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EL DIODO HISTORIA

Aunque el diodo semiconductor de estado slido se populariz antes del diodo


termoinico, ambos se desarrollaron al mismo tiempo. En 1873 Frederick
Guthrie descubri el principio de operacin de los diodos trmicos. Guhtrie
descubri que un electroscopio cargado positivamente podra descargarse al
acercarse una pieza de metal caliente, sin necesidad de que ste lo tocara. No
suceda lo mismo con un electroscopio cargado negativamente, reflejando esto
que el flujo de corriente era posible solamente en una direccin.
Independientemente, el 13 de febrero de 1880 Thomas Edison re-descubre el
principio. A su vez, Edison investigaba por qu los filamentos de carbn de las
bombillas se quemaban al final del terminal positivo. l haba construido una
bombilla con un filamento adicional y una con una lmina metlica dentro de la
lmpara, elctricamente aislada del filamento. Cuando us este dispositivo,
confirm que una corriente fluia del filamento incandescente a travs del vaci a la
lmina metlica, pero esto slo suceda cuando la lmina estaba conectada
positivamente. Edison dise un circuito que reemplaza la bombilla por un resistor
con un voltmetro de DC. Edison obtuvo una patente para este invento en 1884.
Aparentemente no tena uso prctico para esa poca. Por lo cual, la patente era
probablemente para precaucin, en caso de que alguien encontrara un uso al
llamado Efecto Edison. Aproximadamente 20 aos despus, John Ambrose
Fleming (cientfico asesor de Marconi Company y antiguo empleado de Edison) se
dio cuenta que el efecto Edison podra usarse como un radio detector de precisin.
Fleming patent el primer diodo termoinico en Gran Bretaa el 16 de noviembre
de 1904. En 1874 el cientfico alemn Karl Ferdinand Braun descubri la
naturaleza de conducir por una sola direccin de los cristales semiconductores.
Braun patent el rectificador de cristal en 1899. Los rectificadores de xido de
cobre y selenio fueron desarrollados para aplicaciones de alta potencia en la
dcada de los 1930. El cientfico indio Jagdish Chandra Bose fue el primero en
usar un cristal semiconductor para detectar ondas de radio en 1894. El detector de
cristal semiconductor fue desarrollado en un dispositivo prctico para la recepcin
de seales inalmbricas por Greenleaf Whittier Pickard, quin invent un detector
de cristal de silicio en 1903 y recibi una patente de ello el 20 de noviembre de
1906. Otros experimentos probaron con gran variedad de sustancias, de las
cuales se us ampliamente el mineral galena. Otras sustancias ofrecieron un
rendimiento ligeramente mayor, pero el galena fue el que ms se us porque tena
la ventaja de ser barato y fcil de obtener. Al principio de la era del radio, el
detector de cristal semiconductor consista de un cable ajustable (el muy

nombrado bigote de gato) el cual se poda mover manualmente a travs del cristal
para as obtener una seal ptima. Este dispositivo problemtico fue rpidamente
superado por los diodos termoinicos, aunque el detector de cristal semiconductor
volvi a usarse frecuentemente con la llegada de los econmicos diodos de
germanio en la dcada de 1950.
En la poca de su invencin, estos dispositivos fueron conocidos como
rectificadores. En 1919, William Henry Eccles acu el trmino diodo del
griego dia, que significa separado, y ode (de ), que significa camino.
Diodo semiconductor
El diodo semiconductor es el dispositivo semiconductor ms sencillo y se puede
encontrar, prcticamente en cualquier circuito electrnico. Los diodos se fabrican
en versiones de silicio (la ms utilizada) y de germanio. Los diodos constan de dos
partes, una llamada N y la otra llamada P, separados por una juntura
llamada barrera o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo de
germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Principio de operacin de un diodo
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y
el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta de electrones)
Cuando una tensin positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los
electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a travs
del material P mas all de los lmites del semiconductor. De igual manera los
huecos en el material P son empujados con una tensin negativa al lado del
material N y los huecos fluyen a travs del material N. En el caso opuesto, cuando
una tensin positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en
el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado
P. En este caso los electrones en el semiconductor no se mueven y en
consecuencia no hay corriente
Polarizacin directa
Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del
diodo), o sea del nodo al ctodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con
mucha facilidad comportndose prcticamente como un corto circuito.
Polarizacin inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la
flecha del diodo), o sea del ctodo al nodo. En este caso la corriente no atraviesa
el diodo, y se comporta prcticamente como un circuito abierto.

Nota: El funcionamiento antes mencionado se refiere al diodo ideal, sto quiere


decir que el diodo se toma como un elemento perfecto (como se hace en casi
todos los casos), tanto en polarizacin directa como en polarizacin inversa.

Tipos de diodos
Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin,
podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la
caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en
sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a
un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de
tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en
dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente
invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como
dispositivos reguladores de tensin.
Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad
variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la
de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada.
Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de
receptores de radio en FM.
Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo
que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo
corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que
se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy
poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor
tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse
cuando se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.
Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se
comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior
generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el
ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.
Construccin del diodo
En la construccin del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales
semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material
es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partculas

negativas (electrones). El otro material es del mismo tipo semiconductor con la


diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Cuando se aplica un
voltaje de paralizacin directa (voltaje de corriente directa) la regin inica en la
unin se reduce y los portadores negativos en el material tipo n pueden superar la
barrera negativa restante iones positivos y continuar su camino hasta el potencial
aplicado.
Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres;
germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, el silicio ha reemplazado al
germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la
operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores.
El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y
microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de
tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica
esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se
debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se
comporta como un diodo.
Efectos de la temperatura en un diodo
Los dispositivos semiconductores son muy sensibles a la temperatura, de forma
que la mayora de las uniones de las uniones N y P no pueden resistir una
temperatura superior a la mxima, que en los semiconductores de silicio es de
200 C. Antes de llegar a esta temperatura empiezan a perder sus caractersticas,
aumentan las corrientes en sentido contrario a las deseadas. Por ejemplo, un
diodo tiene que conducir en un sentido y no en el opuesto. Pues bien cuando la
temperatura aumenta, la corriente en sentido inverso va aumentando
progresivamente, de forma que el diodo va perdiendo su eficacia. Tambin hay un
lmite por temperatura demasiado baja, que por el contrario afecta a la conduccin
en
sentido
favorable.
Como los semiconductores son elementos que presentan resistencia al paso de la
corriente se calientan mientras funcionan, con lo cual su temperatura puede subir
demasiado. Por ello se les tiene que refrescar, dando al calor generado una salida
hacia el ambiente. Este es el propsito de las aletas radiadores y los ventiladores.