APOSTILA

ELETRNICA
GERAL-I
Professor
Carlos Martinez

Escola Estadual Augusto Meyer

2014

JP1

CAPTULO - I
1.1 Introduo
Eletrnica a cincia que estuda os fenmenos eltricos ocorridos em
slidos, lquidos e gases a nvel molecular, observando os efeitos atmicos
ocorridos, levando em considerao as movimentaes ocorridas com cargas
eltricas chamadas eltrons. A eletrnica estuda os esfeitos eltricos ocorridos
principalmente em materiais semicondutores.
Divide-se em Analgica e Digital porque suas coordenadas de trabalho
optam por obedecer estas duas formas de apresentao dos sinais eltricos a
serem tratados.

Numa definio mais abrangente, podemos dizer que a Eletrnica o ramo

da cincia que estuda o uso de circuitos formados por componentes eltricos e
eletrnicos, com o objetivo principal de armazenar, transmitir ou processar
informaes alm do controle de processos e servo mecanismos. Sob esta tica,
tambm se pode afirmar que os circuitos internos dos computadores (que
armazenam e processam informaes), os sistemas de telecomunicaes (que
transmitem informaes), os diversos tipos de sensores e transdutores (que
representam grandezas fsicas, informaes e sob forma de sinais eltricos)
esto, todos, dentro da rea de interesse da Eletrnica.
Entre os mais diversos ramos da eletrnica abrange a transmisso da
corrente eltrica no vcuo e nos semicondutores. Tambm considerada um
ramo da Eletricidade que, por sua vez, um ramo da Fsica onde se estudam os
fenmenos das cargas eltricas elementares, as propriedades e comportamento,
do eltron, ftons, partculas elementares, ondas eletromagnticas, etc.
Principais matemticos, fsicos, qumicos e filsofos, que contribuiram para
evoluo da eltroeltrnica:
Alessandro Giuseppe Antonio Anastasio Volta (1745 1827 dC) foi um
fsico italiano, conhecido especialmente pela inveno da pilha eltrica.
Andr-Marie Ampre (1775 1836 dC) foi eleito membro da Acadmie
des Sciences. Ocupou-se com vrios ramos do conhecimento humano, deixando
obras de importncia, principalmente no domnio da fsica e da matemtica.
Partindo das experincias feitas pelo dinamarqus Hans Christian Oersted sobre
o efeito magntico da corrente eltrica, soube estruturar e criar a teoria que
possibilitou a construo de um grande nmero de aparelhos eletromagnticos.

Benjamin Franklin (1706 1790 dC) conhecido por suas citaes e

experincias com a eletricidade, inventou o para raios; e foi eleito membro da
Royal Society.
Charles Augustin Coulomb (1736 1806 dC) em sua homenagem, deu
seu nome unidade de carga eltrica, o Coulomb. Publicou tratados sobre
eletricidade e magnetismo. Experimentador genial e rigoroso, realizou uma
experincia histrica com uma balana de toro para determinar a fora exercida
entre duas cargas eltricas, (Lei de Coulomb).
Charles Franois Du Fay (1698 1739 dC) foi um qumico francs,
descobridor da eletricidade positiva e negativa, descrevendo pela primeira vez em
termos de cargas eltricas a existncia de atrao e repulso.
Christian Oersted (1777 1851 dC) conhecido sobretudo por ter
descoberto que as correntes elctricas podem criar campos magnticos que so
parte importante do eletromagnetismo.
Claude E. Shannon Claude Elwood Shannon (1916 - 2001) foi um
matemtico americano, engenheiro eletrnico, e criptgrafo, conhecido como "o
pai da teoria da informao".De 1932 a 1936, estudou matemtica e engenharia
eltrica na Universidade de Michigan. Em 1948, publicou o importante artigo
cientfico intitulado A Mathematical Theory of Communication enfocando o
problema de qual a melhor forma para codificar a informao que um emissor
queira transmitir para um receptor.
Ernest Ruherford (1871 1937) afirmou depois de esperimentos em
laboratrio, que o tomo formado de um ncleo muito pequeno e denso, onde
se encontram os prtons (cargas positivas) e igual nmero de eltrons (cargas
negativas), girando em rbitas circulares ao redor do ncleo.
Franz Ernst Neumann (1798 -1895) foi um mineralogista, fsico e
matemtico alemo. considerado um dos fundadores da fsica terica. Seus
trabalhos tratam principalmente de cristalografia. Logo sua reputao o levou
docncia na Universidade de Knigsberg, onde, em 1829, tornou-se professor de
mineralogia e fsica. Em 1831 passou a se dedicar ao estudo do calor especfico
dos corpos, e chegou lei que leva seu nome: o calor molecular de um corpo
igual soma do calor atmico de seus componentes.
George Boole (1815 - 1864) foi um matemtico e filsofo britnico, criador
da lgebra booleana, fundamental para o desenvolvimento da computao
moderna.
Gustav R. Kirchhoff (1824 1887 dC) formulou as leis dos ns e das
malhas na anlise de circuitos eltricos (Leis de Kirchhoff) em 1845, quando ainda
era um estudante. Props a lei da emisso de radiao trmica em 1859,
comprovando-a em 1861. Em 1854 transferiu-se para a Universidade de
Heidelberg, onde colaborou em trabalhos sobre espectroscopia com Robert
Bunsen, descobrindo juntamente com este os elementos csio e rubdio em 1861.
Heinrich Friedrich Emil Lenz (1804 -1865) foi um fsico alemo (germanobltico). O smbolo , representao convencional de indutncia, escolhido em
sua memria.
Heinrich Rudolf Hertz (1857 1894 dC) demonstrou a existncia da
radiao eletromagntica, criando aparelhos emissores e detectores de ondas de
rdio, ps em evidncia em 1888 a existncia das ondas eletromagnticas
imaginadas por James Maxwell.

Joseph Henry (1797 - 1878 dC) foi um cientista estadunidense.Em 1830,

enquanto construa eletroims, descobriu o fenmeno eletromagntico chamado
induo electromagntica ou auto-indutncia e a indutncia mtua.
James Clerk Maxwell (1831 - 1879 dC) foi um fsico e matemtico
britnico. mais conhecido por ter dado forma final teoria moderna do
eletromagnetismo, que une a eletricidade, o magnetismo e a ptica. Esta a
teoria que surge das equaes de Maxwell, assim chamadas em sua honra e
porque foi o primeiro a escrev-las juntando a lei de Ampre, modificada por
Maxwell, a lei de Gauss, e a lei da induo de Faraday. Maxwell demonstrou que
os campos elctricos e magnticos se propagam com a velocidade da luz.
James Prescott Joule (1818 -1889 dC) estudou a natureza do calor, e
descobriu relaes com o trabalho mecnico. Isso direcionou para a teoria da
conservao da energia (Lei da Termodinmica). A nomenclatura Joule, para
unidades de trabalho no SI s veio aps sua morte para homenagea-lo. Joule
trabalhou com Lorde Kelvin, para desenvolver a escala absoluta de temperatura,
tambm encontrou relaes entre o fluxo de corrente atravs de uma resistncia
eltrica e o calor dissipado, agora chamada Lei de Joule.
James Watt (1736 - 1819 dC) foi um matemtico e engenheiro escocs.
Construtor de instrumentos cientficos, destacou-se pelos melhoramentos que
introduziu no motor a vapor, que se constituram num passo fundamental para a
Revoluo Industrial. Foi um importante membro da Lunar Society.
John Dalton (1776 1844) utilizou de evidncias experimentais para
ressuscitar o conceito do tomo dos gregos. Surgia dessa forma o modelo
atmico de Dalton.
Joseph John Thomson (1856 1940) provou por meio de experimentos
com tubos de gs chamados tubos de Crookes, empregando descargas eltricas
em alto vcuo, que o tomo possui particulas menores, chamadas de eltrons e
que possuem carga eltrica negativa.
Lee de Forest (1873 1961) engenheiro americano, inventou a vlvula
triodo. Estudou na Universidade de Yale, onde realisou uma das primeiras tesis
sobre as ondas radioeltricas. Comeou sua carreira profissional na Western
Eleltric Company, onde em 1907 patentiou vlvula terminica, conhecida como
triodo a vlvula.
Louis de Boglie (1892 - 1987) comprovou o comportamento dualstico de
um eltron, ou seja, ele pode ser ao mesmo tempo uma partcula e uma onda.
Michael Faraday (1791 1867 dC) sendo considerado um dos cientistas
mais influentes de todos os tempos. Suas contribuies mais importantes e seus
trabalhos mais conhecidos foram nos intimamente conectados fenmenos da
eletricidade, eletroqumica e do magnetismo, e diversas outras contribuies
muito importantes na fsica e na qumica.
Niels Bohr (1855 1962) props que o tomo pode ter somente certas
quantidades especficas de energia, ou seja, que os eltrons estariam distribudos
na eletrosfera em diferentes camadas. Surgia o modelo atmico de Bohr.
Otto Von Guerricke (1602 1686 dC) inventou uma mquina muito
simples para eletrizar corpos; uma bola de enxofre presa a uma manivela.
Stephen Gray (1666 1736 dC) descobriu que era possvel transferir para
outros corpos a eletricidade produzida no vidro, por atrito, atravs de um grupo de
materiais. Foi o descobridor da eletrizao por induo, preferencialmente
observada em corpos metlicos. Explicou tambm as propriedades de condutores
e isolantes.
4

Tales de Mileto (640 548 a.C) comprovou a eletricidade ao friccionar

uma resina fssil (mbar elektron em grego) em pele de animais, verificou que
era capaz de atrair pequenos pedaos de palha.
Walter Houser Brattain
Werner Heisemberg (1901 1976) afirma ser impossvel conhecer
simultaneamente e com certeza a posio e velocidade de um eltron, o
princpio da incerteza. Contrariou o medelo de Bohr.
Wilhelm Eduard Weber (1804 - 1891) foi um fsico alemo e, com Carl
Friedrich Gauss, inventor do primeiro telgrafo electromagntico. Weber nasceu
em Wittenberg, onde seu pai Michael Weber era professor de teologia. William era
o segundo de trs irmos, todos distinguidos por alguma aptido em cincias.
William Bradford Shockley (1910 - 1989) foi um fsico e inventor
americano. Em 1948 outro membro da equipe, John N. Shive, construiu um
transistor de ponto de contato, que virou a inveno Shive e desencadeou logo
em seguida a inveno de Shockley do transistor de juno. Ento poucos meses
depois ele inventou um novo tipo de transistor com uma camada de estrutura, a
inveno do transistor de juno, que foi anunciada em uma conferncia de
imprensa em 4 de julho de 1951 e obteve uma patente em 25 de setembro de
1951. Esta estrutura passou a ser utilizada para a grande maioria de todos os
transistores na dcada de 1960, e evoluiu para o transistor bipolar de juno.
Willian Gilbert (1544 1603 dC) pesquisador de magnetismo e
eletricidade. Seu principal trabalho foi sobre ms, os corpos magnticos e o
grande m terrestre.

Captulo - II

2 Grandezas Eltricas Bsicas

2.1 Condutores e isolantes
A estrutura ntima dos materiais um ramo da Fsica que ainda no est
completamente estudado. No entanto, grande parte dos fenmenos eltricos e
eletromagnticos podem ser explicados usando-se um modelo bastante simples,
conhecido como o tomo de Rutherford, prope que qualquer tomo
subdividido em:
Eletrosfera

Ncleo

Conforme podemos observar acima, o tomo possui um ncleo formado

por prtons e nutrons e em volta do ncleo giram eltrons em camadas ou
rbitas formando a eletrosfera. A aletrosfera dividida em camadas como
podemos observar a abaixo.

Camada de
Valncia

Para o estudo de Eletricidade importam apenas os eltrons que ocupam a

camada mais distante do ncleo, chamada camada de valncia. So as
propriedades desses eltrons que ditaro as caractersticas eltricas do material.
Assim, se os eltrons da camada mais externa estiverem frouxamente
ligados ao ncleo, eles podero fugir do tomo, tornando-se eltrons livres,
capazes de se movimentar aleatoriamente atravs do material. Na maior parte
dos casos prticos, so esses eltrons livres que participam dos processos
eltricos como portadores de corrente.
a) Materiais condutores: so aqueles que possuem grande quantidade de
eltrons livres; mesmo pequenas quantidades de energia so suficientes para
desaloj-los de seus tomos. No linguajar dos tcnico, o termo condutor
costuma ser aplicado aos fios e cabos, elementos usados na transmisso e
distribuio de energia eltrica. Os fios so condutores e rgidos; cabos so
condutores laminados formados por dois ou mais fios, o que lhes confere maior
flexibilidade. Em sntese a condutncia (S) muito maior que a resistncia ().

