UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERIAS FISICAS Y FORMALES

PROGRAMA PROFESIONAL DE MECANICA, MECANICA-ELECTRICA Y
MECATRONICA

INFORME LAB 3 BJT

CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS
Grupo: 3
ALUMNO:
CANDIA CHIRE BRYAN MIGUEL
VAZQUEZ EGUILUZ RENZO
NUEZ SERGIO
HANCCO YUCRA ALDO GUSTAVO
MANRIQUE VERA ALBERTO
2016
V SEMESTRE

Marco terico:
Definicin:
Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los
tres electrodos principales son emisor, colector y base. La conduccin
entre estos electrodos se realiza por medio de electrones y huecos. El
germanio y el silicio son los materiales ms frecuentemente utilizados
para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los
transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los
antiguos tubos electrnicos, incluyendo la ampliacin y la
rectificacin,
con
muchsimas
ventajas.
Elementos de un transistor o transistores:

EMISOR: que emite los portadores de corriente, (huecos o

electrones). Su labor es la equivalente al CATODO en los tubos de
vaco o "lmparas" electrnicas.
BASE: que controla el flujo de los portadores de corriente. Su
labor es la equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o
"lmparas" electrnicas.
COLECTOR: que capta los portadores de corriente emitidos por
el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco
o "lmparas" electrnicas.
Ventajas de los transistores electrnicos
El consumo de energa es sensiblemente bajo.
El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los
tubos de vaco.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede
permanecer
mucho tiempo en
depsito
(almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la
foto sensibilidad.

El Transistor Bipolar o BJT

El transistor bipolar es el ms comn de los transistores, y como los

diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la direccin del flujo
de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grfico
de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes
nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el
emisor, con la patilla que tiene la flecha en el grfico de transistor.
El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si
le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas
(base), el entregar por otra (emisor), una cantidad mayor a sta, en
un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama b (beta) y
es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de
amplificacin) por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = * Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que
Ic, slo que, la corriente en un caso entra al transistor y en el otro
caso sale de l, o viceversa.

CUESTIONARIO PREVIO
1. Qu tipos de transistores existen segn su tecnologa de
fabricacin? Explique.
Existen varios tipos de transistores entre los que tenemos transistor de
contacto puntual, transistor de unin bipolar y transistor de efecto
campo.

Transistor de contacto puntual, fue el primer transistor capaz de

obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter
Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para
entonces mejor conocido que la combinacin cobre-xido de cobre,
sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metlicas que
constituyen el emisor y el colector.

Transistor de unin bipolar se fabrica sobre un monocristal de material

semiconductor como el germanio, el silicio o el arseniuro de galio, cuyas
cualidades son intermedias entre las de un conductor elctrico y las de
un aislante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy
controlada tres zonas sucesivas, N-P-N o P-N-P, dando lugar a dos
uniones PN.
Transistor de efecto de campo de unin (JFET), fue el primer
transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la
barra se establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de
efecto de campo tipo N de la forma ms bsica.

Fototransistor son sensibles a la radiacin electromagntica en frecuencias

cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser
regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo
mismo que un transistor normal.

2. Qu materiales se utilizan en la fabricacin de transistores?

Indique sus caractersticas.

Los primeros transistores bipolares de unin se fabricaron con germanio (Ge). Los
transistores de Silicio (Si) actualmente predominan, pero ahora emplean el compuesto
semiconductor de arseniuro de galio (GaAs) y la aleacin semiconductora de siliciogermanio (SiGe). El material semiconductor a base de un elemento (Ge y Si) se
describe como elemental.
En general, mientras ms alta sea la movilidad electrnica, el transistor puede
funcionar ms rpido. El germanio es un material mejor que el silicio a este respecto.
Sin embargo, el germanio tiene cuatro grandes deficiencias en comparacin con el
silicio y arseniuro de galio:

1. Su temperatura mxima es limitada.

2. Tiene una corriente de fuga relativamente alta.
3. No puede soportar altas tensiones.
4. Es menos adecuado para la fabricacin de circuitos integrados.
El arseniuro de galio tiene el valor ms alto de movilidad de electrones de los tres
semiconductores. Es por esta razn que se utiliza en aplicaciones de alta frecuencia.

3. Qu curvas caractersticas
funcionamiento del transistor?

nos

permiten

explicar

el

Al ser el transistor bipolar un dispositivo triterminal son necesarios seis

parmetros para determinar el estado elctrico del mismo: tres tensiones y
tres corrientes. Aplicando las leyes bsicas de resolucin de circuitos
pueden presentarse dos ecuaciones

Las curvas caractersticas ms empleadas en la prctica son las que

relacionan VBE con IB y VCE con IC e IB. Con frecuencia, estas curvas son
facilitadas por los fabricantes.

