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Rectificador trifasico no controlado

clear all
y=0;
f=1:1:400
e1=5*sin((pi/180)*f)
e2=5*sin((pi/180)*f-(120*(pi/180)))
e3=5*sin((pi/180)*f-(240*(pi/180)))
e4=e1*-1
e5=e2*-1
e6=e3*-1
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on
subplot(2,1,1),
hold on

plot(f,e1,'g')
plot(f,e2,'r')
plot(f,e3,'b')
plot(f,e4,'m')
plot(f,e5,'k')
plot(f,e6,'y'), axis([0 400 -6 6])

for i=1 : 400


if(e1(i)>=e2(i))&& (e1(i)>=e3(i))&& (e1(i)>=e4(i))&& (e1(i)>=e5(i))&&
(e1(i)>=e6(i))
y(i)=e1(i)
else
if(e2(i)>=e3(i))&& (e2(i)>=e4(i))&& (e2(i)>=e5(i))&&
(e2(i)>=e6(i))&& (e2(i)>=e1(i))
y(i)=e2(i)
else
if(e3(i)>=e4(i))&& (e3(i)>=e5(i))&& (e3(i)>=e6(i))&&
(e3(i)>=e1(i))&& (e3(i)>=e2(i))
y(i)=e3(i)

else
if(e4(i)>=e5(i))&& (e4(i)>=e6(i))&& (e4(i)>=e1(i))&&
(e4(i)>=e2(i))&& (e4(i)>=e3(i))
y(i)=e4(i)
else
if(e5(i)>=e1(i))&& (e5(i)>=e2(i))&& (e5(i)>=e3(i))&&
(e5(i)>=e4(i))&& (e5(i)>=e6(i))
y(i)=e5(i)
else
if(e6(i)>=e1(i))&& (e6(i)>=e2(i))&& (e6(i)>=e3(i))&&
(e6(i)>=e4(i))&& (e6(i)>=e5(i))
y(i)=e6(i)
end
end
end
end
end
end
end
subplot(2,1,2), plot(f,y,'c'), axis ([0 400 0 6])

ISTEMAS DE RECTIFICACION
CONTROLADA MONOFSICO Y
POLIFSICO
Isaac Ojeda Zamalloa
UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA
Ingeniera Elctrica
isaacoz@hotmail.com

RESUMEN: Los rectificadores controlados emplean el tiristor o SCR como dispositivo


de control. El tiristor es un semiconductor que presenta dos estados estables: en uno
conduce, y en otro est en corte (bloqueo directo, bloqueo inverso y conduccin
directa). El objetivo del tiristor es retardar la entrada en conduccin del mismo, ya
que como se sabe, un tiristor se hace conductor no slo cuando la tensin en sus
bornes se hace positiva (tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando
siendo esta tensin positiva, se enva un impulso de cebado a puerta. El parmetro
principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, .

PALABRAS CLAVE: Rectificacin, rendimiento, monofsico, parmetros, disparo,


bloqueo, etc.

I.

INTRODUCCIN

En el desarrollo del informe veremos el comportamiento de los sistemas controlados


monofsicos y polifsicos en media onda, la diferencia que existen entre los dos, se
podrn apreciar con el desarrollo de esta prctica. As se obtendrn los valores de los
diferentes formas de ondas con diferentes cargas como el rectificador monofsico de
media onda controlada con carga puramente R, con carga RC y con carga R(LC), de
la misma forma el rectificador polifsico de media onda controlada con carga
puramente R, con carga RL y con carga R(LC).

II.

FUNCIONAMIENTO

En los circuitos rectificadores se pueden sustituir, total o parcialmente, a los diodos


por tiristores, de forma que se pueda obtener un sistema de rectificacin controlada o
semicontrolada. Como se muestra en la fig. 1, representa la rectificacin de onda
controlada, para la colocacin de diferentes tipos de cargas, estos diagramas estn
simulados en Matlab. Estos sistemas permitirn la regulacin del valor medio de la
tensin en la carga. Como se muestra en la fig. 2, representa los diferentes tipos de
cargas, a usar en el rectificador de media onda controlada, estos diagramas estn
simulados en Matlab. La sustitucin del diodo por el tiristor permite retardar la entrada
en conduccin del mismo, lo cual ocurre no slo cuando la tensin entre sus bornes es
positiva, sino cuando, siendo positiva se inyecta un pulso de cebado a la puerta del
tiristor.

Figura. 1 Diagrama del sistema de rectificacin monofsica de media onda controlada para la ubicacin de
los diferentes tipos de cargas, simulados en Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente,
voltaje y del diodo.

(a)

(b)

(c)

(a)

Tipo de carga R (300ohm) para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada, para las
simulaciones mencionadas.

(b)

Tipo de carga RC (300ohm) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada,
para las simulaciones mencionadas.

(c)

Tipo de carga R(LC), (300ohm), (0.8H) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda
controlada, para las simulaciones mencionadas.

Figura. 2 Diagrama del sistema de cargas, a usar en el rectificador de media onda controlada, simulados en
Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente, voltaje y del diodo respectivamente.

