INSTITUTO TECNOLOGICO DE LEON

INGENIERIA ELECTROMECANICA
ELECTRONICA ANALOGICA
TAREA NUM. 3
CONSTRUCCION Y CONFIGURACION DE
TRANSISTORES BJT
OROZCO MUOZ JUAN CARLOS
10 SEMESTRE

FECHA DE ENTREGA 29/09/201

CONSTRUCCIN Y OPERACIN DE TRANSISTORES.

El transistor est compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

Figura 101. Uniones en El Transistor.

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es el
"Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una impurificacin muy baja,
mientras que el Colector posee una impurificacin intermedia. En este ejemplo concreto el
transistor es un dispositivo NPN, aunque tambin podra ser un PNP. En principio es
similar a dos diodos. Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones:
una entre el emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos
son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de
colector" (el de la derecha en este caso).

Figura 102. Transistor (a) NPN, (b) PNP

Antes y despus de la difusin. Vamos a hacer un estudio del transistor NPN,

primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una
"Difusin" (como un gas en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la
zona p, se difunden, encuentran un hueco y se recombinan. Esto hace que en las uniones
entre las zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

Figura 103. Movimiento electrnico en un transistor.

Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera
de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unin E-B (WE) y otra en la
unin C-B.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen
resultados nuevos e interesantes. Hay 3 configuraciones:

Base comn (BC).

Emisor comn (EC).

Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas diferentes:

Zona de trabajo

Condiciones

Utilizacin

Activa

UE en Directa y UC en Inversa.

Amplificadores

Saturacin

UE en Directa y UC en Directa.

Conmutacin

Corte

UE en Inversa y UC en Inversa.

Conmutacin

Activa invertida

UE en Inversa y UC en Directa.

Sin utilida

Tabla No.10 Posibilidades de uso de un transistor.

Con esto vemos que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.

Figura 104. Diferentes regiones de trabajo de un transistor.

CONFIGURACIN EN BASE COMN.

La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin analizaremos
esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la realidad, ms tarde veremos
porque. En el siguiente dibujo no dibujamos WE y WC para no emborronar el dibujo.

Figura 105. Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.

El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.
Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE. Despus
ese electrn baja la barrera de potencial de la UC para salir por el colector.

Figura 106. Barrera de potencial.

Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial pero luego es
ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones emitidos por el emisor,
aproximadamente un 1 % se recombina en la base y un 99 % no se recombina y llega al
colector, esto es el efecto transistor. La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta"
los electrones, los recoge, eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y
adems est muy poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un
electrn se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite electrones,
el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control.
El convenio que tenamos con el diodo era:

Figura 107. El Diodo

En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es
nudo.

Figura 108. El Transistor.

como

un

EJEMPLO: IE = 100mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %. Por lo tanto:

IB = 1mA y IC = 99mA. Los signos como siempre, si va a favor del electrn es negativo y si
va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a IE para que sea positivo.

Figura 109. Convencin para las corrientes en el transistor.

Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra griega, . En
condiciones de DC, los niveles de IC e IE, estn relacionados de acuerdo a lo ya explicado.
Y
esta
relacin
est
dada
por
la
cantidad,
.
DC= Ic / Ie 1.5
Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los portadores
mayoritarios, entonces, la ecuacin 1.5 quedar as:
Ic = Ie + ICBO 1.6
Si IE = 0mA. IC ser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBO es una magnitud muy pequea. Por lo
tanto, IC ser igual a IE.
CONFIGURACIN EN EMISOR COMN.
Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base
analizaremos la zona activa.

Comn

solo

Figura 110. Transistor en configuracin de Emisor Comn.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina. La
direccin de IE la cambiamos como en la configuracin anterior.

Figura 111. Transistor

Ganancia de corriente cc:

A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequea, en comparacin con la IC.

CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN.

Figura 112. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.

En la figura 112 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de un transistor con
las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto. El uso ms comn que a
esta configuracin se le da, es de un circuito de acople de impedancias. En su entrada
posee una impedancia muy alta y en su salida una impedancia muy baja.
Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector
tambin conectado a tierra, fcilmente podramos comprenderque es un circuito similar a
la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere de un conjunto de
caractersticas de colector comn para seleccionar los parmetros del circuito al momento
de realizar un diseo. La curvas se grafican como IE en funcin de VCEpara un rango de
valores de IB.

ACCIN DE AMPLIFICACIN DEL TRANSISTOR.

En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y tensiones:
contina y alterna. La componente en continua o DC polariza al transistor en un punto de
trabajo localizado en la regin lineal. Este punto est definido por tres parmetros: ICQ,
IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC, generalmente de pequea seal, introduce
pequeas variaciones en las corrientes y tensiones en los terminales del transistor
alrededor del punto de trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposicin,
la IC, IB y VCE del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de forma
que:
IC = ICQ + ic 1.7
IB = IBQ + ib 1.8
VCE = VCEQ + vce 1.9
donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en
verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ.

alterna,

Figura 113. Ejemplo de amplificacin de voltaje.

