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UNIVERSITE DE LIEGE

FACULTE DES SCIENCES APPLIQUEES


DEPARTEMENT DELECTRICITE, ELECTRONIQUE ET
INFORMATIQUE

ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE
ELEN0075-1
Recueil dexercices
janvier 2010

B. Vanderheyden
E. Michel
Institut Montefiore Bat. B28
Sart-Tilman, 4000 Li`ege.

1
1.1

Diodes et circuits `
a diodes
Modes direct et inverse

En prenant le mod`ele de diode `a jonction suivant :


vD =

Vf
une valeur Vf

si iD > 0,
si iD = 0,

determiner la tension vD et le courant iD de la diode de chacun des circuits


de la figure 1.

R = 1 k

R = 1 k
5V

5V

(a)

(b)
Fig. 1 exercice 1.1

1.2

Association de diodes en parall`


ele

Determiner le courant traversant la resistance du circuit de la figure 2.

D1

5V

D2

Fig. 2 exercice 1.2


Donn
ees : R = 1 k, Vf 1 = 0.3 V (diode au Ge) et Vf 2 = 0.7 V (diode au
Si).
2

1.3

Porte `
a diodes

Pour le circuit de la figure 3, determinez la tension apparaissant aux bornes


de la resistance R lorsque
1. V1 > V2 ,
2. V2 > V1 .
Quelle peut etre lutilite du circuit de la figure 4 ?

D1
V1
D2
V2
R

Fig. 3 exercice 1.3

Fig. 4 exercice 1.3

vIN
+4 V
t
6 V

Fig. 5 exercice 1.4

1.4

Circuits `
a diode soumis `
a une tension en cr
eneaux

Chacun des circuits de la figure 6 est alimente par une tension en creneaux
(ou signal carre) variant entre 6 V et +4 V comme illustre `a la figure 5.
Esquissez le signal de sortie dans chaque cas. On consid`ere que la periode T
du signal est telle que T RC.

vIN

vOUT

vOUT

vIN

Fig. 6 exercice 1.4


Repetez le probl`eme avec le signal et les circuits de la figure 7.

Fig. 7 exercice 1.4

1.5

Caract`
ere non lin
eaire de la caract
eristique iD vD dune
diode

Determinez le courant traversant la diode du circuit de la figure 8.


Donn
ees : R1 = R2 = 1 k, Vf = 0.7 V.

1.6

Circuits redresseurs

En considerant tour `
a tour le redresseur simple alternance, le redresseur
double alternance `
a prise mediane et le redresseur double alternance en pont
(alimente dans chaque cas par une tension sinusodale de moyenne nulle),
determinez
lallure temporelle de la tension aux bornes de la resistance de charge,
la valeur de crete de la tension de sortie,
la valeur moyenne de la tension de sortie (en negligeant Vf ),
la tension inverse de crete des diodes.
5

R1

20 V

R2

Fig. 8 exercice 1.5


Deduisez-en les avantages et les inconvenients de chacun de ces circuits.

1.7

Circuits limiteurs ou
ecr
eteurs

Le circuit de la figure 9 est alimente par une tension sinusodale vin de


moyenne nulle et de tension de crete de 2 V. A laide du mod`ele utilise `a
lexercice 1.1, calculez et tracez lallure de la tension aux bornes de RL pour
une duree de deux periodes.

R
vin

RL

Fig. 9 exercice 1.7


Donn
ees : RL = 10 k, R = 1 k et Vf = 0.7 V.

1.8

Variantes de circuits limiteurs

Chacun des trois circuits des figures 10, 11 et 12 est alimente par une ten` laide du mod`ele de diode utilise `a
sion sinusodale vin de moyenne nulle. A
lexercice 1.1, determinez lallure de la tension de sortie pour une duree de
deux periodes.
Donn
ees : la tension de crete du signal dentree vin (t) est egale `a 2 V ; pour
chaque diode, Vf = 0.7 V ; R = 1 k.

R
vin

vout

Fig. 10 exercice 1.8 (a)

R
vin
vout
1V

Fig. 11 exercice 1.8 (b)

R
vin

D1

D2

Fig. 12 exercice 1.8 (c)

vout

1.9

Diode de protection dun interrupteur

Une diode peut proteger un interrupteur des surtensions survenant `a la


suite dune reduction rapide du courant traversant une charge inductive
(par exemple les enroulements dun moteur electrique).
Expliquez le r
ole joue par la diode de protection `a la figure 13.

