You are on page 1of 16

--

1 N S TI TU T O POLI T C N I C O

N A C ION AL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERIA MECNICA Y


ELCTRICA COMUNICACIONES

ELECTRONICA

UNIDAD ZACATENCO

PRCTICA "02"

DISPOSITIVOS

JRA

---

--

-- .

ICE

ESIM E IPN

PRACTICA No . 2
:_DIODOS
RECTIFICADORES"

l. Identificar e l comportami e nto recti f i ca n te en el diodo


2. Iden t if ic ar el nodo (regin P) y e l ctodo (regin N) en un d io do
r e ctificador.
3. Obtener y c omparar l a s curva s car a cter stic a s (V-I), de diodos
rectificador e s de silicio y germanio. En cad a c a so determinar el valor
del voltaj e de umbral y calcular las r e sistencias esttica y din m i c a en
la regin dir e cta de conduccin, para un punto de operacin Q(VB,In)
arbitrario.
4. Observar y reportar las variacion e s que se presentan e n la c ur v a
caracterstica V-I en e l voltaje d e umbral y en la corrient e de fuga
de los diodos r e ctificadores cuando var i a la temperatura.

:>" i&
\\

\\\ l :

M%\ <t:

El funcionamiento d e este diodo , a grand es r a s gos es la siguiente:


En la zon a directa se puede considerar como un ge nerador de t e n sin continua ,
ten s 1 n de e o do (U .b - U . '1 V p ara d s i lie 1o y O. 2- O .'4 V p nr'!l el g e r m a n i
o) . Cuando se polariza en inversa s e puede co ns i derar como un
circuito abi erto . C u an do se al canza l a t e n s i n inversa d e ds r up
ci n (zo n a nv ers a) se p ro du ce un au ment o cir::sti 1:o de h corriente qu
e puerle lle g :n a , d e struir al dispo sitiv o .
Este d io do tien e un am pli o marg e n de apli c aciones: circuitos rectifi c adores
,_
!imitadores.
fijadores
d e n1vel, pruLeccJ(Jfl contra
cortocHcu!Lus,
' d e moduladore s,
mezclador es, Clecilcldorr:e, hloquoo
y
h y pil ss en
instalacion es fotovolcaicas , e t c ..

IF

RUPTURA
1

tr
1

1.

,--

t CORRIENTE DE FUGA

REGIN

iNIJEFISfl

REGIN

IJIRECTR

tono-- ( . lll-l--q
}

- 1

. REfilN [Jf

RUPTURA

WRUA CfiRACTER QSTCA TPICA

m: IJN OIOfJO

Cuando usamos un di.oc!o en un ci rcuit o se d e b e n tener e n cuenta l a


siguientes consideraciones (a partir de las hojas de scaradersticas
suministradas por e l fabricante):
,
1. La tensin inversa mxima aplicable al c o mp o n e nte, repetitiva o no '< VRRR
mx o VR mx, respectivamente) ha d e ser mayor (del orden de tres
veces) que la mxima que este v a a soportar.
2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar a l componente,
repetitiva o no (IFRM mx e IF m x respectivamente), he de ser mayor
(del orden del doble) que la mxima que est e va a soportar.
8. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha
de
ser mayor (del orden del doble) que la mxim a que este va a soportar .

./
./
./
./
./
./
.
./
.
./
./

Osciloscopio de doble trazo


Generador de seales
Multmetro analgico y/o digital
Una pinza de punta
Una pinza de corte
6 cables caimn - caimn de 50cm
6 cables caimn- ban ana de 50cm

6 cables banana - banana de 50cm .


