Electronica de Potencia - Parte I 2016-2

Electrnica Potencia y Aplicaciones
Introduccin
INTRODUCCIN
La tarea de la electrnica de potencia es controlar el flujo de potencia por medio de
la conformacin de los voltajes de la red pblica utilizando dispositivos semiconductores
de potencia. En los ltimos aos, el campo de la electrnica de potencia ha experimentado
un gran crecimiento debido a la confluencia de varios factores. Ha habido avances
revolucionarios en los mtodos de fabricacin en la microelectrnica, lo cual ha permitido
el desarrollo de circuitos integrados lineales y procesadores digitales de seales los cuales
son usados como controladores en sistemas de electrnica de potencia. Adicionalmente,
estos avances en la tecnologa de fabricacin han hecho posible un mejoramiento
significativo de las especificaciones de corriente y voltaje de los dispositivos
semiconductores, a la vez que se ha incrementado su velocidad de conmutacin. Tambin
ha habido una expansin significativa del mercado relacionado con la electrnica de
potencia.
Esta demanda expandida del mercado tiene varias dimensiones. Hay un incremento
en la demanda de controles de velocidad variable para motores de compresores y bombas
utilizados en el control de procesos. Por otra parte los robots utilizados en la fbricas
automatizadas son controlados por servo motores con los servo controles apropiados. Debe
notarse que la disponibilidad de computadores apropiados para los procesos es un factor
de significativa importancia en la factibilidad para controlar un proceso o automatizar una
industria. Los avances en la tecnologa de fabricacin de la microelectrnica han llevado
al desarrollo de computadoras, sistemas de comunicacin y electrnica de consumo,
sistemas que requieren fuentes de alimentacin reguladas y con frecuencia fuentes de poder
ininterrumpidas (UPS). Si se considera el aumento constante del costo de la energa
elctrica, es evidente la casi obligatoriedad del uso eficiente de dicha energa. Por esto, los
sistemas de electrnica de potencia ofrecen un mejor costo-efectivo para el usuario.
En los sistemas electrnicos lineales, los dispositivos semiconductores son
utilizados en su regin de operacin lineal (activa), donde se comportan como una
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resistencia variable.
Introduccin
De esta manera estos dispositivos tienen una baja eficiencia
energtica, la cual puede ser tolerada debido a que los niveles de potencia son usualmente
bajos, estando en el orden de unas pocas decenas de vatios.
En las aplicaciones de electrnica de potencia, la potencia es convertida de forma
controlada, en un rango que va desde unos pocos vatios hasta varios cientos de megavatios.
Por lo tanto, y en contraste con los sistemas electrnicos lineales, los dispositivos
semiconductores en los sistemas de electrnica de potencia operan como interruptores,
estando completamente encendidos o completamente apagados, lo cual da como resultado
una eficiencia energtica sustancialmente elevada. Este aumento en la eficiencia es
extremadamente importante debido al costo de la energa gastada y a la dificultad de
remover el calor generado por dicha energa.
Aplicaciones de la electrnica de potencia

Tipo de aplicacin
Residencial
Comercial
Industrial
Detalle
Refrigeracin y congelacin
Calefaccin
Acondicionamiento de aire
Cocina
Iluminacin
Electrnica (computadores personales, otros equipos de
entretenimiento)
Calefaccin, ventilacin y Acondicionamiento de aire
Refrigeracin central
Iluminacin
Equipo de oficina y computadoras
Fuentes ininterrumpidas de energa UPS
Elevadores
Bombas
Compresores
Secadores y ventiladores
Mquinas de herramientas
Hornos de arco y hornos de induccin
Iluminacin
Lser industrial
Calentamiento por induccin
Soldadura
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Transporte
Redes elctricas
Aeroespacial
Telecomunicaciones
Introduccin
Control de traccin de vehculos elctricos

Cargadores de bateras para vehculos elctricos
Locomotoras elctricas
Metros
Tranva
Electrnica automotriz incluyendo el control del motor
Transmisin en alto voltaje DC (HVDC)
Generacin esttica de potencia reactiva
Fuentes alternas de energa (fotovoltaicas, elicas)
Sistemas de almacenamiento de energa
Sistemas de alimentacin de energa para naves espaciales
Sistemas de alimentacin para satlites
Sistemas de alimentacin para aviones
Cargadores de bateras
Fuentes de energa
1. 1 CLASIFICACIN DE LOS CONVERTIDORES DE ELECTRNICA

