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Proteo de linhas de transmisso com compensao srie

ATITUDE EDITORIAL

Edio 43, Agosto de 2009

Por Jos Ricardo da Mata Soares de Souza e Rogrio Tuma 17 de Setembro de 2009
Proteo de linhas de transmisso com compensao srie
Anlise complementar do comportamento do algoritmo proposto
As linhas de transmisso com compensao srie sempre foram um dos maiores desafios da engenharia de proteo de sistemas eltricos. Fenmenos como as inverses de tenso e de corrente afetam
a discriminao da direo para faltas em que o banco de capacitores est em operao, ou seja, quando as protees do banco de capacitores ("gaps" e MOVs) no atuam, comprometem o
desempenho dos rels de distncia, direcionais de sobrecorrente e at mesmo dos rels diferenciais utilizados para proteger a linha de transmisso em questo. Com o intuito de buscar uma soluo
mais abrangente para estes problemas, este trabalho emprega o argumento da razo das tenses frente e atrs do banco de capacitores para obter a direcionalidade necessria.

O presente trabalho tem por objetivo avaliar o efeito dos seguintes fatores no comportamento do mtodo proposto:

Atuao das protees do banco de capacitores srie ("gaps" e MOVs);

Reduo significativa da tenso para curtoscircuitos francos frente do banco de capacitores;
Inverso de corrente que ocorre quando a reatncia indutiva equivalente atrs do banco menor do que a sua reatncia capacitiva.
Para a anlise do mtodo durante essas condies sero realizadas diversas simulaes computacionais com o auxlio do software ATP ("Alternative Transient Program"). Essas simulaes sero
posteriormente submetidas ao algoritmo proposto implementado com o auxlio do software SCILAB.

