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Objetivo
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Procedencia terica
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2-6
Procedencia prctica
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6-12
Conclusin
Pagina
13
Bibliografa
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Anexos
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Cristales solubles
Son cristales artificiales que se obtienen por cultivo. Se parte de soluciones saturadas en caliente, y por
enfriamiento o evaporacin se forman y crecen dentro de la misma, los cristales. El crecimiento debe ser lento si
se desean obtener cristales perfectos. Para acelerar el proceso, se puede partir de trozos cortados de cristales
grandes que actan como grmenes.
De los cristales solubles, el mas corriente es la Sal de Rochelle (Sal de Seignette), tartrato doble de sodio y
potasio (K, Na, C4 O6 H2O). Fue obtenido por primera vez, por un farmacutico de la Rochelle (Francia), de
nombre Seignette. Es un cristal ortorrmbico que debe sus propiedades fsicas al cido tartrico del cual
proviene.
La sal de Rochelle es estable entre el 35% y el 85% de humedad relativa. Por encima del 85% de humedad el
cristal absorbe agua de la atmsfera y se disuelve lentamente. Para aminorar los efectos de la humedad se
cubren los cristales con ceras que retardan, ms bien, que evitan la deshidratacin. La mxima temperatura a
que puede estar expuesto este cristal es del orden de 45 oC. A los 55oC pierden de forma permanente sus
propiedades piezoelctricas. El corte de los cristales de sal de Rochelle como el de cualquier otro cristal soluble,
se efecta preferentemente, con un dispositivo similar a una sierra sinfn, provista de un sutil hilo de acero cuya
principal misin es aportar agua, la que por disolucin efecta el corte, en la zona de contacto del hilo con el
cristal, ya que el hilo no debe efectuar ninguna accin abrasiva sobre el cristal . Las laminas de sal de Rochelle
pueden montarse para trabajar a la torsin o a la flexin, y segn cual sea el montaje, vara la orientacin del
corte. Despus de cortado, y antes de utilizarlo, los cristales se mantienen un cierto tiempo en armarios, a
temperaturas controladas. Para poder conectarlo al circuito elctrico, se pegan a las dos caras de las lminas de
cristal, electrodos, consistentes en hojitas de estao o aluminio. Otros cristales piezoelctricos solubles son: el
tartrato de etilendiamonio, tartrato de potasio, entre otros
Cuarzo.-El cuarzo, bixido de silicio (SiO2), es una sustancia que cristaliza en el sistema rombodrico, a
simetra ternaria, es decir formando prismas hexagonales cerrados en sus extremos por romboides, con un eje
ptico Z, tres ejes elctricos X, paralelos a los lados del hexgono, y tres ejes mecnicos Y, perpendiculares a
los lados del hexgono. La estructura cristalogrfica del cuarzo permite obtener, mediante cortes, lminas con
propiedades piezoelctricas. Estas lminas (cristales), con sus correspondiente electrodos, tienen las
caractersticas de un circuito resonante con Q varias veces mayor que el que puede obtenerse con un circuito
convencional de constante concentradas; la frecuencia de resonancia es, fundamentalmente, funcin de las
dimensiones del cristal, del montaje y de la orientacin del corte; esto ltimo determina adems, la actividad, el
coeficiente de temperatura, y otras caractersticas del cristal. Un cristal de cuarzo tiene varias resonancias, pues
las oscilaciones pueden ser, longitudinales, transversales, de corte o de flexin. Dando al cristal, y al soporte del
mismo, formas adecuadas, pueden acentuarse un modo de resonancia y atenuarse las llamadas resonancias
secundarias.
Cermicas.- El titanato de bario es una cermica que presenta propiedades piezoelctricas. Los materiales
piezoelectricos de titanato de bario, se fabrican por procesos cermicos, y se los polariza enfrindolos desde
temperaturas superiores a las de Curie, en un campo elctrico intenso.
Se usan como transductores; su sensibilidad piezoelctrica es algo inferior a la sal de Rochelle, pero tienen otras
ventajas como: gran resistencia mecnica, resistencia a la humedad, y posibilidad de usarse dentro de un rango
de temperaturas mayor, (hasta los 70C de temperatura; para temperaturas superiores puede usarse el titanato de
plomo).
