Teora bsica de los

Semiconductores

Gustavo Adolfo Vega Gmez

Primera edicin enero 2011

Diseo de interiores
Servicios Editoriales TRAUCO

Teora bsica de los

Semiconductores
D.R. Gustavo Adolfo Vega Gmez

ISBN: 9786078104-21-7

Impreso en Mxico
Printed and made in Mexico

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total o parcial de esta obra por cualquier medio o procedimiento,
comprendidos la reprografa, el tratamiento informtico, as como la
distribucin de ejemplares de la misma mediante alquiler o prstamo
pblico.

ndice
Introduccin

Teora de los Semiconductores.

Aisladores...

Conductores....

Semiconductores....

11

Semiconductores intrnsecos.

12

Mecanismos de conduccin de corriente en

semiconductores intrnsecos ......

21

Resistividad de semiconductores intrnsecos....

22

Resistividad de semiconductores intrnsecos

en funcin de la temperatura......

30

Caracterizacin de un termistor...

34

Semiconductores extrnsecos..

43

Semiconductores tipo N......

44

Semiconductores tipo P..

46

Resistividad en semiconductores extrnsecos...

47

La Unin P-N.

52

La Unin PN sin polarizacin externa...

53

La Unin PN (Diodo) con polarizacin directa....

54

La Unin PN (Diodo) con polarizacin inversa...

56

Preguntas tericas

59

Problemas propuestos

68

Introduccin
La era de los semiconductores que dio inici en la dcada de 1940, provoc
una revolucin tecnolgica que hoy en da sigue dndonos sorpresas, la ms
reciente de ellas es el descubrimiento del grafeno el cual posee propiedades
extraordinarias para desarrollar dispositivos electrnicos de mayor escala de
integracin que los actuales dando margen a la fabricacin de circuitos cada
vez ms complejos, de menor tamao, que trabajan a una mayor velocidad y
consumen menos energa. Se ha demostrado que segn la geometra que se
le d a ste material, las caractersticas del mismo cambian, adquiriendo
propiedades mecnicas extraordinarias, aislamiento elctrico superior a los
materiales actuales o propiedades de conduccin elctrica similares a la de los
superconductores. Es por esto que el estudio de los semiconductores, est
considerado por los organismos internacionales y nacionales que acreditan los
programas de estudio de carreras relacionadas con la ingeniera electrnica,
como una rea del conocimiento que debe estar contemplada en los planes de
estudio de estas carreras, ya que resulta fundamental su estudio para poder
comprender el funcionamiento interno de los componentes electrnicos y con
ello poder analizar y disear nuevos dispositivos.

Estas son las razones

principales que motivaron al autor para elaborar esta obra que trata sobre los
diferentes tipos de semiconductores que se utilizan en la industria electrnica,
el texto da inicio ubicando el contexto en el que se encuentran los
semiconductores en relacin a su capacidad para conducir la corriente
elctrica.

Posteriormente

se

estudia

la

estructura

electrnica

de

los

semiconductores puros o intrnsecos y se explica el mecanismo con el cual

estos conducen la corriente elctrica haciendo uso de electrones y huecos.
Una vez comprendidos los conceptos de par electrn-hueco, banda prohibida,
y recombinacin,
resistividad

en

se desarrollan las ecuaciones que permiten calcular la

ellos

tanto

temperatura

temperaturas, explicando cmo afecta esta a

ambiente

como

otras

la densidad intrnseca y a la

movilidad de portadores.

Para relacionar los conceptos tericos con la prctica se resuelven algunos

ejercicios en los que se calcula la resistencia de un termistor que experimenta
dos temperaturas diferentes comprobando que sufre un gran cambio su valor
resistivo por efecto de sta, motivo por el cual se utilizan como sensores de
temperatura.
En el siguiente subtema se estudian los semiconductores extrnsecos haciendo
uso de la ley de la accin de las masas para determinar las densidades de
portadores mayoritarios y de portadores minoritarios a partir de especificar la
densidad intrnseca de portadores y el ndice de contaminacin con que se
adultera el material. Finalmente se estudia la unin NP sin polarizacin
externa, con polarizacin directa y con polarizacin inversa.
Se les agradece de antemano a todas las personas que lean esta obra sus
crticas y aportaciones para mejorarla. Un agradecimiento especial a mis
alumnos, en particular a Eric Francisco Gutirrez Fras, por su valioso apoyo
en la edicin y sugerencias acerca de esta obra.

Teora de los Semiconductores

La Ingeniera Electrnica surgi en la transicin del siglo XIX al siglo XX

debido a la necesidad de resolver problemas que para entonces la Ingeniera
Elctrica con sus conceptos y recursos no era capaz de resolver. Hasta ese
momento los materiales que se conocan para aislar las cargas elctricas y
para transferirlas eran los aisladores y los conductores que actualmente
utilizamos, el concepto de semiconductor no haba sido an desarrollado, sin
embargo hacia finales del siglo XIX Tomas Alva Edison y otros inventores
realizaron intentos por conducir la corriente elctrica a travs de recipientes al
vaco o con gases que se ionizaran al recibir un alto voltaje, esto dio lugar a
los primeros dispositivos electrnicos que se emplearon para controlar el flujo
de cargas elctricas a travs de este medio.
El primer dispositivo electrnico fue desarrollado por el ingeniero ingls John
Ambrose Fleming, quien hacia el ao de 1904 invent la vlvula termoinica
conocida como diodo cuya principal aplicacin fue la rectificacin de seales
de corriente alterna. Fue hasta el ao de 1906 en que el fsico inventor Lee de
Forest incorpor un nuevo electrodo a la vlvula de Fleming para poder
controlar el flujo de carga a travs de este dispositivo, al cual le puso el
nombre de trodo o vlvula audin.
La era de los semiconductores surge hacia finales de la dcada de 1940,
cuando, en un afn por

obtener una mejor eficiencia y reduccin en el

tamao de los elementos electrnicos, el equipo de investigadores de los

Laboratorios Bell compuesto por Bardeen, Brattain y Shockley desarrollaron el
primer transistor de estado slido en 1951 logrando por ello el premio nobel
en fsica hacia 1956.

Para dar inicio al estudio de los semiconductores es conveniente ubicarlos

dentro de un contexto en el que los materiales se clasifiquen en funcin de su
capacidad para conducir la corriente elctrica, y analizar la forma en la que se
lleva a cabo dicha conduccin en cada uno de ellos. A continuacin se
presenta esta clasificacin y algunos de los materiales ms comunes que
pertenecen a cada grupo.

Aisladores
Los aisladores son materiales que debido a su estructura atmica no permiten
el flujo de cargas elctricas a travs de ellos ya que la densidad de electrones
libres por metro cbico con que cuentan, es tan pobre que resulta muy difcil
hacer circular intensidades de corriente elctrica significativas. La razn por la
cual esto ocurre obedece a que la ltima orbita de electrones de los tomos
del material se encuentra completa ligando estrechamente a estos electrones
a su ncleo. La resistividad tpica de de estos materiales es muy alta (
1012m) siendo algunos de los ms utilizados: El vidrio, porcelana,
plsticos, tefln, papel, vaco, mica, mylar, policarbonato, aceites dielctricos,
nomex, SiO2, agua desmineralizada etc.
Una medida de la capacidad de aislamiento que tienen estos materiales es su
rigidez dielctrica, la cual establece la cantidad de Kilovolts por unidad de
longitud que se requiere para hacer circular una corriente elctrica a travs de
ellos. Un ejemplo de esto son los 3 KV/mm necesarios para el aire seco o los
20 KV/mm para aceites dielctricos utilizados en transformadores. Los
aisladores son materiales muy importantes en la transmisin de la energa
elctrica, ya que para poder transportar una gran cantidad de esta forma de
energa, es ms econmico elevar los niveles de tensin al orden de centenas
de Kilovolt, que enviarla como una gran intensidad de corriente, requirindose

para ello separar las lneas de transmisin mediante aisladores de vidrio o

porcelana. Por otra parte, en el campo de las mquinas elctricas se utilizan
diversos tipos de pelculas plsticas como el mylar, el nomex o papeles para
aislar los conductores que se utilizan en los embobinados de motores y
transformadores. Finalmente, en la industria electrnica el material ms
utilizado para aislar las regiones metlicas de las regiones de semiconductor
es el xido de silicio SiO2.

Conductores
El trmino conductor se aplica a cualquier material que permite el paso de
grandes flujos de carga elctrica cuando se les aplica una fuente de voltaje de
magnitud

limitada

travs de

sus

terminales.