4 cables coaxiales que tengan en un extremo terminacin bnc y en el otro
caimanes
./ Tablilla de conexiones (protoboard)
./ 2 diodos de silicio 1N4004 o equ ivalent e
./ 1 diodo de germanio OA81 o equivalente
t-lGO
../ 2 resistores de lkQ a Yz watt
./ 1 encendedor
./
1
lupa

l. Es requisito que para antes de realiz a r la p r ctica el alumno presente

por escrito y en forma conci sa y breve los siguientes punto s sobre el


diodo rectificador y del resistor<
a) Smbolo del diodo
b) Esquem a tpico d e uniones del diodo
e) Modelo matemtico d e l diodo
d) Modelo grfico (curva caracterstic a V-I) del diodo
e) Comportamiento rectificante del diodo
f) Comportamiento resistivo d e l diodo
g) Principales parmetros del diodo
h) Su definicin

E1 profesor deb er revisar que ei alumno cumpla con este pun to antes de
entrar a laboratorio , as como que s e presente
con
los
circuitos
correspondientes
debidamente
armados .
de
NO
satisfacer
est as
indic aciones e l a lumno NO tendr derecho a quedarse en el laboratorio y
se l e considerar como falta al mismo.
2.Identificar el comportamiento rectifica n t e de un diodo
2.1

Armar e l circuito mostrado en la figu r a 1, c o l ocar e l diodo


rectificador y obs e rvar e l comportamiento de st e e lem e nto en e l

osciloscopio (en modo XY) , en l a figura 2.a dibujar l a grf i c a que


se obtiene.

JRA

rra del oscilos o

Canal 2 (Y) INVERTI90

Figura l.a ... Circuit o p ro puesto para o bs e rvar el c omp or t a mi e nto rectificante de un
diodo. El voltaje pico de la s eal de e x ci t aci n puede e legir se entre 5 y 15 V y la
frecuencia entre 60 y 1 kHz.
10.00 -,

5.00

o 00-r-------- -- ----------

_::L

------:-r ----,- --:------1-------..,..,- ,-- ..-,--

-to.oo

-s.oo

o oo

s.oo

10.00

Voltaje [V]

Figur>
l.h
Grfi a
(ra r ad P r .st i ao
r e ct ifi ca nte d e un diodo.

Figura 1

e>l>t:t.rit:as)

-,-

+
1

<:J'1P mnr>stra

---

----------

---

-- --- ----

j_ __ _

F igura 2. a ... Grfica d el elem e nto r e ctifican t e (diodo)

JRA

---- ----------

--r--

=J

el

o mportarni e nt o

Figura 2 Grfica que se obtiene en e l osciloscopio pa r a e l c i r c uit o de l a f i g ur a La, dond


e "V" es e l voltaje en el elemento bajo prueba m e dido e n e l canal l del oscdoscop i o (c a
nal X), e "I " es la corriente que c i r cula en e l e l eme nt o (corr e sponde a l vo l ta j e en la r e
sistencia muestreadora dividido entre e l v a l o r de sta resist e ncia), m e dida e n el ca nal 2
(cana l Y) del oscilo scop io .
2.2

Distinguir
el
co
mportamiento electrnicos,
m e diante el uso hmetro.

hmico par a diferente s e le m e nt os


de un multmetro en s u funcin de

Cuando un m ultmetro en su funcin de hmetro, se usa para id ent ifi car


las te r minal es de un dispositivo, requiere que se conozca previamente cu a l
de sus terminales es positiva (voltaje de la bat e ra interna del mismo) y
cul de ellas es negativa, ya que en bas e a esto, podremos s abe r cu ando un
par de termin a le s d e a lgn disp osit ivo, se polar i za directa o inv er sa
men t e y de esta manera conocer en forma indirecta e l tipo de regiones
semiconduct o ras (P o N), que dicho dispositivo contien e e ntre
esas
terminales . Para saber cul terminal es la positiva y cual es la neg a t iv a
en el hmetro , use un multmetro en su funcin de voltmetro, tal como se
ilustra en la figura 3.

.....

Ra

de un
Ohmetm

/
'-...