Resistncia

Condutncia

b) Materiais isolantes: mesmo os eltrons mais externos esto fortemente

ligados ao ncleo, de forma que s podem ser libertados pela aplicao de
grandes quantidades de energia. Isso os torna adequados para a confeco de
dispositivos de isolao (dieltricos): borrachas, cermicas e poliestireno so
alguns desses materiais. Em sntese a condutncia (S) muito menor que a
resistncia ().
Resistncia
Condutncia

2.2 Corrente eltrica

o fluxo ordenado de eltrons por um condutor eltrico. Para se produzir a
corrente, os eltrons devem se deslocar pelo efeito de uma diferena de
potencial. Um Ampre definido como o deslocamento de um Coulomb atravs
de um ponto qualquer de um condutor durante um intervalo de tempo de um
segundo. A corrente representada pela letra (I). A unidade fundamental com que
se mede a corrente o Ampre (A).
Coulomb: a quantidade de carga eltrica que um corpo possui
determinada pela diferena entre o nmero de prtons e o nmero de eltrons
que o corpo contm. O smbolo que representa a quantidade de carga eltrica de
7

um corpo (Q), que expresso numa unidade chamada de Coulomb (C). A carga
de um Coulomb negativo (-Q), significa que o corpo contm uma carga de 6,25 x
1018 mais eltrons do que prtons.
Como se viu anteriormente, nos condutores metlicos as cargas
disponveis so negativas (eltrons livres), de modo que o seu deslocamento
coincide com o chamado sentido eletrnico da corrente, do negativo para o
positivo. No entanto, historicamente os conceitos da Fsica foram criados a partir
de cargas positivas; chama-se sentido convencional quele do deslocamento
dessas cargas positivas, do positivo para o negativo.
Quando o mdulo e o sentido da corrente em um condutor no variam com
o tempo, estamos tratando de corrente contnua (CC); equipamentos alimentados
por pilhas ou baterias operam com correntes desse tipo.
Se o mdulo e o sentido variam no tempo de forma a serem descritos por
uma funo senoidal, diz-se tratar de corrente alternada (CA); equipamentos
alimentados em tomadas ou alternadores.

2.3 Resistncia eltrica

a oposio ao deslocamento de eltrons por um material condutor.
Define-se o Ohm como a quantidade de resistncia que limita a corrente num
condutor a um ampre quando a tenso aplicada for um Volt. A resistncia
representada pela letra (R). A unidade fundamental com que se mede a
resistncia o ohm ().
Quando a corrente eltrica passa por um corpo, um ou mais efeitos podem
ser observados, dilatao e produo de calor, resultante dos choques entre as
cargas portadoras de corrente com partculas do material condutor. Este efeito
fundamenta a ao de inmeros aparelhos, como chuveiros e aquecedores
eltricos.
Quando estamos usando corrente contnua a unidade empregada a
resistncia (R) e quando estamos em corrente alternada a unidade a
impedncia (Z).

Resistncia

Condutncia

esitncia

2.4 Tenso eltrica

a fora (presso) necessria para o deslocamento ordenado de eltrons
por um condutor. Em virtude da fora do seu campo eletrosttico, uma carga
eltrica capaz de realizar trabalho ao deslocar uma carga por atrao ou
repulso. A capacidade de uma carga realizar trabalho chamada de potencial.
Quando uma carga for diferente da outra, haver diferena de potencial entre
elas. A tenso representada pela letra (E). A unidade fundamental com que se
mede a tenso o Volt (V).

Diferena de potencial (d.d.p.), fora eletromotriz (f.e.m.) e voltagem so

outros termos usados para designar tenso.
Quando aplicada aos terminais de um dispositivo, a tenso altera o
equilbrio das cargas; um destes terminais ficar com falta de eltrons e portanto
positivamente carregado; enquanto o outro ter excesso de eltrons, ficando
carregado com carga negativa. Chama-se a isto de polaridade da tenso, que
representada por um par de sinais + (vermelho/positivo) e (preto/negativo).
2.5 Potncia eltrica
O conceito de potncia eltrica (simbolizada por P) intuitivo. Em
eletrotcnica, diz-se que um trabalho eltrico realizado na unidade de tempo.
No Sistema Internacional, a unidade de potncia o Watt (smbolo W).
Quando se trata de potncia mecnica, geralmente associada a motores eltricos,
costuma-se utilizar as seguintes unidades:
Cavalo-vapor (CV) = 736 W
Horse-power (HP) 746 W

2.6 Principais unidades SI

GRANDEZA
Comprimento
rea
Volume
ngulo Plano
Tempo
Fequncia
Velocidade
Acelerao
Massa
Massa Especfica
Quantidade de
Matria
Fora
Presso
Trabalho, Energia,
Quantidade de
Calor
Potncia, Fluxo de
Energia
Corrente eltrica
Carga Eltrica
Tenso Eltrica
Temperatura
Celsius
Temperatura
Termodinmica

NOME
PLURAL
SMBOLO
metro
metros
m
metro quadrado metros quadrado s
m
metro cbico
metros cbicos
m
radiano
radianos
rad
segundo
segundos
s
Hertz
Hertz
Hz
metro por
metros por
m/s
segundo
segundo
metro por
metros por
segundo ao
segundo ao
m/s
quadrado
quadrado
quilograma
quilogramas
kg
quilograma por
quilogramas por
kg/m
metro cbico
metros cbicos
mol

mols

mol

Newton
pascal

Newtons
pascals

N
Pa

Joule

Joules

Watt

Watts

Ampre
Coulomb
Volt

Ampres
Coulombs
Volts

A
C
V

grau Celsius

graus Celsius

Kelvin

kelvins

10

2.7 Mltiplos e submltiplos

Nome do
Prefixo
Yotta
Zetta
Exa
Peta
Ter
Giga
Mega
Quilo
Hecto
Deca
Deci
Centi
Mili
Micro
Nano
Pico
Femto
Atto
Zepto
Yocto

Smbolo do
Prefixo
Y
Z
E
P
T
G
M
k
h
da

10 = 1 000 000 000 000 000 000 000 000

21
10 = 1 000 000 000 000 000 000 000
18
10 = 1 000 000 000 000 000 000
15
10 = 1 000 000 000 000 000
12
10 = 1 000 000 000 000
9
10 = 1 000 000 000
6
10 = 1 000 000
3
10 = 1 000
2
10 = 1 00
10

d
c
m

n
p
f
a
z
y

1
-1
10 = 0,1
-2
10 = 0,01
-3
10 = 0,001
-6
10 = 0,000 001
-9
10 = 0,000 000 001
-12
10 = 0,000 000 000 001
-15
10 = 0,000 000 000 000 001
-18
10 = 0,000 000 000 000 000 001
-21
10 = 0,000 000 000 000 000 000 001
-24
10 = 0,000 000 000 000 000 000 000 001

Fator pelo qual a unidade multiplicada

24

Obs.: Temos que ter ateno s unidades que se escrevem em

minsculas e s unidades que se escrevem em maisculas.
Para convertermos uma unidade menor numa unidade maior, ou seja, um
submltiplo num mltiplo, temos que multiplic-la por 10, 100, 1000, etc.,
enquanto para convert-la numa unidade menor, ou seja, converter um mltiplo
num submltiplo, divide-se por 10, 100, 1000, etc.
Para entender melhor como passar de uma unidade para outra unidade
apresentamos um quadro mostrando cada posio de cada unidade:

K h

da u d c m

11

2.8 Exerccios de aplicao:

Fazendo os clculos necessrios de acordo com o que se aprendeu at
aqui, responda as questes a seguir:

01
02
03
04
05
06
07
08
09
10

a) 500d = 0,005h
a) 6000p = 6n
a) 2070M = 2,07K
a) 135m = 135000
a) 1G = 100M
a) 47k = 0,0047M
a) 1n = 0,000001m
a) 5m = 50
a) 399p = 0,0399n
a) 0,1M = 100k

b) 500d = 0,5h
b) 6000p = 0,006n
b) 2070M = 20700000000000k
b) 135m = 13500
b) 1G = 1000M
b) 47k = 0,047M
b) 1n = 0,00001m
b) 5m = 500000
b) 399p = 0,00399n
b) 0,1M = 10000k

c) 500d = 500000h
c) 6000p = 0,000006m
c) 2070M = 2070000k
c) 135m = 0,000135
c) 1G = 10000M
c) 47k = 0,47M
c) 1n = 0,0001m
c) 5m = 5000
c) 399p = 0,399n
c) 0,1M = 0,01k

Solues dos exerccios:

1-b, 2-a, 3-c, 4-a, 5-b, 6-b, 7-a, 8-c, 9-c, 10-a.

2.8.1 Uso dos mltiplos e submltiplos em eletrnica

Em eletricidade e eletrnica o uso de todos os mltiplos e submltiplos que
vimos no se aplica. De uma forma geral, podemos dizer que os mltiplos e
submltiplos usados em eletrnica so os seguintes.
So extremamente importantes, pois a utilizao facilita a escrita dos
valores, reduzindo o tamanho dos nmeros.

Giga
9
10

Mega
6
10

K(quilo)
3
10

Unidade
1

mili
-3
10

micro
-6
10

nano
-9
10

pico
-12
10

1.000.000.
000

1.000.000

1.000

0,001

0,000.001

0,000.000.
001

0,000.000.
000.001

12

CAPTULO - III
3 Componentes eletrnicos

Componentes eletrnicos so a estrutura dos circuitos eletrnicos, isto ,

so os componentes que fazem parte de qualquer circuito eltrico ou eletrnico
(desde os mais simples aos mais complexos) e que esto interligados entre si.
Pode tambm ser definido como componente eletrnico todo dispositivo
eltrico que transmite a corrente eltrica atravs de um
condutor ou
semicondutor.
Uma vlvula termoinica um dispositivo formado por uma ampola
de vidro onde internamente criado um vcuo. Um transistor um dispositivo
inteiramente slido onde internamente existe um semicondutor. Assim, por
definio, ambos so componentes eletrnicos.
Qualquer dispositivo que utilize outros meios que no o vcuo ou
semicondutores
para transmitir a corrente eltrica denominado componente
eltrico.
Componentes podem ser passivos ou ativos:
a) Componentes passivos na indstria eltrica so chamados de componentes
eltricos, ex.: botoeiras, vlvulas eletro-pneumticas, pressostatos, termostatos e
etc.
b) Componentes ativos na indstria so chamados de componentes eletrnicos,
ex.: transistores, diodos, vlvulas terminicas e etc.

13

3.1 Resistores
Lides/
Terminais

Um resistor (frequentemente chamado de resistncia, que na verdade a

sua medida) um dispositivo eltrico muito utilizado em eletrnica, ora com a
finalidade de transformar energia eltrica em energia trmica por meio do efeito
Joule, ora com a finalidade de limitar a corrente eltrica em um circuito.
Resistores so componentes que tm por finalidade oferecer uma oposio
passagem de corrente eltrica, atravs de seu material. A essa oposio damos o
nome de resistncia eltrica, que possui como unidade o Ohm. Causam uma
queda de tenso em alguma parte de um circuito eltrico, porm jamais causam
quedas de corrente eltrica. Isso significa que a corrente eltrica que entra em um
terminal do resistor ser exatamente a mesma que sai pelo outro terminal, porm
h uma queda de tenso. Utilizando-se disso, possvel usar os resistores para
controlar a corrente eltrica sobre os componentes desejados. Um resistor ideal
um componente com uma resistncia eltrica que permanece constante
independentemente da tenso ou corrente eltrica que circular pelo dispositivo.
Os resistores podem ser fixos ou variveis. Neste caso so chamados
de potencimetros ou reostatos. O valor nominal alterado ao girar um eixo ou
deslizar uma alavanca. O valor de um resistor de carbono pode ser facilmente
identificado de acordo com as cores que apresenta na cpsula que envolve o
material resistivo, ou ento usando um ohmmetro. Alguns resistores so longos e
finos, com o material resistivo colocado ao centro, e um terminal (lide) de metal
ligado em cada extremidade. Este tipo de encapsulamento chamado de
encapsulamento axial. Outros resistores so feitos em tira geralmente usados
para a pr-formatao dos terminais. Resistores usados em computadores e
outros dispositivos so tipicamente muito menores frequentemente so
utilizadas Tecnologia de Montagem Superficial (Surface-mount technology),
ou SMT, esse tipo de resistor no tem perna de metal (terminal). Resistores de
maiores potncias so produzidos mais robustos para dissipar calor de maneira
mais eficiente, mas eles seguem basicamente a mesma estrutura.

14

3.1.1 Tabela de resistores e suas cores

1
anel 2 anel

3 anel

4 anel

Cores
1 2digito Multiplicador Tolerncia
digito
Prata

0,01

10%

Ouro

0,1

5%

Preto

Marrom

01

01

10

1%

Vermelho

02

02

100

2%

Laranja

03

03

1 000

3%

Amarelo

04

04

10 000

4%

Verde

05

05

100 000

Azul

06

06

1 000 000

Violeta

07

07

10 000 000

Cinza

08

08

Branco

09

09

3.2 Potencimetro

Um potencimetro um componente eletrnico que possui resistncia

eltrica ajustvel. Geralmente, um resistor de trs terminais onde a conexo
central deslizante e manipulvel. Se todos os trs terminais so usados, ele
atua como um divisor de tenso.
Existem comercialmente, potencimetros confeccionados com substrato
em fio e carvo condutivo, dependo da corrente eltrica que circular neles.