Los conductores

son

generalmente elementos metlicos cuya distribucin electrnica ocasiona que

existan electrones de valencia que prcticamente se encuentran libres de la
influencia del ncleo de sus tomos, de manera que poseen una alta densidad
volumtrica de electrones libres para poder ser desplazados como corrientes
elctricas a travs de ellos. Estos electrones de valencia se encuentran en una
banda de energa que lleva

su mismo nombre y que al convertirse en

electrones libres pasan a formar parte de la banda de conduccin. Entre los

materiales conductores ms comunes se encuentran el cobre, la plata, el oro
y el mercurio cuyas resistividades son del orden de 1.6 x 10-8 m. En la
Fig. 1.1 se muestra el modelo atmico de Bohr del cobre cuyo nmero
atmico es 29, en la cual se aprecia el electrn libre de la banda de valencia
responsable de que este material tenga una resistividad muy baja.

Fig.1.1 Modelo atmico de Bohr del cobre

La industria elctrica utiliza al cobre y al aluminio como sus principales

conductores, el primero en baja tensin y el segundo en lneas de alta tensin
por su bajo peso especfico. En la industria electrnica se utiliza la plata y el
oro para realizar conexiones en el interior de los dispositivos, mientras que
para realizar las conexiones entre ellos, las tarjetas de circuito impreso
utilizan al cobre como material base.
El efecto que provoca el incremento de la temperatura sobre la resistividad en
los conductores, es elevar su valor, debido a que mientras ms alta es la
temperatura, es mayor la cantidad de energa cintica que adquieren los
tomos del material, ocasionando con esto, una mayor cantidad de colisiones
entre los electrones y los tomos, lo cual dificulta el transporte de la carga a
travs de ellos, este efecto se aprovecha para construir resistores de platino
como el PT 100 que es un resistor de 100 a cero grados centgrados que se
emplea como sensor de temperatura en el campo de la instrumentacin
industrial.

10

Semiconductores
Los

semiconductores

son

materiales

cuya

resistividad

se

encuentra

comprendida entre la de los aislantes (1012m) y la de los conductores (108

m). En algunos casos la definicin anterior de semiconductor resulta

insuficiente, ya que algunos materiales conductores pueden tener una

resistividad mayor que la de ciertos semiconductores contaminados, por lo
tanto para poder definir de manera ms precisa lo que es un semiconductor,
es necesario emplear algunos de los conceptos de la mecnica cuntica, como
la teora de bandas de energa, que permite explicar de una manera ms
precisa los fenmenos de conduccin en los slidos y en particular en los
semiconductores. En general, los procesos de conduccin observados en
dispositivos construidos con materiales semiconductores son ms difciles de
analizar que en el caso de dispositivos en los cuales los fenmenos de
conduccin se realizan en el vaco o en metales, en estos casos se tiene
siempre un slo tipo de portador de carga, que son los electrones, mientras
que en el caso de los semiconductores siempre existen dos tipos de
portadores: los electrones y los huecos.
Los semiconductores se clasifican en dos grupos; los intrnsecos o puros,
entre los que destacan en trminos de su utilizacin cronolgica en la
electrnica: el germanio, el silicio y el arseniuro de galio y los extrnsecos o
contaminados que pueden ser tipo N o tipo P. El estudio de ambos es
importante para comprender la forma en que funcionan internamente los
dispositivos electrnicos.

11

Semiconductores Intrnsecos
El modelo atmico de Bohr es una representacin til para explicar la
estructura electrnica de los tomos semiconductores. Como sabemos el
tomo est compuesto por tres partculas bsicas: el electrn, el protn y el
neutrn. En la red atmica, los neutrones y protones forman el ncleo,
mientras que los electrones giran alrededor del ncleo en niveles orbitales y
suborbitales fijos.
Ahora bien, si se utiliza como ejemplos al germanio (Ge) y al silicio (Si), dos
de los principales materiales semiconductores, se podr recordar que el
tomo de germanio contiene 32 electrones en rbita, mientras que el de
silicio cuenta con 14. Ambos tipos de tomo cuentan con 4 electrones en la
capa exterior (de valencia) y el potencial (potencial de ionizacin) que se
requiere para separar de la estructura a cualquiera de estos 4 electrones de
valencia es menor que el que se requiere para sacar a cualquier otro electrn
de la estructura.

En el caso de un cristal puro (material intrnseco) de silicio o de germanio,

estos cuatro electrones de valencia se encuentran entrelazados con 4 tomos
adyacentes formando una unin de tomos reforzada por electrones
compartidos que se le denomina enlace covalente. En la Fig. 2.1 se muestra
dicho modelo para dos de los semiconductores intrnsecos ms importantes
que utiliza la electrnica. Es conveniente reiterar que en ambos tomos el
nivel orbital externo se encuentra ocupado por 4 electrones de valencia que
son compartidos con los tomos vecinos mediante enlaces covalentes para
formar una configuracin electrnicamente estable, que da lugar a un cristal
mono cristalino con arreglo en forma de diamante.

12

Fig.2.1 Modelo atmico de Bohr del silicio y el germanio

Una forma grfica de representar los enlaces covalentes en un material

semiconductor intrnseco o puro es la que se muestra en la Fig. 2.2, en esta
se puede observar la manera

en que cada tomo comparte sus cuatro

electrones de valencia con los tomos vecinos.

Figura 2.2 Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro donde
no existen electrones ni huecos libres a la temperatura absoluta 0 K siendo el silicio a esta
temperatura un aislador perfecto

13

Un semiconductor perfecto es un aislante a la temperatura del cero absoluto

(-273.15C), siendo las imperfecciones internas del cristal las que producen
los portadores de carga elctrica que dan al material una cierta conductividad,
mientras que en un material conductor los portadores de carga elctrica se
encuentran en forma natural, dentro de un semiconductor son siempre
producidos por imperfecciones de la red cristalina, siendo esta caracterstica
la que origina todas las propiedades particulares de los semiconductores. Las
principales causas productoras de imperfecciones son la energa de agitacin
trmica, la energa electromagntica y las impurezas qumicas.
Cuando un semiconductor puro o intrnseco se encuentra a una temperatura
superior a cero Kelvin la energa trmica es capaz de romper algunos de los
enlaces covalentes que establecen los tomos, generndose pares electrnhueco que pasan a ser portadores de carga elctrica cuando el material se
encuentre sujeto a un campo elctrico externo. La recombinacin de
portadores, es el resultado de nulificarse como cargas un electrn con un
hueco en el momento en que uno de ellos ocupa el espacio del otro.
El efecto que produce un incremento de temperatura en los semiconductores
intrnsecos es disminuir la resistividad de estos, ya que la temperatura aporta
la energa necesaria para que los electrones de la banda de valencia se
liberen de sus tomos respectivos, generndose pares electrn-hueco como
se muestra en la Fig. 2.3.

14

Figura 2.3 El aumento de temperatura aporta la energa necesaria para romper algunos
enlaces covalentes entre los tomos generndose as pares electrn-hueco.

A pesar de que los enlaces covalentes aseguran un vnculo fuerte entre los
electrones de valencia y su tomo, es posible que stos adquieran suficiente
energa cintica de origen natural (trmico) para poder romper el enlace y
asumir un estado libre.
La energa necesaria para separar un electrn de una unin de este tipo, se
denomina energa de excitacin y corresponde a la anchura de una banda
de energa conocida como banda prohibida. Esta es del orden de 0.67eV para
el germanio y de 1.1eV para el silicio cuando ambos se encuentran a 25C o
298 K, la razn por la cual se requiere menos energa para romper un enlace
covalente en el germanio que en el silicio obedece a que los electrones de
valencia en este material se encuentran ms alejados de la influencia del
ncleo debido a su mayor nmero atmico, provocando que el germanio sea
ms sensible a la temperatura que el silicio. A la temperatura ambiente,
algunos electrones podrn separarse de sus uniones y moverse dentro del
cristal, contribuyendo de esta manera a la conduccin elctrica. El lugar vaco
dejado por un electrn separado de su unin constituye un hueco, que podr