Materiales piezoelctricos.- Los materiales piezoelctricos son cristales naturales o sintticos que no poseen
centro de simetra. El efecto de una compresin o de un cizallamiento consiste en disociar los centros de
gravedad de las cargas positivas y de las cargas negativas. Aparecen de este modo dipoloselementales en la
masa y, por influencia, cargas de signo opuesto en las superficies enfrentadas.
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Pueden distinguirse dos grupos de materiales: los que poseen carcter piezoelctrico de forma natural
(cuarzo, turmalina) y los llamados ferroelctricos, que presentan propiedades piezoelctricas tras ser sometidos
a una polarizacin (tantalio de litio, nitrato de litio, bernilita en forma de materiales monocristalinos
y cermicas o polmeros polares bajo forma de microcristales orientados).
Una de las aplicaciones ms extendidas de este tipo de cristales son los encendedores electrnicos. En su
interior llevan un cristal piezoelctrico que es golpeado de forma brusca por el mecanismo de encendido. Este
golpe seco provoca una elevada concentracin de carga elctrica, capaz de crear un arco voltaico o chispa que
encender el mechero.
Otra de las importantes aplicaciones de un cristal piezoelctrico es su utilizacin como sensor de vibracin.
Cada una de las variaciones de presin producidas por la vibracin provoca un pulso de corriente proporcional a
la fuerza ejercida. Se ha convertido de una forma fcil una vibracin mecnica en una seal elctrica lista para
amplificar. Basta con conectar un cable elctrico a cada una de las caras del cristal y enviar esta seal hacia un
amplificador. Por ejemplo, en pastillas piezoelctricas de guitarra. Otra aplicacin muy importante de la
piezoelectricidad, pero en este caso al revs, son los inyectores de combustible de los motores de combustin
interna. Al aplicarse una diferencia de potencial a un material piezoelctrico, se consigue abrir el inyector,
permitiendo al combustible a muy alta presin entrar en el cilindro. El uso de inyectores piezoelctricos permite
controlar con una enorme precisin los tiempos de inyeccin y la cantidad de combustible que se introduce en el
motor, lo que redunda en mejoras en el consumo, prestaciones y rendimiento de los motores.
Materiales utilizados en electrnica
Cuarzo
Rubidio
Sal de Seignette
Cermicas
Cermica piezoelctrica
Cermica tcnica
Aplicaciones
Actuadores.
Filtros SAW.
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Hidrfonos (Geofsica).
Lneas de retardo.
Motores piezoelctricos .
Reloj de cuarzo.
Sensores .
Transductor piezoelctrico
Transformador Piezoelctrico.
CAMBIO DE RESISTENCIA EN LOS METALES.- El cambio de resistencia en los metales es slo debido
al cambio de la geometra resultante de la tensin mecnica aplicada: p.208 y se puede calcular utilizando la
ecuacin simple resistencia derivada de cambios en la geometra resultantes de la tensin mecnica aplicada
afectar a las resistencias de los metales, que puede ser calculada mediante la ecuacin simple resistencia
derivada de la ley de Ohm.
EFECTO PIEZORESISTIVO EN SEMICONDUCTORES.- El efecto piezoresistivo de materiales
semiconductores puede ser varios rdenes de magnitud mayor que el efecto geomtrico en metales y est
presente en materiales como el germanio, silicio policristalino, silicio amorfo, carburo de silicio y silicio de
cristal nico.
EFECTO PIEZORESISTIVO EN SILICIO.- La resistencia de los cambios de silicio no slo debido al
cambio dependiente de la tensin de la geometra, sino tambin debido a la tensin dependiente de la
resistividad del material. Esto da lugar a factores de calibre a rdenes de magnitud mayores que los observados
en los metales. La resistencia de n-la realizacin de silicio cambia principalmente debido a un cambio de los
tres pares de valle que realizan diferentes. El desplazamiento provoca una redistribucin de los soportes entre
valles con diferentes movilidades. Esto se traduce en diferentes movilidades que dependen de la direccin del
flujo de corriente. Un efecto menor es debido a la variacin de la masa efectiva relacionada con cambio de
formas de los valles. En la realizacin de p-silicio los fenmenos son ms complejos y tambin dar lugar a
cambios de masa y de transferencia de agujero.