15

H potencimetros cujo giro de 270 graus e outros de maior preciso

chamados multivoltas.
Em relao curva de resposta em funo do ngulo de giro do eixo,
existem dois tipos de potencimetros, os lineares (sufixo B ao final do cdigo) e
os logaritmos (sufixo A ao final do cdigo comercial do valor),. Exemplo de
especificao de potencimetro linear: 50 kB, ou seja, de 50000 Ohms linear.
Os potencimetros lineares possuem curva de variao de resistncia
constante (linear) em relao ao ngulo de giro do eixo. Os potencimetros
logaritmos, por sua vez, apresentam uma variao de resistncia ao ngulo de
giro do eixo mais adaptada curva de resposta de audibilidade do ouvido
humano. Considerando um aparelho de som, os potencimetros lineares so
recomendados para uso em controle de tonalidade (graves, mdios e agudos) e
os logartmicos mais recomendados para controles de volume.

3.3 Trimpot

Um trimpot, do ingls trimmer potentiometer, um potencimetro miniatura

ajustvel. Ele ajustado quando instalado em algum dispositivo, e normalmente
fica em local que o usurio no o veja, de modo que eventuais ajustes somente
sejam feitos por tcnicos. Eles so comuns em circuitos de preciso como
componentes de udio ou vdeo, e podem necessitar de ajustes quando o
aparelho consertado. Diferentemente de outros controles variveis, os trimpots
so montados diretamente na placa de circuitos, ajustados por uma pequena
chave e projetado para uma grande quantidade de pequenos ajustes em sua vida
til.

3.4 Diodo

16

Diodo semicondutor um dispositivo ou componente eletrnico composto

de cristal semicondutor de silcio ou germnio numa pelcula cristalina cujas faces
opostas so dopadas por diferentes gases durante sua formao.
o tipo mais simples de componente eletrnico semicondutor, usado
como retificador de corrente eltrica. Possui uma queda de tenso de,
aproximadamente, 0,3 V (germnio) e 0,7 V (silcio), para vencer a barreira de
potencial.
O diodo semicondutor um componente que pode comportar-se como
condutor ou isolante eltrico, dependendo da forma como a tenso aplicada aos
seus terminais. Essa caracterstica permite que o diodo semicondutor possa ser
utilizado em diversas aplicaes, como, por exemplo, na transformao de
corrente alternada em corrente contnua.
Polarizao direta uma condio que ocorre quando o lado P
submetido a um potencial positivo relativo ao lado N do diodo. Nessa situao, o
polo positivo da fonte repele as lacunas do material P em direo ao polo
negativo, enquanto os eltrons livres do lado N so repelidos do polo negativo em
direo ao polo positivo.
A polarizao inversa de um diodo ocorre quando o lado N fica submetido a
um potencial positivo relativo ao lado P do componente. Nessa situao, os polos
da fonte externa atraem os portadores livres majoritrios em cada lado da juno;
ou seja, eltrons do lado N e lacunas do lado P so afastados das proximidades
da juno. A camada de depleo aumenta sensivelmente. Se ela j dificultava a
passagem de corrente, agora torna-se virtualmente impossvel de transp-la. Os
portadores majoritrios de cada lado ficam ainda mais isolados. O semicondutor,
ento, passa a se comportar como um isolante. No h passagem de corrente
eltrica.

3.5 Fusvel

Em eletrnica e em engenharia eltrica fusvel um dispositivo de proteo

para curto circuito e sobre corrente em circuitos. (fusvel = fisi= fuso, el= passvel
= passvel de fuso). Consiste de um filamento ou lmina de um metal ou liga
metlica de baixo ponto de fuso que se intercala em um ponto determinado de
uma instalao eltrica para que se funda, por efeito Joule, quando a intensidade
17

de corrente eltrica superar sua capacidade, devido a um curto circuito ou

sobrecarga, um determinado valor que poderia danificar a integridade dos
condutores com o risco de incndio ou destruio de outros elementos do circuito.
Fusveis e outros dispositivos de proteo para curto circuito e sobre
corrente uma parte essencial de um sistema de distribuio de energia para
prevenir incndios ou danos a outros elementos do circuito.
Podemos dizer que o fusvel tem como finalidade proteger o operador, ou o
circuito ao qual estiver ligado.

3.6 Diodo zener

O dispositivo leva o nome em homenagem a Clarence Zener, que

descobriu esta propriedade.
Os diodos retificadores e de pequeno sinal nunca devem operar
intencionalmente na regio de ruptura porque isto pode danific-los. Um diodo
zener diferente; um diodo de silcio que o fabricante otimiza para trabalhar na
regio de ruptura. Em outras palavras, ao contrrio dos diodos comuns que nunca
trabalham na regio de ruptura, os diodos zener trabalham melhor nessa regio.
s vezes chamados diodo de ruptura, o diodo zener a parte mais importante
dos reguladores de tenso, circuitos que mantm a tenso da carga praticamente
constante apesar das grandes variaes na tenso da linha e da resistncia de
carga.
Variando-se o nvel de dopagem dos diodos de silcio o fabricante pode
produzir diodos zener com tenses de ruptura de 2 Volts at 200 Volts. Estes
Fiodos podem funcionar em qualquer uma das trs regies: Direta, de Fuga, ou
de Ruptura.
a- Regio Direta, ele comea a conduzir por volta de 0,7 Volts, exatamente
como um diodo de silcio comum.
b- Regio de Fuga (entre zero e a ruptura), ele apresenta apenas uma
pequena fuga ou corrente reversa.
c- Regio de Ruptura tem um joelho pronunciado, seguido de um aumento
de corrente praticamente vertical (exponencial). Observe que a tenso
praticamente constante, aproximadamente igual Ez em quase toda a
regio de ruptura.

18

Resistncia zener, quando um diodo zener est funcionando na regio de

ruptura, um aumento na corrente produz um ligeiro aumento na tenso. Isto
implica que o diodo zener tenha uma pequena resistncia na corrente alternada.
Regulao de tenso, o diodo zener s vezes chamado diodo regulador de
tenso porque mantm uma sada constante, mesmo que a corrente que passa
por ele varie. Alm disso, para produzir a ruptura, a tenso Es da fonte deve ser
maior do que a tenso zener de ruptura Ez. sempre usado um resistor Rs em
srie para limitar a corrente zener num nvel abaixo da sua especificao de
corrente; caso contrrio, o diodo zener se queima como qualquer componente
comum com excessiva dissipao de potncia.

3.7 Bobina

A palavra bobina tem diversos significados, mas em eletrnica, a palavra

utilizada para se referir a qualquer fio condutor eltrico enrolado em si mesmo, ou
ainda em volta de uma superfcie tambm condutora. Este simples rolo de fios
encontra diversos usos na eletrnica, desde o seus mais antigos
desdobramentos. A sua aplicao mais evidente a de produzir magnetismo,
tornando-se a bobina num m eltrico ou eletrom. Bobinas so
empregadas assim, como indutor, ou seja, um dispositivo eltrico passivo que
tem como utilidade armazenar energia em forma de um campo magntico.
Um indutor geralmente construdo como uma bobina de material
condutor, por exemplo, fio de cobre. Um ncleo de material ferromagntico
aumenta a indutncia concentrando as linhas de fora de campo magntico que
fluem pelo interior das espiras. Indutores podem ser construdos em circuitos
integrados utilizando o mesmo processo que usado em chips de computador.
Nesses casos, normalmente o alumnio utilizado como material condutor.
Porm, raro a construo de indutores em CI's; eles so volumosos em
uma pequena escala, e praticamente restritos, sendo muito mais comum o uso de
um circuito chamado "gyrator", que utiliza um capacitor comportando-se como se
fosse um indutor.
Pequenos indutores usados para frequncias muito altas so algumas
vezes feitos com um fio passando atravs de um cilindro de ferrite. Um indutor
resiste somente a mudanas de corrente. Um indutor ideal no oferece
resistncia para corrente contnua, exceto quando a corrente ligada e desligada,
caso em que faz a mudana de modo mais gradual. Porm, a maioria dos
indutores do mundo real so construdos a partir de materiais com resistncia
eltrica finita, que se ope at mesmo corrente direta.
19

Materiais supercondutores no oferecem resistncia a passagem de

correntes eltricas contnuas, e suas aplicaes implicam propriedades distintas
para os indutores feitos deste tipo de material.
Os problemas de anlise de circuitos, que resultam num sistema de
equaes lineares, nos quais se busca encontrar os valores de corrente e de
variao de tenso para cada compondente (incgnitas) so resolvidos por
extenso dos problemas de circuitos com apenas fontes e resistores. Neste
modelo estendido, a indutncia e a capacitncia so consideradas como
resistncias complexas, que passam a se denominar impedncia. Os resultados
so interpretados na forma polar, sendo o ngulo do vetor encontrado
interpretado como fase da corrente alternada ou tenso alternada.
Logo o indutor um curto-circuito para corrente contnua.

3.8 Transformador

E1 N1 I 2

E 2 N 2 I1

Transformador um equipamento que por induo eletromagntica,

transforma tenso e corrente alternada entre dois ou mais enrolamentos.
H trs tipos de transformadores TPs e TCs:
a) Transformador Rebaixador- Pega uma tenso maior e diminui para uma
tenso menor de acordo com a relao de transformao 2:1.
b) Transformador Elevador- Pega uma tenso menor e aumenta para uma
tenso maior de acordo com a relao de transformao 1:2.
c) Transformador Isolador- Pega um valor de tenso e transfere o mesmo
valor para o secundrio, pois sua relao de transformao 1:1.
Inventado em 1831 por Michael Faraday, os transformadores so
dispositivos que funcionam atravs da induo de corrente de acordo com os
princpios do eletro magnetismo, ou seja, ele funciona baseado nos princpios
eletromagnticos da Lei de Faraday-Neumann-Lenz e da Lei de Lenz, onde se
afirma que possvel criar uma corrente eltrica em um circuito uma vez que esse
seja submetido a um campo magntico varivel, e por necessitar dessa
variao no fluxo magntico que os transformadores s funcionam em corrente
alternada.
Um transformador formado basicamente do primrio onde alimentado e
o secundrio onde ligada a carga.
Existem trs perdas nos transformadores:

20

a) Correntes Parasitas/Foucault- corrente que se acomulam nos ncleos

macios ou laminados dos transformadores e similares.
b) Histerese Magntica- energia perdida para reorientar o campo
magntico dos ncleos.
c) Potncia (R.I)- perdas na fiao dos transformadores e similares.
No caso dos transformadores de dois enrolamentos, comum se
denomin-los como enrolamento primrio e secundrio, existem transformadores
de trs enrolamentos sendo que o terceiro chamado de tercirio. H tambm os
transformadores que possuem apenas um enrolamento, ou seja, o enrolamento
primrio possui uma conexo com o enrolamento secundrio, de modo que no
h isolao entre eles, esses transformadores so chamados de
autotransformadores.
Um transformador trifsico consta internamente de 3 transformadores
monofsicos que podem ser ligados de diferentes modos. Ligando os
enrolamentos primarios em triangulo e os enrolamentos secundrios em estrela,
ficamos com um conjunto em que o primrio recebe corrente trifsica e no
secundrio temos tres fases e neutro (sendo o neutro o centro da estrela). Temos
assim desta forma tenses simples e tenses compostas. No caso da distribuio
de energia elctrica temos 380/220 volts entre fases (tenso de linha), temos 3
situaes dessas (entre as fases R e S; S e T; R e T) e temos 220 volt entre
qualquer uma das fases e o neutro (tenso de fase).
O transformador baseado em dois princpios: o primeiro, descrito na lei
de Biot-Savart, afirma que corrente eltrica produz campo magntico
(eletromagnetismo); o segundo, descrito na lei da induo de Faraday, implica
que um campo magntico varivel no interior de uma bobina ou enrolamento de
fio induz uma tenso eltrica nas extremidades desse enrolamento (induo
eletromagntica). A tenso induzida diretamente proporcional taxa temporal
de variao do fluxo magntico no circuito. A alterao na corrente presente na
bobina do circuito primrio altera o fluxo magntico nesse circuito e tambm na
bobina do circuito secundrio, esta ltima montada de forma a encontrar-se sob
influncia direta do campo magntico gerado no circuito primrio. A mudana no
fluxo magntico na bobina secundria induz uma tenso eltrica na bonina
secundria. Do primrio para o secundrio h uma inveso no ngulo de fase.
O ncleo constitudo por um material ferromagntico, que contm em sua
composio o ferro-silcio, que lhe proporciona caractersticas excelentes de alta
magnetizao e perdas reduzidas.
Porm, este material condutor de eletricidade e estando sob a ao de
um fluxo magntico alternado, d condies de surgimento de correntes parasitas
ou correntes de Foucault. Para minimizar este problema, o ncleo, ao invs de ser
uma estrutura macia, construdo pelo processo de empilhamento de chapas
finas (0,27 mm) isoladas com carlite.
As peas metlicas de prensagem, como vigas fixadores, suportes e
outras, deve ser isoladas do ncleo e entre si para se evitar as correntes
parasitas, que aumentariam em muito as perdas em vazio.
Estas chapas de ao durante a sua fabricao na usina de ao, recebem
um tratamento trmico de reorientao dos gros do ao silcio. este processo
que torna o material adequado utilizao em transformadores, devido a
diminuio que este proporciona em relao s perdas especficas.
Os materiais dos calos so vrios e dentre eles podemos destacar o
papelo (presspan), o fenolite, a madeira, permalan e playboard.
21

O isolamento se faz necessrio nos pontos da parte ativa onde a

diferena de potencial seja expressiva, nos condutores, entre camadas dos
enrolamentos, entre o primrio e o secundrio, entre fases e entre enrolamentos e
massa.
Os materiais so diversos e devem atender as exigncias de rigidez
dieltrica e temperatura de operao (classe A 105C, classe E - 120C). No
caso dos condutores, estes podem estar isolados em papel Kraft neutro ou
esmaltado; sendo este ltimo de classe H(180C).