E
Circuito Equivalen e
del
Oh metro

[Volmetrq

Figura 3 Ci rcuito equivalente de un hmet.r o a nal g i c o


al e s positiv a y c ual es negativa.

l a forma d e m e dir cui term in

Despus de realizar la s medicion es que se indican e n la figura 3, llev e


acabo la s mo st radas en la figura 4 y report e l as l ecturas qu e se indican
en la tabla l. P ara este punto se re comi e nda al alumno el uso de un
multme t ro analgico y que elija -la mi s ma escala para la realizacin d e
tod as las mediciones que haga , con e l fin de que pu ed a hac er una a de c
uada comparacin entre las lectur as tomadas.

JRA

r---1
C!i:B

D11N4004

rb

D11N4004

_l

Figura 4.a ... Diodo bajo prueba

Figura 4
Medicion es que permi te n
com po r tamiento rect ificant e (diodo).
Elemento baj o prueba

Resistencia medida e nr e las


.

J
Diodo ( portamient o
r e e tifi c ante)
"

i d e ntifi c ar c on

J.

-----

te rminales Tl(+_Ly '1'2 ()

i
_ _j

a yud a

del

hm et r o,

el

Resist e n c i a m e did a enre las

tcrminulc :; Tl(L..L]'2.\.:I:L _!

--------------------------------------' ------------------------------- - --------

Tabla 1

Medicion e s de re s istenci a realiz adas co n e l hrnetro para elcaso d e un re s istor y


un diodo recti f icador.

3.

Identificar el nodo (regin P) y e l c t o d o (regin N) , en un


diodo rectificador.
Para la identificacin de las terminales d e un diodo
rectificador , se
pueden emplear diferentes m todos , se sugiere qu e se h a g a us a ndo un
hmetro analgico y se llen e la t a bla 2 . Debido a que un diodo
rectificador presenta comportamiento r e ctificante, s i el no d o s e
IJ<Olariza con voltaje positivo ( m ayor al voltaje de umbral ) c on r e sp e
cto al ctodo, e l diodo conduce co rri e nte a p r e ciable , comport ndo ce
co mo una pequ.ea resi ste n ci a ( a esto se le c onoce como polari z a c in
dir-ecla) y cuadno se invierte e sa polaridad e n e l diodo , l a corri ente qu
e circula es despreciabl e, comportndos e como una resistencia muy grande
(polarizacin inv e r s a). Tom a ndo e n cuenta e st o s co n c ept o s , la
polarizacin del hmetro y l as medicione s de la tabla 1 e s posible sab e
r
e n cul terminal est la r egi n semicond u c t ora P (nodo) y e n cu
l
terminal e st la regin N (ctodo) de u n diodo semiconduc t o
r
R e sistenci a medid a enr e l a s , R e si s t e n c ia m e dida enre la s ,
,!_"_!21 !2_? 1 e S A ( 1 )..x.EU.. __ .J --- . ..... !.!:.D2!1:!. 1"'- 0..;'\(J.. .\ KL:.L.......

Diodo

_ Q_ _ _$_ LEf5_9_

'----

ll'L1Q Q 1.... ..... .

D e G e rmanio O 6__!

.J............................ ...

_j

--------------------

Tabla

2 M e di c ione s de re s it e n c ia en un diodo d e S i y en uno d e Ge , po lariz a


d os
dir e cta e inv e rs a m e nte us a ndo la pila int e rna del

hmetro.
Mediant e las mediciones reportadas en la tabla 2, diga ; C ul de l
as
terminal e s (T 1 y T2) corres p onden a l ctodo y cul a l n o d
o?

5 dibuje con d etalle la f o rm a fsica y la s i ndi cac ion es (le tr as, n m


e ros, r a yas , et l'!) de ca d a u no de lo s diodos , in d i ca ndo cul de l as te
r minales es el n o d o y c ul es e l cto do.

En la
fig u ra
JR A

------- ----

(i

Figura 5.a Diodo de Silicio

Figura
rmanio

5.b

Diodo

Figura 5 ... Dibujos


y

de

G e

de la presenta c in fsica e indicaciones de los di odos

lN4004

A081

4.

