que tienen
niveles similares)
S(~) - Divisor de voltaje menos
sensible con polarizacin fija muy
sensible.
En general, el divisor menos sensible y
la polarizacin fija ms sensible.

&,

Apndice

sr.

CAPITULO 5
3. (a) VDS == 1.4 V (b) rd = 233.330.
(c) VDS == 1.6 V (d) rd = 533.330.
(e) VDS == 1.4 V (f) rd = 933.330.
(g) rd = 414.810. (h) rd = 933.20.
(i) En general, s
11. (a) ID = 9 mA (b) ID = 1.653 mA
(c)ID =OmA (d) ID = O mA
15. IDSS= 12 rnA
17 . VDS= 25 V, ID = 4.8 mA, ID = 10 mA,
VDS=12 V ID= 7 mA, VDS= 17.14 V
19. S
21. ID = 4 rnA (equivalencia exacta)
29. IDSS= 11.11 rnA
31. VDs=25 V
35. VT=2V,k=5.31
x 10-4
ID=5.31 X 10-4(VGS-2V)2
37. VGS = 27.36 V

CAPITULO 6
1. (c)ID Q == 4.7 mA, VDSQ = 6.36 V
(d) ID = 4.69 mA, VDS = 6.37 V

3. (~ID = 3.125 mA (b) VDS = 9 V

(e) V GG = 1.5 V
5. VD = 18 V
7. IDQ == 2.6 mA, VGS = -1.95 V
9. (a) ID = 3.33 roA (b) V GS == -1.7
Q
Q
V (e) loss = 10.06 mA (d) VD = 11.34
V (e) VDS = 9.64 V
l1.Vs=I.4V
13. (a) ID == 5.8 mA, V GS = -0.85 V,
1
Q
ID i V GS ...(b) 2160.
1~. (a) l~ = 2.7 mA, V GS = -2 V
(b)VDs=8.12V,
Vs=2V
17. (a) IDQ = 2.9 mA, VGSQ =-1.2 V
(b) VDS = 9.27 V, VD = 10.52 V
19. (a) ID == 8.25 mA (b) V GS = VDS
'?
Q
Q
=7.9V(C)VD=
12.1 V, Vs=4.21 V
(d) VDS = 7.89 V
21. (a) VG == 3.3 V (b) VGSQ =-1.25 V,
ID = 3.75 mA (c) lE = 3.75 mA (d) lB =
Q
23.44 !lA (e) VD = 11.56 V (f) Ve =
15.88 V
23. Rs = 0.43 k:.Q, RD = 1.3 ko'
25. RD = 0.75 k:.Q, RG = 10 MO,
27 . D-S cortocircuitado; el valor real
de IDSSo V p o su combinacin,
mayores en magnitud que la
especificada.
29. (a) IDQ = 3 mA, VGSQ = 1.55 V
(b) VDS =-9.87 V (c) VD = -11.4 V

E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

= 4.68 mA vs. 4.69 mA de #1,

6.38 V vs. 6.37 V de # 1
33. ID = 3.3 mAigual, Vos = -1.47 V
vs. -1.5 V de # 12

31.

ID

V DS=
Q

CAPITULO 7
1. (a) O(b) Recorte (c) 80.4%
3. 1 kHz: x = 15.92 O
100 kHz : x = 0.1592 O
S, mejor a 100 kHz
7. (a) Zo = 50 ill (b) IL = 5.747 mA
9. (a) t, = 8.tA (b) Z = 500 O
(e) Vo = -720 mV (d) lo = 1.41 mA
(e)A = 176.25 (OA = 176.47
11. (a) re = 15 O (b) Z = 15 O
(e) le = 3.168 mA (d) Vo = 6.97 V
(e)Av=145.21
(0/b=32J.LA
13. (a) re = 8.571 O (b) lb = 25 .tA
(c)le = 3.5 mA (d)A = 132.84
(e) Av = -298.89
19. (a) Vo =-160 V (b) lb = 9.68 x
lQ-4V (e) lb = 1 X 10-3 V (d) 3.2%
(e) Primera aproximacin vlida.
21. (a) Vo = -180 V (b) lb = 2.32 x
lQ-4V (e) lb = 2.5 x lQ-4V (d) 7.2%
(e) S, menos que 10%
23. (a) hfe = 100 (b) he = 120
25. (a) he = 1.5 ill (b) he = 6.5 ill
27 . hfe = 100, he = 2 ill
29. re = 150, j3 = 100, ro = 30.3 ill
31. (a) 75% (b) 70%
33. (a) hoe = 200 .tS(b) 5 kO, no es
una buena aproximacin.
35. (a) hfe (b) hoe
(e) Mximo: hoe = 30 (normalizado)
Mnimo: hoe 0.1 (normalizado)
A bajos niveles de le

(d) Los mismos resultados.

9 (a) re = 5.34 O
(b) Z = 746.17 O, z, = 2.2 ill
(e) Av = -411.99, A = 139.73
(d)Z = 746.17 O, z, = 2.11 ill
Av = -394.57, A = 133.83
11. (a) re = 8.72 O, 13re = 959.2 O
(b) Z = 142.25 ill, Z = 8.69 O
(e) Av = 0.997, A = -52.53
(d) Z = 137.88 ill,
= 8.69 O
Av 0.997, A = -54.33
13. (a) lB = 4.61.tA, le = 0.922 mA
(b) re = 28.05 O
(e) Z = 7.03 ill, Z = 27.66 O
(d)Av = 0.986, A = -3.47
15. Av = 163.2, A = 0.9868 = 1
17. Re = 1.6 ill, RF =33.59 ill,
Vee = 5.28 V
19. (a) Z = 0.62 ill, z, = 1.66 ill
(b) Av = -209.82, A = 72.27
(e) Z = 0.62 ill, Zo = 1.6 ill
Av = -201.77, A = 69.5
21. (a) re = 8.31 O
(b) hfe = 60, he = 498.6 O
(e) Z = 497.47 O, Z; = 2.2 ill
(d)Av = -264.74, A = 60
(e) Z = 497.47 O, Z = 2.09 ill
(O Av = -250.90, A = 56.73
23. (a) Z = 9.38 O,
= 2.7 ill
(b) Av = 283.43, A = -1
(e) ex = 0.992, j3 = 124, re = 9.45 O, ro
= 1 MO
25. (a) Z = 816.210, Z = 814.8 O
(b) Av = -357.68

z,

z,

(c)A

= 132.70,A=

132.43

(d) z, = 72.94 ill, Z~ = 2.14 k!l

27. (a) No! (b) R2 desconectadoen la
base.