DISPOSITIVOS DE SILICIO PIEZORRESISTIVA.- El efecto piezoresistivo de semiconductores se ha
utilizado para dispositivos de sensores que emplean todo tipo de materiales semiconductores, tales como el
germanio, silicio policristalino, silicio amorfo, y silicio de cristal nico. Puesto que el silicio es hoy en da el
material de eleccin para digital integrado circuitos analgicos y el uso de los dispositivos de silicio
piezoresistivos ha sido de gran inters. Permite la fcil integracin de sensores de tensin con circuitos bipolar.
FABRICACIN .- Piezoresistores se pueden fabricar usando amplia variedad de materiales piezoresistivos. La
forma ms simple de sensores de silicio piezoresistivos son resistencias difusas. Piezoresistores consisten en
una simple de dos contactos difusa n-o p-pozos dentro de una o p-n-sustrato. Como las tpicas resistencias
cuadrados de estos dispositivos estn en el rango de varios cientos de ohmios, p adicional o n son necesarias
para facilitar los contactos hmicos para el dispositivo, adems de difusiones. Seccin transversal esquemtica
de los elementos bsicos de un piezoresistor silicio pozo n.
OTROS DISPOSITIVOS PIEZORESISTIVOS.- En el silicio el efecto piezo-resistivo se utiliza en
piezorresistores, transductores piezoelctricos FETS, acelermetros de estado slido y transistores bipolares.
3) PROCEDENCIA PRACTICA.3.1) Aplicaciones en sensores de material piezoelctrico.3.1.1) SENSORES PIEZO ELECTRICOS.Especificaciones tcnicas y elctricas
No posee respuesta en corriente continua, esto debido a que al ser cargado el condensador (material
piezoelctrico) por efecto de una fuerza constante aplicada al material, la carga adquirida inicialmente ser
drenada tarde que temprano a tierra
La impedancia de salida de los materiales es muy baja.
la resistencia elctrica que presentan los materiales piezoelctricos, si bien es muy grande en algunos casos,
nunca es realmente infinita por lo que al aplicar esfuerzo constante se generara inicialmente una carga que
inevitablemente ser drenada al cabo de cierto tiempo.
Los sensores piezoelctricos entregan una tensin cuando se les aplica una fuerza y pueden ser acondicionados
con un circuito tal como se muestra en la figura anterior.
V ser tpicamente del orden de mV, o decenas de mV para termoacopladores de metal con diferencias
de temperatura del orden de 200C.
Efecto Peltier: cuando se unen dos conductores metlicos diferentes, se desarrollaba una fuerza electromotriz
(f.e.m.). Al circular una corriente del mismo sentido de la f.e.m. el calor de la unin se transforma en energa
elctrica.
Efecto Thomson: La diferencia de T entre los extremos de un conductor homogneo desarrolla una
f.e.m.
Condiciones de trabajo
Temperatura Sensibilidad
3.1.2) SENSORES PIEZO RESISTIVOS.Aplicaciones. SENSOR DE PRESIN MPX .Principio fsico.-Al aplicar presin al diafragma se produce un cambio de resistencia en la galga extensiomtrica,
que causa vez un cambio en el voltaje de salida en proporcin directa a la presin aplicada. No obstante, los
parmetros de salida de la galga extensiomtrica dependen de la temperatura. Al utilizar un nico elemento
piezoresistivo, elimina la necesidad de emparejar exactamente las cuatro resistencias de un puente de wheastone que
son sensibles a la temperatura y esfuerzos mecnicos.
Caractersticas de operacin
Referencias
Existen una gama amplia que abarca diferentes rangos de presin. En esta gua hay un enfoque hacia los que tienen
un rango de 0 - 15 psi, 0 - 100 mBars. Las referencias entonces son: MPX10, MPX2010 , MPX11, MPX2011
,MPX12. La explicada en este documento es MPX2010, pero el resto son semejantes.
Especificaciones
Excelente reproducibilidad, alta sensibilidad a largo plazo. Entrega una salida anloga. Se utiliza el aire
seco como medio de presin, los otros medios que no sean aire seco pueden tener efectos adversos en las
caractersticas y estabilidad a largo plazo. Entre los materiales ms utilizados para la fabricacin de este
dispositivo se encuentra el silicio. La linealidad se refiere a como la salida del transductor sigue la
ecuacin: Vout = Voff + Sensitivity x P (Ver figura 1)
GALGAS EXTENSIOMTRICAS
Caractersticas generales.Principio fsico de funcionamiento.- El fundamento de las galgas extensiomtricos es el efecto piezorresistivo. Se
basan en la variacin de la resistencia de un conductor o un semiconductor cuando es sometido a un esfuerzo
mecnico. Si se considera un hilo metlico de longitud l, seccin A y resistividad , su resistencia elctrica es
R A
l
Estructura general
Laminilla delgada de cualquier metal(constantan, Ni, Cr).