DE POTENCIA.
Los sistemas en electrnica de potencia consisten de uno o ms convertidores, los
cuales utilizan dispositivos semiconductores de potencia controlados por circuitos
integrados. Los convertidores son los mdulos bsicos en electrnica de potencia. De
manera general, un convertidor electrnico de potencia controla y conforma una entrada
elctrica de magnitud Vi, frecuencia fi y nmero de fases mi, en una salida elctrica de
magnitud Vo, frecuencia fo y nmero de fases mo. El flujo de potencia en el convertidor
puede ser reversible, intercambiando de esta manera los roles de entrada y salida.
Especficamente, un convertidor DC-DC convierte un nivel de voltaje DC en otro. Un
convertidor AC-DC tiene una accin rectificadora si el flujo de potencia es del lado AC al
DC, y tiene accin inversora en caso contrario.
Hay muchas maneras de clasificar los convertidores utilizados en electrnica de
potencia. Estas formas incluyen la clasificacin mediante el tipo de dispositivo utilizado,
mediante la funcin del convertidor, por la forma en que es conmutado en dispositivo de
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Introduccin
potencia y as. Desafortunadamente, no es posible tener categoras estrictamente definidas

debido a que siempre hay excepciones.
Si se considera la forma en que se conmutan los dispositivos de potencia en el
convertidor, se tienen dos opciones:
1. Convertidores de frecuencia de lnea, donde el voltaje de la red pblica presente en
uno de los lados del convertidor facilita el apagado de los dispositivos
semiconductores de potencia. Adicionalmente, los dispositivos son disparados y
bloqueados a la frecuencia de la lnea, 50 60 Hz.
2. Convertidores conmutados, donde el interruptor controlado presente en el
convertidor es conmutado a frecuencias altas comparadas con la frecuencia de la
lnea. A pesar de que el dispositivo de potencia es conmutado a una alta frecuencia,
la salida del convertidor puede ser DC o de una frecuencia comparable a la
frecuencia de la lnea.
ALGUNAS APLICACIONES
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Interruptores Electrnicos de Potencia
INTERRUPTORES ELECTRNICOS
DE POTENCIA
El incremento de las capacidades, facilidad de control y costo reducido de los
dispositivos semiconductores de potencia modernos comparados a los existentes hace
algunos aos atrs, ha hecho que los convertidores aparezcan en un gran nmero de
aplicaciones y ha abierto las puertas para la creacin de nuevas topologas para las
aplicaciones de electrnica de potencia. Con miras a entender la viabilidad de las nuevas
topologas y aplicaciones, es esencial que las caractersticas de los dispositivos de potencia
disponibles sean puestas en perspectiva. Con este fin se presentar un resumen de las
caractersticas de los dispositivos de potencia, como voltaje, corriente, velocidad de
conmutacin, entre otras.
La realizacin del anlisis de los convertidores de potencia se hace mucho ms fcil
si se pueden considerar los dispositivos semiconductores de potencia como interruptores
ideales. Con este enfoque se le resta atencin a los detalles de operacin de los dispositivos,
con lo cual se facilita la observacin de la operacin bsica del circuito. De esta forma, las
caractersticas importantes del convertidor pueden ser entendidas con ms claridad.
Los dispositivos semiconductores de potencia actuales pueden ser clasificados en
tres grupos de acuerdo a su grado de controlabilidad. Estos grupos son:
1. Diodos (rectificadores): el disparo y el bloqueo est determinado por el circuito de
potencia.
2. Tiristores: son disparados por una seal de control pero su bloqueo depende del
circuito de potencia. Slo se excepta el GTO.
3. Interruptores controlables: el disparo y el bloqueo se da mediante seales de
control. (Transistores de potencia y GTO)
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2.1 DIODOS
En la figura 2.1 se muestra el smbolo del diodo sus caractersticas i-v en estado
estable. Cuando el diodo es polarizado en directa, ste conduce presentando una pequea
cada de voltaje, la cual est en el orden de 1V y depende en cierto grado de la corriente
que atraviesa el dispositivo y de la temperatura de su juntura. Cuando el diodo es
polarizado en reversa, slo se presenta una pequea corriente de fuga, la cual es de valor
despreciable y fluye por el dispositivo hasta que se alcance el voltaje de ruptura inverso.
En operacin normal el voltaje de ruptura inverso no debe ser alcanzado porque se
compromete al dispositivo.
Figura 2.1 Diodos. a) Smbolo, b) Caracterstica i-v, c) Caracterstica idealizada
Durante el proceso de disparo los diodos pueden ser considerados normalmente