(d) Regin media.

CAPITULO 8
1. gmO = 6 mS

z,

Apndice E

3 .IDSS = 8.75 mA
5. IDSS = 12.5 mA
7 . gmO = 2.4 mS
9. Z = 40 ill, Av = -180
11. (a) gmO = 4 mS, (b) gm = 2.8 mS,
(c)gm = 2 mS
13. gm = 0.75 mS, rd = 100 ill
15.Av=-5.2

17. (a) Z = 10 Mn, (b) z, = 2.9 ill

19. (a) Av = -10.7, (b) Av = -2.5
21.Av=-5.9

Soluciones a los problemas

z,
z,

29. Z = 9 Mil,
= 198.8 O
31. Av = 7.4, Z =344 O, Zo = 3.3 ill
33. Z = 277.8 O,
= 2.2 ill,
Av = 5.7
35. Av =~.8
37. Z = 1.97 Mn, z, = 7.7 kil,
Av =-10.1

CAPITULO

10

1. (a) Av ... = -326.22, Z = 1.01 ill,

Z = 3.3 ill, (e) Av = -191.65
(d)A = 41.18 (e) Iguales.
3. RL = 4.7 ill : Av = -191.65
RL = 2.2 ill : Av = -130.49
RL = 0.5 ill : Av = .0.42.42
As RL J" AvJ,
5. (a) Av ... = -557.36, Z = 616.52 O,
Z = 4.3 ill (c)Av = -214.98, Av =
-81.91 (d)A=49.04

(e)Av = -120.12, As RL i ,Av i

(f)A: = -118.67, As RL J" vsv t

(g) No les afecta.

7. (b) Av = -160 vs. -162.4 (#6)

9. (a) Av ... = -3.61, Z = 81.17 ill,
Z; = 3 ill (c)Av = -2.2, Av = -2.18
(d) Ninguno (e) Av -Ninguno, Av =
-217, As R, i ,Av J, (muy leve
apenas para los cambios moderados en
R, ' puesto que Z suele ser tan grande)
11. (a) Z = 10.74 il, Zo = 4.7 ill,

Av ... =435.59
(c)Av = 236.83,Av = 22.97 (d) Iguales
(e) Av = 138.88, A: = 2.92, Av muy

sensible a aumentar' en R s debido al

pequeo Z , R L J, , A vJ, , A v J,
13.(a)Av ... =0.737,Z=2Mil,
z, =0.867 ill

CAPITULO 9

1. (a) Z = 497.47 O, Z = 2.2 ill

(b) Av = -264.74, A = 60
(e) Z = 497.47 O, Z = 2.09 ill
(dj A; = -250.94, A = 56.74
3. (a) lB = 23.85 .tA, le = 2.38 mA,
re= 10.790 (b) Z = 1.08kl,
= 4.3 ill
(c) Av = - 398.52, A = 100
(d)Av = - 359.83, A = 90.38
5. Vee = 30.68 V
7. ea) re = 5.34 O (b) Z = 118.37 ill,
Zo= 2.2 ill (c)Av = -1.81, A =97.39

23. Av -9.7
25. Av =-33
27. g.",
6.1 mS

(c)Av =Av=0.529
(d)A:
Av = 0.622,

=
RLi, Av == Avi
(e) POCoefecto, puesto que
Rsig
(O Ningn efecto sobre Z ni sobre Z
15. (a)Av =-97.67,Av
I

R/~

=-189

(b)Av = 18.46
Av =T11.54 x

x 103,
103
(e) A = 97.67, A = 70
(d)A4 = 6.84 x 103
(e) Ningn efecto
(1)Ningn efecto
(g) En fase
0(1)

escogidos de nmero impar

90S

CAPITULO

11

(b)

fp

= 8.03 MHz, T = 883.3 MHz,

= 584 MHz, fH = 2.93

23. Vo (rectificacin) = 105 mV

25. (a) fH

1. (a)
3.912,
difieren
3. (a)
-13.01

3, 1.699, -0.151 (b) 6.908,

-0.347
(e) Los resultados
en magnitud de 2.3
Iguales:
13.98 (b) Iguales:
(e) Iguales: 0.699
5 GdBm = 43.98 dBm
7. GdB = 67.96 dB
9. (a) GdB = 69.83 dB (b) o, = 82.83
dB (c)R = 2 ill (d) Vo = 1385.64 V
11. (a) IAJ = 11 -/1 + (1950.43 Hz1!)2
(b) 100 Hz: IAJ = 0.051
1 kHz: lA J = 0.456
2 kHz: IAJ = 0.716
5 kHz: lA J = 0.932
10 kHz: IAJ = 0.982
(c) i, = 1950.43 Hz
13. (a) 10 kHz (b) 1 kHz (e) 5 kHz
(d) 100kHz
15; (a) re = 28.48 n
(b)Av =-72.91
(c) Z = 2.455 ill
(d)Av, = -54.68
(e) h. = 103.4 Hz, fLe = 38.05 Hz,
h. = 235.79 Hz
(f)

i, = h.

