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Objetivos:
Corroborar la teora vista en clase referente a un primer
acercamiento a la regulacin en fuentes DC.
Profundizar en el estudio de los diodos Zener y su interaccin
con las etapas ya montadas.
Comparar nuevamente la diferencia entre un circuito ideal y uno
implementado con componentes reales, as como probar las
limitaciones reales en cuanto a la regulacin de este montaje.
I. INTRODUCCION
Un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en
directa como inversamente, en directa se comporta como una
pequea resistencia y en inversa se comporta como una gran
resistencia. un diodo de especiales caractersticas que recibe el
nombre de diodo tener, ste trabaja exclusivamente en la zona de
caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura
de su caracterstica inversa.
Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin
del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa
acta como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado.
Ri=24.056-9/279,578mA+100mA
Ri=39,66
RZ1=9V/279,578mA=32,19
RZ1=9/27,9578mA=321,914
RL1=9/200mA=45
RL2=9/100mA=90
RLeq=39,66+ (32,1990)
RLeq=63,37
RLeq=39,66+321,91445
RLeq=79,14
Tomamos la RLeq ms pequea de las dos para calcular el
capacitor
C=5(24,056)/ (2) (120) (6,012) (63,37) =418,73F
POTENCIA EN RL
II.
MARCO TEORICO
III.
PROCEDIMIENTO
ILmin= 100mA
Ilmax = 200mA
Vrms= 18V
Vp= Vrms2= 182-1,4=25.4558-1,4=24.056V
V=24.056*0,25=6.0139
Vmin=18.042
Izmax=(24.056-9)(200mA)+(9-18.042)(100mA)/18.042-0,9(9)0,1(24.056)
Izmax=279.578mA
PRL1=9*100mA=0,9W
PRL2=9*200mA=1,8W
Potencia en Ri
Ii = Izmax+ ILmin
Ii = 279,578mA + 100mA
Ii = 379,578mA
Pi = (24,056-9)*(379,578mA)
Pi = 5,71W
IV.
CONCLUSION