PARMETRO FUNDAMENTAL

En estos rectificadores con tiristores ser el ngulo de retardo , que un tiristor


conduce con un retardo de tiempo /w con relacin al instante en el cual conducira el
diodo al que ha sustituido.

Tensin media en la carga: Es la tensin en el secundario:

(1)
Y el valor normalizado valdr:

(2)

Tensin eficaz en la carga:

(3), (4)
Para =0, su valor: (4)

Y el valor normalizado valdr:

(5)
Tensin inversa de pico soportada por el tiristor: Esta tensin ser la mxima de
entrada para , por lo tanto:

(6)

Corriente media en la carga:

(7)
Corriente eficaz en la carga:

(8)

Para distinguir las magnitudes cuando se pasa de los montajes con diodos a tiristores
utilizaremos la prima (') para referirnos a los montajes con tiristores. El principio de
funcionamiento consiste en disparar los tiristores con un cierto ngulo respecto del
punto de conmutacin natural o paso por cero de la seal de entrada. Con ello se
consigue aplicar la tensin de la fuente sobre la carga un tiempo variable, que depende
del momento del disparo y por tanto se conseguir variar los valores medios y eficaces
de la tensin en la carga.

Dependiendo del tipo de carga, se deber analizar el tipo de impulso de cebado del
tiristor. Para las cargas con componente inductiva, la corriente en la carga, y por tanto
en el tiristor, no variar bruscamente, con lo que se tardar un cierto tiempo en
alcanzar la corriente de enclavamiento del tiristor. Como se muestra en la simulacin 1
Matlab, donde muestra el comportamiento del diodo que es atravesado por el voltaje
y la corriente que es la forma de onda 1 y 2, y en las formas de ondas 3 y 4 muestra el
voltaje y la corriente, de la carga.

(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), simulado en Matlab

(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y C (8.8uF), simulado en Matlab

(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y L (0.8H) en Matlab, simulado en
Matlab

Simulacin 1 muestra las formas de ondas del sistemas de rectificacin monofsica de media onda
controlada con diferentes tipos de cargas, simulados en Matlab, para la proyeccin de corriente, voltaje y del
tiristor.

III.

THD (Total Harmonic Distortion) en los diferentes circuitos polifsicos de


media onda.

Con carga R

Simulaciones de las formas de onda de los sistemas de rectificacin polifsica de media


onda con carga resistiva, en los cuales por medio de su THD se analiza el
comportamiento, simulados en Matlab, para la proyeccin de voltaje, ver figura 3a,
corriente, ver figura 3b y del diodo, ver figura 3c.

(a)

Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab

(b)

Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab

(c) Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga R (300ohm), en
Matlab

Figura3. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva

Con carga RC
Simulaciones de las formas de onda de los sistemas de rectificacin polifsica de media
onda con carga Resistiva Capacitiva en serie, en los cuales por medio de su THD se
analiza el comportamiento, simulados en Matlab, para la proyeccin de voltaje, ver
figura 4a, corriente, ver figura 4b y del diodo, ver figura 4c.

(a)

Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uf), en Matlab

(b)

Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab

(c) Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab

Figura4. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva - capacitiva.

RECTIFICACION TRIFSICO DE MEDIO ONDA CONTRALADA

Es el montaje ms sencillo para los rectificadores de alimentados con la red trifsica.


Como en cada fase hay un solo semiconductor, ste deber de ser un tiristor. Como se
muestra en la fig. 3, representa la rectificacin trifsico de media onda controlada, para
la colocacin de diferentes tipos de cargas, estos diagramas estn simulados en
Matlab. Al ser la red trifsica las tensiones de entrada estn desfasadas 2/3, entonces
cada tiristor conduca un tercio del periodo (2/3). De esta forma se obtenan los
siguientes intervalos de conduccin:

(a)

(b)

(c)

(a)

Tipo de carga R (300ohm) para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada, para las
simulaciones mencionadas.

(b)

Tipo de carga RC (300ohm) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda controlada,
para las simulaciones mencionadas.

(c)

Tipo de carga R(LC), (300ohm), (0.8H) y (8.8uF), para la ubicacin en el rectificador de media onda
controlada, para las simulaciones mencionadas.

Figura. 5. Diagrama del sistema de cargas, a usar en el rectificador de media onda controlada, simulados en
Matlab, para la proyeccin de las formas de ondas de corriente, voltaje y del diodo respectivamente.

PARMETRO FUNDAMENTAL

Este tipo de rectificador proporciona una tensin media de salida alta si lo


comparamos con los convertidores controlados monofsicos, adems se obtiene a su
salida una corriente y un voltaje bastante contino por lo que es muy usado para
trabajar con altas potencias. La frecuencia de la seal en la carga ser el triple de la
frecuencia de entrada. Como se muestra en la simulacin 2 Matlab, donde muestra el
comportamiento el voltaje de las fuentes, en la forma de onda 1, el voltaje y la
corriente del diodo que se atravesado por el circuito es la forma de onda 2 y 3, y en las
formas de ondas 4 y 5 muestra el voltaje y la corriente, de la carga.