A compensao srie um recurso muito utilizado para aumentar a capacidade de transmisso de energia das linhas de transmisso. Somente no Sistema Interligado Nacional (SIN) existem mais de 40
bancos de capacitores srie, entre fixos e controlados, todos instalados nos terminais de suas respectivas linhas de transmisso.
Entretanto, a utilizao deste recurso tem um grande impacto na complexidade dos sistemas de proteo. Dentre os fenmenos relacionados com a compensao srie que afetam a proteo podemos
destacar os seguintes:
*Inverso de tenso Quando ocorre uma falta com resistncia elevada, prxima ao banco de capacitores, de maneira que a reatncia entre o rel e o ponto de falta tem caracterstica capacitiva, a
tenso na barra se comporta como se o curtocircuito tivesse ocorrido atrs do rel. Este problema, no entanto, pode ser facilmente resolvido instalandose os transformadores de potencial frente do
banco de capacitores.
*Inverso de corrente Em alguns casos, quando ocorre uma falta prxima ao banco de capacitores, a reatncia equivalente total vista a partir ponto de falta apresenta caracterstica capacitiva.
Nesses casos, a corrente que se inverte afetando direcionalidade do rel. Embora diversos estudos recomendem que este fenmeno seja evitado por aes de planejamento, isso pode no ocorrer de
fato. Para verificar tal afirmao, foram calculadas as impedncias equivalentes vistas a partir dos terminais de diversas linhas de transmisso compensadas do SIN, com o auxlio do programa
ANAFAS/SAPRE, a partir da Base de Dados de Curtocircuito do Operador Nacional do Sistema (ONS). De 41 bancos analisados, em 18 deles a reatncia indutiva equivalente da fonte era menor do que a
reatncia capacitiva do banco. Nestes casos, a inverso da corrente ir ocorrer durante curtoscircuitos prximos aos bancos de capacitores. Outro aspecto relacionado a este fenmeno, que em
curtoscircuitos prximos ao banco de capacitores, os gaps e MOVs que protegem o banco de capacitores podem atuar, retirando o banco de operao. A atuao das protees do banco pode no
ocorrer para faltas de alta impedncia, que tambm podem ocorrer.
*Ressonncia subsncrona Durante uma falta em uma linha de transmisso compensada surgem componentes de diversas frequncias, em funo dos diversos modos de ressonncia que podem
ocorrer. A maior parte das componentes so subsncronas, ou seja, suas frequncias naturais so inferiores frequncia fundamental. As frequncias subsncronas fazem os fasores medidos pelos rels
digitais se aproximarem da soluo final por meio de espirais, que so to maiores quanto a magnitude destas componentes. Estas espirais podem induzir os rels a erros, que vo desde sobrealcance a
erros de direcionalidade quando a falta ocorrer muito prxima ao banco.
*Desbalano das impedncias de fase Existem duas maneiras de se protegerem os bancos de capacitores contra sobretenses: por meio de "gaps" (ou centelhadores) ou por MOVs (ou varistores).
Quando estes elementos atuam apenas em uma das fases, o sistema fica desequilibrado, o que pode comprometer o desempenho das protees. Uma maneira de se resolver este problema retirar
todo o banco de capacitores do sistema, quando um destes elementos atua, por meio de disjuntores de bypass e s depois disso permitir a atuao das protees. Entretanto, isso pode levar o tempo
de eliminao de defeitos a valores inaceitveis. Diversos trabalhos tentaram resolver este problema utilizando diferentes recursos, como tcnicas de proteo adaptativa e PMU (Phasor Measurements
Units) dentre outras. A despeito desses mtodos, as tcnicas conhecidas at o presente momento, de uma forma geral, funcionam adequadamente apenas em situaes bastante particularizadas, pois
no resolvem o cerne do problema que a direcionalidade. Com o objetivo de buscar uma soluo mais abrangente para este problema, os autores deste trabalho propuseram uma tcnica inovadora
que utiliza o argumento da razo das tenses frente e atrs do banco de capacitores para obter a direcionalidade necessria.
O presente trabalho tem por objetivo avaliar o efeito dos seguintes fatores em seu comportamento:
Atuao das protees do banco de capacitores srie (gaps e MOVs);
Reduo significativa da tenso para curtoscircuitos francos frente do banco;
Inverso de corrente que ocorre quando a reatncia indutiva equivalente atrs do banco menor do que a sua reatncia capacitiva.
Para a anlise do comportamento do mtodo durante essas condies sero realizadas diversas simulaes computacionais com o auxlio do software ATP (Alternative Transient Program). Essas
simulaes sero posteriormente submetidas ao algoritmo proposto implantado com o auxlio do software SCILAB. Para uma melhor avaliao dos resultados obtidos pelas simulaes, ser utilizado o

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plano ?. Este recurso, geralmente utilizado para a anlise de protees diferenciais, pode ser utilizado para a investigao do comportamento de qualquer rel de proteo que compare duas
grandezas fasoriais para definir sua caracterstica de operao. Neste caso, as grandezas comparadas sero as tenses frente e atrs do banco de capacitores srie.
DESCRIO DO MTODO

Figura 1 Circuito equivalente monofsico para estudo: a) situao normal, b) curtocircuito frente do banco de capacitores e c) curtocircuito atrs do banco de capacitores
O circuito mostrado na Figura 1a representa uma linha de transmisso com compensao reativa srie. U1 e U2 so as fontes equivalentes (1 pu @ 0 graus), R1 e R2 so as resistncias das impedncias
equivalentes e XL1 e XL2 so as reatncias indutivas das impedncias equivalentes vistas pelos terminais do capacitor e XC a reatncia capacitiva do capacitor.
Para uma falta trifsica franca na linha frente do capacitor, o circuito pode ser reduzido ao circuito da Figura 1b.
Os valores dos equivalentes R2 e XL2 so diretamente proporcionais distncia da falta. Neste caso, a corrente e as tenses e as tenses valem:

A impedncia equivalente R1 + j.XL1 depende de diversos fatores, como topologia da rede no instante do curtocircuito; a condio ideal aquela em que a varivel utilizada para definir a direo da
falta no dependa deste valor, dependa somente da impedncia vista pelo rel. A razo entre V1 e V2 possui esta caracterstica, pois vale:

No plano ?, esta equao obtida corresponde a uma reta de inclinao (90 ? L1) que corta o ponto (1,0). O plano ? um artifcio proposto por Warrington (ver bibliografia) para auxiliar a anlise do
comportamento de rels de proteo que comparem duas grandezas de natureza complexa para definir sua caracterstica de operao.
As setas vermelhas da Figura 2 mostram como essa relao se comporta no plano ? medida que a falta se afasta do banco de capacitores. Esta figura foi obtida por meio de uma simulao
computacional feita pelo programa SciLab.

Figura 2 Lugar geomtrico da razo V1/V2 no plano ? para faltas frente do banco de capacitores e faltas atrs do banco de capacitores

Para faltas trifsicas atrs do banco, no entanto, o circuito equivalente fica reduzido ao mostrado na Figura 1c. Neste caso, podese deduzir que:

No plano ?, esta equao corresponde a uma elipse que toca a origem e cujos focos esto situados sobre uma reta paralela ao eixo imaginrio. Da mesma forma, as setas azuis da Figura 2 mostram
como essa relao se comporta no plano ?? medida que a falta se afasta do banco de capacitores.
Com base nos lugares geomtricos para as faltas da Figura 2, podese definir uma regio de atuao. Da maneira com que o mtodo foi abordado no trabalho inicial, esta regio de atuao foi
definida como o mostrado na Figura 3.

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Figura 3 Caracterstica de operao proposta inicialmente no plano ?

COMPORTAMENTO PARA FALTAS DESEQUILIBRADAS
As mesmas dedues feitas para as faltas trifsicas foram feitas tambm para faltas desequilibradas. Para um curtocircuito monofsico frente do banco, por exemplo, podese verificar que a razo
entre V1 e V2 na fase faltosa vale:

E para um curtocircuito monofsico atrs do banco:

Podese verificar que o comportamento semelhante ao caso trifsico. Uma deduo semelhante pode ser feita para as faltas bifsicas utilizandose as tenses fasefase.
COMPORTAMENTO DO MTODO FRENTE A FATORES EXTERNOS
Resistncia de falta
Existem dois tipos de resistncias que podem aparecer em uma falta: a resistncia de arco e a resistncia de contato. A resistncia de arco, como o prprio nome diz, aquela referente ao arco
eltrico (flashover) formado pelo curtocircuito. H diversas referncias na literatura para o clculo desta resistncia. Para uma linha de transmisso de 500 kV, por exemplo, elas apresentariam um
valor inicial bem baixo (entre 1 ? e 2 ?), mas medida que, por exemplo, o vento aumenta o comprimento do arco, este valor pode aumentar consideravelmente.
A resistncia de contato, no entanto, depende de diversos fatores como a natureza do curtocircuito e a resistividade do solo. Em caso de curtoscircuitos envolvendo rvores, por exemplo, esta
resistncia pode assumir valores superiores a 50?.
Quando existe uma resistncia de falta, h uma modificao no lugar geomtrico das faltas no plano ?. As setas alaranjadas e violetas da Figura 4 mostram o comportamento das faltas frente e atrs
do banco de capacitores com resistncia de falta, respectivamente.

Figura 4 Caracterstica de operao proposta inicialmente no plano ?

Podese verificar, ento, que os curtoscircuitos com resistncia de falta esto cobertas pela regio de atuao inicial.
Faltas francas prximas ao banco de capacitores
Durante faltas francas prximas ao banco de capacitores, o mdulo da tenso, no ponto de falta, fica bastante reduzido. Isso pode impossibilitar o clculo dos fasores fundamentais pelo rel. Este
problema, no entanto, pode ser resolvido definindo um valor mnimo de tenso para que o rel tenha sensibilidade. O ponto que vier a apresentar uma tenso abaixo deste valor pode ser considerado
um ponto de falta. Desta forma, poderia ser implementada uma lgica conforme a apresentada na Figura 5.