3.9 Transistor

O transistor um componente eletrnico que comeou a popularizar-se

na dcada de 1950, tendo sido o principal responsvel pela revoluo da
eletrnica na dcada de1960. So utilizados principalmente como amplificadores
e interruptores de sinais eltricos. O termo provm do ingls transfer resistor
(resistor/resistncia de transferncia), como era conhecido pelos seus inventores.
O processo de transferncia de resistncia, no caso de um circuito
analgico, significa que a impedncia caracterstica do componente varia para
cima ou para baixo da polarizao pr-estabelecida. Graas a esta funo,
a corrente eltrica que passa entre coletor e emissor do transistor varia dentro de
determinados parmetros pr-estabelecidos pelo projetista do circuito eletrnico.
Esta variao feita atravs da variao de corrente num dos terminais
chamados base, o que, ocasiona o processo de amplificao de sinal.
Entende-se por amplificar o procedimento de tornar um sinal eltrico mais
fraco num mais forte. Um sinal eltrico de baixa intensidade, como os sinais
gerados por um microfone, injetado num circuito eletrnico (transistorizado, por
exemplo), cuja funo principal transformar este sinal fraco gerado pelo
microfone em sinais eltricos com as mesmas caractersticas, mas
com potncia suficiente para excitar os alto-falantes. A este processo todo da se o
nome de ganho de sinal. O transistor considerado por muitos uma das maiores
descobertas ou invenes da histria moderna, tendo tornado possvel a
revoluo dos computadores e equipamentos eletrnicos. A chave da importncia
do transistor na sociedade moderna sua possibilidade de ser produzido em
enormes quantidades usando tcnicas simples, resultando preos irrisrios.
22

 conveniente salientar que praticamente impossvel serem encontrados

circuitos integrados que no possuam, internamente, centenas, milhares ou
mesmo milhes de transistores, juntamente com outros componentes como
resistncias e capacitores. Por exemplo, o microprocessador Cell do console
Playstation III tem aproximadamente 234 milhes de transistores, usando uma
arquitetura de fabricao de 45 nanmetros, ou seja, a porta de controle de cada
transistor tem apenas 45 milionsimos de um milmetro.
Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase
universal para tarefas no-mecnicas. Visto que um dispositivo comum, como um
refrigerador, usaria um dispositivo mecnico para o controle, hoje frequente e
muito mais barato usar um microprocessador contendo alguns milhes de
transistores e um programa de computador apropriado para realizar a mesma
tarefa. Os transistores, hoje em dia, tm substitudo quase todos os dispositivos
eletromecnicos, a maioria dos sistemas de controle, e aparecem em grandes
quantidades em tudo que envolva eletrnica, desde os computadores aos carros.
Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a
informao. Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade de
encontrar e ordenar rapidamente informaes digitais, mais e mais esforos foram
postos em tornar toda a informao digital. Hoje, quase todos os meios na
sociedade moderna so fornecidos em formato digital, convertidos e
apresentados por computadores. Formas analgicas comuns de informao, tais
como a televiso ou os jornais, gastam a maioria do seu tempo com informao
digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa pequena frao de
tempo.
Os materiais utilizados na fabricao do transistor so principalmente o
Silcio (Si), o Germnio (Ge), o Glio (Ga) e alguns xidos. Na natureza, o silcio
um material isolante eltrico, devido conformao das ligaes eletrnicas do
seu tomo, gerando uma rede eletrnica altamente estvel. Atualmente, o
transistor de germnio menos usado, tendo sido substitudo pelo de silcio.
O silcio purificado e passa por um processo que forma uma estrutura
cristalina em seus tomos. O material cortado em finos discos, que a seguir vo
para um processo chamado de dopagem, onde so introduzidas quantidades
rigorosamente controladas de materiais selecionados (conhecidos como
impurezas) que transformam a estrutura eletrnica, introduzindo-se entre as
ligaes dos tomos de silcio. O Silcio realiza ligaes covalentes de quatro
eltrons. Quando adicionamos uma impureza com 3 eltrons na ltima camada,
faltar um eltron na ligao covalente, formando os buracos e caracterizando a
pastilha como pastilha P.
Quando adicionamos uma impureza com 5 eltrons na ltima camada, vai
sobrar um eltron na ligao covalente com o silcio. Esses eltrons livres tm
pouca interao com seu tomo, ento qualquer energia fornecida o faz sair,
sendo assim um eltron livre (assim se forma a pastilha N, que tem esse nome
por ter maior nmero de eltrons livres). A pastilha P tem menos eltrons livres e
mais "buracos" e a Pastilha N tem mais eltrons livres que buracos. No podemos
dizer que a pastilha P positiva nem que a pastilha N negativa, porque a soma
total de eltrons igual soma total de prtons. Quando unimos a pastilha P e a
pastilha N, os eltrons livres em excesso na pastilha N migram para a pastilha P e
os buracos da pastilha P migram para a pastilha N. Deste modo a pastilha P fica
negativa e a pastilha N fica positiva. Isto o diodo.

23

O transistor montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P

(unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo PNP. O transistor do tipo
NPN obtido de modo similar. A camada do centro denominada base, e as
outras duas so o emissor e o coletor. No smbolo do componente, o emissor
indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for
PNP, ou para fora, se for NPN.
No transistor de juno bipolar ou TJB (BJT Bipolar Junction Transistor
na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-emissor feito injetando
corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a juno coletor-base
polarizada reversamente e a juno base-emissor polarizada diretamente. Uma
pequena corrente de base suficiente para estabelecer uma corrente entre os
terminais de coletor-emissor. Esta corrente ser to maior quanto maior for a
corrente de base, de acordo com o ganho.

3.10 Circuito Integrado

Em eletrnica, um circuito integrado (tambm conhecido como CI, micro

computador, microchip, chip de silcio, ou chip germnio) um circuito
eletrnico miniaturizado
(composto
principalmente
por
dispositivos
semicondutores), que tem sido produzido na superfcie de um substrato fino de
material semicondutor. Os circuitos integrados so usados em quase todos os
equipamentos eletrnicos usados hoje e revolucionaram o mundo da eletrnica.
Um circuito integrado hbrido um circuito eletrnico miniaturizado
constitudo de dispositivos semicondutores individuais, bem como componentes
passivos, ligados a um substrato ou placa de circuito.
Os circuitos integrados foram possveis por descobertas experimentais que
mostraram que os dispositivos semicondutores poderiam desempenhar as
funes de tubos de vcuo, e desde meados do sculo XX, pelos avanos da
tecnologia na fabricao de dispositivos semicondutores. A integrao de um
grande nmero de pequenos transistores em um chip pequeno foi uma enorme
melhoria sobre o manual de montagem de circuitos com componentes eletrnicos
discretos. A capacidade do circuito integrado de produo em massa, a
24

confiabilidade e a construo de bloco de abordagem para projeto de circuito

assegurou a rpida adaptao de circuitos integrados padronizados no lugar de
desenhos utilizando transistores pequenos.
H duas principais vantagens de circuitos integrados sobre circuitos
discretos: custo e desempenho. O custo baixo porque os chips, com todos os
seus componentes, so impressos como uma unidade por foto litografia: um puro
cristal de silcio, chamada de substrato, que so colocados em uma cmara. Uma
fina camada de dixido de silcio depositada sobre o substrato, seguida por
outra camada qumica, chamada de resistir. Alm disso, muito menos material
usado para construir um circuito como um circuito integrado do que como um
circuito discreto. O desempenho alto, visto que os componentes alternam
rapidamente e consomem pouca energia (em comparao com os seus
homlogos discretos) porque os componentes so pequenos e esto prximos. A
partir de 2006, as reas de chips variam de poucos milmetros quadrados para
cerca de 350 mm, com at um milho de transistores por mm.
Com os componentes de larga escala de integrao, (do ingls: Large
Scale Integration, LSI), nos anos oitenta, e a integrao em muito larga escala,
(Very-large-scale integration, VLSI), nos anos noventa, vieram os
microprocessadores de alta velocidade de tecnologia MOS, que nada mais so
que muitos circuitos integrados numa s mesa epitaxial.
Atualmente a eletrnica est entrando na era da nanotecnologia. Os
componentes eletrnicos se comportam de maneiras diferentes do que na
eletrnica convencional e microeletrnica, nestes a passagem de corrente eltrica
praticamente no altera o seu estado de funcionamento. Nos nanocomponentes,
a alterao de seu estado em funo da passagem de corrente deve ser
controlada, pois existe uma sensibilidade maior s variaes de temperatura, e
principalmente variaes dimensionais. Estas causam alteraes nas medidas
fsicas do componente de tal forma, que podem vir a danific-la. Por isso a
nanotecnologia to sensvel sob o ponto de vista de estabilidade de temperatura
e presso. importncia da integrao est no baixo custo e alto desempenho,
alm do tamanho reduzido dos circuitos aliado alta confiabilidade e estabilidade
de funcionamento. Uma vez que os componentes so formados ao invs de
montados, a resistncia mecnica destes permitiu montagens cada vez mais
robustas a choques e impactos mecnicos, permitindo a concepo de
portabilidade dos dispositivos eletrnicos.
No circuito integrado completo ficam presentes os transstores, condutores
de interligao, componentes de polarizao, e as camadas e regies isolantes
ou condutoras obedecendo ao seu projeto de arquitetura.
No processo de formao do chip, fundamental que todos os
componentes sejam implantados nas regies apropriadas da pastilha.
necessrio que a isolao seja perfeita, quando for o caso. Isto obtido por um
processo chamado difuso, que se d entre os componentes formados e as
camadas com o material dopado com fsforo, e separadas por um material
dopado com boro, e assim por diante.
Aps sucessivas interconexes, por boro e fsforo, os componentes
formados ainda so interconectados externamente por uma camada
extremamente fina de alumnio, depositada sobre a superfcie e isolada por uma
camada de dixido de silcio.

25

A rotulagem dependendo do tamanho os circuitos integrados apresentam

informaes de identificao incluindo 4 sees comuns: o nome ou logotipo do
fabricante, seu nmero, nmero do lote e/ou nmero serial e um cdigo de 4
dgitos identificando a data da fabricao. A data de fabricao comumente
representada por 2 dgitos do ano, seguido por dois dgitos informando a semana.
Exemplo do cdigo 8341: O circuito integrado foi fabricado na semana 41 do ano
de 1983, ou aproximadamente em outubro de 83.
Desde que os circuitos integrados foram criados, alguns designers de chips
tem usado a superfcie de silcio para cdigos, imagens e palavras no funcionais.
Eles so algumas vezes referenciados como chip art, silicon art, silicon graffiti ou
silicon doodling.

3.11 Circuito
o caminho fechado por onde circula a corrente eltrica. Na prtica um
circuito eltrico dividido em pelo menos quatro partes:

a) Fonte;
b) Condutores;
c) Carga;
d) Dispositivo de manobra.
A tenso eltrica a fonte. Os condutores so os fios que ligam as vrias
partes do circuito e conduzem a corrente eltrica. O resistor a carga e o
dispositivo de manobra o dispositivo que controla o circuito (liga/desliga o
circuito). As fontes mais comuns de tenso so as baterias e os geradores.
Os condutores so fios que oferecem uma baixa resistncia passagem
da corrente eltrica.
O resistor de carga representa um dispositivo que utiliza energia eltrica,
como por exemplo, uma lmpada, uma torradeira, um rdio ou um motor.
Os dispositivos de manobra podem ser interruptores ou chaves magnticas
entre outros. Um circuito fechado ou completo, conforme a figura acima, consiste
26

num percurso sem interrupo para a corrente saindo da fonte, passando pela
carga e voltando a fonte.
Um circuito chamado de aberto ou incompleto se houver uma interrupo
no circuito que impea a corrente de completar o seu percurso.
Existem ainda outros tipos de dispositivos como os fusveis que utilizamos
para proteger os circuitos. O fusvel ligado diretamente ao circuito, permite o
fluxo de correntes menores do que o valor do fusvel, mas se derrete e
consequentemente rompe ou abre o circuito quando fluir uma corrente mais alta.
Um circuito eletrnico a ligao de componentes, tais como resistores,
indutores, capacitores, diodos, linhas de transmisso, fontes de tenso, fontes de
corrente e interruptores, de modo que formem pelo menos um caminho fechado
para a corrente eltrica.