Obtener y comparar la curva caracterstica (V-I) , d e un diodo


rectificador de silicio y uno de germanio. En c ada c aso, determinar el
valor d e l voltaJe de umbral y calcular la resistencia est tica y dinmica
en la regin directa de conduccin, para un punto de operacin Q(VD,ID)
a rbitrario.
Armar el circuito de la figura 6, colocar las terminal es del osciloscopio
como se muestra (usndolo en su modo XY) y obtener
la
curva
caracterstica V-I, primero para el diodo de silicio, y posteriormente
para el diodo de germanio, reportar ambas grficas en la figura 7 y
llenar con los datos solicitados la tabla 3.

JRA

--- ---

ICE

ESIME IPN

1 Canal 1 (X}

VG1

01 1N4004

i
1

[!!

del oscilos o

Figura 6.a ... Circuito propuesto para obtener J ;_ curva cantcterstica de J os diodos. El
voltaje pico d e la seal de excit aci n pu ede estar entre 5 y l5V -y la fre cuencia entre 6 0 y
1kHz.
10.00

5.00

-5.00

1
-10.00

. -

-10.00

---. -- , - -- -. ---.---- - - --.- -,-- - -- ---- --

-5.00
5.00

0.00

10.00

Voltaje [V]

Fi g ura 6.b ... Curva caracterstica de un diodo de Si


10.001

500

'0+-- - ---------- ---------J


oool
j

-10.00 -';- --10.00

.-- ----- -- ---5.00

0.00
Voltaje [V]

Figura G.c . . Curva caracterstica de un diodo de Ge

Figura 6

JH .-\

5.00

10.00

Figura 7.a ... Curva caracterstica del diodo de Silicio

---4--Figur a 7 b

-- ---.--- +-- -4--- ----

Curva caracterstica del diodo de Germanio

Figura 7
Grfica s de V-I para el diodo de Si y el de Ge , qu e s e obti e nen en e l
o scilo sco pio usando el circuito de la fi g ura 6.a
Voltaj
e deenumbral
medido
(V)

. .. ..... P.e.

..J.... ..........--------------------

Si]j,c i..o.Jl'J..'!_Q_QL ...

Corriente mxima
m e dida en la curv a en
_ _j_ mA)

_ _!

'

_ _ )_)J:....9_e_ .!:_lE_ !_ljo O A 8 l ---------------------'

Tabl a 3 Mediciones de voltaje de umbral y de voltaje - c orriente p a ra el punto de


op e ra c in mximo que permite el circuito 6, para el diodo de s i y para el diodo d e ge
a t e mp e r a tura ambient e .
5.

1
1

Observar y reportar las variaciones que se pres e ntan en la


curva c aracterstica, en el voltaje de umbral y en la corriente de fuga
de los diodo s rectificadore s cuando a u m e nta la temperatura a m bien te.

5 . 1 U tilizando el mismo circuito de la figura 6 . a, a c e rcar un c e


rillo en ce ndido (por un ti e mpo no ma y or a c inco segundo s) al diodo bajo
pru e ba y r e p o rtar en la figura 8 lo qu e observa. Para e l diodo de silicio a
um e nte la
9

ICE

E S IME IP N

te mp erat ur a a mbi e nt re ace rc an do el c erill o e nc e nd i do el ti e mp o qu