17. (a) re = 30.23 n

(bj A, -{).983
(e) Z = 21.13 ill
(d)Av~ 0.955
(e) h. = 71.92 Hz, Ii; = 193.16 Hz
(f) t, = fLe; fl
210 Hz (pSpice)
19. (a) V GS = -2.45 V, ID = 2.1 mA
Q
Q
(b) gmo = 2 mS, gm = 1.18 mS

(c)Av=-2

(d)Z = 1 Ml
(ej A =Av=-2
(f)
= 1.59 Hz, he = 4.91 Hz,
h. = 32.04 Hz
(g) t, 32Hz
21. (a) V GS = -2.55 V, ID = 3.3 mA
(b) gmo = 3j3 mS, gm = 1.~1 mS

fG

MHz

(b) fp = 5.01 MHz, ir = 400.8 MHz

27. (a) gmo = 3.33 mS, gm = 1.91 mS
(b) Av ... = -4.39, Av , = -4.27
(e) fH = 1.84 MHz, fH = 3.68 MHz
29. j ~ = 1.09 MHz
31. (a) v = 12.73 x 10-3 [sen 21t(loo
x 100)t + ~ sen 21t(3oo x 100)t + ~
sen 21t(5oo x 100)t + ; sen 21t(7oo x
103)t + ~sen 21t (900 x 103) t] (b) BW
= 500 kHz (c) h. 3.53 kHz

...

15

Vo=-175mV,rms
Vo=412mV

7. Vo =-2.5 V
11. IL = 6 mA
13. lo ='0.5 mA
15. fOH = 1.45 kHz
17. fOL = 318.3 Hz, fOH = 397.9 Hz

16

12
1. P = 10.4 W, Po = 640 mW

1. VG = O V, Vs = 1.4 V, VD = 9.86 V
3. V G = O V, Vs = 1.4 V, VD = 10.3 V
5 Z = 10 Mn, Z; = 2.1 ill
7. A VI = -75.8,
A V2 = - 3 11. 9,

3. Po=2.1 W

Av= 23,642

13. (a) Mximo P = 49.7 W

(b) Mximo Po = 39.06 W
(e) Mximo %r = 78.5%
17. (a) r, = 27 W (b) Po = 8 W
(e) %r =29.6% (d) P2Q = 19 W
19. %D2 = 14.3%, %D3 = 4.8%,
%D4 = 2.4%
21 %D2 = 6.8%

9. VB = 2.55 V, VE = 1.85 V,
Ve = 2.7 V, le = 0.84 mA
11. Z = 10 Mn,
= 2.7 ill
13. Av = -214, Vo = -2.14 V
15. VEl = 8.06 V, IEl = 15.8 mA
17. VBI = 4.88 V, Ve2 = 5.58 V,
le = 104.2 mA
19. (a) QI encendido, Q2 encendido, Q3
apagado, Q4 apagado
(b) QI apagado, Q2 apagado, Q3
encendido, Q4 encendido
(e) QI encendido, Q2 apagado, Q3
encendido, Q4 apagado
21.ID =6mA

z,

23.1=3.67mA
25.1=2mA
27 le

1 mA, Ve

= OV

29. Vo = 1.89 V

CAPITULO

5. R(efectiva) = 2.5 ill

7. a=44.7
9. %r =37%

23.
25.

PD=25W
PD=3W

CAPITULO

13. Periodo = 204.8 us

17. fo = 60 kHz
19. e = 133 pF
21. el = 300 pF

14

1.
3.
5.
7.

CMRR = 75.56 dB
Vo =-18.75 V
V=-40mv'
Vo =-9.3 V
9. Yo abarca de 5.5 V a 10.5 V
11. Vo =-3.39 V
13. Vo = 0.5 V
15. V2 =-2 V, V3 =4.2 V

17.Vo=6AV
19. lta = 22 nA,
21. ACL = 80

17

9.Vo=13V

CAPITULO

(d) Z = 51.94 ill

(e) Av.= -4.27
(f) hG = 2.98 Hz, he = 2.46 Hz,
h,=41 Hz
(g)fl = h. = 41 Hz
Z es considerablemente
me.nor pero
todava lo bastante mayor que R sig para
producir un efecto mnimo sobre A vs;
sin embargo, Z reducida puede hacer
subir el nivel de ti:
23. (a) fH
293 kHz, fH = 3.22 MHz

906

1.
3.

CAPITULO
CAPITULO

(c)Av.=-4.39

CAPITULO

liB =

18 nA

18

1. Af = -9.95
3. A f = -14.3,
Rf = 31.5 ka,
Rof = 2.4 ill
5. Sin retroalimentacin: Av = -303.2,
Z = 1.18 ill, Z; = 4.7 ill
Con retroalimentacin:
Avf = -3.82,
Z = 45.8 ka
7. i; =4.2 kHz
9. f o = 1.05 MHz
11. i; = 159.2 kHz

Apndice E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

CAPITULO 19

7. (a) CT = 41.85 pF (b) k

71

1p-12
1. Factor de rizo = 0.028
3. Voltaje de rizo = 24.2 V
5. Vr = 1.2 V
7. Vr=0.6Vrrns, Vcd=17V
9. Vr=O.12Vrrns
11.Vm=13.7V
13.%r=7.2%
15.%r= 8.3%, %r' = 3.1%
17 .V, = 0.325 V rrns
19.Vo = 7.6 V,lz = 3.66 mA
21.Vo = 24.6 V
25.lcd = 225 mA
27.Vo=9.9V

CAPITULO 20
3. 30: 1 o mejor, es tpico; corto
periodo; diseo de eneapsulado
5. 124% de aumento, VR = 25 V

(a) C = 5.17 pF (b) Mediante una

grfica, C = 5 pF
11. TI = 50'C
13. Q = 26.93, Q decae
signifieativamenvamente con el
aumento en la frecuencia
19. lT = 5 mA, V T = 60 mV
lT=2.8mA, VT =900 mV
21. i, = 2228 Hz
23. (a) 3750 A -+ 7500 A
(b) = 8400 A (e) BW = 4200 A
25. (a) Silicio (b) Anaranjado
27. (a) = 0.9 n/fe (b) = 380 ntfe
(e) = 78 kn/fe regin de baja
iluminacin
29.V=21V
31. Conforme fe aumenta, Ir Y Id
disminuyendo exponeneialmente
33. (a) t= 5 mW (b) 2.27 lm
35. t=3.44mW
9.

