Electrnica y

Semiconductores

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Importancia

Materia de vanguardia
Constantes cambios y avances
Miniaturizacin
La electrnica es la responsable del
avance tecnolgico humano de los ltimos
tiempos

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Historia
Antes bulbos de vaco (1920)
1930, Transmisiones de radio
Descubrimiento (Invencin) del transistor por
John Bardeen, Walter Brattain, Williams
Shockley en 1948
1950, Televisor
Ganadores del Nobel (Bardeen, Brattain y
Shockley) en 1956

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Historia
1960, 70% de las aplicaciones
implementadas en bulbos de vaco haban
sido reemplazadas por transistores
El transistor permiti que los diseos
fueran ms pequeos, de menor consumo
de potencia, robustos.
1961 Tiristor GTO
1964 Triac
1970, Transistor BJT, 500V, 20A
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Historia
1971, Intel libera el procesador 4004 con
2300 transistores , 10u, 108kHz
Surge el procesador Z80 (Zilog) como uno
de sus ms cercanos competidores
Se consolida la electrnica como factor de
avance tecnolgico 1976 BJT, 400v, 400A
Mosfet de Potencia

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Historia
1982, Aparece la familia x86 de Intel,
80286 con 134,000 transistores, 6 MHz,
tecnologa 1.5u
1985 IGT (Transistor de Compuerta
Aislada)
1987 MCT (Tiristor Controlado por MOS)
1990 Telefona Celular
1993, Pentium, 3,100,000 transistores,
0.8u, 60MHz
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Historia
1999, Primeros Micromachines (MSM),
dispositivos hbridos capaces de integrar
mecanismos, ptica y electrnica.
2001, Pentium IV, 2.0 GHz, >30x10^6
transistores, 0.15u
Televisores de Pantalla plana
Pantallas de Plasma
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Tendencias
Dispositivos ptico-electrnicos
Mayor integracin
Dispositivos de mayor potencia y mayor
ancho de banda
Mayor Amplificacin

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Historia

Generacin de Energa Limpia

Vehculos Elctricos
Robots Domsticos
Superconductores

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Simuladores Computacionales
PSpice Desarrollado en Stanford
El uso de simuladores permite observar el
comportamiento de los circuitos con variaciones tericas
en sus parmetros
Son necesarios porque permiten confirmar la exactitud
de los clculos sin necesidad de tener circuitos de
prueba
tiles en circunstancias peligrosas, anlisis del peor
caso, anlisis trmico.
Un simulador permite observar caractersticas en
perodos de tiempo pequeos (anlisis transitorio)

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Desventajas
Exactitud del modelo
En un simulador no se queman los
circuitos
Capacidad o incapacidad de interpretacin
de resultados por parte del que lleva a
cabo la simulacin

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Materiales Conductores
Cualquier material que soporte un flujo de carga, cuando
una fuente de voltaje de magnitud limitada se aplica a
travs de sus terminales.
Los conductores fcilmente conducen la corriente
elctrica.
Los mejores conductores son materiales de un solo
elemento tales como, cobre, plata , oro, y aluminio.
Se caracterizan por tener tomos con solo un electrn
de valencia pobremente unido. Estos electrones
fcilmente pierden esta unin y se vuelven electrones
libres
Un material conductor tiene muchos electrones libres,
que cuando se mueven en una sola direccin hacen la
corriente elctrica
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Materiales Aislantes
Un material que ofrece un nivel muy bajo
de conductividad bajo la presin de una
fuente de voltaje aplicada.
Los mejores materiales aislantes se
fabrican de materiales compuestos.
En los aislantes, los electrones de
valencia estn fuertemente unidos a los
tomos; existen muy pocos electrones
libres en un material aislante
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Materiales Semiconductores
Un material que posee un nivel de conductividad sobre
algn punto entre los extremos de un aislante y un
conductor, es decir permite el flujo de carga bajo ciertas
condiciones de operacin, y se comporta como un
aislante si no se aplica la cantidad de corriente o voltaje
necesaria para conducir
Los materiales semiconductores de un solo elemento
ms comunes son: silicio, germanio y carbn.
Uno de los materiales semiconductores compuestos
ms comunes es el arseniuro de galio