e se a ne ce s a r io p a r a qu e obser ve co mo l a cur va c ar a ct erstica del d
ispo sitivo s e modi f ic a al g ra d o d e qu e e l dio d o se comp o r ta com o
una re si s t e nci a d e alg u n o s cuan t o s ohms (al a um e n ta r l a t e mp erat
ur a e l v o lt aj e d e umbr a l di sminu ye y la cor r ie nt e de s aturacin inv
e rs a cr e ce , si e ste a umen t o de t e mp e ra t u r a es co nsid e r a ble puede
hace r qu e el dodo se comporte c a si com o un c o r t o circ uit o ). D espu s
de obs e rv a r e sto , r e t irar e l ce rill o e nc e nd id o y e sp e r r que el diodo
r e cupe r e su ca ract e rsti ca "n or m a l" . Pu e de suc ede r qu e e l d io do ya
no se r e cupe r e, e st o significa qu e h a qu e dado da a do defi nit iva m e
nt e, en e l caso d e que si se r e cupere , e R preferible ya no u t ili za rl
o e n o t r a s a plic a cion e s, de b ido a q ue en la ma y or-i a d e lo s c as o s en
qu e s e pr e s e nt a n esto s ca le n tam i e nto s ex c e siv o s e l disp o sitiv o q
ueda con al g u nas alt e ra ciones qu e pue den d a r p ro b l e m as e n e l
mo me nt o d e su ap l icacin en otro circuito .

----

-Fi gur a R

B.

Cur va c a r a cter st i ca d e l dio d o d e Sili cio

----

i
F i g ur a 8 b .. . C urva c a r acte r s t i c a d e l d i o d o d e Ger ma n i o

F ig u r a 8

Gr ficas d e V I par a el d i o d o d e Si y el de G e, q u e s e ob ti e n e n e n e
l
o sci l cLs c opi o u s a n d o e l c i r cu i t o de l a f i g u r a 6.a , c o n u n in cr e m e n to d e t e mp e r a tu
ra

5 . 2 Co n el d iod o q u e h a q u e d a do daad o o a fe c t a d o po r e l aum e


nt o de'" t e mp e,rat u ra , u sa nd o p in s a s c o n todo cuid a do , r om pa s u e
nca p s ul a do y
J F.\

1o

ESUviE IPN

ICE

observe usando una lupa como e st construdo internamente y con todo


detalle dibuje en la figura 9.

Figura

9 Diodo (construccin interna)

l. Para la figura 1 Cul elemento presenta comportamiento rectificante?

Por qu?

2. Para e l circuito d e l a figura 1, determine:

Cul sera la corriente


mxima que podra tenerse e n el circuito si usa un voltaje pico de lOV y
una resistencia muestreadora de 100!.1?

3. E;;Lablezca

un
mtodo
general
para
identificar
(comportamiento rectificante), usando un hmetro .

4.

un

didodo

Investigue de que otra forma se puede identificar el nodo y e l c tod o


de un d iodo usando los m ultmetros digitales y Explique.

ICE

E SIME IPN

5. Cuando se polariza directamente un didodo con un voltaje menor al


., voltaje de umbral, De qu orden espera medir el valor de la resisten c ia
' ',equiv ale nte que presenta el diodo?

6.

Determine el valor de la resistencia esttica en la reg10n directa de conduccin (para el


punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para e l diodo de silicio como para el
de germanio, indique: Cul de los dos presenta mayor resistencia esttica? (usar los
resultados de la figura 7)

7. Determine el valor de la resistencia dinmica en la regwn directa de conduccin (para


el punto de operacin con corriente de 2mA) tanto para el diodo de silicio como para
el de germanio, indique: Cul de ellas es mayor? (usar los resultados de la figura 7)

8.

Qu parmetro se d e bera de modificar en el circuito de la figura 6,


para poder o b GervLu el volta j e de ruptura de los diodos rectificadores?

9.

Cmo es el coeficiente de temperatura del voltaje


rectificador?

de

umbral

10 . Cmo es el coeficiente de temper a tura de la corriente

de

de

un diodo

fuga

de

un

diodo rectificador?

,JR:-\

. -----

---

]2

11. E x pl'1que a que se de be la var i aCion, en la corriente de fuga de un diodo


r e e ti:.; c ador cu a ndo se e lev a l a t e mperatura.
-........

12. Anote sus conclusiones

13.Anote su bibliogr afa consultada

- 11{.\

13