15

ser ocupado por otro electrn y as sucesivamente. Cuando el material

semiconductor no est sujeto a un campo elctrico, los movimientos de los
electrones y de los huecos no seguirn ninguna direccin determinada. Por el
contrario, bajo la influencia de un campo elctrico existir un desplazamiento
conjunto de electrones y huecos en direcciones opuestas.
En un sistema atmico sucede un fenmeno parecido, pero en este caso el
nmero de circuitos acoplados es muy elevado. Cuando la distancia d entre
los tomos disminuye, los fenmenos de la interaccin entre ellos se acentan
y cada nivel de energa se divide en un gran nmero de otros niveles que
constituyen bandas de energa. Si se disminuye an ms el espacio entre los
tomos, la banda superior se divide en 3 partes (esta divisin ocurre para las
distancias normales entre los tomos de un slido). A la parte inferior se le
denomina banda de valencia y en condiciones normales todos los estados
cunticos que posee se encuentran ocupados por los electrones de valencia de
los tomos. A la parte superior se le denomina banda de conduccin y
normalmente todos los estados que puede poseer se encuentran vacos. La
banda que se sita entre las bandas de valencia y de conduccin se denomina
banda prohibida y no contiene ningn estado de energa que pueda ser
ocupado por los electrones. La existencia de estas bandas prohibidas se
explica considerando que para ciertos valores de la longitud de onda de la
onda asociada (=h/mv), es decir, para ciertos valores de la energa E de los
electrones, estas ondas se reflejarn y por tanto los electrones que posean
estos valores de energa no podrn propagarse en la red cristalina y
regresarn a la banda inmediata inferior.
Las bandas correspondientes a los niveles de energa de las capas inferiores
son en general mucho ms estrechas que las de las capas superiores, ya que
en ellos los fenmenos de interaccin son menos marcados que en las
superiores. A partir del modelo de bandas de energa se puede comprender el
mecanismo de conduccin dentro de un slido, es necesario que los

16

electrones puedan pasar de un estado cuntico a otro y esto no es posible

cuando la banda de conduccin se encuentra completamente vaca y la de
valencia totalmente llena. Sin embargo, si algunos electrones pueden pasar
de la banda de valencia a la de conduccin, podrn efectuar una serie de
transiciones dentro de la banda de conduccin, puesto que todos sus estados
cunticos se encuentran libres en condiciones normales. Cuando esto sucede,
se dice que tiene una conduccin por electrones. Existe otro tipo de
conduccin al que se denomina conduccin por huecos, que se origina en
virtud de que los estados cunticos dejados libres en la banda de valencia por
los electrones que pueden pasar a la de conduccin sern ocupados por otros
electrones de la misma banda.
Es conveniente notar que en el primer caso se considera el movimiento de un
mismo electrn, mientras que en el segundo, el electrn que pasa a ocupar el
hueco dejado, dejar a su vez otro hueco que ser ocupado por otro electrn
y as sucesivamente, por lo que puede considerarse que es el hueco el que se
desplaza de un lugar a otro.

Para que los fenmenos anteriores se realicen,

es necesario que los electrones puedan atravesar la banda prohibida, para lo

cual necesitan poseer una energa superior a la anchura de esta banda. La
energa necesaria para atravesar esta banda puede ser por ejemplo, de origen
trmico o electromagntico. Los fenmenos de conduccin dependern
esencialmente de la anchura de la banda prohibida, presentndose los
siguientes casos:
En los conductores, las bandas de valencia y de conduccin se encuentran
traslapadas, como lo muestra la Fig. 2.4, por lo que siempre existir la
posibilidad de que los portadores libres de la banda de conduccin sean
ocupados por los electrones de la banda de valencia,

por lo tanto, an

cuando la energa de los electrones sea muy pequea, siempre existir una
cierta conduccin elctrica.

17

Figura 2.4 Representacin de las bandas de energa de un conductor

En el caso de los aislantes, las bandas de valencia y de conduccin se

encuentran separadas por una banda prohibida de una anchura muy grande
en comparacin con la energa que los electrones pueden adquirir por
agitacin trmica a la temperatura ordinaria, esto puede observarse en la Fig.
2.5.

Figura 2.5 Representacin de las bandas de energa de un aislante

18

Los semiconductores corresponden a un caso intermedio a los dos anteriores:

las bandas de valencia y de conduccin estn separadas por una banda
prohibida de una anchura comparable a la energa trmica que los electrones
de la banda de valencia poseen a

la temperatura del ambiente, lo que

permite que a temperaturas relativamente bajas pueda existir una cierta

conductividad, ver Fig. 2.6.

Figura 2.6 Representacin de las bandas de energa de un semiconductor

Algunos ejemplos de semiconductores puros son el carbono, el silicio y el

germanio, entre otros, los cuales son elementos del grupo IV A de la tabla
peridica que se caracterizan por tener cuatro electrones de valencia que
establecen enlaces covalentes con los tomos vecinos. Es conveniente
recordar que en el caso de los conductores la resistividad se incrementa al
aumentar la temperatura debido a que la agitacin trmica de los tomos de
la red cristalina provoca que disminuya la movilidad de los electrones
mientras que en el caso de los aislantes y los semiconductores, la resistividad
disminuye, ya que el nmero de electrones que pueden atravesar la banda
prohibida crece al elevarse la temperatura y an cuando su movilidad

19

disminuye tambin, esta disminucin no es lo suficientemente grande como

para que predomine sobre el primer efecto. En la Fig 2.7 se muestra cmo la
energa de la banda prohibida disminuye en la medida que el nmero atmico
del semiconductor aumenta. Siendo sta de 1.8 eV para el carbono, 1.1 eV
para el silicio, y de 0.67 eV para el germanio a 25C.

Eg (Energa de gap)

Banda de Conduccin

Banda Prohibida

Eg

Banda de Valencia

S
i
C

Ge
C

Sn
C

Elemento

Figura 2.7 Representacin de las bandas de energa para elementos tetravalentes

20

Mecanismo de conduccin de corriente en semiconductores

intrnsecos
Asumiendo

que

un

semiconductor

intrnseco

se

encuentra

cierta

temperatura, se estarn generando pares electrn-hueco, que al estar sujetos

al campo elctrico que produce una fuente de voltaje V aplicada al material,
provocar que existan dos flujos de corriente, uno de electrones que fluyen
hacia el terminal positivo de la fuente y otro de huecos que sern atrados
hacia el terminal negativo, como el flujo de cargas de electrones y de huecos
se presenta en sentido contrario, pero las cargas son de signo opuesto, se
debe considerar que ambas corrientes se suman para obtener una corriente
total como se muestra en la Fig. 2.8.

Electrones libres (negativos)

e

V
+
e

iTOT ielectrones ihuecos

Huecos libres (positivos)

Figura 2.8 Corrientes producidas al aplicar un voltaje a un semiconductor intrnseco.

21

Resistividad en semiconductores intrnsecos

El trmino resistividad (, rho) determina la capacidad que tienen los
materiales de oponerse al paso de la corriente elctrica y se utiliza para
calcular la resistencia entre dos puntos de contacto en un material elctrico
que generalmente presenta seccin recta como se muestra en la Fig. 2.9. La
expresin que se utiliza para calcular la resistencia en estas circunstancias
viene dada por la Ecn. 2.1

l
Figura 2.9 Material de seccin recta y resistividad uniforme

=
Donde: es la resistividad en

(2.1)

m, l es la longitud

y A es el rea de

seccin transversal del material.

Similarmente la conductancia, que corresponde al recproco de la resistencia,
se obtiene mediante la Ecn. 2.2

De donde

22

(2.2)

(2.3)

Reordenando los trminos

= =

(2.4)

Donde J es la densidad de corriente y E es la intensidad de campo elctrico.

En la Fig. 2.10, se muestra una porcin del material semiconductor intrnseco,
que a cierta temperatura produce una densidad de portadores que al estar
sujetos a la influencia de un campo elctrico, son arrastrados hacia los
extremos del material con una velocidad media, esto da lugar a una densidad
de corriente que circula a lo largo del material, dimensionalmente esto se
verifica mediante la Ecn. 2.5.

A= rea de seccin
Electrones libres

Longitud

V
-

Huecos libres

Figura 2.10 Material semiconductor intrnseco sujeto a un campo elctrico

23


= =
=

=
2
2

(2.5)

Donde: q es la carga del portador, N i es la densidad intrnseca de

portadores, V es la velocidad promedio del portador
Reconociendo que la movilidad de los portadores viene dada por la Ecn. 2.6

(2.6)

Cabe sealar que la movilidad de los huecos p es diferente a la de los

electrones n y siempre menor que la de stos. Sustituyendo las Ecs. 2.5 y
1.6 en la Ecn. 2.4, se obtiene

= +
Donde N i es la densidad intrnseca de electrones y Pi

(2.7)

es la densidad

intrnseca de huecos. Si en la Ecn. 2.7 se factoriza N i debido a que los

portadores se producen en pares, es decir, Ni Pi se obtiene:

= +

(2.7a)

A continuacin se muestra en la Tabla 2.1, las propiedades de los

semiconductores intrnsecos, en sta se observan similitudes y diferencias
entre ellos, destacndose las siguientes:

24

Todos cuentan con una densidad atmica similar.