Respaldo de material plstico (nylon, vinilo, polietileno, tefln)
Terminales metlicos grandes para soldadura
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Clases delgadas
De alambre
Hilo bobinado
Hilo plegado
Soporte de papel
Rangos de medicin
Corriente: En las galgas metlicas la corriente mxima es de 25 mA si el soporte es buen
conductor del calor (acero, cobre, aluminio) y de 5 mA si es mal conductor (plstico, madera)
Voltaje
Resistencia: 120, 350, 6005000 en galgas metlicas y 1000 a 5000 en galgas
semiconductoras
Potencia
En las galgas semiconductoras, la potencia mxima disipable es de unos 250 mW
Dimensiones fsicas
Son pequeas y livianas: 0,4 a 150 mm en galgas metlicas y 1 a 5 mm en galgas semiconductoras.
Cuarto de puente
La Figura muestra una configuracin de de puente que consiste de un elemento de carga (galga) R 3
en combinacin con tres resistencias fijas R 1, y R2 y R4. Con una fuente de voltaje EEX alimentando el
puente, el sistema de medicin mide el voltaje V0 a travs del puente. En el estado donde no hay carga
aplicada, cuando la relacin de R2 a R1 es igual a la relacin de R4 a R3, el voltaje medido en V0 es 0 V.
A esta condicin se le conoce como puente balanceado. A medida que carga se aplica a la galga, el valor
de su resistencia cambia, causando un cambio en el voltaje V 0.
R= R o*G*
Asumiendo que R1 = R2, R3 = R0 = R4 donde R3 = R0 ( 1 + G ). Como se ve existe una relacin no lineal entre el
voltaje de salida y la deformacin.
Compensacin de temperatura
Las galgas son sensibles a la temperatura y el Puente permite reducir esa interferencia. Si se utiliza el de puente,
basta dispones otra galga igual, pero no sometida a esfuerzo (pasiva) y emplear el circuito indicado.
La galga activa se usa para medir deformacin.
La galga pasiva no se somete a esfuerzo y por lo tanto no se deforma.
Los efectos de la temperatura son los mismos en ambas galgas.
oVo no cambia.
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Medio puente.-Si se emplean dos galgas que experimentan deformaciones de igual magnitud pero de signo opuesto,
al disponerlas de la forma indicada en las figuras, se obtiene una relacin lineal entre el voltaje de salida y la
deformacin y la sensibilidad de la medicin se dobla.
4)Conclusiones.- En conclusin acerca de este trabajo realizado, podemos resumirlo de la siguiente manera :
El material piezoresistivo fue descubierto por los hermanos Pier Curier en 1600 d.C. , cumple su funcin de
piezoresistividad cuando al material se aplica una tensin mecnica que tiene su direccin y sentido al centro
de gravedad ,esta tensin mecnica deforma al material dando lugar a seales de variacin de resistencia.
Por otro lado el material piezoelctrico cumple su funcin como tal, cuando al material se aplica una tensin
mecnica que tiene su direccin y sentido contrario al centro de gravedad ,esta tensin mecnica deforma al
material dando lugar a seales de variacin de voltaje.
Entre sus aplicaciones en el campo automotriz, esta esencialmente en los sensores MAP, KNK,etc. Todos estos
trabajando bajo el principio ya mencionado anteriormente.
5)BIBLIOGRAFIA. VON HIPPEL, A. Dielectric Materials and Applications. 1995.
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file:///E:/%C2%A0/TECNO2%20(1).pdf
274006311-Efecto-Piezoresistivo-y-Galgas-Extensiometrica.pdf
https://www.ecured.cu/Piezoelectricidad
https://es.wikipedia.org/wiki/Sensor_piezoel%C3%A9ctrico
Apuntes de la asignatura.
6)ANEXOS.13
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Transmisor piezoelctrico
en una guitarra acstica.