Caractersticas VBE-IB

Caractersticas VCE-IC

4. En su estructura, en qu se diferencian los transistores PNP y

NPN?
Hay dos tipos, la principal diferencia es que en el PNP la corriente de salida
(entre el emisor y colector) entra por el emisor y sale por el colector.
Observamos que la flecha en el smbolo "pincha a la base". Como una regla
para acordarse es que el PNP pincha (la p del principio).
En el NPN la corriente entra por el colector y sale por el emisor, al revs.
Si observamos en la flecha la flecha "no pincha a la base". Segn la regla
NPN = no pincha (la N del NPN). Con esta regla nos acordaremos muy
fcilmente
si
el
smbolo
es
de
un
PNP
o
NPN.
Otra cosa muy importante a tener en cuenta, es la direccin de las
corrientes y las tensiones de un transistor, sea NPN o PNP. Observamos en
la siguiente imagen. En este caso hemos puesto el emisor abajo y el
colector
arriba,
no
pasa
nada
es
lo
mismo.

MATERIALES:

Protoboard
Resistencias
Potencimetro
Transistor BC548
Miliampermetro DC
Voltmetro DC
Fuente DC

TABLA1
Terminal rojo (+)
1

Terminal negro (-)

2

Lectura del DMM

OL

2
1
3
2
3

1
3
1
3
2

800
OL
OL
792
OL

TERMINAL
E
B
C

1
2
3

2
TERMINAL BASE
TERMINAL COLECTOR
TERMINAL EMISOR
TIPO DE TRANSISTOR
MATERIAL DEL TRANSISTOR

2
3
1
BC548
SI

Vce = 0 V
Ib
Ib
Ib
Ib

=
=
=
=

25uA
50uA
75uA
125uA

Ic=
Ic=
Ic=
Ic=

1560
1548
1548
1549

Vce = 0.5
V
5.50 mA
10.33 mA
14.13 mA
20.1 mA

A
A
A
A

Vce = 1 V
5.8 mA
10.87 mA
15.99 mA
24.2 mA

5. Grafique Vce vs Ic.

Vce vs Ic
2
1.5
Vce (V)

1
0.5
0
0

10

15
Ic (mA)

20

25

30

Vce = 1.5
V
5.71mA
11.02 mA
16.16 mA
25.2 mA

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multmetro,

repitiendo el proceso para IB igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique
Vce vs Ic para cada caso.

Ib 25 uA
1
0.8
0.6
Vce V 0.4
0.2
0
1.55

1.55

1.55

1.55

1.55

1.56

1.56

1.56

1.56

Ic mA

Ib 50 uA
0.6
0.5
0.4
Vce V

0.3
0.2
0.1
0
4

10

12
Ic mA

14

16

18

20

22

Caractersticas del Colector

a.

Construya el circuito de la figura

b. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potencimetro de 1M. Esto fijar IB

= VRB/RB a 10A como se indica en la Tabla 3.
c. Luego fijar VCE a 2V variando el potencimetro de 5K como se indica en
la primera lnea de la Tabla 3.
d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.
e. Variar el potencimetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los
valores que aparecen en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10A en
los diferentes niveles de VCE.
f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV
para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3.
Cada valor de VRB establecer un nivel diferente de IB para la secuencia de
valores de VCE.
h. Despus de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC /
VC y el valor de IE = Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.
i. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva caracterstica del transistor
en la fig. 3 La curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB
Seleccionar una escala adecuada para Ic e indique cada valor de IB.
Transistor 2N3904

V RB ( V )

I B ( A )

V CE ( V )

V RC ( V )

I C ( mA )
Calculad
0.107
0.109
0.1105
0.112
0.1135
0.115
0.1165
0.118

V BE ( V )
Medid
0.69
0.69
0.69
0.69
0.69
0.68
0.68
0.66

I E ( mA )