El GaAs es el semiconductor que requiere de mayor energa trmica

para romper sus enlaces covalentes, consecuentemente este material
es el que soporta mayor rango de temperatura de operacin por ser
menos sensible al ruido trmico.

El GaAs se constituye como el material con mejor respuesta de

frecuencia y velocidad de conmutacin, debido a que la movilidad de
sus portadores es mayor que la del Si y del Ge.

El Ge y el Si al contar con una mayor densidad intrnseca de

portadores, se les aprovecha para fabricar dispositivos sensibles a la
temperatura conocidos como termistores. El valor nominal de los
termistores fabricados con Ge se encuentra en el rango de unidades de
Ohm, mientras que los de Si en rango de algunas centenas de K por
su menor densidad intrnseca.

Por lo anteriormente sealado se puede concluir que los dispositivos

fabricados con GaAs, cuentan con mejores caractersticas elctricas que los de
silicio o germanio aunque su costo de fabricacin es mucho mayor.

25

TABLA 2.1
PROPIEDADES DE SEMICONDUCTORES INTRNSECOS (PUROS)
PROPIEDAD A 300 K

SILICIO

GERMANIO

Arseniuro de

(Si)

(Ge)

Galio (GaAs)

Nmero atmico

14

32

31-33

Densidad atmica:

5 x 1028

4.41 x 1028

4.42 x 1028

11.8

15.8

13.1

1.12

0.66

1.42

0.15

0.39

0.85

0.048

0.19

0.04

= en (port/m)

1.5 x 1016

2.4 x 1019

1.8 x 1012

Punto de fusin en

1420

936

1238

en (tomos/m)
Constante dielctrica
relativa
Energa necesaria para
romper un enlace
covalente en (eV)
Movilidad electrnica
del electrn en

Movilidad electrnica
del hueco en

Propiedades de los semiconductores intrnsecos (Circuitos Microelectrnicos

Anlisis y Diseo; Rashid; Editorial Thompson, 2000)

Nota: La caracterizacin de los dispositivos electrnicos se lleva a cabo a una

temperatura estndar de
ambiente.

26

25C la cual es considerada como temperatura

Enseguida se llevar a cabo el planteamiento y solucin de un ejercicio que

ejemplifica

la

aplicacin de las

ecuaciones y

conceptos

hasta

ahora

analizados.
Ejercicio 2.1

Calcule la resistividad del Ge y del Si puros a 300 K y

determine la resistencia que tendra un termistor fabricado de estos

materiales si tuviera las dimensiones fsicas que muestra la figura.

2 mm

1 cm

Solucin
Primeramente se calcular la conductividad y resistividad de los materiales
utilizando (2.7a) y el recproco de esta ecuacin.

= +

300

300

= 1.602 10

19

= 4.75 104

1.5 1016 3

2
0.15 + 0.048

1
= 4.75 104

27

300

300

300

=
4.75

104

= 2,101.75

= 1.602 1019 2.4 1019 0.39 + 0.19 = 2.23

1
1
2.23

= 0.4484

Con fines comparativos se verifica a continuacin que la resistividad del silicio

es aproximadamente 4687 veces mayor que la del germanio cuando ambos
se encuentran a la misma temperatura de 300K.

300

300

2,101.75
= 4687.22
0.4484

Utilizando (2.1) se obtiene

28

300

2 103
= 2,101.75
102 2 2
4

300

2 103
= 0.4484
102 2 2
4

= 53.52

= 11.42

Realizando un anlisis de los valores obtenidos para el termistor de silicio y de

germanio se concluye que la resistencia tpica de los de silicio se encuentra en
decenas o centenas de K mientras que los de germanio son del orden de
unidades de ohm.

29

Resistividad de los semiconductores intrnsecos en funcin de la

temperatura
Cuando la temperatura se incrementa en un semiconductor intrnseco ocurren
los siguientes efectos:
1. La densidad intrnseca se eleva, por que se dispone de ms energa
para romper enlaces covalentes y formar pares electrn-hueco.
2. La movilidad electrnica de los portadores decrece por que existen ms
colisiones entre los electrones y huecos con los tomos.
Sin embargo, la densidad intrnseca crece de una manera ms rpida, que
como decrece la movilidad de los portadores dando como resultado final un
decremento en la resistividad del material al aumentar la temperatura.

La Ecn. 2.8 determina la

N i en funcin de la temperatura:
3

= 2 2
Donde:

= Densidad intrnseca de portadores (port/m3)

= Constante de Boltzman (1.38x10-23 J/K)
= Constante emprica (portK2/3/m3)
= Temperatura absoluta (K)
= = Energa de gap (J)

30

(2.8)

La Ecn. 2.9 permite calcular la Wg como una funcin de la temperatura

= 1

(2.9)

Donde:

= Energa necesaria para romper un enlace covalente a 0 K

C = Coeficiente de variacin trmica de la energa necesaria para romper un
enlace covalente en funcin de la temperatura.
Sustituyendo la Ec. 2.9 en la Ec. 2.8 se obtiene 2.10

= 2

= 2

(2.10)

(2.10a)

Identificando

(2.10b)

Se tiene 2.11
3

= 2 2

(2.11)

En la Tabla 2.2, se muestran los valores de Wgo y A para el Germanio y el

Silicio

31

TABLA 2.2
CONSTANTES PARA CALCULAR LA Ni DE UN SEMICONDUCTOR PURO
DE Si Y DE Ge.
MATERIAL

Wgo (eV) a 0 K

Wgo (Joules) a 0 K

Silicio

1.2

1.9224 x 10-19

3.88 x 1022

Germanio

0.782

1.2528 x 10-19

1.76 x 1022

En la Tabla 2.3, se presentan las ecuaciones mediante las cuales se calcula la

movilidad de los portadores para el Silicio y el Germanio en rangos especficos
de temperatura.

TABLA 2.3
FORMULAS PARA CLCULAR LA MOVILIDAD DE LOS PORTADORES EN
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS A TEMPERATURA DIFERENTE DE
300K
Material

(Rango de

(Rango de

m/vs

temperatura)

m/vs

temperatura)

Germanio

4.9x103 T-1.66

[100-300K]

1.05x105T-2.55

[125-300K]

Silicio

2.1x105 T-2.55

[160-400K]

2.3x105T-2.7

[150-400K]

Advanced Engineering Electromagnetics C. Balanis Editorial John Wiley and sons,

1989.

En el siguiente ejercicio se utilizan las ecuaciones experimentales para el

clculo de la densidad intrnseca y la movilidad de los portadores.
Ejercicio 2.2 Calcule la resistividad que presenta el silicio puro a 400K y en
el proceso de clculo compare la densidad intrnseca y las movilidades que se

32

presentan a 400K con las que tiene el material a 300K; finalmente compare la
resistividad del silicio a 300K con la que tiene 400K.
Solucin

400

400

= 2 2

= +

400

400

= 3.88 1022 400

= 8.528 1018

3
2

1.922 10 19
2 1.3810 23 400

Recordando que la densidad intrnseca del silicio a 300 K es

300

= 1.5 1016

Se concluye que se produce un incremento de 568 veces en la densidad

intrnseca de portadores en el silicio al elevarse su temperatura 100K.
Clculo de movilidades del Silicio a 400K

= 2.1 105 400

= 2.3 105 400

2
2.55

= 0.048

2
2.7

= 0.027

decrece poco respecto a la de 300K.

decrece poco respecto a la de 300K.

33

 = 8.528 1018 1.602 1019 0.048 + 0.021 = 0.09426

400

1
2,101.75
= = 10.608 "Comparando" 300 =
= 198.13

10.608
400

Como un ejemplo prctico de lo anteriormente estudiado se construye la

grfica de la curva de resistencia de un termistor cuyas dimensiones
corresponden a las de uno comercial y se compara con otro para observar si
cualitativamente

tienen

un

comportamiento

similar

puesto

que

cuantitativamente se desconoce de qu material est fabricado el termistor

que se caracteriza variando la temperatura a que se le expone mediante un
aceite dielctrico que recibe una fuente trmica que eleva su temperatura.

Caracterizacin de un termistor
Objetivo
Caracterizar analtica y experimentalmente la resistencia de un termistor NTC
en funcin de su temperatura y comparar ambos resultados.
Material

Termistor NTC (Negative Temperature Coefficient), suponiendo que es

de silicio.

Instrumentos de medicin: multmetro, termmetro, vernier.