3.12 Rel

Um rel um interruptor acionado eletricamente. A movimentao fsica

deste interruptor ocorre quando a corrente eltrica percorre as espiras
da bobina do rel, criando assim um campo magntico que por sua vez atrai a
alavanca responsvel pela mudana do estado dos contatos. O rel um
dispositivo eletromecnico ou no, com inmeras aplicaes possveis em
comutao de contatos eltricos. Servindo para ligar ou desligar dispositivos.
normal o rel estar ligado a dois circuitos eltricos. No caso do Rel
eletromecnico, a comutao realizada alimentando-se a bobina do mesmo.
Quando uma corrente originada no primeiro circuito passa pela bobina, um campo
eletromagntico gerado, acionando o rel e possibilitando o funcionamento do
segundo circuito. Sendo assim, uma das aplicabilidades do rel utilizar-se de
baixas correntes para o comando no primeiro circuito, protegendo o operador das
possveis altas correntes que iro circular no segundo circuito (contatos).
A mudana de estado dos contatos de um rel ocorre apenas quando h
presena de tenso na bobina que leva os contatos a movimentarem-se para a
posio normalmente fechado (NF) ou normalmente aberto (NA) quando esta
tenso retirada - este princpio aplica-se para rels tudo ou nada. Em diversos
pases a nomenclatura NA e NF so encontradas como NO (Normal Open) ou NC
(Normal Closed).
27

Agora que j conhecemos acima as partes que constituem um rel,

podemos saber como cada componente se comporta quando a corrente eltrica
aplicada atravs da bobina. Para ilustrar melhor, a bobina constituda por um fio
em torno de um ncleo de ao macio. Ento temos no rel uma bobina, um
ncleo de ao que fornece um caminho de baixa relutncia para o fluxo
magntico, uma armadura de ao mvel e um conjunto, ou conjuntos, de contatos
presos a molas. Enquanto a bobina se mantm desenergizada, a fora das molas
mantm os contatos em estado de repouso de modo a existir uma lacuna de ar no
circuito magntico. O estado de repouso pode ser normalmente fechado (NF) ou
normalmente aberto (NA), a depender da funo do rel no circuito. Quando a
bobina recebe a corrente eltrica, a armadura movimenta-se em direo ao
ncleo, atrada pelo campo magntico gerado, movimentando mecanicamente o
contato ou contatos ligados a esta armadura. No instante em que a fora
magntica gerada pela circulao de corrente na bobina se torna maior que a
fora das molas, o contato atrado fisicamente, sai do estado de repouso e
muda a condio do circuito para aberto (se for normalmente fechado) ou fechado
(se for normalmente aberto). Quando a circulao de corrente atravs da bobina
cessa, a bobina desenergizada e o contato volta ao estado de repouso por fora
da mola.
Se a configurao do contato de um rel NF (normal fechado ou NC*) o
circuito est fechado enquanto o rel encontra-se desenergizado. Ento quando
energizado, a conexo fsica entre contato fixo e mvel se abre e interrompe a
passagem de corrente eltrica. O inverso ocorre quando a configurao do
contato do rel NA ou NO*(Normal Aberto).
NC - Normal Closed (ingls) - normal fechado;
NO - Normal Open (ingls) - normal aberto.
Em alguns casos, os rels podem ter mais de um contato formando um
conjunto de contatos que atuam simultaneamente com a fora magntica,
dependendo da funo do rel. H casos tambm, comuns nas partidas de
motores industriais, em que a fora da mola, necessria para fazer o contato
retornar ao estado de repouso, substituda pela fora da gravidade.
Os rels, exemplificados na imagem utilizada no tpico Componentes de
um Rel, tambm tm um fio de ligao da armadura ao terminal, o que garante a
continuidade do circuito entre os contatos que se deslocam sobre a armadura e a
pista de circuito na Placa de Circuito Impresso (PCB), atravs do terminal, que
soldada ao PCB. Quando uma corrente eltrica passa atravs da bobina, o campo
magntico resultante atrai a armadura e consequentemente movimenta o contato
mvel, fazendo ou quebrando a conexo com um contato fixo. Se o conjunto de
contatos for fechado quando o rel foi desenergizado, ento o movimento abre os
contatos e quebra a conexo, e vice-versa, se os contatos foram abertas. Quando
a corrente na bobina desligada, a armadura devolvida por uma fora to forte
quanto a fora magntica, a sua posio relaxada.
A maioria dos rels so fabricados para funcionar rapidamente. Em uma
aplicao de baixa tenso, isto ocorre para reduzir o rudo. Em uma aplicao de
alta tenso ou corrente elevada, isto ocorre reduzir a formao de arco. Se a
bobina energizada em tenso DC (corrente contnua), um diodo
frequentemente instalado na bobina, para dissipar a energia do campo magntico
28

em colapso na desativao, o que de outra forma poderia gerar um pico de

tenso perigosa para os componentes do circuito. Alguns rels automotivos j
incluem o diodo dentro da caixa de rel. Alternativamente, uma rede de proteo
de contato, consistindo de um capacitor e resistor em srie, pode absorver
tambm este pico se a bobina for projetada para ser energizada em AC (corrente
alternada).
Reles Automotivos so muitos modelos existentes no mercado hoje, eles
so especiais porque seu design e tecnologia so especifico para carros de
passeio, carga e embarcaes normalmente so reles de corrente alta, nas
tenses de 12 e 24V, alguns com protees em suas bobinas utilizando diodos e
resistores. So muitos os modelos com fixaes laterias ou de topo, so reles
para controle de faris, limpadores de para-brisas, lanternas, moto-ventiladores,
iluminao, alarmes, motor de partida e outros.

3.13 Tiristor

O nome Tiristor engloba uma famlia de dispositivos semi

condutores multicamadas, que operam em regime de chaveamento, tendo em
comum uma estrutura de no mnimo quatro camada semicondutoras numa
sequncia P-N-P-N (trs junes semicondutoras), apresentando um
comportamento funcional. Os tiristores permitem por meio da adequada ativao
do terminal de controle, o chaveamento do estado de bloqueio para estado de
conduo, sendo que alguns tiristores (mas no todos) permitem tambm o
chaveamento do estado de conduo para estado de bloqueio, tambm pelo
terminal de controle. Como exemplo de tiristores, podemos citar o SCR e
o TRIAC. No caso do tiristor SCR este se assemelha a uma fechadura pelo fato
da corrente poder fluir pelo dispositivo em um nico sentido, entrando pelo
terminal de anodo e saindo pelo terminal de catodo. No entanto difere de
um diodo porque mesmo quando o dispositivo est diretamente polarizado ele
no consegue entrar em conduo enquanto no ocorrer ativao do seu terminal
de controle (terminal denominado porta, ou gate em ingls). Ao invs de usar um
sinal de permanncia contnua na porta (como nos TBJs e MOSFETs) como sinal
de controle, os tiristores so comutados ao ligamento pela aplicao de
um pulso ao terminal de porta, que normalmente pode ser de curta durao.

29

Uma vez comutado para o estado de ligado, o tiristor SCR permanecer

por tempo indefinido neste estado enquanto o dispositivo estiver diretamente
polarizado e a corrente de anodo se mantiver acima de um patamar mnimo.
Para os SCRs, o sinal de controle um pulso de corrente, tiristores DBGTO usam um pulso de tenso e os LASCRs um pulso de luz aplicado
diretamente a juno do dispositivo por meio de fibra tica.
A inveno do tiristor no fim dos anos 50 do sculo passado foi
responsvel por um grande surto de evoluo tecnolgica da eletrnica de
potncia, que se estendeu pelos anos 60 e propiciou no anos 70 o incio da
implantao da eletrnica de potncia em escala industrial. A principal vantagem
dos tiristores o controle de grande quantidade de energia. Essa caracterstica
faz com que esses dispositivos sejam utilizados tanto no controle eletrnico de
potncia quanto na converso de energia.
Os SCRs (Silicon Controlled Rectifier) so dispositivos semicondutores cuja
condio de sentido direto e comandado atravs da aplicao de um pulso de
corrente ao terminal de porta. A conduo, uma vez iniciada se mantm, mesmo
na ausncia do sinal no terminal de porta, at que a corrente que o atravessa caia
abaixo de um determinado valor, o qual denominamos de Corrente de
Manuteno de Conduo, em ingls Holding Current (IH). Em sentido inverso, o
SCR comporta-se como um diodo normal. Os SCR's so empregados
em corrente alternada como retificadores controlados, e quando utilizados
em corrente contnua comportam-se como chaves. O SCR apenas um tipo de
tiristor, mas devido ao seu disseminado uso na indstria, muitas vezes os termos
tiristor e SCR so confundidos. Os TRIAC's so dispositivos semicondutores
comumente utilizados em comutao de corrente alternada.
J os Diacs so dispositivos semicondutores de avalanche bidirecional,
tambm da classe dos tiristores e de juno PNN. Possuem a propriedade de
apresentarem muito alta impedncia, se a tenso entre seus dois terminais for
mantida abaixo de uma tenso, chamada comumente de Tenso de Ruptura. Se
esta tenso, geralmente em torno dos 30V, for ultrapassada, o Diac passa a
conduzir corrente eltrica, com uma brusca queda da impedncia do mesmo. Os
Diacs so geralmente utilizados como auxiliares de disparo em Triacs, em
osciladores de relaxao.

3.14 Varistor

30

Um varistor ou VDR (do ingls Voltage Dependent Resistor) um

componente eletrnico cujo valor de resistncia eltrica uma funo inversa da
tenso aplicada nos seus terminais. Isto , a medida que a diferena de potencial
sobre o varstor aumenta, sua resistncia diminui.
Os VDRs so geralmente utilizados como elemento de proteo contra
transientes de tenso em circuitos, tal como em filtros de linha. Montados em
paralelo com o circuito que se deseja proteger, impedem que surtos de pequena
durao os atinjam, por apresentarem uma caracterstica de limitador de tenso.
No caso de picos de tenso de maior durao, a alta corrente que circula pelo
componente faz com que o dispositivo de proteo, disjuntor ou fusvel, desarme,
desconectando o circuito da fonte de alimentao. O VDR protege o equipamento
a jusante desviando a sobretenso, ou sobrecorrente, para o terra, pois comportase como um curto-circuito submetido a altas tenses.
Umas das aplicaes mais encontradas atualmente a utilizao dos
varistores em equipamentos de proteo indireta contra surtos (picos) de tenso
da rede eltrica. Um exemplo desses equipamentos o filtro de linha, que quando
autntico possui varistores com o objetivo de ceifar a sobretenso que chega da
rede.
Esse ceifamento se deve a caracterstica do varistor de diminuir a sua
prpria resistncia interna com o aumento da tenso aplicada aos seus terminais.
Assim o varistor tem um certo potencial de condutividade, ou seja, capaz de
deixar passar tenses de at um certo limite (300 Volts por exemplo). A tenso
excedente do ceifamento convertida em energia trmica.
O varistor possui tambm um limite de converso de energia eltrica em
trmica, normalmente medido em Joules. Uma vez excedido esse limite, ou seja,
por algum motivo a sobretenso continue por muito tempo, o varistor queima.
Para evitar a queima do varistor por exposio a uma sobretenso acima
do tempo suportvel, so utilizados fusveis de proteo, os quais interrompem o
circuito (queimam) antes que ocorram danos quele componente.
Em dispositivos de proteo contra surtos, apenas a presena de varistores
no suficiente para uma completa proteo contra os distrbios no fornecimento
de energia eltrica, tais como picos de corrente.
O Varistor, e outros tipos de supressores, no provem proteo para os
equipamentos quando as sobretenses so mantidas por um perodo longo.
A energia trmica convertida pode no ser satisfatoriamente esgotada do
equipamento ou grande demais at para o prprio varistor. Nesses casos h risco
de incio de fogo e/ou queima do componente. Bons protetores ou filtros de linha
possuem componentes que medem o calor emitido pelo varistor e cortam a
energia, para prevenir sobreaquecimento.
Os filtros de linha nacionais (brasileiros), em geral, ainda no possuem
proteo trmica, o que os limita a varistores de pequena capacidade, por
questes de segurana. Filtros importados possuem tanto proteo trmica
quanto varistores de maior capacidade, os quais suportam maior fluxo de energia.

31

3.15 Capacitor

Um capacitor (originalmente conhecido como condensador) um passivo

de dois terminais componente eltrico usado para armazenar energia em
um campo eltrico. As formas de capacitores prticos variam amplamente, mas
todos contm pelo menos dois condutores eltricos separados por
um dieltrico (isolante), por exemplo, uma construo comum consiste de folhas
de metal separadas por uma fina camada de isolamento filme. Condensadores
so amplamente utilizados como componentes de circuitos eltricos, em muitos
dispositivos eltricos comuns.
Quando h uma diferena de potencial (tenso) atravs dos condutores,
uma esttica campo eltrico desenvolve atravs do dieltrico, causando carga
positiva para recolher sobre uma placa e carga negativa sobre a outra
placa. Energia armazenada no campo eletrosttico. Um capacitor ideal
caracterizado por um nico valor constante, a capacitncia, medida
em farads. Esta a razo entre a carga eltrica em cada condutor para a
diferena de potencial entre eles.
A capacitncia maior quando h uma separao estreita entre grandes
reas do condutor, os condutores, portanto, capacitores so frequentemente
chamados de placas, referindo-se a um meio inicial da construo. Na prtica, o
dieltrico entre as placas passa uma pequena quantidade de corrente de fuga e
tambm tem um limite de resistncia de campo eltrico, resultando em
uma tenso de ruptura.
Capacitores so amplamente utilizados em circuitos eletrnicos para
bloquear a corrente contnua enquanto permite que a corrente alternada possa
passar, em redes de filtragem, para alisar a sada de fontes de alimentao,
nos circuitos ressonantes os rdios sintonizem a determinadas frequncias, em
sistemas de transmisso de energia eltrica para a estabilizao de tenso e fluxo
de potncia, e para muitos outros fins.
5.15.1 Tabela de capacitores com nmeros e cores
Observe o desenho abaixo.