41. Niveles ms bajos

45. R = zo sn
47. R(termistor) = 90 n

CAPITULO 21
5. (a) S (b) No (e) No (d) S, no
11. (a) = 0.7 mW/cm2 (b) 82.35%
17. (a) RB 2 = 1.08 ill (b)RBB = 3.08
ill(c)VR
=13V(d)Vp=13.7V
81
19. lB = 25 !lA, le = 1 mA
21. (a) Para temperaturas decrecientes,
-O.53%/Co (b) S
23. le/IF = 0.44 Relativamente
eficiente
25. (a)le~3mA(b)M
:&=2.3:1
27. Zp = 87 ill, Zv = 181.8 ill, hasta
cierto punto
29. (a) S, 8.18 V (b) R < 2 ill
(c) R = 1.82 ill

..
Apndice E Soluciones a los problemas escogidos de nmero impar

907
j

Indice
Anlisis

de pequea seal. (Vase cada dispositivo por separado.)

Accin del transformador,

de sistemas, 434-467

676

por computadora,

Aislador, 3-4

44-47, 97-99, 134,194-197,243,289-293,329-331,

378-385,422,463-467,494-498,501-502,511-512,515,

Aleacin:
transistores

520, 557,

629,657,704,733

diodos de, 573

por recta de carga, 52-59, 145-147, 152-159

BJT de, 575

Ancho de banda, 484

Al fa, 114
Amortiguamiento,

Angstrom, 812

811

Antilogaritrno,

Arnp-op, 600, 606

comparador,

corriente de compensacin
corriente de polarizacin
especificaciones

Arreglo, 42-44

de entrada, 616-618

Arseniuro de Galio, 578, 808, 817, 822

de entrada, 619

Arseniuro de Indio, 822

del, 616, 619, 623-628

inversor, 630

Atomos aceptores, 9

no inversor, 631

Atomos donadores, 8
Atomos tetravalentes,

sumador, 632, 657

voltaje de compensacin

571-572

Archivo de entrada, 97

voltajes y corrientes de, 616

compensacin,

477

Aparatos de la zona de refinacin,

710

4-5

de entrada, 616-618

Amplificador
acoplado a transformador,

482-48

acoplado Re, 482, 483

con retroalimentacin,

Banda de frecuencias,

741,755

483-484

de corriente en serie, 745, 751

Bardeen, John, 108

de voltaje en derivacin,

BASIC, 45-46, 195-197, 384-385

743, 753

Beta, 119-122,185-194

de voltaje en serie, 743, 751

contrafsico

(PUSH-PULL)

acoplado a transformador,

contrafsico

(PUSH-PULL)

cuasi complementario,

de ac1opamiento directo, 482-483

diferencial,

689

691, 705

BiFET (FET Bipolar), 526, 556

BiMOS (MOS Bipolar), 526, 556
BJT,108-135
accin de amplificador,

548, 556

115-116

al fa, 114

inversor, 610
no inversor, 61 1

anlisis de ea, 336-385

operacional.

anlisis de seal pequea de los, 336-385

(Vase Amp-op.)

anlisis por computadora

sumador, 612, 643

Amplificadores

de seal grande:

Clase A, 669, 771,674,

Clase AB, 670

676

de, 134, 194-197, 329-331, 378-385, 463-467,

494-498,511-512
BASIC, 195-197,384-385
beta, 119-122, 185-194

Clase B, 670, 683, 687

circuitos integrados de los, 582,583

Clase C, 670, 702

configuracin

de emisor-seguidor,

Clase O, 670, 703

configuracin

de polarizacin

165-167,349-353,365-366,450-453

de emisor, 343-349, 364-365, 447-448

909

configuracin

de polarizacin

por divisor de voltaje de los, 152-159,

340-343, 364,477

Ciclo de fase cerrada (PLL, phase-locked

configuracin

de polarizacin

configuracin

de retroalimentacin

cd en colector, 359-361

CMOS, 240-241, 541, 556,564-565

configuracin

de retroalimentacin

en colector, 355-358,448-450

de fuentes de corriente, 543

configuraciones
construccin

por retroalimentacin

misclaneas

de polarizacin,

de voltaje, 160-163

163-169

Circuito

integrado hbrido, 599

integrado monoltico, 578-583

de, 109

corriente de fuga, 110-112, 117-118

simtrico complementario,

corriente de saturacin

tanque, 811

de crecimiento

loop), 726

Circuiterfa de interfaz, 730

inversa, 185-194

689

Circuitos

de la unin, 575

de polarizacin fija, 141-147,366-339,362-364,371-373,435-436,

438-439, 442-443,445-447

de instrumentacin,
amplificador

649
de instrumentacin,

controlador de indicadores,

de unin de aleacin, 575

difusin en, 575

mili voltmetro de CA, 650

diseo de, 169-175

milivoltmetro

652

651

de CD, 650, 658

equivalentes:

efecto de R. y RL' 434-435

en base comn, 111-116, 167,310-313,320-322,353-355,367-368,
373-375,453-455

de diodos, 24-27
de transistores

BIT, 301-331

en colector comn, 123-124,313-317

del diodo de barrera Schottky, 800-801

en corte, 118, 125, 139-141

del diodo tnel, 808-809

del diodo Zener, 36

en emisor comn, 116-123,313-317,320-322

en saturacin,

124-125, 139-141, 143, 151-152, 159

integrados, 42-44, 571-599

encapsulado,

132, 134

anchuras de lnea, 578

estabilizacin

de emisor, 148-152

aparatos de la zona de refinacin, 571-572

estabilizacin

de los, 185-194

CAD, 584-585

ganancia de corriente en, 309-310

capacitores,

ganancia de voltaje en los, 307-309

ciclo de produccin,

hoja de especificaciones

compuerta NANO, 587-598

identificacin

de los, 126-129

de terminales

de entrada de los, 304-306

impedancia

de salida de los, 306-307

lmites de operacin,
localizacin

configuracin

de los, 132-134

impedancia

578-580

hbrida, 599

de pelcula delgada y pelcula gruesa, 598

desarrollos recientes, 577-578
.difusin prehmica, 594

124-126

diodos, 583

de fallas en los, 180-183,377-378

modelo equivalente

581-582

direccionamiento

hbrido, 317, 329

modelo r; 310-317

encapsulado

(control) por cinta (cassette), 577, 590

de, 597-598

modelos de, 301-331

estructura monoltica,

npn,I09,115-116,123,141-183

fotoresist, 590-591

578-583

operacin del, 109-111

generador de patrones, 590-591

pnp, 109-11, 115-116, 123, 183-185

implantacin

polarizacin,

impresin por poroyeccin,

115, 122-123, 138-197

inductores,

prueba de los, 130,132

PSpice, 134, 194-195,329-331,

378-384, 463~467, 494-498, 511-512

mascarillas,

de iones, 592

578-579, 583-587, 594

punto de operacin de, 139-141

materiales semiconductores,

redes conmutadoras

metalizacin,

con, 175-180

redes de combinacin,

591

582
571-573

594-596

operacin de corte de obleas, 578-579

277-279

regin activa, 139-141

oxidacin de silicio, 589-590

smbolos de los, II1

pasivacin, 597

trazador de curvas de, 130-131

proceso de difusin, 592-594

variacin de parmetros

proceso de evaporacin,

de los 327, 329

595-596

Bratrain, Walter H., 108

proceso qumico de grabado (al aguafuerte),

Buja-pie, 812, 816

prueba de, 579

rectificacin

y pulido de, 588-589

resistores, 580-581

sistema de dispersin,

595-596

sistema de haz de electrones, 586-587, 595

Capacitancia

de transicin,

susceptor, 588-589

31-32, 507-508

tasa de rendimiento,

Capacitor:
Caractersticas

de transferencia,

Celda fotoconductiva,

transistores,

215-219

multiplicadores

815-817

Indice

572-573

582-583
de voltaje, 94-96

CI digitales lineales, 709

_Celdas solares. 821-825

571-577

tcnica de Czochralski,

en circuito integrado, 581-582

587-588

CI (Vase circuitos integrados.)

Criterio de Nyquist, 755

Clase A: 699

Curva de polarizacin

acoplado a transformador,

universal de JFET, 286-289

676

alimentado en serie, 671

eficiencia mxima de, 674

Clase
AB,670

Dcada, 488

B,670,683,687

Decaimiento,

C,670,702

Decibeles, 479-482

D, 670, 703

Decodificadores

Coeficiente
de temperatura,

519-520
FSK, 730

definicin de gmo' 395

DeForest, Lee, 108

805-806

de resistencia negativo, 825

Demodulacin

de temperatura

negativo, 5

Detector de proximidad,

de temperatura,

37-38

DIAC, 846-848

positivo de temperatura,
Compuertas

Diferenciador,

Compuertas OR, 67-69, 845

847-848

615

Difusin prehmica,

AND, 67-69, 845, 860

Condicin Quiescente

en frecuencia, 727

594

Difusin:

(del punto de operacin),

19, 139, 141

Conductor, 3-4

capacitancia

de, 31-32, 507-508

diodos, 573

Conexin cascode, 531

proceso de, 592-594

Conexin Darlington,

transistores BJT, 575

532, 562-564

Configuracin

Diodo

con retroalimentacin

de voltaje, 160-163

de base comn, 11-116, 167,310-313,320-322,353-355,367-368,

de barrera superficial, 798-802

de portadores de alta energa, 798-802
ideal, 1-3,800-801

373-375, 454-455
de colector comn, 123-124,313-317

Schottky, 798-802,824

de compuerta comn, 414

Shockley, 846, 849

de drenaje comn, 411

varactor, 802-806

de emisor comn, 116-123,313-317,320-322

de polarizacin

en emisor, 343-349, 364-365, 447448

de polarizacin

establecida

de polarizacin

fija, 141-147,336-339,362-364,371-373,435-436:

en emisor,

148-152

438-439,442-443,445-447
de polarizacin

varicap, 802-806
Diodos, 1-47
anlisis de recta de carga, 52-59
anlisis por computadora,
aplicaciones

por divisor de voltaje, 152-159,340-343,364,447

44-47,.97-99

de los, 51-99

arreglo de, 42-44

de retroalimentacin

cd en colector, 359-361

arseniuro de galio, 808

de retroalimentacin

en colector, 355-358,448-450

capacitancia

de difusin, 31-32

165-167,349-353,365-366,450-453

capacitancia

de transicin de, 31-32

emisor-seguidor,
Configuraciones
Conmutacin

multietapas,

circuito equivalente

526

Constante de Planck, 812

Control de calentador,

compuertas AND/OR, 67-69

717

Conversin por doble pendiente,

Convertidor

configuraciones

717

digitaleslanalgicos,

configuracin

en paralelo, 64-67
en serie, 59-64

configuraciones

RS232- TIL, 732

Convertidores

24-27, 800-801, 808-809

circuitos integrados, 583

838-839

Conversin analgica-digital,

ideal, 56-58

circuitos equivalentes,

forzada, 833

716

Corriente

construccin

en serie-paralelo,

corriente de saturacin inversa, 12, 14, 16-17, 800

de fuga, 110-112, 117-118

crecimiento de la unin, 573

de obscuridad,

crecimiento epitaxial, 574

813

de retencin, 834

de a1eacin,573

de saturacin inversa, 12, 14, 16-17,185-194,800

de barrera de superficie, 798-802

especular, 545

de barrera Schottky, 798-802

Corte, 139-141

de potencia, 806-807

Coulomb,7

de silicio, 4-10, 15-17

Crecimiento

64-67

de, 10-17,573-574

de la unin:

en transistores

difusin, 573
disipacin de potencia, 27-28

en diodos, 573
BJT, 575

Cristal,4

disipacin mxima, 800

disipadores de calor, 806-807

de cuarzo, 767, 769

dopado (impurificacin),

lquido nemtico, 819

efectos de la temperatura en los, 16-17

simple, 4, 571

emisores de luz (LED), 38-42, 819, 821, 860-861

Indice

4-10, 808

911

enlace covalente, 4-5

rectificador

fotodiodos,

SRC activado por luz (LASCR), 843-845

812-815

germanio, 4, 15-17, 808

transistor de unin programable

hoja de especificaciones

de, 27-31, 800-802, 804-805, 808

ideal, 1-3,800-801

Distorsin armnica total, 695

7-9

Distorsin armnica, 518-519, 694

materiales intrnsecos,

Distorsin de amplificador,

modelo equivalente

694

Distorsin, 694

materiales tipo p, 9-13

multiplicadores,

DMM (Multfmetro Digital), 33-34,131-132

aproximado

de los, 55-56, 58

Doblador de voltaje, 94-96

Dopado (impurificacin),

94-96

polarizacin

directa, 12-14

polarizacin

inversa,

4-10, '108

12

portadores de alta energa, 798-802

portadores

mayoritarios,

10

portadores

minoritarios,

10

prueba con el multmetro

Ecuacin de Shockley, 215-219

de los, 33-55

Efecto de capacitancia

PSpice, 44-47, 97-99

Miller:

entrada, 502-504
salida, 504-505

recortadores,

76-82

rectificacin

de media onda, 69-72

de velocidad de conmutacin,

rectificacin

de onda completa 72-75

Efectos de frecuencia de amplificadores

regin de agotamiento,

10-13

Efectos de la temperatura,

842

Eficacia luminosa, 39-41

resistencia de ca de los, 19-24

Eficiencia de amplificador,

resistencia de cd, 18-19,23-24

Eficiencia de conversin, 301-302

resistencia de, 17-24

Electroluminiscencia,

resistencia promedio de, 22-25

Electrn, 4

Shockley, 846.849

Electrn-volt,7

smbolos de los 32-33

Electrones de valencia, 4-7

sujetadores,

10-12

670

39

Emisores IR (infrarrojos),

817-818

Enlance convalente, 4-5

83-87

tiempo de recuperacin
transformador

en sentido inverso, 32, 800

con derivacin

central, 74-75

Entrada diferencial, 603

Entrada doble (diferencial),

60 l

tnel,807-812

Entrada para una sola terminal, 600

unin p-n, 807-809

Entradas comunes, 603

varactor, 802-806

Entradas con igual polaridad, 603

varicap, 802-806

Entrada de polaridad opuesta, 603

voltaje de umbral, 16

Esaki, Leo, 807

VPI (Voltaje Pico Inverso), 27, 72, 74-75

Escala log-log, 478

VPI, 27, 72, 74-75

Escala serni-log, 478-479

Zener, 35-38, 87-94, 830, 843

aplicaciones,

Estabilizacin,

35-36

circuito equivalente,

36

de temperatura,

hoja de especificaciones,

37-38
36-37

Factor de rizo, 755

sfmbolo,38
Direccionamiento

185-194

87-94

caractersticas.
coeficiente

FET. (Vase transistores JFET o MOSFET.)

(control) por cinta (cassette), 577, 590

FET de metal xido-semi conductor, 224-240

Disei'io, 169-175,280-282

Filtro capacitivo, 94-96

Disipacin de potencia, 27-28

Filtro, 93

Disipador de calor, 698, 806-807

Dispersin dinmica,

capacitor como, 94-96, 776

819, 820

RC,779

Dispositivos

Filtros activos, 653

controlados

por corriente, 207

Pasa-altas, 655,660

controlados

por voltaje, 207

Pasa-bajas, 654, 659

de crecimiento

epitaxial,

Pasabanda, 656, 662

574

pnpn:

Fleming, J.A., 108

DlAC, 846-848

Flujo

diodo Shockley, 846

interruptor controlado
interruptor,

912

multietapa,

16-17

regin Zener para, 14-15

sin polarizacin,

(PUT), 863-867

TRIAC, 848-849

materiales extrnsecos,

materiales tipo n, 7-8, 10-13

controlado de silico (SCR), 830-840

controlado

de silicio (SCS), 840-842

por compuerta

(GTO), 842-843

Indice

convencional,

de electrones,

de huecos, 9

516-517

luminoso, 812-814

de MOSFET tipo incremental,

radiante, 817 -818

de optoaisladores,

236-238

861-863

Fotodiodos, 812-815

de transistores BJT, 126-129

Fotones, 812, 816, 817, 821, 823

de transistores,

130-132

Fotoresist, 590-591
Fototransistores,

859-860

Frecuencias
de corte, 483-484
de esquina, 483-484

Impedancia de entrada en drenaje comn, 412

de media potencia, 483-484

Impedancia de salida en drenaje comn, 412

de rompimiento,

Implantacin

483-484

Fuente

de iones, 592

Impresin por proyeccin,

591

de corriente constante,

con transistor bipolar, 544

Indicadores visuales de cristal lquido, 819-821

de corriente constante,

555

Inductor:

de corriente constante Zener, 545

en circuito integrado, 582

Infrarrojo, 814

de energa, 773
Fuente-seguidor,

Instrumentos

41 1

Fuentes

de medicin, 872

Integrador,613

controladas,

Intensidad luminosa axial, 39-41

647

fuente de corriente controlada por corriente, 648

Interrupcin de corriente de nodo, 833

fuente de corriente controlada por voltaje, 648

Interruptor

fuente de voltaje controlada

por corriente, 648

controlado de silicio (SCS), 840-842

fuente de voltaje controlada

por voltaje, 647

controlado por compuerta,

de poder conmutadas,

842-843

esttico en serie de media onda, 836-837

800

Inversor, 175-180

G
L
Ganancia
de ancho de banda, 508-509, 517, 527, 620

LASCR (SCR activado por luz), 843-845

de magnitud constante, 609

LCO (Indicador visual de cristallfquido)

de voltaje en drenaje comn, 412

LCO nemtico de rotacin, 820

de voltaje en entrada doble (diferencial),

LCOs (indicadores

553

visuales de cristal lquido), 819-821

Lenguaje, 44

de voltaje para una sola terminal, 551

unitaria, 609

Lnea de dispositivos
Localizacin

Generador

MOSFET, 427-428

de fallas, 180-83,282-283,

de onda de diente de sierra, 843

Logaritrnos, 475-482

de ondas cuadradas, 93-94

Logaritmos

de patrones, 586

Longitud de onda, 812, 823

de seales, 887

Lumens, 812

Giacoletto,

377-378,422

Logaritmo comn, 476-482

de formas de onda, 887

Germanio,4,

de efecto de campo, 820-821

naturales, 476-477

15-17,571-572,808,812-813,825
modelo de, 507-508

gm grfica, 395
gm vs. ID, 398

Grfica de Bode, 485-489, 497-498, 501, 505-511, 516-517

Margen de fase, 756

Margen de ganancia, 756

Grfica de fase, 484-485, 489-490

GTO (Gate Turn-Off)

interruptor

controlado

por compuerta,

842-843

Mascarillas, 578-579, 583-587, 594

Material tipo n, 7-8, 10-13
Materiales

extrnsecos,

7-9

intrnsecos, 5
semi conductores:

Hojas de especificaciones:
de diodo tnel, 808

tomos aceptores, 9

de diodo varactor, 804-805

tomos donadores,

de diodo Zener, 36-37

coeficiente

de diodos de barrera Schottky, 800-802

dopado (impuiificacin),

negativo de temperatura,

de diodo. emisores de luz, 40

enlace convalente,

de diodos, 27-31

materiales extrnsecos,

7-9

deJFET,219-222

materiales intrnsecos,

de MOSFET tipo decremental,

228-230

7-9

4-5

niveles de energa, 6-8

Indice

913

portadores

mayoritarios,

10

de cristal, 766

portadores

minoritarios,

10

de cuarzo, 769

tipo n, 7-8,10-13

de puente de Wien, 762

tipop, 9-13

de relajacin, 856, 866-867

Metalizacin,

594-596

de resistencia negativa, 810-811

Modelo

Hartley, 765

de Bohr, 4-5

operacin, 757

de transistor con parrnetro h, 362-375

equivalente

sintonizados,

con parrnetro h, 317-29, 362-75

Osciloscopio

equi valente hbrido, 317 -329

763

de Rayos Catdicos.

(Vase ORC.)

Oxidacin del sicilio, 589-590

grfico del diodo, 24-27

pi hbrido, 507-508

re' 310-317, 336-361

Monounin,

770

MOSFET
tipo decrernental,

224-230

tipo incrernental,

415-418

Multiplicador

Paquete de programacin

(software),

Par de retroalimentacin,

537

44

Pasivacin, 597
Polarizacin

de ganancia constante, 639

de la luz, 820

Portadores mayoritarios,

10, 799

Portadores minoritarios,

10, 799, 812-813, 822

Proceso de evaporacin,
Proceso fotolitogrfico,

595-596
590-591

Neutrn, 4

Programa, 45

Niveles de energa, 6-8

Protn, 4

Nombre del modelo, 46

Prueba de onda cuadrada, 518-520

Ncleo, 4

Prueba:
de circuitos integrados, 579, 597
de diodos, 33-35

de transistores,

130-132

PRV, 15,27,72,74-75
Oblea, 4

PSpice:

Octava, 488

B1Ts, 134, 194-195,378-384,463-465,494-498,511-512,560-564

Ohmetro, 34, 132

CMOS, 564-565

Operacin

diodos, 44-47, 97-99

transistores lFET, 243, 422-427, 466-467, 501-502, 515, 558-560

estable, 720
del comparador,

709, 735

Punto de operacin,

en modo diferencial,
monoestable,
Optoaisladores,

139-141

PUT. (Vase transistor de monounin

en modo comn, 554, 602

722

861-863

Optoelectrnica,

812-814

ORC:

Razn de cambio (Slew Rate), SR, 621

barrido retardado en el, 886

Rechazo en modo comn, 602, 604

construccin

Recortadores,

del, 872

disparo del, 879

76-82

Rectificacin

medicin de la amplitud en el, 882

de media onda, 69-72

de onda completa, 72-75, 839

medicin de la anchura del pulso en, 884

medicin del tiempo en el, 883

Rectificador,

medicin en, 881

29, 69-75, 806

controlado de silico (SCR), 830-840, 852-856

multitrazo en, 881

aplicaciones,

operacin del, 873

caractersticas,

sincronizacin

conmutacin

forzada, 833

construccin

del, 835-836

del, 877

voltaje de barrido en el, 874

Oscilador de resistencia

negativa, 810-811

identificacin
interrupcin

Colpitts, 764
controlado

por voltaje (OCV), 723

de corrimiento

836-840
833-835

corriente de retencin, 834

Oscilador:

de terminales

del, 835-836

de corriente en nodo, 833

operacin del, 830-833

smbolo del, 831

de fase, 759

CI,761

valores nominales,

FET,760

833-835

de onda completa con derivacin central, 839-840

transistor, 761

914

programable.)