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Valores tpicos de resistividad

Conductor

10-6 -cm (Cobre)

Semiconductor 50 -cm (Germanio)

1012 -cm (Mica)

Aislante

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Modelo de Bhor
Estructura Atmica del Silicio
Electrones de Valencia

Orbitas
Ncleo

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Niveles o Bandas de Energa

En la estructura atmica existen niveles
de energa discretos asociados con cada
electrn en una rbita, cada material
tendr su propio conjunto de niveles de
energa permisibles para los electrones en
su estructura atmica.
Entre mas lejos se encuentre un electrn
del ncleo atmico mayor ser la cantidad
de energa que posea
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Unin Covalente
tomo
de Si
-

Si

Si

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Si
-

Cuando elementos
extremadamente
puros, como el silicio o
Electrones
el germanio, se enfran
Compartidos
despus de haber
estado en forma
lquida, sus tomos se
- Si - Si - acomodan en patrones
ordenados llamados
cristales. Los
Electrones
electrones de valencia
de Valencia
determinan la forma
exacta de la estructura
- Si - Si - del cristal resultante
Si

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Si

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Modelo del tomo de Silicio

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Molcula de Silicio

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Molcula de Silicio

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Modelo del tomo del Germanio

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11

Molcula del Germanio

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Los tomos se unen en una estructura de manera que

cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia
formando enlaces covalentes (a la unin de tomos
reforzado por electrones compartidos se le llama enlace
covalente)
Aunque los electrones de valencia estn unidos
firmemente a la estructura, es posible que esos
electrones rompan sus enlaces y sean capaces de
moverse como electrones de conduccin (tambin
llamados electrones libres), esto sucede si es aplicada
una cantidad suficiente de energa externa
El trmino libre manifiesta que su movimiento ser muy
sensible a la aplicacin de campos elctricos como los
que se generan por fuentes de voltaje

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Niveles de Energa
Como hemos visto, en la estructura atmica
aislada existen niveles discretos de energa
asociados con cada electrn que orbita. Cada
material tiene su propio conjunto permitido de
niveles de energa
IONIZACIN: Es el mecanismo por medio del
cual un electrn puede absorber energa
suficiente para escapar de la estructura atmica
e ingresar a la banda de conduccin

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Niveles de Energa
Mientras ms distante
se encuentre el
Electrones de Valencia
electrn del ncleo,
mayor es el estado de
Orbitas
energa, y cualquier
electrn que haya
Ncleo
+
dejado a su tomo,
tiene un estado de
energa mayor que
cualquier electrn en la
Existe un rango o una banda de
estructura atmica
posibles niveles de energa para los
electrones de valencia, asimismo
existe un rango o banda de niveles
de energa para los electrones de
conduccin
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Niveles de Energa
Aislante
Banda de conduccin

Electrones libres
para establecer la
conduccin

GAP

Eg> 5eV

Banda de Valencia

Electrones libres
unidos a la estructura
atmica

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Niveles de Energa
Conductor

Banda de conduccin

Las bandas se
traslapan

Banda de Valencia

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Niveles de Energa
Semiconductor

Banda de conduccin

GAP
Banda de Valencia

Electrones libres
para establecer la
conduccin

Eg= 1.1eV (Si)

Eg= 0.67eV (Ge)
Eg= 1.41eV (GaAs)

Electrones libres
unidos a la estructura
atmica

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Electrones y Huecos
Hueco es el espacio vaco que deja un
electrn cuando es excitado
Aumento de Temperatura

Banda de conduccin

GAP
Banda de Valencia
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Electrones libres
para establecer la
conduccin