Fig. 13 exercice 1.9 (tire de Horowitz)

1.10

Redresseur simple alternance + filtre capacitif


D
ven

vC

Fig. 14 exercice 1.10


Le redresseur simple alternance de la figure 14 est suivi dun filtre capacitif simplement compose du condensateur C. La tension dentree ven est
9

sinusodale, de moyenne nulle et de tension de crete V0 ,


2t
ven (t) = V0 sin
.
T


La diode est consideree ideale (Vf = 0).


Determinez lexpression de la tension dondulation V en fonction de V0 ,
T et des caracteristiques des elements du circuit, en adoptant les deux approximations suivantes :
le courant ic est pratiquement constant durant la decharge du condensateur C,
le temps de decharge est beaucoup plus long que le temps de charge.

1.11

Redresseur double alternance + filtre capacitif


D4

D1

vin

C
D3

D2

Fig. 15 exercice 1.11


On consid`ere le circuit de la figure 15, comprenant un redresseur double
alternance en pont suivi dun condensateur de filtrage de capacite C =
50 F. La tension dentree vin est une tension sinusodale de frequence f =
50 Hz, de moyenne nulle et de tension de crete V0 = 20 V. La resistance de
charge vaut R = 2 k.
Determinez une expression approchee de londulation de tension V observee aux bornes de R, en prenant en compte les chutes de tensions directes
des diodes, Vf (o`
u Vf = 0.7 V).

1.12

D
emodulateur AM

On consid`ere le circuit redresseur de la figure 14, alimente par une tension


vin (t) = Vm (t) sin 2fc t,
10

o`
u fc = 1 MHz et lamplitude Vm (t) a une forme triangulaire periodique
de frequence fm = 1/Tm = 100 Hz. Ce signal est representatif dune onde
radio modulee en amplitude (modulation AM) : le terme sin 2fc t represente
londe porteuse, de frequence elevee, tandis que Vm represente le signal, qui
module lamplitude de la tension vin `a une frequence faible.
Expliquez comment le signal utile Vm (t) peut etre electroniquement extrait
de vin `
a laide du circuit de la figure 14. En particulier, comment doit-on
choisir la constante de temps RC ?

1.13

R
egulation dune tension
R
D

Vin

Fig. 16 exercice 1.13


Le circuit de la figure 16 est un regulateur de tension dont la tension dentree
Vin est susceptible de varier au cours du temps. La diode Zener a les caracteristiques suivantes :
tension inverse de claquage VZ = 5.1 V ;
courant inverse maximum admissible, Imax = 200 mA ;
courant minimum en regime de claquage, Imin = 1 mA ;
resistance incrementale RZ = 0 .
R est une resistance de 100 .
Pour quelle plage de variation de Vin la tension de sortie est-elle regulee ?

1.14

R
egulation dune charge

La figure 17 represente un circuit dalimentation dun recepteur radio. La


tension dalimentation VDC est delivree par une batterie ; elle est constante
et egale `
a 12 V. Le recepteur radio travaille sous une tension de 6 V, maintenue `
a laide dune diode Zener aux caracteristiques suivantes :
VZ = 6 V,
puissance maximum dissipee, Pmaxdiode = 1 W,
11

R
Rr

Vin

Fig. 17 exercice 1.14


courant minimum en claquage, Imin = 1 mA,
resistance incrementale negligee.
La resistance Rr sert `
a ajuster le volume du recepteur. Celui-ci peut consommer au maximum Pmaxradio = 0.5 W.
Choisissez une resistance R qui permet dassurer la regulation sans depasser
les limites de dissipation.

1.15

Circuit Zener
ecr
eteur
R
D1

vin

vout
D2

Fig. 18 exercice 1.15


Le circuit de la figure 18 est alimente par une tension sinusodale vin de
moyenne nulle et de tension de crete V0 = 5 V. La resistance vaut R = 10 k
et les diodes Zener ont les caracteristiques suivantes :
tension directe Vf = 0.7 V,
tension de claquage inverse VZ = 2.3 V,
resistance incrementale RZ negligee,
courant minimum de claquage neglige.
Esquissez la tension de sortie vOUT pour une duree de deux periodes.