Aceite dielctrico, fuego envasado, embases diversos.

Marco Terico
Los termistores son dispositivos semiconductores cuya resistencia elctrica
vara segn la temperatura del mismo; son muy empleados en electrnica por
ejemplo como dispositivos de prevencin en equipos de audio que al censar
cierta temperatura crtica para el funcionamiento del mismo, se interrumpe el
funcionamiento o se inician medidas preventivas, etc.

34

Procedimientos

a) Medir el grosor (l) y el dimetro (d) del termistor con un vernier

l

Medidas del termistor

b) Obtener la grfica Resistencia vs. Temperatura, de forma analtica.
c) Montaje de la parte experimental:
1.- Sumergir el termistor y el termmetro en un envase con aceite dielctrico,
esto con la finalidad de obtener una medicin ms coherente de la
temperatura a la que se encuentra el termistor.
2. Calentar el envase con el aceite dielctrico, el termistor y el termmetro e
ir midiendo la resistencia y la temperatura con un intervalo de 10C entre
cada una de las mediciones, para lograr la medicin de temperaturas menores
a las del ambiente, dicho envase se rodear de hielo para disminuir la
temperatura. Se emplear un intervalo tentativo de 0 a 120C (273 K403 K)
3. Realizar la grfica Resistencia vs. Temperatura con base en los resultados
experimentales del punto 2.

35

Termmetro
Ohmetro

Aceite
dielctrico
Termistor

Fuente
de calor

Montaje del experimento

Desarrollo

Las medidas del termistor utilizado son:

Dimetro = d = 9.4 mm = 0.0094 m
Grosor = l = 2.1 mm = 0.0021 m

Parte analtica (terica)

Para caracterizar la resistencia de un termistor, se parte de la frmula de la
resistencia:

l
R (ohm),
A
Donde:
l = Grosor del termistor,
A = rea de la cara del termistor =
d = Dimetro del

36

termistor (m).

(d/2)2 (m2)

Para facilitar los clculos, se considera una variable x

l
.
A

El clculo de la resistividad se hace obteniendo la conductancia cuya

frmula es.

qN i n p

Donde:
q = carga de un electrn = 1.602 x 10-19 (C).
Ni = densidad intrnseca de portadores (portadores/m3).

p = movilidad de huecos

n = movilidad de los electrones

Los valores de p y n para el silicio en funcin de la temperatura estn
determinados por las siguientes ecuaciones:

n = 2.1 x 105 T

(-2.55)

p = 2.3 x 105 T

(-2.7)

, 160 K < T < 400 K

, 150 K < T < 400 K

Donde: T es la temperatura en Kelvin.

El valor de la densidad intrnseca de portadores es:

3
2

Donde :

37

A = Constante emprica (para el Silicio A = 3.88 x 1022).

Wgo = Energa necesaria para romper un enlace covalente en funcin de la
temperatura.
K = Constante de Boltzman = 1.38 x 10

-23

(J/K).

T = Temperatura absoluta en grados Kelvin.

La frmula para calcular la resistencia del termistor en funcin de su
temperatura queda finalmente as:

23

q 3.88 x10 22 T 3 / 2 e 2( 1.38x10 )T 2.1x10 5 T 2.55 2.3x10 5 T 2.7

1.2

Clculos:

38

0.0021m
30.26 m-1
2
0.0094m / 2

(ohm)

Grfica:
Temperatura vs. Resistencia
700000

600000

Resistencia (ohms)

500000

400000

300000

200000

100000

0
273

293

313

333

353

373

393

413

433

Temperatura (kelvins)

Grfica 1: Temperatura vs. Resistencia (obtenida analticamente).

Parte experimental (prctica)

Los resultados experimentales se muestran en la siguiente tabla:

39

Tabla 1: Resultados experimentales

40

Temperatura ( K)

Resistencia ()

273

690

283

688

293

555

303

526

313

496

323

469

333

429

343

400

353

370

363

354

373

337

383

340

393

366

403

473

Grfica:
Temperatura vs. Resistencia
800

700

Resistencia (ohms)

600

500

400

300

200

100

0
273

283

293

303

313

323

333

343

353

363

373

383

393

403

413

Temperatura (kelvins)

Grfica 2: Temperatura vs. Resistencia (obtenida experimentalmente).

Conclusiones
Al comparar las grficas 1 y 2 se observa que en ambas, a mayor
temperatura, menor es la resistencia que presenta el termistor, exceptuando
a partir de los 383 K en la grfica 2 (la experimental), en que la resistencia
medida comienza a aumentar en lugar de seguir disminuyendo. Esto obedece
a que el termistor utilizado esta fabricado con dos materiales, uno de ellos es
semiconductor y el otro un xido metlico que comienza a experimentar
cambios en su resistividad a partir de 383K.
La principal diferencia que se nota al analizar las grficas es que los rangos en
que vara la resistencia en ambas grficas para un mismo rango de

41

temperaturas son muy dispares; variando la resistencia del termistor de ms

de 600 K a cerca de 180 para temperaturas de 273 K a 403 K para los
resultados analticos y un rango de 690 a 340 en el mismo rango de
temperatura para los resultados experimentales.
Est diferencia puede ser debida al material con que est hecho el termistor,
tomando en cuenta que la grfica 1 (analtica) se desarroll suponiendo un
termistor de Silicio puro, puede ser que el termistor que utilizamos no
presente esta caracterstica o que las condiciones del experimento no fueron
las favorables para aproximar el comportamiento real e ideal del mismo.

42

Semiconductores Extrnsecos

Son aquellos en los que a un semiconductor intrnseco se le modifica su

estructura electrnica agregando otros tipos de tomo mediante un proceso
fisicoqumico conocido como dopado. El semiconductor intrnseco requerido
para ser procesado debe contar con calidad electrnica, lo cual implica que
solamente se acepte una imperfeccin en la estructura por cada mil millones
de tomos debidamente enlazados, esto solamente se logra en ambientes
controlados conocidos como cuartos limpios.

Introduciendo una pequea cantidad de impurezas qumicas a un cristal

semiconductor puro es posible obtener un exceso de electrones o de huecos,
de acuerdo con la naturaleza de dichas impurezas. A pesar que estas
impurezas se aaden en proporcin de algunos tomos por cada milln de
tomos de material intrnseco, se altera la estructura de las bandas lo
suficiente como para modificar las propiedades elctricas del material por
completo.

Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de

dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p.

43

Semiconductores tipo N
Tanto los materiales tipo n como los tipo p se forman cuando se aade un
nmero predeterminado de tomos de impureza a una base de germanio,
silicio u otros.
Las impurezas tipo n son materiales pentavalentes, con cinco electrones de
valencia en la rbita externa del tomo. La adicin de una cantidad controlada
de una impureza tipo n al silicio o al germanio, hace que un electrn se
vincule dbilmente al tomo paterno, porque cuatro electrones bastan para
completar sus enlaces covalentes.
Cuando se aaden tomos pentavalentes al silicio slido. (Aproximadamente,
slo cinco de cada milln de tomos de silicio se sustituyen por estas
impurezas). La estructura del silicio slido es semejante a la del diamante;
cada tomo de silicio est unido por enlaces covalentes a otros cuatro tomos
de Si. La configuracin electrnica del tomo pentavalente permite establecer
los enlaces covalentes dejando un electrn prcticamente libre de la influencia
del ncleo. Este electrn adicional se puede separar del tomo pentavalente
mediante la aplicacin de un voltaje a travs del slido. El electrn libre se
puede entonces mover a travs de la estructura y funcionar como electrn de
conduccin. Las impurezas de este tipo se conocen como impurezas
donadoras, ya que proporcionan electrones de conduccin. Los slidos que
contienen impurezas donadoras se llaman semiconductores tipo n, en donde n
proviene de negativo (la carga del electrn adicional), aunque el material se
mantiene elctricamente neutro. Los elementos que se utilizan para producir
semiconductores tipo n en el silicio o el germanio son los elementos del grupo
V de la tabla peridica como el antimonio (Sb), el arsnico (As) o el fsforo
(P).
En un semiconductor tipo n los electrones producidos por las impurezas se
denominan de origen extrnseco y a la temperatura ordinaria son mucho ms

44

numerosos que los portadores de origen intrnseco producidos por la agitacin

trmica. En el caso particular del germanio, para que los electrones que se
encuentran fuera de las uniones covalentes entre sus tomos y los de una
impureza determinada puedan trasladarse a la banda de conduccin, se
requiere nicamente una energa del orden de 0.01eV, en tanto que para el
silicio es del orden de 0.05eV, de tal manera que an a bajas temperaturas
estos electrones adquieren suficiente energa para pasar a la banda de
conduccin. Cabe sealar que los portadores que resultan de contaminar al
material se les conoce como portadores mayoritarios siendo representados
como Nn, en tanto que los huecos resultantes una vez que se alcanza un
equilibrio trmico se les conoce como portadores minoritarios Pn. En esta
nomenclatura el subndice representa el tipo de material, mientras que la
letra capital representa el tipo de portador.
En la Fig. 3.1 se muestra la representacin de un semiconductor extrnseco
tipo n.