32

O valor do capacitor, B, de 3300 pF (picofarad = x10-12 F) ou 3,3 nF

(nanofarad = x10-9 F) ou 0,033 F (microfarad = x 10-6 F). No capacitor A,
devemos acrescentar mais 4 zeros aps ao 1 e 2 algarismo. O valor do
capacitor, que se l 104, de 100000 pF ou 100 nF ou 0,1 F.
Usando cdigo de cores.

A tabela a baixo, mostra como interpretar o cdigo de cores dos

capacitores abaixo. No capacitor A, as 3 primeiras cores so, laranja, laranja e
laranja, correspondem a 33000, equivalendo a 3,3 nF. A cor branca, logo adiante,
referente a 10% de tolerncia. E o vermelho, representa tenso, que de 250
Volts.

33

3.16 LED

O diodo emissor de luz tambm conhecido pela sigla em ingls LED

(Light Emitting Diode). Sua funcionalidade bsica a emisso de luz em locais e
instrumentos onde se torna mais conveniente a sua utilizao no lugar de uma
lmpada. Especialmente utilizado em produtos de microeletrnica como
sinalizador de avisos, tambm pode ser encontrado em tamanho maior, como em
alguns modelos de semforos. Tambm muito utilizado em painis de led,
cortinas de led e pistas de led.
O LED um diodo semicondutor (juno P-N) que quando energizado
emite luz visvel por isso LED (Diodo Emissor de Luz). A luz no monocromtica
(como em um laser), mas consiste de uma banda espectral relativamente estreita
e produzida pelas interaes energticas do electro (portugus europeu),
eltron (portugus brasileiro). O processo de emisso de luz pela aplicao de
uma fonte eltrica de energia chamado eletroluminescncia.
Em qualquer juno P-N polarizada diretamente, dentro da estrutura,
prximo juno, ocorrem recombinaes de lacunas e eltrons. Essa
recombinao exige que a energia possuda eltrons, que at ento era livre, seja
liberada, o que ocorre na forma de calor ou ftons de luz .
No silcio e no germnio, que so os elementos bsicos dos diodos e
transistores, entre outros componentes electrnicos, a maior parte da energia
liberada na forma de calor, sendo insignificante a luz emitida (devido a opacidade
do material), e os componentes que trabalham com maior capacidade de corrente
chegam a precisar de irradiadores de calor (dissipadores) para ajudar na
manuteno dessa temperatura em um patamar tolervel.
J em outros materiais, como o arsenieto de glio (GaAs) ou o fosfeto de
glio (GaP), o nmero de fotons de luz emitido suficiente para constituir fontes
de luz bastante eficientes.
A forma simplificada de uma juno P-N de um led demonstra seu processo
de eletroluminescncia. O material dopante de uma rea do semicondutor contm
tomos com um eltron a menos na banda de valncia em relao ao material
semicondutor. Na ligao, os ons desse material dopante (ons aceitadores)
removem eltrons de valncia do semicondutor, deixando lacunas (ou buracos),
portanto, o semicondutor torna-se do tipo P. Na outra rea do semicondutor, o
material dopante contm tomos com um eltron a mais do que o semicondutor
34

puro em sua faixa de valncia. Portanto, na ligao esse eltron fica disponvel
sob a forma de eltron livre, formando o semicondutor do tipo N.
Os semicondutores tambm podem ser do tipo compensados, isto ,
possuem ambos os dopantes (P e N). Neste caso, o dopante em maior
concentrao determinar a que tipo pertence o semicondutor. Por exemplo, se
existem mais dopantes que levariam ao P do que do tipo N, o semicondutor ser
do tipo P. Isso implicar, contudo, na reduo da Mobilidade dos Portadores.
A Mobilidade dos Portadores a facilidade com que cargas n e p (eltrons
e buracos) atravessam a estrutura cristalina do material sem colidir com a
vibrao da estrutura. Quanto maior a mobilidade dos portadores, menor ser a
perda de energia, portanto mais baixa ser a resistividade.
Na regio de contato das reas, eltrons e lacunas se recombinam, criando
uma fina camada praticamente isenta de portadores de carga, a chamada barreira
de potencial, onde temos apenas os ons doadores da regio N e os ons
aceitadores da regio P, que por no apresentarem portadores de carga isolam
as demais lacunas do material P dos outros eltrons livres do material N.
Um eltron livre ou uma lacuna s pode atravessar a barreira de potencial
mediante a aplicao de energia externa (polarizao direta da juno). Aqui
preciso ressaltar um fato fsico do semicondutor: nesses materiais, os eltrons s
podem assumir determinados nveis de energia (nveis discretos), sendo as
bandas de valncia e de conduo as de maiores nveis energticos para os
eltrons ocuparem.
A regio compreendida entre o topo da de valncia e a parte inferior da de
conduo a chamada "banda proibida". Se o material semicondutor for puro,
no ter eltrons nessa banda (da ser chamada proibida). A recombinao entre
eltrons e lacunas, que ocorre depois de vencida a barreira de potencial, pode
acontecer na banda de valncia ou na proibida. A possibilidade dessa
recombinao ocorrer na banda proibida se deve criao de estados eletrnicos
de energia nessa rea pela introduo de outras impurezas no material.
Como a recombinao ocorre mais facilmente no nvel de energia mais
prximo da banda de conduo, pode-se escolher adequadamente as impurezas
para a confeco dos LEDs, de modo a exibirem bandas adequadas para a
emisso da cor de luz desejada (comprimento de onda especfico).
Funcionamento A luz emitida no monocromtica, mas a banda colorida
relativamente estreita. A cor, portanto, dependente do cristal e da impureza de
dopagem com que o componente fabricado. O led que utiliza o arsenieto de
glio emite radiaes infravermelhas. Dopando-se com fsforo, a emisso pode
ser vermelha ou amarela, de acordo com a concentrao. Utilizando-se fosfeto de
glio com dopagem de nitrognio, a luz emitida pode ser verde ou amarela. Hoje
em dia, com o uso de outros materiais, consegue-se fabricar leds que emitem luz
azul, violeta e at ultravioleta. Existem tambm os leds brancos, mas esses so
geralmente leds emissores de cor azul, revestidos com uma camada de fsforo do
mesmo tipo usado nas lmpadas fluorescentes, que absorve a luz azul e emite a
luz branca. Com o barateamento do preo, seu alto rendimento e sua grande
durabilidade, esses leds tornam-se timos substitutos para as lmpadas comuns,
e devem substitu-las a mdio ou longo prazo. Existem tambm os leds brancos
chamados RGB (mais caros), e que so formados por trs chips, um vermelho (R
de red), um verde (G de green) e um azul (B de blue). Uma variao dos leds
RGB so leds com um microcontrolador integrado, o que permite que se obtenha
um verdadeiro show de luzes utilizando apenas um led.
35

Em geral, os leds operam com nvel de tenso de 1,6 a 3,3V, sendo

compatveis com os circuitos de estado slido. interessante notar que a tenso
dependente do comprimento da onda emitida. Assim, os leds infravermelhos
geralmente funcionam com menos de 1,5V, os vermelhos com 1,7V, os amarelos
com 1,7V ou 2.0V, os verdes entre 2.0V e 3.0V, enquanto os leds azuis, violeta e
ultravioleta geralmente precisam de mais de 3V. A potncia necessria est na
faixa tpica de 10 a 150 mW, com um tempo de vida til de 100.000 ou mais
horas.
Como o led um dispositivo de juno P-N, sua caracterstica de
polarizao direta semelhante de um diodo semicondutor.
Sendo polarizado, a maioria dos fabricantes adota um cdigo de
identificao para a determinao externa dos terminais A (anodo) e K (catodo)
dos leds.
Nos leds redondos, duas codificaes so comuns: identifica-se o terminal
K como sendo aquele junto a um pequeno chanfro na lateral da base circular do
seu invlucro (corpo), ou por ser o terminal mais curto dos dois. Existem
fabricantes que adotam simultaneamente as duas formas de identificao.
Nos leds retangulares, alguns fabricantes marcam o terminal K com um
pequeno alargamento do terminal junto base do componente, ou ento deixam
esse terminal mais curto.
Mas, pode acontecer do componente no trazer qualquer referncia
externa de identificao dos terminais. Nesse caso, se o invlucro for semitransparente, pode-se identificar o catodo (K) como sendo o terminal que contm
o eletrodo interno mais largo do que o eletrodo do outro terminal (anodo). Alm de
mais largo, s vezes o catodo mais baixo do que o anodo.
Os diodos emissores de luz so empregados tambm na construo dos
displays alfa-numricos.
H tambm leds bi-colores, que so constitudos por duas junes de
materiais diferentes em um mesmo invlucro, de modo que uma inverso na
polarizao muda a cor da luz emitida de verde para vermelho, e vice-versa.
Existem ainda leds bicolores com trs terminais, sendo um para acionar a juno
dopada com material para produzir luz verde, outro para acionar a juno dopada
com material para gerar a luz vermelha, e o terceiro comum s duas junes. O
terminal comum pode corresponder interligao dos anodos das junes (leds
bicolores em anodo comum) ou dos seus catodos (leds bi-colores em catodo
comum).
Embora normalmente seja tratado por led bicolor (vermelho+verde), esse
tipo de led na realidade um tricolor, j que alm das duas cores independentes,
cada qual gerada em uma juno, essas duas junes podem ser
simultaneamente polarizadas, resultando na emisso de luz alaranjada.
Geralmente, os leds so utilizados em substituio s lmpadas de
sinalizao ou lmpadas pilotos nos painis dos instrumentos e aparelhos
diversos. Para fixao nesses painis, comum o uso de suportes plsticos com
rosca.
Como o diodo, o LED no pode receber tenso diretamente entre seus
terminais, uma vez que a corrente deve ser limitada para que a juno no seja
danificada. Assim, o uso de um resistor limitador em srie com o Led comum
nos circuitos que o utilizam. Para calcular o valor do resistor usa-se a seguinte
frmula: R = (Vfonte-VLED)/ILED, onde Vfonte a tenso disponvel, VLED a

36

tenso correta para o LED em questo e ILED a corrente que ele pode suportar
com segurana.
Tipicamente, os LEDs grandes (de aproximadamente 5 mm de dimetro,
quando redondos) trabalham com correntes da ordem de 12 a 30 mA e os
pequenos (com aproximadamente 3 mm de dimetro) operam com a metade
desse valor.

3.17 LDR

LDR (do ingls Light Dependent Resistor ou em portugus Resistor

Dependente de Luz) um tipo de resistor cuja resistncia varia conforme a
intensidade de radiao eletromagntica do espectro visvel que incide sobre ele.
No se aplica a Lei de Ohm, normalmente aplica-se a quinta lei de Newton da
relatividade das membranas. Um LDR um raio de infra-vermelho de entrada
(sensor) que converte a luz em valores de resistncia. feito de sulfeto de
cdmio (CdS) ou seleneto de cdmio (CdSe). Sua resistncia diminui quando a
luz muito alta, e quando a luz baixa, a resistncia no LDR aumenta. Um
multmetro pode ser usado para encontrar a resistncia na escurido ou na
presena de luz intensa. Estes so os resultados tpicos para um LDR padro:
a) Escurido : resistncia mxima, geralmente acima de 1M ohms;
b) Luz muito brilhante : resistncia mnima, aproximadamente 100 ohms.
Por muitos anos o LDR mais comum foi o ORP12, mas nos ltimos anos, o
modelo NORP12 tem se tornado muito comum. O NORP66 possui um dimetro
de aproximadamente 1300mm. LDRs menores esto tambm disponveis no
mercado, existem tipos onde o dimetro de aproximadamente 5mm. Um LDR
sensvel das faixas: Infravermelho(IR), Luz visvel e Ultravioleta (UB) Um LDR
pode ser soldado de maneira simples, nenhuma precauo especial requerida
ao faz-lo. Apenas deve-se ficar atento com aquecimento excessivo, como com
qualquer outro componente. O LDR muito frequentemente utilizado nas
chamadas fotoclulas que controlam o acendimento de poste de iluminao e
luzes em prdios. Tambm utilizado em sensores foto-eltricos assim como
foto-diodos no polarizados.