12

Transistors bipolaires (BJT)

2.1
2.1.1

Modes de fonctionnement
Exemple 1

VCC = 10 V
RC = 4.7 k

+
V1

6V

RE = 3.3 k

Fig. 19 exercice 2.1.1


Determinez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de
la figure 19. Determinez les tensions `a chaque noeud et les courants dans
chaque branche.
Donn
ee : en MAN, = 100.
2.1.2

Exemple 2

Determinez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de


la figure 20. Determinez les tensions `a chaque noeud et les courants dans
chaque branche.
Donn
ee : en MAN, = 100.
2.1.3

Exemple 3

Determinez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de


la figure 21. Determinez les tensions `a chaque noeud et les courants dans
chaque branche.
Donn
ee : en MAN, = 100.
13

VCC = 10 V
RC = 4.7 k

RE = 3.3 k

Fig. 20 exercice 2.1.2

VEE = 10 V
RE = 2 k

E
C
RC = 1 k
VCC = 10 V

Fig. 21 exercice 2.1.3


2.1.4

Exemple 4

Determinez le mode de fonctionnement du transistor bipolaire du circuit de


la figure 22. Determinez les tensions `a chaque noeud et les courants dans
chaque branche.
Donn
ee : en MAN, = 100.
2.1.5

Exemple 5

Dans le circuit de la figure 23,


1. que vaut VCE lorsque lentree vin est mise `a zero ?

14

VCC = 10 V
RB = 100 k

RC = 2 k

+
V1 = 5 V

Fig. 22 exercice 2.1.4

VCC = 10 V
RC = 1 k
Vin
RB

Fig. 23 exercice 2.1.5


2. Quel courant iB doit-on imposer pour polariser le transistor en saturation profonde ?
3. Si Vin = 5 V, quelle est la plus grande valeur de RB permettant de
maintenir le transistor en saturation ?
Donn
ee : = 200.

2.2
2.2.1

Polarisation des transistors bipolaires


Effets de la r
esistance d
emetteur

Une elevation de la temperature du transistor de la figure 24 change ses


caracteristiques de la facon suivante : le gain passe de 85 `a 100 et la
tension de jonction VBE change de 0.7 V `a 0.6 V.

15

VCC = 20 V
RB = 100 k

RC = 4.7 k

RE = 10 k
VEE = 20 V
Fig. 24 exercice 2.2.1
Determinez les variations relatives subies par le courant IC et la tension
VCE .
2.2.2

Polarisation par contre-r


eaction au collecteur

VCC
RC = 1 k

RB

Fig. 25 exercice 2.2.2


Dans le circuit de la figure 25, on a VCC = 15 V, RC = 1 k et = 200.
1. Ajustez RB de facon `
a placer le point de repos Q au milieu de la droite
de charge.
2. Le transistor du circuit est remplace par un transistor bipolaire de
gain trois fois plus eleve. Que devient Q dans ce cas ?
2.2.3

Polarisation par diviseur de tension

Determinez le point de repos du transistor de la figure 26.


16

VCC = 30 V
R1 = 6.8 k

RC = 3 k

R2 = 1 k

RE = 750

Fig. 26 exercice 2.2.3


Donn
ee : = 200.
2.2.4

Polarisation par diviseur de tension : conception

En reprenant le schema de la figure 26, determinez les resistances R1 , R2 ,


RC , RE telles que
1. IC = 1.3 mA,
2. VCE = 4 V,
3. le gain RC /RE est egal `a 5.1
On dispose dune tension dalimentation VCC de 12 V et on peut supposer
que 1.
2.2.5

Polarisation dun transistor pnp par diviseur de tension

On consid`ere le circuit de la figure 27.


1. Determiner IC , VCE , ainsi que le mode de fonctionnement du transistor.
2. Quobtiendrait-on pour IC et VCE si on negligeait le courant de base
IB ? Expliquez ce resultat.
3. En utilisant la meme approximation quau point 2, calculez :
1
dans les chapitres suivants, nous verrons que RC /RE est une estimation du gain en
tension dun amplificateur constitue dun transistor dans cette configuration.