Eg> 0.7 eV (Si)

Electrones libres
unidos a la estructura
atmica
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Efecto de la Temperatura en
Semiconductores
A =0 K, todos los electrones estn unidos a sus
enlaces covalentes, no existen electrones libres
ni se puede establecer la conduccin, el
material se comporta como un aislante
A temperatura ambiente, algunos enlaces
covalentes se rompen como resultado de la
vibracin trmica
Algunos electrones se desprenden de los
enlaces favoreciendo la conduccin

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Dinmica de la conduccin
-

Si

Si

Si

Banda de conduccin
-

Si

Si
-

Si

- Si

Si

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Si

GAP
Banda de Valencia

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Conduccin en Materiales
Semiconductores
Los electrones en los tomos de silicio y germanio estn
unidos firmemente en la estructura cristalina formando
enlaces, estos enlaces no se pueden romper sin recibir
energa externa
El enlace reticular es elctricamente neutro
Cuando un enlace se mueve, un electrn se mueve
libremente a travs de la estructura, el enlace
permanece cargado positivamente, e intenta balancear
la carga capturando un electrn.
Vemos entonces que hay dos grupos independientes de
portadores de carga, electrones de conduccin y huecos
Los huecos tiene propiedades similares a las de un
electrn libre

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Corrientes
La agitacin trmica produce un movimiento aleatorio de electrones
en un semiconductor. Este fenmeno no produce ningn flujo neto
de carga.
A temperatura diferente de cero, los tomos en la estructura
cristalina poseen energa cintica, y hay un intercambio continuo de
electrones y huecos
Sin embargo, si algn mecanismo provoca una concentracin ms
alta en un extremo del semiconductor creando de este modo un
gradiente, los electrones se difunden hacia el otro extremo,
originando un flujo de carga neto conocido como corriente de
difusin.
Cuando se aplica un campo elctrico se produce otro movimiento y
los huecos y electrones libres son acelerados, este movimiento se
conoce como corriente de arrastre.

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Semiconductores Intrnsecos
Son materiales en los cuales hay una banda en
la cual no hay electrones. Los electrones de
valencia no se pueden mover libremente a
travs del material, sino que participan en
enlaces covalentes manteniendo la estructura
En un material intrnseco el nmero de huecos
es igual al nmero de electrones, el proceso de
generacin crea al mismo tiempo un par
electrn-hueco
Los semiconductores instrnsecos NO son
buenos conductores de electricidad.
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Materiales Semiconductores
III

IV

Al

Si

Ga

Ge

As

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Concentracin de portadores
intrnsecos

ni = BT

Eg

3 / 2 2 kT

B es una constante relacionada con el material

Eg es el nivel de energa del gap (eV)
T es la temperatura (K)
k es la constante de Boltzmann (86x10-6 eV/K)

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Constantes en semiconductores
Material

Eg(eV)

B(cm-3K-3/2)

Silicio (Si)

1.1

5.23x1015

Arseniuro de
Galio (GaAs)

1.41

2.10x1014

Germanio (Ge)

0.67

1.66x1015

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19

Semiconductores Extrnsecos
Las corriente inducidas en los
semiconductores puros son relativamente
pequeas
La conductividad en un semiconductor
puede ser incrementada, si se introducen
impurezas en el material

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Dopado
Cuando una impureza donante se agrega
a un semiconductor aportando huecos o
electrones libres sin que el tomo
aportado pueda moverse
La impureza puede aportar o huecos
(impureza donadora), o electrones
(impureza aceptadora)

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20

Material Tipo n
Si la sustancia dopante tiene exceso de
electrones libres, entonces se le llama
donador y el semiconductor dopado ser
de tipo n
Los portadores mayoritarios sern
electrones y los portadores minoritarios
sern huecos