37

3.18 Termoresistor

Os sensores que so fabricados a partir de um bulbo de resistncia e se

baseiam no principio de variao de resistncia em funo da temperatura so os
termoresistores. Os termoresistores ou termoresistncias so utilizados em
aplicaes industriais ou laboratoriais onde a performace e confiabilidade so
itens primordiais. As maiores aplicaes dos termoresistores so em fornos,
estufas, maquinas e processos industriais e laboratoriais entre outros. tima
preciso, longa vida til e boa sensibilidade e estabilidade so os principais
diferenciais dos termos resistncias Termoshaw.
PT 100/ PT 500 e PT 1000 - PT 100 especiais NI 1000, NI 120 e NI 100.

3.19 Display

Um display (ou mostrador, em portugus) um dispositivo para a

apresentao de informao, de modo visual ou ttil, adquirida, armazenada ou
transmitida sob vrias formas. Quando a informao de entrada fornecida como
um sinal eltrico, o display chamado de display (ou painel) eletrnico. Displays
38

eletrnicos esto disponveis para apresentao de informao tanto sob forma

visual quanto tctil.
Displays eletrnicos tteis destinam-se geralmente a deficientes visuais e
usam partes eletromecnicas para atualizar dinamicamente uma imagem ttil
(geralmente, de texto), de forma que a imagem possa ser inferida atravs dos
dedos.
Um display de sete segmentos, como seu nome indica, composto de sete
elementos, os quais podem ser ligados ou desligados individualmente. Eles
podem ser combinados para produzir representaes simplificadas de algarismos
arbicos. Freqentemente, os sete segmentos so dispostos de forma oblqua ou
itlica, o que melhora a legibilidade.
Os sete segmentos so dispostos num retngulo com dois segmentos
verticais em cada lado e um segmento horizontal em cima e em baixo. Em
acrscimo, o stimo segmento bissecta o retngulo horizontalmente. Tambm
existem displays de quatorze segmentos e de dezesseis segmentos (para
exibio plena de caracteres alfanumricos) todavia, estes tm sido substitudos
em sua maioria por displays de matriz de pontos. Os segmentos de um display de
sete segmentos so definidos pelas letras de A a G.
A animao passa pelos glifos comuns dos dez numerais e seis "letrasdgito" em hexadecimal (AF). A variao entre letras maisculas e minsculas
para AF feita para que cada letra tenha uma forma nica e inequvoca (A, C, E
e F so maisculos, j B e D so minsculos, pois caso contrrio se confundiriam
com 8 e 0). Para a exibio de cada nmero/caractere usa-se um conjunto de
segmentos diferentes. As mais comuns so:
Simulao de um display LED de sete segmentos exibindo os 16 dgitos hex.
0(Zero) - a, b, c, d, e, f
1(Um) - b, c
2(dois) - a, b, d, e, g
3(trs) - a, b, c, d, g
4(quatro) - b, c, f, g
5(cinco) - a, c, d, f, g
6(seis) - a, c, d, e, f, g
7(sete) - a, b, c
8(oito) - a, b, c, d, e, f, g (todos)
9(nove) - a, b, c, f, g
A(maisculo) - a, b, c, e, f, g
B(minsculo) - c, d, e, f, g
C(maisculo) - a, d, e, f
D(minsculo) - b, c, d, e, g
E(maisculo) - a, d, e, f, g
F(maisculo) - a, e, f, g
H(maisculo) -b,c,e,f,g
Dentre os nmeros, 0, 6, 7 e 9 podem ser representados por glifos
diferentes dos citados acima em displays de sete segmentos, entretanto, na
imagem, todos os dgitos se assemelham aos indicados.

39

3.20 Cristal

Um oscilador de cristal um circuito eletrnico que utiliza a ressonncia de

um cristal em vibrao de um material piezoeletrnico, para criar um sinal eltrico
com uma frequncia bastante precisa. Esta frequncia comumente usada para
medir precisamente o tempo, tais como em relgios de quartzo, bem como para
estabilizar frequncias de transmissores de rdio. O cristal piezoeltrico mais
utilizado quartzo. Ex.: LGE 16.000M
Osciladores de cristais so componentes compostos de dois terminais,
ligados a um cristal piezoeltrico interno. Esse cristal contrai quando submetido a
tenso eltrica, e o tempo de contrao varia conforme a construo do cristal.
Quando a contrao chega a um certo ponto, o circuito libera a tenso e o cristal
relaxa, chegando ao ponto de uma nova contrao. Assim, os tempos de
contrao e relaxao desse ciclo determinam uma frequncia de operao,
muito mais estvel e controlvel que circuitos com capacitores. Cristais de quartzo
so usados sobretudo em microcontroladores.

40

CAPTULO - IV
4 Instrumentos de medidas

4.1 Multmetro analgico

Um multmetro ou multiteste (multimeter ou DMM - digital multi meter em

ingls) um aparelho destinado a medir e avaliar grandezas eltricas. Existem
modelos com mostrador analgico (de ponteiro) e modelos com mostrador digital.
O mostrador anlogo funciona com base no galvanmetro, instrumento
composto basicamente por uma bobina eltrica montada em um anel em volta de
um im. O anel munido de eixo e ponteiro pode rotacionar sobre o im. Uma
pequena mola espiral - como as dos relgios - mantem o ponteiro no zero da
escala. Uma corrente eltrica passando pela bobina, cria um campo magntico
oposto ao do im promovendo o giro do conjunto. O ponteiro desloca-se sobre
uma escala calibrada em tenso, corrente, resistencia etc. Uma pequena faixa
espelhada ao longo da escala curva do mostrador, ajuda a evitar o erro de
paralaxe.
Nos dois modelos, um sistema de chave mecnica ou eletrnica divide o
sinal de entrada de maneira a adequar a escala e o tipo de medio.
Utilizado na bancada de trabalho (laboratrio) ou em servios de campo,
incorpora diversos instrumentos de medidas eltricas num nico aparelho como
voltmetro, ampermetro e ohmmetro por padro e capacmetro, frequencmetro,
termmetro entre outros, como opcionais conforme o fabricante do instrumento
disponibilizar.
Tem ampla utilizao entre os tcnicos em eletrnica e eletrotcnica, pois
so os instrumentos mais usados na pesquisa de defeitos em aparelhos eletroeletrnicos devido a sua simplicidade de uso e, normalmente, portabilidade.

41

Diferentes fabricantes oferecem inmeras variaes de modelos. Oferecem

uma grande variedade de precises (geralmente destaca-se a melhor preciso
para medidas em tenso CC), nvel de segurana do instrumento, grandezas
possveis de serem medidas, resoluo (menor valor capaz de ser
mostrado/exibido), conexo ou no com um PC, etc.
H modelos destinados a uso domstico (onde o risco de um acidente
menor) e modelos destinados a uso em ambiente industrial (que devido as
maiores correntes de curto-circuito apresentam maior risco). A preciso de leitura
(exatido) no o que diferencia estas duas opes e sim sua construao interna
(trilhas do CI mais espaadas, maior espaamento entre a placa de CI e a
carcaa e maior robustez a transientes nos modelos industriais).

4.2 Multmetro digital

O modelo com mostrador digital funciona convertendo a corrente eltrica

em sinais digitais atravs de circuitos denominados conversores analogo-digitais.
Esses circuitos comparam a corrente a medir com uma corrente interna gerada
em incrementos fixos que vo sendo contados digitalmente at que se igualem,
quando o resultado ento mostrado em nmeros ou transferidos para um
computador pessoal. Vrias escalas divisoras de tenso, corrente, resistncia e
outras so possveis.
A mudana da chave seletora do multmetro provoca mudanas internas
nas conexes dos circuitos que alteram as propriedades eltricas do
equipamento, como, por exemplo, a resistncia interna. So estas alteraes que
permitem a insero dos instrumentos nos circuitos eltricos sem alterao
significativa da grandeza que se deseja medir.
Cada tipo de instrumento conectado ao circuito ou ao dispositivo a ser
medido de forma diferente. Como veremos a seguir, o voltmetro deve ser
conectado em paralelo com os elementos presentes no circuito. Portanto, para
42

que no haja alterao de corrente no circuito, ele deve ter resistncia muito alta,
quando comparada com a resistncia do circuito. Por outro lado, o ampermetro
inserido no circuito em srie com os demais elementos presentes, sendo
necessrio, portanto, que a sua resistncia seja praticamente desprezvel.
Nas sees seguintes, detalharemos os instrumentos de medida eltrica
que sero prioritariamente utilizados neste curso, utilizando o galvanmetro de
dArsonval para ilustrar os princpios de funcionamento de cada tipo de
instrumento e detalhando as caractersticas de conexo dos componentes
eltricos internos que determinam as propriedades de cada instrumento. No
captulo de Associao de resistores, aprenderemos como determinar as
resistncias internas de cada uma das funes do multmetro.
4.3 Ohmmetro
O ohmmetro um instrumento usado para medir diretamente resistncias
eltricas. Este instrumento, que tem um esquema ilustrativo apresentado a baixo,
pode ser construdo a partir de um galvanmetro de dArsonval, representado pela
resistncia Rg, acoplado a uma resistncia fixa R, uma resistncia de ajuste r
(varivel), e uma fonte de tenso e (que pode ser uma pilha comercial).

Ohmmetro e seus principais elementos: resistncia de ajuste (r), resistncia fixa

(R), fonte interna de tenso (e) e terminais positivo (+) e negativo (-).
Ligando os terminais (positivo e negativo) do medidor s extremidades de
um resistor desconhecido Rx, que se deseja medir a resistncia, fecha-se o
circuito eltrico. Deste modo, circular uma corrente I que defletir a bobina mvel
do galvanmetro. O valor I pode ser determinado uma vez que dada pela
tenso aplicada dividida pela resistncia total (soma de todas as resistncias).

43

Observe que R, r, e RG so resistncias internas ao medidor. O valor de r

ajustvel, para que se obtenha 0 (zero) ohm, quando os terminais so curto
circuitados (quando fechamos o circuito com uma resistncia desprezvel, o
ponteiro indicar o valor zero da resistncia). Vamos chamar este valor particular
de r de r(0). Curto circuitando os terminais do ohmmetro, isto , fazendo Rx = 0,
como:

onde Ig mxima corrente a circular pelo galvanmetro e Rint a resistncia

interna do ohmmetro.

O que resulta na seguinte expresso:

Por esta ltima expresso, verifica-se que possvel medir Rx, que a
varivel desejada, a partir da medida de I feita pelo galvanmetro, uma vez que
as demais grandezas so conhecidas. Alm disso, essa expresso indica que a
grandeza a ser medida Rx e a corrente I que deflete a bobina mvel do
galvanmetro so inversamente proporcionais. Portanto, quanto maior a corrente
medida, menor a resistncia do elemento medido. Deste modo, os valores na
escala de resistncias em multmetro decrescem com o aumento do ngulo que o
ponteiro faz com a posio de repouso. Quando o ponteiro apontar para o centro
de escala, podemos dizer que a corrente que percorreu no galvanmetro igual
metade da corrente mxima IG.

4.4 Voltmetro
O voltmetro um instrumento destinado a realizar medida direta da
diferena de potencial (ou tenso eltrica) entre dois pontos no circuito. No caso o
voltmetro deve fornecer a indicao da diferena de potencial entre os pontos A e
B.
44

Circuito simples, com uma resistncia (R) em srie com uma fonte de
tenso (e), indicando o posicionamento do voltmetro para medida da diferena de
potencial em R.
A diferena de potencial entre os pontos A e B pode ser descrita como:

onde R resistncia e I corrente que passa em todo o circuito. Assim, o que o

voltmetro est medindo na realidade :

Como conectado em paralelo ao resistor (R), o voltmetro, para no

desviar apreciavelmente a corrente, deve possuir uma resistncia interna muito
grande. Isto conseguido a partir da associao de um resistor de resistncia alta
colocado em srie com o galvanmetro, que tem resistncia de RG.

4.5 Ampermetro
Ampermetros so instrumentos construdos com a finalidade de medir
correntes eltricas. Um ampermetro sempre mede a corrente que passa atravs
dele. Assim para realizarmos uma medida de corrente necessrio que ele esteja
em srie no ponto no qual se deseja medir a corrente. Um ampermetro ideal deve
ter resistncia zero de forma que quando conectado em um ramo do circuito, no
afeta a corrente que passa nesse ramo. Devido a esta caracterstica, este
instrumento mais susceptvel a danos, quando usado incorretamente. Os
ampermetros reais possuem resistncia finita, mas desejvel que a resistncia
do ampermetro seja a menor possvel.
A corrente indicada pelo ampermetro a relao entre a tenso entre seus
terminais e a resistncia interna do aparelho.

45

Apresenta uma ilustrao de um ampermetro composto por um

galvanmetro e uma resistncia em paralelo, denominada resistncia de
resistncia de shunt.