17

VEE = 15 V
R2

RE

E
C

R1

RC
VCC = 5 V

Fig. 27 exercice 2.2.5


(a) la puissance totale delivree par les sources de tension,
(b) la puissance dissipee par RE ,
(c) la puissance dissipee par le transistor.
Donn
ees : R1 = 22 k, R2 = 10 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k, = 150,
VEE = 15 V et VCC = 5 V.
2.2.6

Polarisation de deux
etages en cascade

Le circuit de la figure 28 est constitue de la mise en cascade de deux inverseurs (emetteur-commun).


1. En negligeant les courants de base IB1 et IB2 , determinez la tension
vOUT lorsque le signal dentree est nul (vin = 0).
2. Representez le point de polarisation du transistor Q2 sur une droite
de charge et montrez que ce transistor est polarise en MAN.
3. Pour quelles valeurs extremes de vOUT le transistor Q2 quitte-t-il le
MAN ?
4. Quelle est lexcursion maximale de la tension de sortie vOUT ?
Donn
ees :
resistances : R1 = 6.2 k, R2 = 1.5 k, R3 = 4.7 k, R4 = 1.4 k ;
diode Zener : VZ = 7.3 V ;
transistors : VCE2sat 0 V, 1 = 2 = 100 ;
tensions dalimentation : VEE = 10 V, VCC = 10 V.
18

VCC = 10 V
R1 = 6.2 k

R3 = 4.7 k

RS = 1 k

Vout

vin
R2 = 1.5 k

RE = 1.4 k
D

VEE = 10 V
Fig. 28 exercice 2.2.6

2.3
2.3.1

Mod`
ele petit-signal des transistors bipolaires
Montage
emetteur commun

VCC
R1

RC

C1

vout

vin

C2
R2

RE

Fig. 29 exercice 2.3.1


Determinez le gain en tension Av , la resistance dentree rin et la resistance
de sortie rout du circuit de la figure 29.
Donn
ees :
`
a la frequence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r
ole ;
19

resistances : R1 = 22 k, R2 = 4.7 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k ;


transistor : = 100 , effet Early neglige ;
source de tension : VCC = 15 V.
2.3.2

Montage
emetteur commun, version pnp

VEE = 12 V
R2

RE

vin

CE
C2
vout

R1

RC
VCC = 0 V
Fig. 30 exercice 2.3.2

Determinez le gain en tension Av , la resistance dentree rin et la resistance


de sortie rout du circuit de la figure 30.
Donn
ees :
`
a la frequence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r
ole ;
resistances : R1 = 22 k, R2 = 6.8 k, RC = 1 k, RE = 560 ;
transistor : = 100 ; ro = 100 k.
source de tension : VEE = 12 V.
2.3.3

Emetteur commun avec un condensateur de d


erivation

Determinez le gain en tension Av , la resistance dentree rin et la resistance


de sortie rout du circuit de la figure 31. Comment varient la polarisation et
le gain en tension si le condensateur CE est enleve du circuit ?
Donn
ees :
`
a la frequence du signal, les condensateurs de couplage et de derivation
remplissent parfaitement leur r
ole ;

20

VCC = 10 V

C1

RS

R1

RC

C2
vout
RL

vin

CE

R2 RE

Fig. 31 exercice 2.3.3


resistances : RS = 1 k, R1 = 10 k, R2 = 2.2 k, RC = 3.6 k,
RE = 1 k, RL = 1.5 k ;
transistor : = 150 ; ro .
source de tension : VCC = 10 V.
2.3.4

Montage suiveur de tension (collecteur commun)

VCC = 12 V

RB = 100 k

+
7.5 V

Vout

RE = 10 k

vin

Fig. 32 exercice 2.3.4


Determinez le gain en tension Av , le gain en courant ai , la resistance dentree
21

rin et la resistance de sortie rout du circuit de la figure 32.


Donn
ees :
resistances : RB = 100 , RE = 10 k ;
transistor : = 100 ; ro .
source de tension : VCC = 12 V.
2.3.5

Montage en base commune

VCC = 10 V
R1 RC
C1

C2
vout
rout

R2

RE

RL

rin
CE
vin

Fig. 33 exercice 2.3.5


Determinez le gain en tension Av , la resistance dentree rin et la resistance
de sortie rout du circuit de la figure 33.
Donn
ees :
`
a la frequence du signal, les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur r
ole ;
resistances : R1 = 56 k, R2 = 12 k, RC = 2.2 k, RE = 1 k,
RL = 10 k ;
transistor : = 250 ; ro .
source de tension : VCC = 10 V.