Figura 3.1 Enrejado de un cristal de silicio tipo n en el que un tomo de silicio ha sido
sustituido por un tomo pentavalente (donador)

45

Semiconductores tipo P
Los semiconductores tipo p se forman si a un elemento del grupo IV A de la
tabla peridica (Germanio, Silicio) se les introduce como impurezas tomos
que cuenten con tres electrones de valencia, como son el indio (In), boro (B)
o el galio (Ga), los cuales pertenecen al grupo III de la tabla peridica.
Por cada tomo trivalente en el cristal de silicio, habr un hueco en el. Es
posible excitar un electrn de valencia de un tomo vecino de Si hacia este
orbital vaco. El hueco generado en el tomo de Si puede llenarse con un
electrn de otro tomo de Si vecino al primero, y as sucesivamente. De este
modo, los electrones se pueden mover a travs del cristal en una direccin,
mientras que los huecos o agujeros positivos se mueven en la direccin
opuesta, y el slido se convierte en un conductor elctrico. Las impurezas que
son deficientes en electrones se denominan impurezas aceptoras. Los
semiconductores que contienen impurezas aceptoras reciben el nombre de
semiconductores tipo p, en donde la p significa positivo, aunque el material se
mantiene elctricamente neutro.
En un semiconductor tipo p los huecos producidos por las impurezas se
denominan de origen extrnseco y a la temperatura ambiente, son mucho ms
numerosos que los portadores de origen intrnseco producidos por la agitacin
trmica. En el caso particular del germanio, para que los huecos que se
encuentran fuera de las uniones covalentes entre sus tomos y los de una
impureza determinada puedan trasladarse a la banda de conduccin, se
requiere nicamente una energa del orden de 0.01eV, en tanto que para el
silicio es del orden de 0.05eV, de tal manera que an a bajas temperaturas
estos huecos ganan suficiente energa para pasar a la banda de conduccin. A
los portadores que resultan de contaminar al material se les conoce como
portadores mayoritarios siendo representados como PP,

46

en tanto que los

electrones resultantes una vez que se alcanza un equilibrio trmico en el

material se les conoce como portadores minoritarios NP.
En la Fig. 3.2 se muestra la representacin de un semiconductor extrnseco
tipo p

Figura 3.2 Enrejado de un cristal de silicio tipo p en el que un tomo de silicio ha sido
sustituido por un tomo trivalente (aceptor)

Resistividad en semiconductores extrnsecos.

La adicin de impurezas tipo n en un semiconductor intrnseco causa que el
nmero de huecos libres decrezca debido a que existe una mayor posibilidad
de recombinaciones entre los electrones y los huecos. Similarmente, la
contaminacin con impurezas tipo p decrece la concentracin de electrones
libres por debajo de las que tiene el semiconductor intrnseco.
Un anlisis terico nos conduce al resultado que, bajo condiciones de
equilibrio trmico, el equilibrio de las concentraciones negativas y positivas
libres es una constante independiente de la cantidad de contaminacin de

47

impurezas donadoras y aceptoras. Esta relacin es conocida como la Ley de la

accin de masas y est dada por la ecuacin 3.1 para semiconductores
intrnsecos:

= 2
Se

tiene

el

resultado

importante

de

(3.1)

que

la

contaminacin

de

un

semiconductor intrnseco no slo incrementa la conductividad, sino que

tambin sirve para producir un conductor en el cual los portadores de carga
sean predominantemente huecos o predominantemente electrones. En los
semiconductores tipo n, los electrones son llamados portadores mayoritarios,
y los huecos son llamados portadores minoritarios. En un material tipo p los
huecos son los portadores mayoritarios y los electrones los minoritarios.
Se ha indicado previamente que slo una pequea cantidad de energa se
necesita para ionizar los tomos de impurezas. La temperatura a la cual los
dispositivos electrnicos normalmente operan (>200 K) y proporciona la
suficiente energa trmica para ionizar virtualmente todas las impurezas. Este
hecho en conjunto con la Ley de la accin de masas nos permite determinar
las densidades de carga en un semiconductor.
Si aplicamos la Ley de la accin de masas a un semiconductor extrnseco tipo
n que se encuentre a la misma temperatura que un semiconductor intrnseco
que le haya servido como material base, en ambos deben producirse las
mismas recombinaciones al alcanzar estos el equilibrio trmico, este
fenmeno se puede expresar por:

= = 2

48

(3.2)

De la ecuacin anterior se puede obtener la densidad de portadores

minoritarios (huecos en un material n) si se conoce la densidad intrnseca del
material y el ndice de dopado con el cual fue contaminado.

(3.2a)

Anlogamente se obtiene para un material p:

= = 2

(3.3)

(3.3a)

Para calcular la densidad de los portadores mayoritarios en un material,

simplemente se requiere multiplicar la densidad atmica del semiconductor
intrnseco por el ndice de contaminacin del material con que se desea hacer
el dopado como se expresa en la Ecn. 3.4.

(3.4)

Donde:
= Densidad atmica del material intrnseco
= ndice de contaminacin (ppm)
En el siguiente ejercicio se lleva a cabo este clculo y se aprovecha en los
posteriores

ejercicios

para

determinar

la

resistividad

de

un

material

semiconductor extrnseco.

49

Ejercicio 3.1 Calcule la densidad de portadores mayoritarios de un material

de silicio tipo n, que est contaminado con un ndice de dopado de cinco
partes por milln (5ppm) de tomos de fsforo y compare esta cantidad con
la densidad intrnseca del silicio a 300 K.
DA = 5x1028 tomos Si/m (Ver Tabla 1.1),
X = 5 tomos P/106tomos Si

Dimensionalmente

#
10 6

Utilizando la ecuacin 3.4

=5

= 5 1028

=5

300

5
= 25 1022 3
6

10

25 1022 3
= 16.66 106

1.5 1016
3

La interpretacin del resultado anterior, nos conduce a pensar que la

resistividad del material intrnseco disminuir extraordinariamente al ser
contaminado, lo cual se comprueba en el ejercicio 3.2.

50

Ejercicio 3.2 Calcule la resistividad de un semiconductor contaminado tipo N

con 8 ppm de tomos de fsforo y compare dicha resistividad con la que tiene
el silicio intrnseco a 300K
Calculando Nn y Pn

=8

= 5 1028

2
1.5 1016
=
=

4 1023

8
= 4 1023 3

106
2

= 5.62 108

= +
Como

= 4 1023 1.602 1019 0.15 = 9,612

(8 )
300

(8 ) = 1.04 104
300

300

(8 )

2,101.75
= 2.021 107
4
1.04 10

300

Si se analiza la resistividad del silicio contaminado, se comprueba que su

valor est cercano al que presentan los metales.

51

La Unin N-P

Cuando un semiconductor extrnseco tipo P se crece epitaxialmente en

colindancia con un semiconductor tipo N, se forma lo que comnmente se le
conoce como unin PN. En la Fig. 4.1 se explica la nomenclatura utilizada
para representar ambos tipos de material antes de formarse la unin. Los
tomos aceptores y donadores de ambos semiconductores aunque son
elctricamente neutros, tienen tendencia a ionizarse debido a que disponen
de un hueco o un electrn libre a los que requiere el semiconductor intrnseco
en el que se encuentran para establecer sus enlaces covalentes.
El signo menos y el signo mas al interior de los crculos representan tomos
que al perder un electrn o un hueco respectivamente dejan al tomo
ionizado con dicha polaridad.