4.6 Informaes gerais sobre o multmetro

Pela figura, possvel visualizar as mltiplas escalas que podem ser
escolhidas por meio da chave seletora. Os pontos de encaixe dos cabos para
medida so indicados com o nome de bornes de entrada. Para cada tipo de uso
do instrumento, h uma correta posio dos cabos nos bornes de entrada, como
explicaremos nos prximos pargrafos. Para uniformizar, no borne da entrada (-),
com a indicao de COM no instrumento, utilizaremos cabos azuis ou pretos. No
borne da entrada (+), utilizaremos cabos vermelhos ou verdes. Assim, facilitar a
correta medida das grandezas. Uma dica importante para as medidas em circuitos
alimentados com tenses contnuas: necessrio acoplar os instrumentos
respeitando a polaridade do circuito, ou seja, o plo positivo do seu instrumento
deve ser conectado ao plo positivo do circuito e o plo negativo do seu
instrumento ao plo negativo do circuito.

46

Uma dica importante para evitar danos aos instrumentos sempre

selecionar, em primeiro momento, a maior escala possvel da grandeza a ser
medida. Aps a medida inicial, deve-se selecionar a melhor escala para a medida,
para que sejam obtidas medidas com a maior preciso possvel. Esta dica muito
importante na funo ampermetro: se o instrumento for submetido a valores de
corrente maiores do que a escala suporta, ele possivelmente ser danificado.

47

Voltmetro: escalas, smbolos e conexes.

Ampermetro: escalas, smbolos e conexes.

48

CAPTULO - V
5 Diodo
Antes de entrarmos no assunto propriamente dito, necessrio fazermos
algumas consideraes sobre o material de que so feitos alguns
importantssimos componentes eletrnicos, tais como: diodos e transistores entre
outros; este material conhecido como semicondutor.
Existem na natureza materiais que podem conduzir a corrente eltrica com
facilidade: os metais ex.: cobre, alumnio, ferro etc. Materiais que no permitem a
passagem da corrente eltrica, pois o portador de carga (eltrons), no tem
mobilidade neles. So os isolantes. ex.: mica, borracha, vidro plsticos etc. Em
um grupo intermedirio, situado entre condutores e os isolantes esto os
semicondutores, que no so nem bons condutores e nem chega a ser isolantes.
Destacamos entre os semicondutores, pois sero alvos deste estudo o
silcio (Si) e o germnio (Ge). Existem outros elementos semicondutores tambm
importantes para eletrnica o selnio (Se), o glio (Ga) etc. As principais
caractersticas que interessa no caso do silcio e do germnio que estes
elementos possuem tomos com quatro eltrons na sua ltima camada e que ele
se dispe numa estrutura geomtrica e ordenada. O silcio e o germnio formam
cristais onde os tomos se unem compartilhando os eltrons da ltima camada.
Sabemos da qumica que os tomos de diversos elementos tm uma tendncia
natural em obter o equilbrio, quando sua ltima camada adquire o nmero
mximo de oito eltrons. Desta forma, tanto o silcio quanto o germnio formam
cristais quando os seus tomos um ao lado do outro compartilham os eltrons
havendo sempre oito deles em torno de cada ncleo, o que resulta num equilbrio
bastante estvel para estes materiais. Veja figura.

Nesta forma cristalina de grande pureza o silcio e o germnio no servem

para elaborao de dispositivos eletrnicos, mas a situao muda quando
adicionamos certas impurezas ao material. Estas impurezas consistem em
tomos de algum elemento qumico que tenha na sua ltima camada um nmero
diferente de quatro eltrons, que sejam agregados a estrutura do germnio ou/e
do silcio em propores extremamente pequenas da ordem de partes por milho
49

(ppm). No nosso exemplo utilizaremos o silcio com as duas possibilidades de

adio.
a)Elementos com tomos de cinco eltrons na ltima camada;

b)Elementos com tomos dotados de trs eltrons na ltima camada. No primeiro

caso, mostrado na figura, a adio e utilizando o elemento arsnio (As).
Como os tomos vizinhos s podem compartilhar oito eltrons na formao da
estrutura cristalina, sobrar um que no tendo a que se ligar, adquire mobilidade
no material, e por isso pode servir como portador de carga. Como o transporte
das cargas feito nos materiais pelos eltrons que sobram ou eltrons livres que
so cargas negativas, o material semicondutor obtido desta forma,

O resultado que a resistividade ou capacidade de conduzir a corrente se

altera e o semicondutor no caso o silcio fica, o que se chama dopado e se torna
bom condutor da corrente eltrica. Pela adio deste tipo de impureza, recebe o
nome de semicondutor do tipo N (N - negativo).
Na segunda possibilidade, agregamos ao cristal de silcio uma impureza,
que contm trs eltrons na sua ltima camada, no caso o ndio (In) obtendo-se
ento uma estrutura conforme mostrada na figura.

.
Observa-se que, no local em que se encontra o tomo de ndio no existem
oito eltrons para serem compartilhados de modo que sobra uma vaga, que
chamamos de lacuna. Esta lacuna tambm funciona com portador de carga, pois
50

os eltrons que queiram se movimentar atravs do material pode saltar de lacuna

para lacuna encontrando assim um percurso com pouca resistncia. Como os
portadores de carga neste caso so lacunas, e a falta de eltrons corresponde ao
predomnio de uma carga positiva, dizemos que o material semicondutor assim
obtido do tipo P (P de positivo). Podemos formar materiais semicondutores do
tipo P e N tanto com os elementos como o silcio e o germnio, como com alguns
outros encontrados em diversas aplicaes na eletrnica.
Junes PN. Um importante dispositivo eletrnico obtido quando
juntamos dois materiais semicondutores de tipos diferentes formando entre eles
uma juno semicondutora.
A juno semicondutora parte importante de diversos dispositivos como
os diodos, transistores, SCRs, circuitos integrados, etc. Por este motivo, entender
o seu comportamento muito importante. Supondo que tenhamos dois pedaos
de materiais semicondutores, um do tipo P e o outro do tipo N, se unirmos os dois
de modo a estarem num contato muito prximo, forma uma juno, conforme se
mostra na figura.

Esta juno apresenta propriedades muito importantes. Analisemos

inicialmente o que ocorre na prpria juno. No local da juno os eltrons que
esto em excesso no material N e podem movimentar-se procuram as lacunas,
que esto tambm presentes no local da juno, no lado do material P,
preenchendo-as. O resultado que estas cargas se neutralizam e ao mesmo
tempo aparece uma tenso entre os dois materiais (P e N). Esta tenso que
aparece na juno consiste numa verdadeira barreira que precisa ser vencida
para que possamos fazer circular a corrente entre os dois materiais. Esta barreira
chamada de Barreira de potencial ou ainda Tenso de Limiar ou ainda Tenso
de Conduo. Para o germnio esta tenso de 0,2 Volts e para o silcio de 0,7
Volts.

51

A estrutura indicada, com os dois materiais semicondutores P e N, forma

um componente eletrnico com propriedades eltricas bastante interessantes
que chamado de diodo semicondutor.

5.1 Diodos
Diodo um semicondutor formado por dois materiais de caractersticas
eltricas opostas, separados por uma rea sem carga (vazia) chamada de juno.
Esta juno que d a caracterstica do diodo. Normalmente os diodos so feitos
de cristais dopados de silcio e de germnio.

Figura Diodos Diversos:

5.2 Especificaes dos diodos

As especificaes dos Diodos comuns so feitas em funo da corrente
mxima que podem conduzir no sentido direto, abreviado por If (forward=direto), e
pela tenso mxima que podem suportar no sentido inverso, abreviada por Vr
(reverse=Inverso) e ainda segundo cdigos, da seguinte forma: 1N Cdigo
americano (uma Juno); 1S Cdigo Japons; AO = BA Cdigo europeu.
5.3 Polarizao do diodo.
5.3.1 Polarizao direta.
Para polarizar um diodo ligamos o anodo ao plo positivo da bateria,
enquanto o catodo ligado ao plo negativo da mesma. Ocorre uma repulso
tanto dos portadores de carga da parte N se afastando do plo negativo da
bateria, como dos portadores de carga da parte P se afastando do plo positivo
da bateria. Convergem, tanto os portadores de N como os portadores de P, para a
regio da juno. Temos ento na regio da juno uma recombinao, j que os
eltrons que chegam passam a ocupar as lacunas que tambm so empurradas
para esta regio. O resultado que este fenmeno abre caminho para novas
cargas, tanto em P como em N, fazendo com que as estas se dirijam para regio
da juno, num processo contnuo o que significa a circulao de uma corrente.
52

Esta corrente intensa, o que quer dizer que um diodo polarizado desta maneira,
ou seja, de forma direta deixa passar corrente com facilidade. Veja figura.

5.3.2 Polarizao inversa

Para polarizar um diodo inversamente invertemos a polaridade da bateria,
em relao aos semicondutores, ou seja, plo positivo da bateria ligado ao catodo
(N) e o plo negativo ligado ao anodo (P) da mesma. Ocorre ento um
afastamento dos portadores de N e de P da juno. O resultado que em lugar
de termos uma aproximao das cargas na regio da juno temos o seu
afastamento, com um aumento da barreira de potencial que impede a circulao
de qualquer corrente. O material polarizado desta forma, ou seja, inversa, no
deixa passar a corrente. Veja figura.

53

5.4 Tipos de Diodos

Diodos de silcio uso geral: so aqueles usados em circuitos lgicos,
circuitos de proteo de transistores, polarizao etc. So fabricados para o
trabalho com correntes de pequena intensidade de no mximo 200mA e tenses
que no ultrapassam 100V.
Simbologia:

Um dos diodos mais populares deste grupo o de referncia 1N4148

5.4.1 Diodos Retificadores
Sua funo de retificar corrente de AC para DC pulsante. destinado a
conduo de correntes intensas e tambm operam com tenses inversas
elevadas que podem chegar 1000V ou 1200V no sentido inverso Conduzem
correntes diretas de at 1A.
Simbologia:

Diodo srie IN400C

Aplicao: Uso geral em retificao de correntes e tenses. Uma srie muito

importante destes diodos a formada pelos 1N4000C que comea com o
1N4001.
Tipos VR (tenso mxima inversa)
IN4001 50V - IN4002 100V - IN4003 200V - IN4004 400V - IN4005 600V - IN4006
800V - IN4007 1000V.
Leitura do Cdigo 1N4000C 1N=cdigo americano diodo retificador de 1
juno; C= nmeros de 1 a 7 que nos mostra a tenso mxima quando o diodo
est polarizado inversamente Vr = 100 a 1000V.

54

5.4.2 Diodo LED

Diodos emissores de luz Led (Light emiting diodes). Estes diodos
polarizados de forma direta emitem luz monocromtica quando a corrente circula
pela sua juno.

Cores disponveis: Amarelo, verde, vermelho, laranja e azul.

Aplicaes: Controles remotos, monitores, indicativo de funcionamento dos
dispositivos em um Pc etc. Tenso de funcionamento: Leds vermelhos 1,6V
demais de 1,8 a 2,1V Indicaes de identificao - os Leds mais comuns so
indicados por tipos de fabrica, tais como as siglas TIL (TIL221) da Texas
Instruments, (CQV) da Phillips ou (LD) Icotron.
5.4.3 Fotodiodos
So aqueles que estando polarizado inversamente a sua resistncia
hmica funo da incidncia da luz na sua juno. O resultado que se obtm
a circulao de corrente dependente da intensidade de luz incidente.

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Caractersticas: sensibilidade luz incidente, velocidade com que reagem

as variaes da intensidade da luz incidente.
Aplicaes: Leitura de cdigos de barras, cartes perfurados, leitura tica
dos CD Roms, e ainda, recepo da luz modulada de um laser via fibra tica.
Como extenso desta propriedade dos diodos de serem sensveis luz tambm
temos os fotodiodos sensveis a radiao nuclear que tambm atuam com
polarizao inversa. O seu smbolo igual ao dos fotodiodos e o seu aspecto
igual ao tipo quadrado visto acima em aspectos, utilizando em sua janela central a
mica.

5.4.4 Varicap
um diodo duplo que quando polarizado inversamente apresenta uma
capacitncia a qual depende da tenso aplicada.

Aplicaes: Sintonia eletrnica de rdios Am, Fm e TV.

5.4.5 Diodo Zener

Polarizado inversamente mantm a tenso do circuito constante, mesmo
que a corrente varie, ou seja, ele funciona como regulador de tenso em um
circuito. Obs.: polarizado diretamente funciona como um diodo comum.

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Aplicaes: em fontes de alimentao para manter a tenso estvel e

constante, alm de estarem presentes em outras aplicaes em que se necessita
tenso fixa.
Cdigo de identificao. Uma srie de diodos que se emprega muito em
projetos e aparelhos comerciais a BZX79C da Phillips Components, formada por
diodos de 400mA. Nesta srie a tenso do diodo dada pelo prprio tipo. Ex.:
BZX79C2V1- onde 2V1 corresponde a 2,1 V(o V substitu a vrgula). BZX79C12Vcorresponde a um diodo de 12 V.

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CAPTULO VI
6 Projeto prtico

6.1 Montar o circuito abaixo.

a) Resistor. (200)
b) Diodo. (4004/60V)
c) Fonte. (4 pilhas AA)

6.2 Montar o circuito abaixo:

a) Resistores. (100)
b) Diodo. (4004/60V)
c) Led vermelho (5mm)
d) Fonte. (4 pilhas AA)

D1
6 Vcc

6.3 Montar o circuito abaixo no pente.

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R1

R2
LED