Figura 5 Lgica proposta para evitar atuaes incorretas devido ausncia de tenso durante faltas francas prximas ao banco
Inverso de corrente
A inverso de corrente um fenmeno que ocorre quando a reatncia indutiva equivalente do sistema atrs do banco de capacitores tem o mdulo menor do que a reatncia capacitiva do banco de
capacitores. Neste caso, as correntes passam a fluir no sentido inverso. Como o mtodo proposto se baseia em tenses, ele imune ocorrncia de inverses de corrente. Alm disso, na formulao
proposta, no so utilizadas a impedncias equivalentes dos sistemas.
Inverso de tenso
A inverso de tenso um fenmeno inerente do sistema e que sempre ir ocorrer quando a reatncia indutiva do trecho da linha de transmisso entre o banco de capacitores e o ponto de falta tiver o
mdulo menor do que a reatncia capacitiva do banco de capacitores. Este caso j est coberto pela simulao apresentada na Figura 2 e nas dedues elaboradas.
SIMULAES COMPUTACIONAIS
Para verificar o comportamento do mtodo proposto, foram realizadas diversas simulaes com o auxlio do programa ATP. O sistema utilizado nas simulaes mostrado na Figura 6. Os parmetros das
linhas e dos bancos de capacitores foram obtidos de um caso semelhante real do SIN a partir da base de dados do ONS. Os equivalentes foram calculados pelo programa SAPRE/ANAFAS, desenvolvido
pelo CEPEL.

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Figura 6 Circuito montado no ATP para simulao do mtodo proposto

A Figura 7 mostra o resultado de duas simulaes: uma frente e outra atrs do rel. Como pode ser visto, os valores obtidos so condizentes com os esperados. Em outras palavras, para um curto
circuito frente do banco de capacitores, a razo V1/V2 se deslocou no plano alfa para o semiplano inferior (3 ou 4 quadrante) e para um curto atrs do banco de capacitores, se deslocou para o
semiplano superior (1 ou 2 quadrante). Os fasores fundamentais foram estimados a partir do filtro de Fourier de 1 ciclo com 32 amostras por ciclo.
Entretanto, a Figura 7 mostra tambm as oscilaes subsncronas podem fazer a trajetria da razo V1/V2 passar pelo semiplano oposto antes de convergir para a soluo correta. Uma forma de se
minimizar este fenmeno por meio da filtragem dos sinais. No entanto, a maioria dos rels disponveis no mercado utiliza filtros que no so imunes a essas oscilaes, como o de Fourier ou o filtro
Cosseno.
Outra forma de resolver este problema seria por meio de lgica. A Figura 8 mostra um caso caracterstico em que a trajetria da razo V1/V2 passa pelo semiplano oposto por duas vezes. Pelas
aproximaes apresentadas na Figura 8b podese constatar, no entanto, que a permanncia no semiplano no desejado se d por no mximo 10 amostras. Como a taxa de amostragem de 32
amostras por ciclo, isso equivale a 0,31 ciclos, ou 5,2 ms. Dentre todas as simulaes realizadas, este foi o maior tempo observado. Desta maneira, se for implementada uma lgica que temporize o
sinal por aproximadamente ciclo antes de efetuar mudana de direo, esperase que este problema seja dirimido.

Figura 7 Planos RX e planos alfa obtidos a partir da simulao de um curtocircuito monofsico na fase A (a) imediatamente frente e (b) imediatamente atrs com resistncias de falta de 20 ?.