22

VCC = 10 V
RC1

RC2

RB

Vout
RE3

vin
RE1

RL

RE2

D1
VEE = 10 V
Fig. 34 exercice 2.3.6
2.3.6

Circuits `
a trois
etages

Un calcul de polarisation du circuit de la figure 34 nous donne les resistances


incrementales suivantes :
r1 = 2 k,

r2 = 2.3 k,

r3 = 6 k.

Determinez le gain en tension, la resistance dentree et la resistance de sortie


de ce circuit.
Donn
ees :
resistances : RB = 1 k, RC1 = 6.2 k, RE1 = 1.5 k, RC2 = 4.7 k,
RE2 = 1.4 k, RE3 = 10 k, RL = 10 k ;
transistor : 1 = 2 = 3 = 100 ; ro .
source de tension : VCC = 10 V et VEE = 10 V ;
diode Zener : VZ = 7.3 V, resistance incrementale nulle.
2.3.7

Transistor branch
e en diode

Dans un circuit integre (IC), une diode est souvent realisee `a laide dun
transistor bipolaire dont le collecteur est directement connecte `a la base
comme illustre `
a la figure 35.

23

iD

vD

Fig. 35 exercice 2.3.7


Determinez lexpression analytique de la resistance incrementale
rd =

dvD
diD

de la diode ainsi obtenue.


2.3.8

Cascade CE/CC

VCC
RC

CC1
vout

RS
RL
vin
CE

R
I

VEE
Fig. 36 exercice 2.3.8
Le circuit de la figure 36 est un amplificateur `a deux etages constitue dun
montage emetteur commun en cascade avec un montage collecteur commun.
24

Les transistors Q1 et Q2 ont des caracteristiques identiques et fonctionnent


en mode actif normal. (VBE = 0.7 V).
On consid`ere dabord que R = 70 k.
1. Calculez le point de repos du transistor et les param`etres incrementaux
gm et r .
2. Determinez le gain en tension du montage dans la bande passante.
On consid`ere ensuite que R . Le point de polarisation est modifie et on
a r1 = 3.5 M et r2 = 23.6 k.
3. Estimez la frequence de coupure inferieure du montage.
Donn
ees :
RS = 100 k, RL = 10 k, RC = 9.1 k ;
condensateurs : CC1 = 1 F, CE = 10 F.
sources : I = 160 A, VCC = VEE = 3 V ;
transistors : 1 = 2 = 150, ro1 = ro2 , VBE1 = VBE2 = 0.7 V.

Transistors `
a effet de champ (FET)

3.1
3.1.1

Polarisation des FET


Polarisation dun MOSFET `
a canal n

D
+
V1

R2

+
S

V2

Fig. 37 exercice 3.1.1


Dans le circuit de la figure 37, comment doit-on choisir V1 afin dobtenir une
tension VDS = 6.2 V ? Dans quel mode de fonctionnement se trouve-t-on ?
Donn
ees : K = 2 mA/V2 et Vt = 1.5 V ; R2 = 4.7 k ; V2 = 10 V.

25

3.1.2

Polarisation dun MOSFET `


a canal n : exemple 2

On consid`ere le circuit de la figure 37 avec les donnees suivantes :


Vt = 2 V, V1 = 2.8 V, V2 = 12 V, R2 = 5.6 k.
Quelle est la plus grande valeur de K qui maintient le transistor en regime
de saturation ? Si K augmente au del`
a de cette valeur, dans quel regime le
transistor entre-t-il ?
3.1.3

Polarisation dun MOSFET `


a canal n : exemples 3 et 4

VDD = 5 V
RD = 1.5 k

Fig. 38 exercice 3.1.3


Quel est le regime de polarisation du MOSFET `a canal n de la figure 38, si
1. RD = 1.5 k ?
2. RD = 510 ?
Donn
ees : K = 0.5 mA/V2 et Vt = 2.5 V ; VDD = 5 V.
3.1.4

Polarisation dun miroir de courant

Le circuit de la figure 39 represente un miroir de courant `a transistors MOSFET.2


1. Dans quel regime le transistor Q1 est-il polarise ?
2. Que vaut VDS1 ?
2

Nous verrons son utilite dans un chapitre ulterieur.

