Вы находитесь на странице: 1из 16

PROCESO DE FABRICACIN

DEL MICROPROCESADOR

PRIMERA PARTE
Aunque no nos demos cuenta estamos rodeados posiblemente ante el
invento mas revolucionario en los ltimos 50 aos.
Esta en los aparatos como televisin y estereos,coches,semaforos y en casi
todos los electrodomsticos de nuestra cocina.

Desarrollar estas extraordinarias mentes electrnicas en miniatura es uno de


los trabajos mas complejos que nunca se han hecho.

EN DONDE SE FABRICAN?
En Sherman 30 km al norte de dalas se encuentra las instalaciones de
fabrica MEMC

LAMINAS DE SILICIO
Primero se fabrican las laminas de silicio que son las bases de todos los
microchips modernos
Silicio: Elemento qumico de nmero atmico 14, masa atmica 28,086 y
smbolo Si ; es un no metal slido, de color amarillento, que se extrae del
cuarzo y otros minerales y es el segundo elemento ms abundante en la
Tierra despus del oxgeno; se utiliza en la industria del acero como
componente de las aleaciones de silicio y acero, en la fabricacin de
transistores y circuitos integrados, y sus silicatos, en la fabricacin de vidrio,
barnices, esmaltes, cemento, porcelana, etc.

Esto significa que dependiendo como el silicio sea tratado puede conducir
o bloquear la energa elctrica. Es esta la propiedad lo que lo hace
perfecto como soporte para los millones de diminutos transistores necesarios
para hacer un microprocesador moderno.
El problema es que como los transistores son tan pequeos la base de silicio
en donde descansan tiene que ser totalmente perfecta se llevo dcadas
perfeccionar el proceso de produccin de silicio con una estructura mono
cristalina perfecta.

Se empieza con silicio poli cristalino o poli silicio que se calienta a 1400 C ,
dentro de un horno especial sellado, estos hornos se purgan con gas argn
para eliminar el aire.
El lago de silicio fundido que obtenemos se hace girar en un crisol, entonces
se introduce un cristal de silicio para que actu como semilla.
Este cristal tiene las dimensiones y la forma de un lpiz y gira en direccin
contraria, mientras el el silicio fundido se va enfriando el cristal se va
separando a razn de un milmetro y medio.
El resultado es un cristal de silicio que pesa 200 kg y tiene un dimetro de
unos 200 mm.

CORTAR EL SILICIO
Somete en una cortadora de lonchas de silicio

Cada lamina tiene 2/3 de milmetro de espesor y una pureza del


99,999999 %.
Despus de haber sido cortadas se viene un proceso de pulido que se llama
labrado

PULIDO QUMICO
Incluso despus de pasar por esa moderna pulidora las laminas necesitan
un pulido por que no estn lo suficientemente lisas, se pulen de nuevo pero
ahora con un proceso qumico.

El resultado son obleas de silicona con una superficie de rugosidad inferior a


0,1 nanmetro

DISEO DEL CIRCUITO

Colocar millones de transistores sobre estas pequeas laminas es el trabajo


de fabricantes.
Jack Kilby: Cre en 1958 el primer circuito integrado, en el que todos los
componentes constituan una sola pieza de material semiconductor de
tamao microscpico. Esos circuitos integrados llevaron a la creacin
de microprocesadores que forman parte de casi todos los aparatos
digitales, desde las televisiones, hasta los hornos microondas, pasando por
las radios a transistores y los ordenadores. A lo largo de su carrera como
ingeniero, Kilby concibi ms de 60 inventos, entre ellos la calculadora
electrnica de bolsillo, aunque su ms valiosa contribucin fue haber
diseado el microchip.

Hoy en da la ultima generacin usa mil millones de transistores

Вам также может понравиться