Figura 4.1 Representacin simblica de los semiconductores tipo n y tipo p

52

La unin PN sin polarizacin externa

En una unin PN sin polarizacin externa como la que se muestra en la Fig.
4.2 se presentan las siguientes dos fenmenos:
1) Los portadores mayoritarios (electrones del lado n y huecos del lado p)
se atraen entre s llevando a cabo un proceso de recombinacin que da
lugar a un flujo de carga conocido como corriente de difusin IDIF. La
recombinacin de dichas cargas provoca que los tomos donadores del
lado n de la unin se ionicen positivamente al perder su electrn
mientras que los tomos aceptores del lado p lo experimentan
negativamente al perder su hueco, por lo tanto la regin n adquiere un
mayor potencial Vj que la regin p. La recombinacin por difusin crea
en la unin una regin de enrarecida de carga (empobrecimiento) en la
que no existen portadores libres conocida como barrera de potencial. El
grosor de esta regin es del orden de milsimas de pulgada ya que no
todos los portadores mayoritarios cuentan con la suficiente energa
trmica para cruzar la barrera de potencial.
2) La diferencia de potencial Vj producida por la recombinacin de los
portadores mayoritarios mencionada en el prrafo anterior da lugar a la
formacin de un campo elctrico en la regin de la barrera que arrastra
a los portadores minoritarios (electrones del lado n y huecos del lado p)
para que estos a

su vez se recombinen como un flujo de carga

momentneo conocido como corriente de deriva IDER.

La suma de la corriente de difusin y la corriente de deriva es igual a
cero, dado que no existe un voltaje externo aplicado ni un circuito
cerrado para que circule corriente alguna.

IDIF + IDER = 0

53

Figura 4.2 La unin PN sin polarizacin externa

La unin PN (Diodo) con polarizacin directa

Se dice que una unin tiene polarizacin directa si se aplica un voltaje positivo
en la regin p (nodo) respecto a la regin n (ctodo) a travs de un circuito
elctrico. Al aplicar un voltaje externo vD, la barrera de potencial se reduce a
Vj vD, forzando a que se recombinen en la unin los huecos mayoritarios
del lado p con los electrones mayoritarios del lado n, incrementando
significativamente

con

ello

la

magnitud

de

la

corriente

de

difusin.

Simultneamente los portadores minoritarios de ambas regiones son atrados

54

hacia los extremos del diodo por el voltaje externo aplicado ya que el
potencial negativo de la fuente atrae a los huecos minoritarios de la regin n
y el potencial positivo a los electrones minoritarios de la regin p provocando
que IDER 0 .

La corriente resultante en el diodo es iD= IDIF IDER IDIF

debido a que IDIF >> IDER

a esta corriente se le conoce como corriente del

diodo en directo (forward). Conforme la corriente del diodo iD se incrementa,

las resistencias hmicas del lado p y del lado n provocan una mayor cada de
voltaje en serie. As, el ancho de la regin de agotamiento se reduce con el
incremento del voltaje en polarizacin directa. La barrera de potencial no se
reduce proporcionalmente, aunque puede llegar prcticamente a ser cero. En
la Fig. 4.3 se muestra el comportamiento de la unin PN con polarizacin
directa.

Fig. 4.3 La unin PN con polarizacin directa

55

La unin PN (Diodo) con polarizacin inversa

Se dice que una unin PN tiene polarizacin inversa cuando al lado n o ctodo
de la unin se le aplica un voltaje positivo respecto al nodo o lado p. Si se
incrementa dicho voltaje inverso vD, la barrera de potencial crece a Vj + vD,
provocando que los huecos mayoritarios del lado p y los electrones
mayoritarios del lado n no se recombinen en la unin ya que el voltaje
externo los obliga a alejarse de sta provocando que la corriente de difusin
tienda a cero IDIF 0, sin embargo, ste mismo voltaje externo forza a que
los portadores minoritarios de ambas regiones se recombinen en la unin
como una corriente de deriva que supera en magnitud a la corriente de
difusin (IDER >> IDIF). La magnitud de esta corriente alcanza su valor mximo
conocido como corriente de saturacin inversa (IS = IDER + IDIF) cuando la
barrera de potencial se ensancha hasta el punto en que abarca todo el grosor
de las regiones p y n. El valor tpico de la corriente de saturacin inversa es
del orden de picoamperes ya que depende de la densidad de portadores
minoritarios que es muy baja.

Fig. 4.4 La unin PN con polarizacin inversa

56

La produccin de portadores minoritarios depende de la densidad intrnseca

de portadores, la cual a su vez depende de la temperatura, de tal forma la
corriente de saturacin inversa duplica su valor por cada incremento de 10C
que experimente la unin. Si el voltaje inverso vD se contina aumentando,
la corriente del diodo permanece casi constante hasta que se alcanza un
voltaje conocido como voltaje de ruptura VBR

a partir del cual el campo

elctrico de la capa de agotamiento llega a ser tan fuerte que alcanza a

romper los enlaces covalentes de los tomos de silicio o germanio,
generndose una gran cantidad de pares electrn-hueco por todo el cristal
semiconductor. Estos electrones y huecos servirn como portadores de un
gran flujo de corriente inversa. La regin de agotamiento (a menudo llamada
regin de carga espacial) llega a ser tan ancha que las colisiones son menos
probables, aunque al ser cada vez ms intenso el campo elctrico se dispone
de una mayor cantidad de energa para romper directamente los enlaces. Este
fenmeno se le conoce como efecto de tunelizacin o efecto zener y al
mecanismo se le conoce como ruptura zener. Los electrones y los huecos
anulan a su vez las cargas negativas y positivas de la regin de agotamiento,
y la barrera de potencial de la unin virtualmente se elimina. La corriente
inversa est limitada entonces nicamente por el circuito externo, mientras
que el voltaje terminal inverso permanece casi constante, en un valor igual al
voltaje Vz.

Cuando el campo elctrico llega a ser excesivamente grande, los electrones

del lado p se aceleran a travs del cristal y chocan con los enlaces covalentes
no rotos, con fuerza suficiente para romperlos. Los electrones generados por
los choques pueden adquirir suficiente energa cintica para chocar con otros
enlaces no rotos, tambin con la fuerza suficiente para romperlos. Este efecto
acumulativo, que produce una gran cantidad de flujo de corriente no
controlado que se conoce como ruptura en avalancha.

57

En la prctica, no existe una clara distincin entre el efecto zener y el de

avalancha, porque ambos implican una gran corriente inversa. Cuando ocurre
una ruptura con Vz<5 V (como en uniones excesivamente impurificadas), se
trata de una ruptura zener. Cuando ocurre con Vz >7 V (aprox.), es una
ruptura en avalancha. Cuando la unin se rompe con un voltaje entre 5 y 7 V,
la ruptura puede ser zener o en avalancha, o una combinacin de las dos. En
la Fig. 4.4 se muestra el comportamiento de la unin PN con polarizacin
inversa.

58

Preguntas tericas
1.- Defina que es la electrnica?

2.- Mencione el nombre de la persona y el ao en que desarroll la primera

vlvula termoinica conocida como diodo.

3.- En qu efecto se sustenta el principio de funcionamiento de las vlvulas

electrnicas?

4.- Hasta qu dcada del siglo XX surgieron comercialmente los dispositivos

electrnicos de estado slido?

5.- Mencione dos aspectos en que los dispositivos electrnicos de estado

slido superaron a los de gas.

6.- Que otro nombre reciben los semiconductores puros?

7.- Que nombre reciben los semiconductores adulterados o contaminados?

8.- Con que qu tipo de semiconductores se fabrica un diodo?

59

9.- Qu diferencia existe entre el semiconductor N y el P?

10.- En qu banda de energa desplazan su carga elctrica los huecos en los

semiconductores?

11.- Qu tipo de portador transporta su carga en la banda de conduccin?

12.- Al aumentar la temperatura en los metales disminuye o aumenta su

resistividad y porqu?

13.- Cuando la temperatura crece en un semiconductor intrnseco, aumenta

o disminuye la banda prohibida?

14.- Mencione el nombre de los 2 tipos de portadores de carga que utiliza la

electrnica para conducir la corriente elctrica

15.- La corriente total de un diodo, se debe nicamente a los electrones, a

los huecos o a ambos?

16.-Cunto es el ndice lmite mximo de imperfecciones en los tomos de

silicio intrnseco para que se le considere con calidad electrnica?

60

17.- Nombre el proceso ms empleado para fabricar semiconductores

intrnsecos?

18.- Qu efecto tiene sobre la densidad intrnseca de los semiconductores

puros el incremento en la temperatura?

19.- Que le ocurre a la movilidad de los portadores cuando la temperatura

aumenta?

20.- Cul semiconductor intrnseco entre el Si, Ge, y el GaAs tiene la ms

alta movilidad en sus electrones?

21.- Cul semiconductor puro entre el Si, Ge, y el GaAs tiene la menor
densidad intrnseca?.

22.- Una vez que se lleva a cabo la recombinacin de portadores mayoritarios

en una unin N-P, que le ocurre al potencial de la regin N respecto a la P.
Aumenta o disminuye?