26

VDD = 10 V
R1 = 10 k

R2 = 10 k

Fig. 39 exercice 3.1.4


3. Demontrez que le transistor Q2 est en regime de saturation et calculez
VDS2 .
Donn
ees : R1 = R2 = 10 k, K = 1.8 mA/V2 , Vt = 1.2 V.
3.1.5

Dissipation maximale dun MOSFET `


a canal n

VDD
RD = 1 k

+
V1 = 2 V

Fig. 40 exercice 3.1.5


Le fabricant du transistor du MOSFET de la figure 40 specifie une puissance
maximale dissipee egale `
a Pmax = 50 mW.
Quelle valeur maximale peut-on choisir pour VDD ?
Donn
ees : VGG = 2 V, RD = 1 k, K = 1 mA/V2 et Vt = 1 V.

27

3.1.6

Fiche technique dun MOSFET `


a enrichissement `
a canal n

La fiche technique du MOSFET `a enrichissement `a canal n de type 2N7008


indique ID (on) = 500 mA (minimum) `a VGS = 10 V et VGS (th) = 1 V (voir
fiche `
a lannexe A).
Determinez ID `
a VGS = 5 V.
3.1.7

Polarisation dun MOSFET par diviseur de tension

VDD = 12 V
R1 = 1 M

RD = 1 k

R2 = 2 M

RS = 5.1 k

Fig. 41 exercice 3.1.7


Determinez la polarisation du transistor de la figure 41.
resistances : R1 = 1 M, R2 = 2 M, RD = 1 k, RS = 5.1 k ;
transistor : K = 0.5 mA/V2 et Vt = 2 V.
3.1.8

Polarisation de transistors JFET

Les deux transistors JFET du circuit de la figure 42 ont des caracteristiques


identiques (IG = 0, IDSS = 4 mA et VP = 2 V).
Determinez ID et VGS1 et montrez que les deux transistors sont en regime
de saturation.

28

VDD = 10 V

Q1
Q2
VSS = 10 V
Fig. 42 exercice 3.1.8

VDD

Q2
Q1
Vin

Fig. 43 exercice 3.1.9

29

Vout

3.1.9

Charge active

Le circuit de la figure 43 utilise le transistor Q2 comme charge de lamplificateur inverseur que constitue le transistor Q1 .
Determinez la relation Vout = f (Vin ) si Q1 est polarise en saturation. Precisez
les conditions telles que Q1 soit en saturation (on suppose que K1 = K2 ).

3.2
3.2.1

Circuits FET damplification


Montage source commune

VSS = 20 V
R2 = 6.8 k
C1
G

vin

S
C2
D

R1 = 18 k

vout
RL = 10 k

RD = 1 k
Fig. 44 exercice 3.2.1
Dans lamplificateur `
a source commune de la figure 44, le MOSFET `a canal p
a les caracteristiques suivantes : K = 0.32 mA/V2 , Vt = 2.5 V, et r0 .
Determinez gm , rin , rout et le gain Av .
Donn
ees : R1 = 18 k, R2 = 6.8 k, RD = 1 k, RL = 10 k ; on
suppose que les condensateurs de couplage remplissent parfaitement leur
r
ole `
a la frequence du signal.
3.2.2

Montage `
a grille commune

Determinez le gain en tension, la resistance dentree et la resistance de sortie


du circuit de la figure 45.
30

VDD
RD
Vout
C
vin

RS

Fig. 45 exercice 3.2.2


3.2.3

Montage `
a drain commun

VDD = 5 V
RD
C
vin
Vout

RG
RS

VSS = 5 V
Fig. 46 exercice 3.2.3
Le MOSFET du montage `
a drain commun de la figure 46 a les caracteristiques
suivantes : MOSFET `
a enrichissement `a canal n, K = 0.4 mA/V2 , Vt = 1 V
et ro .
1. Determinez les valeurs de RS , RD et RG de facon telle que
la resistance dentree soit egale `a rin = 10 M,
la composante de polarisation du courant de drain soit egale `a ID =
0.1 mA,
31

