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Docente:
Ing. Leonel Daga de la Torre
Alumno:
GUZMAN TOMAS, Jhon Alexander
Semestre:
VI
SEGUNDA GENERACION
-
SIGUIENTES GENERACIONES
-
4.1.
4.2.
-
4.3.
4.4.
-
4.5.
-
MICROPROCESADOR MULTINUCLEO
MEMORIA NO VOLATILES
MEMORIA ROM
La memoria de slo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en
ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la
informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de
una fuente de energa.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de
manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente en su sentido ms estricto,
se refiere solo a mscara ROM -en ingls, MROM- (el ms antiguo tipo de
estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma
permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de
ninguna forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash
EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias
veces, aun siendo descritos como "memoria de slo lectura" (ROM). La
razn de que se las contine llamando as es que el proceso de
reprogramacin en general es poco frecuente, relativamente lento y, a
menudo, no se permite la escritura en lugares aleatorios de la memoria. A
pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos reprogramables son ms
flexibles y econmicos, por lo cual las antiguas mscaras ROM no se suelen
encontrar en hardware producido a partir de 2007.
VELOCIDAD
-
VELOCIDAD DE LECTURA
Aunque la relacin relativa entre las velocidades de las memorias RAM y
ROM ha ido variando con el tiempo, desde el ao 2007 la RAM es ms
rpida para la lectura que la mayora de las ROM, razn por la cual el
contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM,
desde donde es leda cuando se utiliza.
VELOCIDAD DE ESCRITURA
Para los tipos de ROM que puedan ser modificados elctricamente, la
velocidad de escritura siempre es mucho ms lenta que la velocidad de
lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de
jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de
desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la ms alta velocidad de
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MEMORIA PROM
PROM es el acrnimo en ingls de programable read-only memory, que
significa memoria de solo lectura programable. Es una memoria digital
donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible),
que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser
programada (pueden ser escritos los datos) una sola vez a travs de un
dispositivo especial, un programador PROM. Estas memorias son utilizadas
para grabar datos permanentes en
cantidades menores a las ROM, o
cuando los datos deben cambiar en
muchos o todos los casos.
Pequeas
PROM
han
venido
utilizndose como generadores de
funciones, normalmente en conjuncin
con un multiplexor. A veces se preferan a las ROM porque son bipolares,
habitualmente Schottky, consiguiendo mayores velocidades.
PROGRAMACION
Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por
defecto de las fbricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del
correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de
altos voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21
voltios). El trmino read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de
otras memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el
usuario final).
MEMORIA EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM
programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no voltil
inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel1 . Est formada por celdas
de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o
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"transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin
carga, por lo que son ledos como 1 (por eso,
una EPROM sin grabar se lee como FF en todas
sus celdas).
CARACTERISTICAS
Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrnico,
como el Cromemco Bytesaver, que proporciona voltajes superiores a los
normalmente utilizados en los circuitos electrnicos. Las celdas que reciben
carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante
exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de
la luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen.
Las EPROM se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la
parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio
y que admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Tipo de
EPROM
Tamao
bits
Tamao
Bytes
Longitud
(hex)
ltima direccin
(hex)
1702, 1702A
2 Kbits
256
100
000FF
2704
4 Kbits
512
200
001FF
2708
8 Kbits
1 KBytes
400
003FF
2716, 27C16
16 Kbits
2 KBytes
800
007FF
2732, 27C32
32 Kbits
4 KBytes
1000
00FFF
2764, 27C64
64 Kbits
8 KBytes
2000
01FFF
27128, 27C128
128 Kbits
16 KBytes
4000
03FFF
27256, 27C256
256 Kbits
32 KBytes
8000
07FFF
27512, 27C512
512 Kbits
64 KBytes
10000
0FFFF
27C010,
27C100
1 Mbits
128 KBytes
20000
1FFFF
27C020
2 Mbits
256 KBytes
40000
3FFFF
27C040
4 Mbits
512 KBytes
80000
7FFFF
27C080
8 Mbits
1 MBytes
100000
FFFFF
MEMORIA EEPROM
EEPROM o EPROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable
Read-Only Memory (ROM programable y borrable elctricamente). Es un tipo
de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada
elctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un
aparato que emite rayos ultravioleta. Son memoriasno voltiles.
Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor
MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado
normal est cortado y la salida proporciona un 1 lgico.
Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo
puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y
Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como
microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio
Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la
Reunin de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial
de la invencin y en 1988 lanz el primer chip comercial de tipo NOR.
MEMORIA FLASH
La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y
escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin.
Gracias a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos,
permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la
tecnologa EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica
celda de memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la
tecnologa empleada en los dispositivos denominados memoria USB.
Una memoria USB: el chip de la izquierda es la memoria flash; el controlador
est a la derecha.
ROM (Read Only Memory): se usan principalmente en
microprogramacin de sistemas. Los fabricantes las suelen emplear
cuando producen componentes de forma masiva.
HISTORIA
Dispositivos de almacenamiento comunes, utilizados para transportar datos
de la computadora.
La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el
avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como
routers, mdems, BIOS de las PC, wireless, etctera. En 1984, fue Fujio
Masuoka quien invent este tipo de memoria como evolucin de las
EEPROM existentes por aquel entonces.1 Intel intent atribuirse la creacin
de esta sin xito, aunque s comercializ la primera memoria flash de uso
comn.[cita requerida]
Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de
memoria conocidas, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa
pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio
comercializ el primer reproductor de audio digital sin piezas mviles
aprovechando el modo de funcionamiento de la memoria flash. Este
producto inaugurara una nueva clase de reproductores que causaran una
revolucin en la industria musical llevando al escndalo Napster, el
lanzamiento del iPod y el eventual reemplazo de los reproductores de cinta
y CD.
JHON ALEXANDER GUZMAN TOMAS
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