Introduccin

Se denomina diodo de unin p-n al dispositivo constituido mediante una unin

p-n con dos terminales y cuyo objetivo, en general, ser conducir corriente
elctrica en un solo sentido.
Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una
diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La
polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa.
Unin p-n polarizada directamente
La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un
potencial mayor que a la regin n. Para ello, se debe conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos:

Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados
hacia la unin por el campo elctrico a que da lugar la polarizacin. Por lo
tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin.
El campo elctrico de la polarizacin se opone al de la unin Eu. As, se
reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de
potencial.
En definitiva, la corriente que atraviesa la unin es debida al movimiento de
electrones y huecos inyectados a cada lado de la unin donde son minoritarios.
Los huecos que circulan de izquierda a derecha constituyen una corriente en el
mismo sentido que los electrones que se mueven de derecha a izquierda, y,
por lo tanto, la corriente resultante que atraviesa la unin es la suma de las
corrientes de los huecos y de los electrones minoritarios, que puede llegar a
ser importante. En una unin asimtrica, que corresponde a una unin con un
lado ms dopado que el otro, la corriente ser fundamentalmente debida al
tipo de portador ms abundante.

Unin p-n polarizada inversamente

Una unin p-n est polarizada inversamente cuando a la regin p se le aplica
un potencial menor que al de la regin n. Para ello, se conecta el polo negativo
de la batera a la zona p y el polo positivo a la zona n.

Con la unin p-n polarizada en inversa se observa lo siguiente:

Los portadores mayoritarios (huecos de la zona p y electrones de la zona n)
de ambas regiones tienden a separase de la unin, empujados por el campo
elctrico a que da lugar la polarizacin, aumentando la anchura de la zona de
transicin.
La polaridad de la unin es tal que tiende a llevar los huecos de la zona p y los
electrones de la zona n a alejarse de la unin. Slo los portadores minoritarios
generados trmicamente en ambas regiones son empujados hacia la unin.
As, nicamente los pocos electrones de p, al pasar al lado n, formarn con los
mayoritarios de esta regin una corriente de arrastre, y de similar manera, los
pocos huecos de n, al pasar a p, formarn otra dbil corriente de arrastre que
se sumar a la anterior.

PREGUNTAS
1. En el paso 5, cmo decidi que valor de resistencia era la
resistencia directa y la resistencia inversa?
Porque el resultado del diodo debe de ser positivo cuando este se coloca
correctamente & no debe de conducir de manera inversa, ya que este
funciona de forma unidireccional.
2. Compare las resistencias medidas en el paso 5 con las
calculadas en el paso 4.
Se puede observar que en ambos casos se obtuvieron valores de 0 en
las resistencias del diodo, ya que, al no contar con corriente alguna, no
hay resistencia por parte del diodo.
3. En qu condiciones se activa un diodo de unin? Explique.
Consulte las mediciones realizadas y anotadas en la tabla 1-2.
La corriente en la regin Zener tiene una direccin opuesta a la de un
diodo polarizado directamente. El diodo Zener es un diodo que ha sido
diseado para trabajar en la regin Zener. De acuerdo con la definicin,
se puede decir que el diodo Zener ha sido diseado para trabajar con
voltajes negativos (con respecto a l mismo).
El diodo Zener se puede ver como un dispositivo el cual cuando ha
alcanzado su potencial VZ se comporta como un corto. Es un "switch" o
interruptor que se activa con VZ volts.
4. Hay mucha variacin en las corrientes inversas de la tabla 1-2?
Comente que dio lugar a los resultados obtenidos.
No, debido a que el diodo es un componente que permite el paso de la
corriente en un solo sentido (unidireccional).
5. Cules son las limitaciones, en caso de haberlas, de: a) la
polarizacin directa y b) la polarizacin inversa? En este
experimento se rebasaron las limitaciones? Haga referencia a
las mediciones para apoyar su respuesta.
a) En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportndose prcticamente como un corto circuito.
b) En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prcticamente como un circuito abierto.

6. Cmo podra identificar el nodo de un diodo que no est

marcado?
Porque este permite el paso de la corriente en una sola direccin, si se
realiza un puente y se toman las mediciones con un multmetro y este
no conduce 1.- est invertido, 2.- este se encuentra averiado
7. Cmo podra determinar cul es la punta de conexin positiva
de un hmetro no elctrico y cul es la negativa?
Las puntas cuentan con colores caractersticos que te permiten
determinar cul es positivo y cual negativo, adems al momento de
realizar una medicin, dependiendo de la conexin te dar el valor ya
sea positivo o negativo.

Conclusiones
La sociedad actual ha experimentado cambios nunca antes vistos. Somos
testigos de la influencia de la Electrnica en todos los aspectos de la
tecnologa. Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin
(radio, televisin, telefona), sin los sistemas de manejo de informacin
(computacin), sin la electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la
medicina auxiliados por la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los trabajos
de investigacin y desarrollo tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a
partir de la invencin de los diodos y transistores.
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un
conductor y mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier
sustancia depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que
contenga. En un conductor este nmero es grande y en un semiconductor
pequeo es insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor
depende de los siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos
aplicados y cantidad de impurezas presentes en la sustancia