le transistor soit polarise en regime de saturation avec une marge de


1 V.
2. Determinez le gain en tension du montage ainsi obtenu.

Amplificateurs diff
erentiels

4.1

Conception dun amplificateur diff


erentiel
VCC

RC

RC
vi1

Vo1

Vo2

vi2

RE

VEE
Fig. 47 exercice 4.1
On souhaite realiser lamplificateur differentiel de la figure 47 avec les caracteristiques suivantes :
1. Un gain en mode differentiel (`a sortie unique) de 34 dB,


vo2
= 34 dB ;

20 log10 |Ads2 | = 20 log10
vi1 vi2

32

2. une rejection du mode commun de 48 dB,



Ad
20 log10 s2
A



= 48 dB,

CM

o`
u

RC
2RE

ACM =

1. Etablissez lexpression litterale de Ads2 .


2. Determinez les valeurs de RC , RE et VEE qui realisent les conditions
ci-dessus.
Donn
ees : transistors assortis, avec 1 = 2 = 100 et et ro1 , ro2 ; T =
300 K, VCC = 15 V.
4.1.1

Amplificateur diff
erentiel `
a JFET

VDD = 15 V
RD1

RD2

Vout
vi2

vi1

VSS = 15 V
Fig. 48 exercice 4.1.1
Determinez lexpression litterale et la valeur numerique du gain en tension
en mode differentiel du circuit de la figure 48.
Donn
ees : transistors assortis (caracteristiques identiques) : VP = 2 V,
IDSS = 4 mA, ro ; RD1 = RD2 = 4 k ; VDD = 15 V, VSS = 15 V.
33

Fig. 49 exercice 4.1.2


4.1.2

Amplificateur `
a trois
etages

Le circuit de la figure 49 represente un amplificateur `a trois etages.


1. Determiner les courants de polarisation de chaque collecteur.
2. Determiner le gain en tension
vout
.
Av =
v+ v
Donn
ees : = 100.
4.1.3

Amplificateur diff
erentiel en polarisation de base

Le montage de la figure 50 represente un amplificateur differentiel. Les deux


transistors ont des caracteristiques identiques et sont tous les deux polarises
en mode actif normal. On suppose en outre que les condensateurs de couplage
remplissent idealement leur r
ole.
1. Quel est le r
ole joue par les resistances RB ? Expliquez comment ces
resistances affectent le gain du mode differentiel.
34

Fig. 50 exercice 4.1.3


2. Calculez les points de repos des transistors : determinez les composantes de polarisation VB , VC et VE , ainsi que les courants IC , IB
et IE . Commentez la qualite de cette polarisation.
3. Determinez le gain en tension en mode differentiel (`a sortie differentielle).
4. Comment, en modifiant les valeurs de certains elements, peut-on augmenter le gain en tension en mode differentiel ? Peut-on lajuster `a une
valeur aussi grande quon le souhaite ?
Donn
ees :
resistances : RB = 1.2 M, RC = 7 k, RE = 800 ;
transistors : caracteristiques identiques, = 100 ;
tension dalimentation : VCC = 15 V.

4.2
4.2.1

Sources de courant
Source de courant `
a BJT

Le circuit de la figure 51 est une source de courant.


1. Determinez le courant de polarisation IE debite par la source ainsi
que la resistance petit-signal (Req ) vue au travers du collecteur du
35

Fig. 51 exercice 4.2.1


transistor. Pour calculer cette derni`ere, on negligera la chute de tension
aux bornes de RE par rapport `a VCE , mais on tiendra compte du
courant petit-signal traversant RE .
2. Quelle condition la tension VE doit-elle satisfaire pour que ce circuit
fonctionne comme source de courant ?
Donn
ees : ro = 25 k, R1 = 1 k, R2 = 4.7 k et = 75.
4.2.2

Source de courant de Widlar

Le circuit de la figure 52 est une source Widlar qui permet de debiter un


courant Io inferieur au courant de la branche de reference, IREF .
1. Etablissez, `
a partir de la relation grand signal
IC IS e

VBE
VT

(MAN),

une relation entre Io et IREF .