602

Red

Indice

cristalina, 4

variacin beta, 507-509

de puente, 72-74, 839

Rubilita, 584

en escalera, 716, 718, 737

sintonizada,

806

ternporizadora,

806

Redes de conmutacin,

175-180

Regin

Salida doble (diferencial),

activa, 139-141
de agotamiento,

Saturacin,
10-13,802,807

SCR activado por luz, 843-845

Zener, 14-15
Regulacin,

601

139-141, 143, 151-152, 159

SCR. (Vase rectificador

87-94, 782

SCS (Interruptor

controlado de silicio.)

controlado de silicio), 840-842

arnp-op, 784

Seguidor de voltaje, 646

CI,789

Seguidor unitario, 611, 633

del voltaje, 774, 782

Selenio, 812-813, 822-823

ajustable, 793

Seleniuro de cadmio, 815

CI,789

Semi conductores,

especificaciones

para, 791, 792

de voltaje en derivacin,

3-10

Serie de Fourier, 518-519

786, 788

Silicio, 4-10, 15-17,572-573,578,812-813,822-823,825

de voltaje en serie, 782

Smbolos. (Vase cada dispositivo por separado.)

en serie, 783

Sntesis de frecuencias, 729

limitacin de corriente, 785

Sistema

Zener, 87-94

de alarma, 841, 842

Regulador de voltaje, 816

de control de fase, 837-838

Regulador:

de dispersin, 595, 596

cargador de bateras, 838

de dos puertos, 318-323, 434-455

de carga, 838

de haz de electrones,

de voltaje, 816

de luces de emergencia,

586-587, 595
839-840

Relacin de rechazo en modo comn, 604-605

Sistemas en cascada, 462-463, 526, 528, 558-562

Relevador electrnico

Substraccin

de voltaje, 644

Sujetadores,

83-87

Resistencia,

de cerrojo, 845

17-24

De, 18-19,23-24

Sulfurode

de ea promedio, 22-25

Susceptor, 588-589

cadmio, 815-817, 822

de ea, 19-24
de contacto, 22

del cristal, 22
dinmica,

19-24

esttica, 18-19,23-24

Tasa de rendimiento,

negativa, 808-812

Tcnica de Czochralski,572-573

Resistividad,

3-4, 577

Temporizador

Resistor:

571, 577

CI, 720

Trmino fundamental,

en circuito integrado, 580-581

Termistores,

Respuesta en frecuencia:

518

825-827

Tiempo de recuperacin

amplificador

acoplado a transformador,

482-483

amplificador

de acoplamiento

directo, 482-483

Transformador

amplificador

de acoplamiento

RC, 482, 483

Transistor

ancho de banda, 484

inversa, 32, 800

Tierra o masa virtual, 609

con derivacin central, 74-75

Darlington, 533

banda de frecuencias,

483-484

de monounin programable,

847-848, 863-867

de potencia, 698, 700

dcada, 488
decibeles, 479-482

monounin,

efecto Miller, 502-505

efectos multietapas,

515, 517

frecuencias de media potencia, 483-484

grfica de fase, 484-485, 489-490
grficas de Bode, 485-489, 497-498, 501, 505-511, 516-517
modelo de Giacoletto,

849-859

Transistores

507-508

bipolares de unin, (vase BJT's)

BJT
de tipo epitaxial, 575-576
planares, 576
de efecto de campo. (Vase transistores JFET o MOSFET.)

modelo pi hbrido, 507-508

en mesa o meseta BJT, 575-576

octava, 488

Transistores

producto de la ganancia por el ancho de banda, 508-509, 517

CMOS, 240-242

prueba de onda cuadrada, 518-520

JFET, 455-458

transistores

BJT, 482-499, 502-512, 516-517

transistores JFET, 499-502, 512-517

MOSFET, 224-240

anlisis por computadora,

autopolarizacin,

Indice

243, 289-293, 501-502, 515

253-259

915

sistemas en cascada, 462-463

BASIC, 290-293
caracterstica

de transferencia

caractersticas

del, 208-213

caractersticas

generales, 207-208

circuito equivalente

terminologa

de, 215-219

de los, 208-209

trazador de curvas de, 222-223

valores nominales mximos de, 220-221

de CA, 398

voltaje de estrechamiento,

compuerta comn, 458

210-212

NPN,141-183

construccin

de encapsulados,

construccin

de, 208-209

PNP, 183-185

221

curva universal de polarizacin

del JFET, 286-289

polarizacin

de, tipo decremental,

265-269

polarizacin

de, tipo incrernental,

269-276

tipodecremental,224-230

de canal n, 208-212

tipo incremental,

de canal p, 212-214
diseo de amplificador,

230-239

VMOS, 239-240

418-421

Trazador de curvas, 34-35,130-131,222-223

diseo, 280-282
ecuacin de Shockley, 215-219

TRIAC, 848-849

fuente-seguidor,

Tubos de vacfo, 108

457-458

ganancia de voltaje en CA, 401, 404, 406, 408

hojas de especificaciones
identificacin

de los, 219-222

de terminales de los, 221

lnea .MODEL (PSpice) 423-424

localizacin

UJT (transistor monounin),

de fallas en, 282-283

Unin p-n, 807-809, 812, 817, 821-822

operacin de los, 208-213

Unipolar, 207

polarizacin

fija, 249-253

polarizacin

por divisor de voltaje, 259-265

polarizacin,

canal n, 248-283, 286-293

polarizacin,

canal p, 283-286

PSpice, 243, 289-290, 466-467, 501-502, 515

Velocidad de la luz, 812

redes con combinacin

VMOS, 239-240

de, 277-279

resistencia de fuente en derivacin,

resistencia

fuente sin derivacin,

Voltaje de umbral, 16

455-456

Voltaje fotovoltaico,

456-457

822

VPI (Voltaje Pico Inverso), 15,27,72,74-75,800

smbolos de los, 214

916

849-859

modelo de seal pequea, 395

Indice