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Material
tipo n
-

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Electrn Libre

Si
4

Si
P

Si
- 4

Fosforo!
-

Si
4

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Si
4
-

Si
4

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21

Material Tipo n
El Silicio es dopado con Fsforo, Arsnico,
Bismuto o Antimonio
Esos materiales fueron escogidos tomando en
cuenta que sus tomos no causan problemas en
la estructura cristalina
Se crea un electrn libre a temperatura
ambiente
El silicio dopado con un material tipo n necesita
solo 0.05eV para perder un electrn de valencia

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Material Tipo p
Si la sustancia tiene exceso de huecos
entonces se le conoce como aceptador y
ser un semiconductor tipo p
Los portadores mayoritarios sern huecos
y los portadores minoritarios sern
electrones

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22

Material
Tipo p -

Enlace faltante
o hueco libre
-

Si
4

Si
3

Si
- 4

Boro!
-

Si
4

Si
4

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Si
4

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Material Tipo p
Las impurezas en un aceptor tienen tres
electrones de valencia
Para formar un material tipo p se agregan
tomos de Boro, Indio y Galio
Como le hace falta un electrn de valencia
entonces deja un hueco vacante en la estructura
El hueco se mueve libremente y crea una carga
positiva mvil
La carga negativa esta fija en la estructura
imposibilitada para moverse
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23

Equilibrio trmico

no po = ni

no concentracin en equilibrio trmico de

electrones libres
po concentracin en equilibrio trmico de
huecos libres
ni concentracin intrnseca de portadores

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A temperatura ambiente (300K), cada tomo donador aporta un

electrn libre al semiconductor. Si la concentracin Nd es ms
grande que la concentracin intrnseca, entonces podemos
aproximar la expresin a:

no N d
Entonces la concentracin de huecos:

n
po = i
Nd

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24

Similarmente, a temperatura ambiente, cada tomo aceptador

adquiere un electrn de valencia, creando un hueco. Si la
concentracin de aceptores Na es mucho ms grande que la
concentracin intrnseca entonces, podemos aproximar a:

po N a
Entonces la concentracin de electrones:

n
no = i
Na

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Corriente de arrastre
La corriente de arrastre es causada por
campos elctricos.
Se asume que un campo elctrico E,
aplicado en una direccin produce una
fuerza en los electrones, en direccin
opuesta, los electrones adquirirn una
velocidad de arrastre vdn (en cm/s)

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25

Corriente de Arrastre
Material tipo n
E
vdn

Material tipo p
E
h

Jn

vdp
Jn

La densidad total de corriente de arrastre:

J = en n + ep p = E
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Corriente de Difusin
Las partculas fluyen de una regin de mayor
concentracin a una regin de menor
concentracin.
Estadsticamente en cualquier instante en
particular, la mitad de las partculas de la regin
de mayor concentracin se movern hacia el
lado de menor concentracin
Las partculas concentradas en la regin de
menor concentracin, tambin se movern a la
regin de mayor concentracin

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Corriente de Difusin
La concentracin de portadores est en funcin
de la distancia.

n
-- +- -- +- - -- -++- - - +- --- +
- +

El resultado es un flujo neto de partculas desde

la regin de alta concentracin hacia la regin
de baja concentracin
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Exceso de Portadores
Los electrones de valencia pueden
adquirir suficiente energa para romper el
enlace covalente y convertirse en
electrones libres. Cuando esto ocurre, se
producen huecos y electrones generando
pares electrn-hueco.
Entonces se produces exceso de huecos
y exceso de electrones.

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Exceso de Portadores
La creacin del exceso de electrones y
huecos no continua indefinidamente, esto
es debido a que el electrn en exceso
puede recombinarse con un hueco, en un
proceso llamado recombinacin electrn
hueco.
Tanto el hueco como el electrn
desaparecen hasta alcanzar un estado
estable
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Exceso de electrones

n = no + n
Exceso de electrones

p = po + p
no y po son las concentraciones de huecos
y electrones en equilibrio trmico, n y p
representan las concentraciones en
exceso de electrones y huecos
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