2. Determinez les valeurs de R2 et de R3 telles que IREF = 1 mA et
Io = 10 A.
Donn
ees : transistors assortis (caracteristiques identiques), VT = 25 mV
et , valeur de polarisation : IC = 1 mA pour VBE = 0.7 V.
36

Fig. 52 exercice 4.2.2

Etages de sortie

5.1

Etage de sortie de classe AB

Le circuit de la figure 53 represente un etage de sortie de type AB.


1. Determinez les composantes de polarisation des tensions VC1E1 et
VE2C2 .
2. Determinez les valeurs de crete de la tension et du courant de sortie.
3. Determinez la puissance maximale delivree au signal de sortie.
4. Determinez la puissance moyenne delivree par la source de tension
VCC .

6
6.1

Effets fr
equentiels
Bande passante dun amplificateur

37

Fig. 53 exercice 5.1

Fig. 54 exercice 6.1

38

La figure 54 represente le schema equivalent petit-signal dun amplificateur.


Celui-ci est couple capacitivement au signal dentree vin et alimente une
charge representee par la mise en parall`ele dune resistance RL et dun condensateur CL .3
Etablissez lexpression du gain en tension


vout (j)


Av =
v (j)
in

et esquissez-en lallure sur un diagramme donnant 20 log 10 Av en fonction de


la frequence f (diagramme de Bode).
Donn
ees : RS = 1 k, C1 = 1 F, rin = 100 k, rout = 10 , Avo = 20,
RL = 1 k, CL = 5 pF.

6.2

Fr
equence de coupure inf
erieure dun montage
emetteur
commun

Fig. 55 exercice 6.2


Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la frequence
de coupure inferieure du circuit de la figure 55.
Donn
ees :
3

Ce dip
ole est un mod`ele electrique dune sonde coaxiale doscilloscope. La partie capacitive modelise le condensateur forme par les conducteurs central et peripherique, separes
par une couche isolante de polyethyl`ene.

39

resistances : RS = 1 k, RB = 1 M, RC = 5.1 k, RL = 1 M ;
condensateurs : CS = CC = 10 F, CL = 14 pF ;
source de tension : VCC = 12 V ;
transistor : = 100 et ro .

6.3

Fr
equence de coupure inf
erieure dun montage drain commun

Fig. 56 exercice 6.3


Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la frequence
de coupure inferieure du circuit de la figure 56.
Donn
ees :
resistances : RG = 10 M, RD = 10 k, RL = 9.2 M ;
condensateurs : C1 = C2 = 1 pF ;
source de tension : VDD = 10 V ;
transistor : Vt = 2 V, K = 0.125 mA/V2 , ro .

6.4

Fr
equence de coupure inf
erieure dun
emetteur commun
avec condensateur de d
erivation

Calculez le gain en tension dans la bande passante et estimez la frequence


de coupure inferieure du circuit de la figure 57.
Donn
ees : on a = 100 et ro . Un calcul de polarisation donne : gm =
62.5 mS.
40

+VCC=10 V
RC=2,2 k

R1
=62 k

vout

C1 = 0.1 F
RS=
600
Vin

Q1
R2=
22 k

C3= 0.1 F

RE=
1 k

+
-

RL
=10 k

C2 = 10 F

Fig. 57 exercice 6.4


6.4.1

Fr
equence de coupure inf
erieure dun amplificateur `
a JFET

Le JFET de la figure 58 est polarise dans sa region de courant constant.


On souhaite choisir les capacites de facon `a fixer la frequence de coupure
inferieure (coupure `
a -3 dB) du circuit `a fL =100 Hz. On demande de :
1. Determiner les frequences de coupure associees `a chacun des condensateurs CC1 , CC2 et CS .
2. Discuter un choix de CC1 , CC2 et CS permettant dobtenir fL =
100 Hz. On sassurera que les frequences de coupure non dominantes
sont au moins une decade en dessous de fL .
Donn
ees :
resistances : R = 100 k, RG1 = 1, 4 M, RG2 = 0, 6 M, RD = 5 k,
RS = 3, 5 k, RL = 10 k ;
transistor : ro ; le point de polarisation est connu, on a gm = 4 mS.

41

Fig. 58 exercice 6.4.1

42

Fiches techniques
1. Transistor MOSFET 2n7008

43