Para el caso de una carga resistiva pura tendremos en cuenta que:

Si aplicsemos impulsos de disparo a la vez, a las puertas de los tiristores, se


pondra a conducir siempre el que estuviera sometido a la mxima tensin.

A la hora de determinar la disipacin de potencia resulta interesante saber que


cada tiristor puede conducir durante un tiempo T/3, por lo que debe poder regular 1/3
de potencia.

Para ngulos superiores a 30, la carga resistiva ser atravesada en algunos


momentos por corriente discontinua, al dispararse un tiristor cuando el anterior ya ha
dejado de conducir.

Si los tiristores son atacados por tres generadores de impulsos, aplicando estos
a su correspondiente tiristor en intervalos en los que su tensin nodo-ctodo sea
positiva, a la frecuencia de red y con desfase progresivo de 120, el ngulo mximo de
disparo ser de 150, ya que por encima de ste la tensin en la carga ser nula por
aplicarse los impulsos a tiristores que estarn en inverso.

Tensin media en la carga:

(6)

Tensin eficaz en la carga:

(7)

(a) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), simulado en Matlab

(b) Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm) y C (8.8uF), simulado en Matlab

(c)
Comportamiento del voltaje y de la corriente con carga R (300ohm), C (8.8uF) y L (0.8H), simulado en
Matlab

IV.

IV.i

THD (Total Harmonic Distortion) en los diferentes circuitos polifsicos de


media onda.

IV.i Con carga R

Simulaciones de las formas de onda de los sistemas de rectificacin polifsica de media


onda con carga resistiva, en los cuales por medio de su THD se analiza el
comportamiento, simulados en Matlab, para la proyeccin de voltaje, ver figura 3a,
corriente, ver figura 3b y del diodo, ver figura 3c.

(a)

Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos


con carga R (300ohm), en Matlab

(b)

Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus


armnicos con carga R (300ohm), en Matlab

(c)

Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos


con carga R (300ohm), en Matlab

Figura 6. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de
media onda, con carga resistiva.

IV.ii Con carga RC


Simulaciones de las formas de onda de los sistemas de rectificacin polifsica de media
onda con carga Resistiva Capacitiva en serie, en los cuales por medio de su THD se
analiza el comportamiento, simulados en Matlab, para la proyeccin de voltaje, ver
figura 4a, corriente, ver figura 4b y del diodo, ver figura 4c.

(a)

Esta grafica muestra el comportamiento del voltaje, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uf), en Matlab

(b)

Esta grafica muestra el comportamiento de la corriente, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab

(c)

Esta grafica muestra el comportamiento del diodo, analizando sus armnicos con carga RC (300ohm y
8,8uF), en Matlab

Figura4. Comportamientos de los diferentes valores para THD de un circuito polifsico con rectificacin de media
onda, con carga resistiva - capacitiva.

V.

DISCUCIN.

A partir de las grficas obtenidas en cada una de las simulaciones, el


comportamiento del voltaje analizando sus armnicos en la carga resistiva es mucho
ms estable frente al comportamiento del voltaje analizando sus armnicos en las
cargas inductiva o capacitiva, debido a la estabilidad que presenta este elemento
dentro del circuito diseado.

Al realizar las simulaciones de la rectificacin monofsica y polifsica de media onda,


se pudo llegar a la conclusin que solo se pueden hacer los anlisis con ngulos
menores a 180.

En las tablas se muestra los clculos efectuados por las ecuaciones anteriores,
pudiendo as mostrar y comparar, de sta manera los valores de corriente y de voltaje,
con diferentes tipos de cargas al sistema de rectificacin controlada tanto monofsica
como polifsica para meda onda.

Los datos preestablecidos, para el planteamiento son:


Vin=120v, disparo 35o, R=300ohm, L=0.8 H; C=8.8uF

Tabla 1. Valores obtenidos mediante clculos para el rectificador controlada


monofsico de media onda controlada con carga R, RC y R(LC).

Tabla 2. Valores obtenidos mediante clculos para el rectificador controlado trifsico


onda completa con carga R, RL y RC.

Al comparar stas tablas 1 y 2, con los datos obtenidos en las simulaciones tanto
para la rectificacin controlada monofsica de media onda como para el rectificador
controlado trifsico onda completa podemos observar la poca diferencia entre estos.

VI.

CONCLUSIONES

En las simulaciones se puede ver el anlisis de resultados del THD, lo que resulta que
un rectificador media onda con carga R, su grafica obtenida de intensidad es igual a la
grfica de tensin, por ese motivo se realiza un solo anlisis de THD, ya que ambos
valores son equivalentes, tanto para monofsica como polifsica, resulta ser ms
ptimo que rectificadores con cargas reactivas, donde se podra tener una solucin en
colocar un diodo volante.

Solamente con estos rangos de los ngulos, el tiristor funciona ya que si se hace con
ngulos mayores a 180 el voltaje en la carga tiende a distorsionarse, y no se obtendrn
los datos requeridos.

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