Si tenemos:
IE= Vi / Ri = 200mV / 20 = 10mA.
Y, tenemos que = 1; (IC = IE), entonces:
IC = 10mA; VL = IL R = (10mA) (5K) = 50V.
Entonces, el voltaje de amplificacin es:
AV = VL / Vi = 50V / 200mV = 250
El voltaje de amplificacin tiene unos valores tpicos para la configuracin de base comn
entre 50 y 300. La amplificacin de corriente es siempre menor que 1, puesto que, es
siempre menor que 1.
La amplificacin se da por la transferencia de una corriente IE desde un circuito de baja
resistencia a uno de alta resistencia.
En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn operando en
la regin activa directa. En esta regin existen cuatro zonas de operacin definidas por el
estado de las uniones del transistor (Tabla 10) saturacin, lineal, corte y ruptura; estas
zonas se indican claramente en la figura 104 que representa las zonas de operacin de
un transistor. A continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos
de operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede ser
aplicado a transistores PNP.
En la regin activa lineal, la unin emisor-base est directamente polarizada y la unin
base-colector inversamente polarizada; la VBEest comprendida entre 0.4V y 0.8V (valor
tpico de 0.7V) y la VBC > 100mV. En estas condiciones, las ecuaciones de Ebers-Moll se
pueden aproximar a.
IE = IESeVBE/VT + RICS 1.10
IC = F IESeVBE/VT + ICS 1.11

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas intensidades de
forma que

1.12
Donde

1.13
Sustituyendo

1.14
Siendo

1.15
F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de
caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy importante en
un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de colector y base. Al ser
ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la ecuacin (1.14) puede ser
despreciado frente al primero. Como resultado, se obtiene una relacin muy utilizada para
analizar transistores que operen en esta regin.

1.16
La ecuacin (1.16) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las corrientes de
colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE de los transistores varia
hasta en un 500% debido principalmente a tres factores:
1. Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de fabricacin
que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor tpico (typ) a ese transistor
con un rango de valores comprendido entre un mximo (max) y un mnimo (min). Por
ejemplo, el BC547B tiene, para una IC=2mA, una hFE (min)=200, hFE (typ)=290
y hFE (max)=450.
2. Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El fabricante
proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE para diferentes IC. En la
figura siguiente se muestra una de estas curvas que incluye el valor tpico de la hFE con un
rango de valores mximo y mnimo.

3. Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede observar en las

grficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la siguiente figura se describen
diferentes curvas normalizadas a 25 de hFE para temperaturas de -55C y 175C.

LMITE DE OPERACIN, HOJA DE ESPECIFICACIONES.

El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas elctricas
lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las seales de entrada
son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un aporte de energa realizado a
travs de fuentes de tensin externas denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de
polarizacin. Las fuentes de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las
corrientes y tensiones en continua necesarias para que el transistor opere en la regin
lineal y suministrar energa al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en
potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en los
terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele expresar por la letra
Q (Quiescent operating point).

Figura 114. Circuito

El transistor del circuito de la figura 114 esta polarizado con dos resistencias y una fuente
de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal, entonces se

puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de la hFE y asignar una
tensin base-emisor tpica de 0.7V. El clculo de las tensiones e intensidades del
transistor proporciona su punto de trabajo Q. Para este circuito, Q viene definido por las
siguientes
ecuaciones:

En la figura 115 se muestra la representacin grfica del punto de trabajo Q del transistor,
especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ. Este punto se encuentra
localizado dentro de una recta denominada recta de carga esttica: si Q se encuentra en
el lmite superior de la recta el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en
los puntos intermedios en la regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin
del circuito que relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas
del transistor de la figura 114, corresponde a una recta. La tercera ecuacin define la recta
de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacin, de forma que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del transistor se
seleccionan dos puntos:
a) VCE=0, entonces IC=VCC / RC.

b) IC=0, entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura 115 y

representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de coordenadas.

Figura 115. Lmite de operacin de un transistor.

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacin de un transistor es
seleccionar la ubicacin del punto Q. La seleccin ms prctica es situarle en la mitad de
la recta de carga esttica para que la corriente de colector sea la mitad de su valor
mximo, condicin conocida como excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es
una condicin de diseo que asegurara el mximo margen del punto Q a incrementos de
cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones
de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En
estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones.
Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus terminales que
le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede obtener aplicando la
definicin de potencia absorbida por un elemento tri-terminal, que en caso del transistor,
se expresa como

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta ecuacin

es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (V CE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia de
disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una P cmax=500 mW. En
la figura 115 se representa la hiprbola de potencia mxima de un transistor. Es preciso
que el punto del trabajo Q est por debajo de esa curva ya que sino el transistor se
daara por efecto Joule.

Hoja de especificaciones:
Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB 60V (mximo valor en inversa).
VCEo. 40V (mximo valor en inversa con la base abierta).
VEB 6V (mximo valor en inversa).
En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los transistores en:

Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.

Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

CORRIENTE Y POTENCIA MXIMAS

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas, siendo la
unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:

Tj = Temperatura de la unin.

TC = Temperatura de la capsula.

TA = Temperatura del ambiente.

EJEMPLO: Tj = 200 C
Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la unin al
encapsulado y posteriormente al ambiente. Hay una resistencia trmica unin-cpsula
que dificulta que el calor pase de la unin a la cpsula (J jC). Hay una resistencia trmica
cpsula-ambiente que dificulta que el calor pase de la cpsula al ambiente (JCA).

JjC = 125 C/W.

JCA= 232 C/W.

JjA = 357 C/W.

Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.

Factor de ajuste

Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura por encima de
un valor determinado.
EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = -2,8 mW/C
Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW
Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica:
Factor de ajuste = 1 / JjA
Otro parmetro
Este parmetro es el bcc que ya hemos visto anteriormente (IC = bcc IB Zona Activa).
cc = hFE
Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir:

Figura 116 Tabla de una hoja de especificaciones.

Este valor es para la zona activa. Como se ve en la grfica, existe una tolerancia o
dispersin de valores en la fabricacin que por ejemplo para IC = 10mA va desde 100
hasta 300.