23.-

Mencione

el

nombre

de

la

corriente

transitoria

de

portadores

mayoritarios que se produce al formarse una unin N-P

61

24.- Mencione el nombre de la corriente transitoria de portadores minoritarios

que se produce al formarse una unin N-P

25.- Por qu el silicio es menos sensible a la temperatura que el germanio?

26.- Que entiende como banda prohibida en un semiconductor?

27.- Qu efecto provoca el aumento de la temperatura sobre los enlaces

covalentes de un semiconductor intrnseco?

28.- Que otro nombre reciben los semiconductores intrnsecos?

29.- Cuantos electrones de valencia tienen los semiconductores intrnsecos?

30.- Que se forma al romperse un enlace covalente?

31.- Cunta energa se requiere para romper un enlace covalente en el

silicio, en el germanio y en el arseniuro de galio a 300 K?

32.- Que implica en la resistividad del GaAs el hecho de que requiere una
mayor cantidad de energa para romper un enlace covalente?

62

33.- Mencione los 3 principales semiconductores intrnsecos que utiliza la

industria electrnica?

34.- Existe una diferencia notable entre la densidad atmica de los 3

principales semiconductores intrnsecos, s o no?

35.- Por qu no se fabrican termistores de arseniuro de galio?

36.- Explique la diferencia entre densidad atmica y densidad intrnseca.

37.- Qu pas es el principal proveedor de silicio para la industria

electrnica?

38.- Mencione el nombre del componente electrnico que est fabricado de

semiconductor intrnseco y que se utiliza como sensor de temperatura?

39.- El coeficiente de variacin de la resistividad respecto a la temperatura

en los semiconductores intrnsecos es negativo o positivo?

40.- Mencione el nombre de la ley que establece que la probabilidad de

recombinaciones en un semiconductor intrnseco es la misma que en uno
extrnseco si ambos proceden del mismo semiconductor puro y se encuentran
en equilibrio trmico a la misma temperatura.

63

41.- Qu entiende por recombinacin?

42.- Cuales son los portadores mayoritarios en un semiconductor tipo N?

43.- Cuales son los portadores minoritarios en un semiconductor tipo P?

44.- Cuales son los elementos con que se contamina al silicio y al germanio
para convertirlos en semiconductores extrnsecos tipo N?

45.- A qu grupo de la tabla peridica pertenecen los tomos con que se

contamina al silicio o al germanio para fabricar semiconductor tipo P?

46.- Cuales son los elementos con que se contamina al arseniuro de galio
para convertirlo en semiconductor extrnseco tipo P?

47.- Cuales son los elementos con que se contamina al arseniuro de galio
para convertirlo en semiconductor extrnseco tipo N?

48.- Mencione el nombre del semiconductor intrnseco base que soporta una
mayor temperatura de operacin y adems responde a ms alta frecuencia

49.- Mencione el nombre de los dos procesos ms ampliamente utilizados

para producir semiconductores extrnsecos.

64

50.- Qu nombre recibe la regin enrarecida de carga que se forma en una

unin de semiconductores N y P?

51.- Qu le ocurre al grosor de la barrera de potencial al polarizarse una

unin en inverso?

52.- Que le ocurre al grosor de la barrera de potencial al polarizarse una

unin en directo?

53.- Mencione el nombre de la corriente que producen los portadores

mayoritarios cuando una unin N-P se polariza en directo.

54.- Que nombre recibe la corriente que producen los portadores minoritarios
cuando una unin N-P se polariza en inverso.

55.- Defina analticamente la movilidad electrnica.

56.- Que le ocurre a la movilidad de los portadores si se encuentran sujetos

a un gran campo elctrico?

57.- Que se utiliza para llevar a cabo el proceso de refinado en los

semiconductores intrnsecos?

65

58.- Que variables se deben controlar para contaminar un semiconductor en

un horno de difusin?

59.- Por qu se utiliza un crisol de cuarzo para fundir en l a los

semiconductores intrnsecos?

60.- Qu semiconductor intrnseco requiere ms temperatura para lograr su

punto de fusin?

61.- Qu nombre reciben los cuartos donde se fabrican los semiconductores

intrnsecos?

62.- Por qu se produce el efecto zener en un diodo?

63.- Por qu se duplica la corriente de fuga cada diez grados Celsius en los
diodos de silicio?

64.- Por qu se requiere de menos energa para liberar a un portador

mayoritario de su tomo padre que a un portador de un semiconductor
intrnseco?

65.- Qu valor tiene la resistividad de un semiconductor intrnseco o puro a

cero Kelvin?

66

66.- La movilidad de los portadores de un semiconductor puro se afecta por el

incremento de la temperatura. La disminuye o la aumenta?

67.- Exprese analticamente la Ley de la accin de masas para un

semiconductor tipo N

68.- Al aplicarse un voltaje inverso excesivo a un diodo, que le ocurre a los

enlaces covalentes de las regiones N y P?

69.- Qu nombre tiene la corriente que circula por un diodo que se polariza
en inverso hasta antes de alcanzar su voltaje de ruptura?

70.- Qu efecto ocurre a un menor voltaje, el efecto zener o el efecto de

avalancha?

71.- Cuales semiconductores tienen una menor resistividad, los intrnsecos o

los extrnsecos?

67

Problemas propuestos

1.- Calcule la velocidad promedio con que se desplaza un electrn en el silicio,

si la movilidad de ste a 300K es
elctrico a que est sujeto es

= 0.15

= 1000

, considere que el campo

y que con la magnitud de este

campo no se alcanza la velocidad de saturacin del electrn.

Solucin = 150 m/S

2.- Calcule la velocidad promedio con que se desplaza la carga de un electrn
en el grafeno si se sabe que su movilidad a baja temperatura es = 200

el campo elctrico que experimenta es el mismo del ejercicio anterior

= 1000

A qu conclusin se puede llegar?

Solucin = 200,000 m/S

3.- Calcule la densidad de carga del silicio intrnseco a 25C y 75C,
posteriormente compare estas densidades entre s para expresar una
conclusin respecto al cambio de su resistividad.

4.- Con qu porcentaje contribuyen los electrones y los huecos en la

conduccin de corriente a 300K en un semiconductor de GaAs.

68

5.- Un termistor circular presenta una resistencia de 42.67 a 300K, sus

dimensiones fsicas son 5 mm de dimetro y 2 mm de grosor, si se sabe se
encuentra en un circuito de corriente directa en el que experimenta una cada
de voltaje de 100 mV, calcule la densidad de corriente, la velocidad media de
los portadores, y la cantidad total de portadores de carga.

6.- Con qu porcentaje contribuyen los portadores mayoritarios y los

minoritarios en la conduccin de corriente a 300 K en un semiconductor de
silicio N contaminado con 4 ppm de tomos de fsforo.

7.- Calcule la densidad de los portadores mayoritarios y de los minoritarios

del GaAs Tipo P que fue adulterado con 5 ppm de tomos de In

8.- Si la temperatura incrementa 3 veces la densidad intrnseca de un

semiconductor extrnseco tipo P cuantas veces se eleva la densidad de
portadores mayoritarios?

9.- Por una pista conductora de un circuito integrado cuyas dimensiones son 2
mm de largo y rea de seccin rectangular de 1x10-6 m por 5x10-6 m, circula
una corriente de 4 mA producindose una cada de voltaje de 75mV a travs
de la ella. Determine la densidad volumtrica de electrones suponiendo que la
movilidad del electrn en ese material es 400 cm2/VS

69

10.- Una barra de silicio intrnseco tiene 5 mm de longitud y cuenta con una
seccin rectangular de 40 125 m. A 300 K,

determine la intensidad de

campo elctrico y el voltaje que se le debe aplicar en sus extremos para que
circule una corriente constante de 1A a travs de ella. Considere que del
silicio es 2101
11.- Una muestra de silicio tipo n tiene 5mm de longitud y un rea de seccin
rectangular de 40 125 m. La concentracin de donadores a 300 K es 5
1022 m-3 y corresponde

a un tomo de impureza por cada 106 tomos de

silicio. Una corriente estacionaria de 1A circula por la barra. Determine las

concentraciones

de

electrones

mayoritarios

conductividad y el voltaje a travs de la barra.

70

huecos

minoritarios,

la

Teora bsica de los Semiconductores

Se termin de imprimir en enero de 2011
en los talleres grficos de Servicios Editoriales TRAUCO
Salvador Baha Nm. 2858 Int. 2
Fracc. Parques del Bosque
Tlaquepaque, Jalisco.

71