Medid
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3
3.3

Calculad
10
10
10
10
10
10
10
10

Medid
2
4
6
8
10
12
14
16

Medid
2.14
2.18
2.21
2.24
2.27
2.30
2.33
2.36

Calculad
10.107
10.109
10.1105
10.112
10.1135
10.115
10.1165
10.118

6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6
6.6

20
20
20
20
20
20
20

2
4
6
8
10
12
14

4.07
4.36
4.43
4.50
4.57
4.64
4.71

0.2035
0.218
0.2215
0.225
0.2285
0.232
0.2355

0.55
0.51
0.51
0.50
0.53
0.58
0.60

20.2035
20.218
20.2215
20.225
20.2285
20.232
20.2355

9.9
9.9
9.9
9.9
9.9

30
30
30
30
30

2
4
6
8
10

6.36
6.53
6.65
6.79
6.92

0.318
0.3265
0.3325
0.3395
0.346

0.38
0.31
0.40
0.53
0.56

30.318
30.3265
30.3325
30.3395
30.346

13.2
13.2
13.2
13.2

40
40
40
40

2
4
6
8

8.30
8.51
8.75
8.93

0.415
0.4255
0.4375
0.4465

0.33
0.41
0.43
0.47

40.415
40.4255
40.4375
40.4465

16.5
16.5
16.5
16.5

50
50
50
50

2
4
6
8

10.44
10.71
10.97
11.11

0.522
0.5355
0.5485
0.5555

0.43
0.46
0.48
0.30

50.522
50.5355
50.5485
50.5555

Calculad
Calculado
o0.010586
0.0107
72
0.010782
0.0109
47
0.010929
0.01105
23
0.011075
0.0112
95
0.011222
0.01135
62
0.011369
0.0115
25
0.011515
0.01165
84
0.011662
0.0118
38
0.010072 0.010175
51
0.010782
0.0109
47 0.011075
0.010953
69
0.011124
0.01125
85 0.011425
0.011295
94
0.011466
0.0116
98 0.011775
0.011637
96
0.010488
0.0106
82 0.010883
0.010766
16 0.011083
3
0.010961
84 0.011316
3
0.011190
03 0.011533
7
0.011401
83
3
0.010268 0.010375
46 0.010637
0.010525
53 0.010937
5
0.010819
17 0.011162
5
0.011039
27
5
0.010332
0.01044
13
0.010596
0.01071
51
0.010850
0.01097
96
0.010987
0.01111
92

Cuestionario Final
1 La grfica Vce vs Ic, qu caractersticas
intersecciones con el eje x i y qu representan?

tiene?,

las

La interseccin de la Vc e Ic es el punto de trabajo del transistor y segn su

valor se puede saber si esta en saturacin en corte
2 Qu diferencias encuentra entre las grficas para 25, 50, 75 y
125 uA?
Que tienen la misma pendiente pero estn desplazadas de manera vertical
y el valor del voltaje crece en proporcin a cada intensidad por lo que este
valor flucta entre estos valores iniciales.
3Cundo se dice que un transistor est en corte?, se da esta caso
en la prctica?
Se dice que un transistor esta en corte cuando no pasa corriente por la
base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se dice entonces
que el transistor est en corte, es como si se tratara de un interruptor
abierto. Y en este caso no se da, porque si existe un paso de corriente entre
el colector y el emisor por lo que se cierra correctamente el circuito
4 Cundo se dice que un transistor est en saturacin, se logra en
la prctica?
Se dice que un transistor esta en saturacin cuando la corriente en la base
es muy alta; en ese caso se permite la circulacin de corriente entre el
colector y el emisor y el transistor se comporta como si fuera un interruptor
cerrado., y en esta prctica si se logra ya que se puede llegar a medir una
diferencia de potencial entre el colector y el emisor por lo que el transistor
funciona como un interruptor cerrado dejando pasar la corriente.
5 Indique la relacin entre Ic e Ib que encontr en la prctica.
ib mA

ic mA

0,01

0,107

relacion ic e
ib
10,7

0,01
0,01
0,01
0,01
0,01
0,01
0,01
0,02
0,02
0,02
0,02
0,02
0,02
0,02
0,03
0,03
0,03
0,03
0,03
0,04
0,04
0,04
0,04
0,05
0,05
0,05
0,05

0,109
0,1105
0,112
0,1135
0,115
0,1165
0,118
0,2035
0,218
0,2215
0,225
0,2285
0,232
0,2355
0,318
0,3265
0,3325
0,3395
0,346
0,415
0,4255
0,4375
0,4465
0,522
0,5355
0,5485
0,5555

10,9
11,05
11,2
11,35
11,5
11,65
11,8
10,175
10,9
11,075
11,25
11,425
11,6
11,775
10,6
10,88333333
11,08333333
11,31666667
11,53333333
10,375
10,6375
10,9375
11,1625
10,44
10,71
10,97
11,11

Conclusiones

El segundo circuito se encuentra en saturacin ya que existe

circulacin de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.
Tambin se puede observar que cuando se aumenta el Vce tambin
aumenta el Vrc
Los potencimetros son resistencias regulables que nos permiten
variar las intensidades que circulan en el circuito.

Observaciones

Realizar el circuito de tal manera que no est en corte y sea un

circuito cerrado

Recomendaciones

Hay que verificar el valor de las resistencias del potencimetro estn

en su valor correcto ya que afecta directamente a la medida de la
intensidad en el circuito
Trabajar en la escala correcta para evitar problemas de unidades