Figura 8 (a) Trajetria da razo V1/V2 no plano alfa para um curtocircuito monofsico franco imediatamente atrs do banco de capacitores e (b) aproximao das regies em que a trajetria
passa pelo semiplano oposto
Outro ponto importante de se observar o fato dos MOVs conduzirem, ainda que parcialmente, protegendo o banco. Em nenhum dos casos simulados isso comprometeu a eficcia do mtodo.
CONCLUSES
Os resultados das simulaes mostraram a possibilidade de aplicao prtica da tcnica proposta. Alm disso, com o artifcio proposto de se usar uma lgica utilizando um temporizador, podem ser
utilizados os rels de distncia disponveis no mercado para se implantar esta tcnica, desde que estes rels possuam:
2 entradas trifsicas de tenso;
Flexibilidade para a implantao da lgica do mtodo pelo usurio;
Memria suficiente para a implementao da lgica do mtodo pelo usurio (6 unidades AT, BT, CT e AB, BC e CA).
Para a utilizao deste mtodo, no entanto, seriam necessrios dois conjuntos de transformadores de potencial por terminal de linha, enquanto o usual utilizar apenas um conjunto. Isso, obviamente,
resultaria em um maior custo para o sistema de proteo. Entretanto, para que seja feita uma anlise de viabilidade econmica mais criteriosa, deve ser levada em conta a robustez da tcnica
proposta, que dificilmente ir permitir que o rel atue indevidamente e dificilmente deixar de atuar para uma falta frente do banco de capacitores. Somandose isso ao advento da parcela varivel
(PV), que uma multa proporcional ao tempo de desligamento de linhas de transmisso, razovel aceitar este pequeno incremento no investimento total de uma obra de uma linha de transmisso
compensada.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
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TUMA, R. W. A.; SOARES DE SOUZA, J. R. M. Um novo mtodo para a proteo de linhas de transmisso com compensao srie. XII Encontro Regional Iberoamericano do CIGRE , Foz do Iguau, Maio
2007.
WARRINGTON, A. R. C. Protective Relay Their Theory and Pratice, Volume I, Chapman & Hall LTD, Londres, 1962.
ANDERSON, P. M. Power System Protection, Mc Graw Hill e IEEE Press, Nova Iorque, 1999.
CARDOSO Jr., G.; DUTRA, R. A.; SANTOS, L. F. Solues de aplicaes de sistemas de proteo de distncia em linhas com compensao srie. VIII STPC, Rio de Janeiro, Jul. 2005.
ORDACGI F. J. M.; MORAES, R. M.; SOLLERO, R. B. Aspectos de discriminao da direcionalidade de protees de linhas com compensao srie, VIII STPC, Rio de Janeiro, Jul. 2005.
GONALVES, D. N. Desempenho do rel de distncia em linhas de transmisso compensadas com TCSC, Dissertao de Mestrado, COPPE/UFRJ, Rio de Janeiro, Set. 2007.
ALTMAN, E.; MAGRIN, F.; BRITO, K.; MAEZONO, P. K.; MARIA, V. A. S. M. Curtocircuito de altssima resistncia de falta em linha de transmisso de 525 kV um relato de caso, IX STPC, Belo Horizonte,
Jun. 2008.
SOARES DE SOUZA, J. R. M.; TUMA, R. W. A. Utilizao de um novo algoritmo para estimao dos fasores fundamentais em linhas de transmisso com compensao srie aplicao na localizao de
faltas, IX STPC, Belo Horizonte, Jun. 2008.

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Westinghouse Electric Corporation, Applied Protective Relaying, Flrida, USA, 1979.

Joo Ricardo Soares de Souza engenheiro eletricista e engenheiro de proteo de sistema eltricos da Companhia Paranaense de Energia (Copel).
Rogrio Tuma engenheiro eletricista, mestre em Engenharia Eltrica em Sistemas de Potncia e gerente da rea de proteo do sistema eltrico da Companhia Paranaense de Energia (Copel).
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