como interruptores ideales ya que su velocidad de conmutacin es mucho mayor a la
velocidad de cambio se las variables elctricas en los circuitos de potencia. Sin embargo,
durante el bloqueo la corriente del diodo se invierte durante un tiempo conocido como
tiempo de recuperacin reversa trr, como se indica en la figura 2.2. Durante este tiempo
la corriente tambin alcanza un valor mximo conocido como corriente de recuperacin
reversa Irr. Este proceso puede provocar sobrevoltajes en circuitos de caractersticas
inductivas. En los circuitos en que este proceso no afecte la operacin del convertidor, el
diodo puede ser considerado por completo como un interruptor ideal.
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Figura 2.2
Fenmeno de recuperacin de un diodo de potencia. Los parmetros que

definen este fenmeno son Irr y trr.
Dependiendo de los requerimientos de la aplicacin, pueden ser utilizados tres tipos

de diodos: Diodos Schottky, Diodos de recuperacin rpida, Diodos de frecuencia de lnea.
2.1.1 ESTRUCTURA BSICA

La realizacin prctica de un diodo para aplicaciones de potencia se muestra en la
figura 2.3. Esta estructura consiste de un sustrato tipo n altamente dopado, seguido de una
capa ligeramente dopada de un grosor determinado. Finalmente, la unin pn se forma por
la difusin en la capa tipo p altamente dopada, la cual forma el nodo del diodo. El rea
de la seccin transversal depende de la corriente para la cual es diseado el dispositivo.
Para diodos que puedan manejar varios miles de amperios, esta rea puede ser de varios
centmetros cuadrados.
La regin n-, conocida tambin como regin de deriva, es una parte esencial en la
estructura, la cual no est presente en los diodos de seal. Esta regin debe ser ms gruesa
para diodos con voltajes reversos de gran valor, por lo cual el voltaje inverso pico que
puede manejar el dispositivo depende del grosor de esta capa.
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Figura 2.3 Seccin transversal de la estructura vertical de un diodo de potencia.
2.1.2 DIODOS SCHOTTKY

Un diodo schottky se forma al poner una delgada lmina de metal directamente
sobre un semiconductor. En la figura 2.4 se muestra el diagrama de un diodo schottky, en
el cual el metal corresponde al electrodo positivo y el semiconductor al electrodo negativo.
Debido a que la unin rectificadora se forma entre un metal y un semiconductor y no entre
dos semiconductores, la cada en directa es mucho menor que en un diodo normal,
tpicamente entre 0.3 y 0.4V. Este diodo es apropiado para reducir las prdidas en
conduccin y aumentar la eficiencia total de un convertidor, lo cual sera apropiado para
sistemas autnomos que deban utilizar la energa de forma eficiente. El voltaje de ruptura
para estos diodos normalmente est en el rango de 100 a 200V.
La unin rectificadora se forma debido a que los electrones en el metal poseen un
nivel de energa absoluto menor que los electrones en el semiconductor, por lo cual al entrar
en contacto por primera vez se genera un flujo neto de electrones creando una regin de
agotamiento. El alto nivel de contaminacin de la regin n+ inferior genera un campo
elctrico de gran valor que facilita el flujo de electrones, por lo cual este contacto se
denomina contacto hmico.
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Figura 2.4
Diodo Schottky. Seccin transversal de su estructura vertical. Observe que el

nodo est formado por la lmina de aluminio.
A continuacin se mostrarn algunas caractersticas del diodo schottky

100BGQ100J de International Rectifier. Este diodo soporta una corriente promedio
mxima de 100A, un voltaje inverso de 100V y tiene un voltaje en conduccin de 0.74V
para 100A. Su rango de temperatura en operacin es de 55 a 175C para la juntura.
Mximos absolutos y Descripcin
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Adems de las caractersticas elctricas que se definen en la tabla anterior, las

cuales son vlidas para un punto de operacin especfico, es importante conocer y manejar
algunas de las grficas que vienen en la data de fabricante. Con la ayuda de estas curvas
se puede tener un valor ms exacto del parmetro en cuestin.
Una de las curvas importantes es

la que muestra la temperatura permitida
en el encapsulado en funcin de la
corriente que maneja el dispositivo.
En la curva de la derecha se
muestra como la temperatura permitida
para el encapsulado decrece desde 175C
para una corriente de 0 A hasta 120C
para una corriente de 140 A DC
Otra curva importante en la data

de
fabricante
muestra
la
potencia
promedio disipada por el dispositivo en

funcin
de
la
corriente
promedio
manejada por el mismo. Ntese que esta

potencia depende tambin del ciclo de
trabajo bajo el cual est operando el
convertidor en cuestin.
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En las siguientes curvas se muestra

como vara la corriente reversa del diodo
en funcin de la temperatura de la juntura.
Obsrvese que para un voltaje reverso de
20V y una temperatura de juntura de 25C
la corriente reversa es de aproximadamente
1A, pero para una temperatura de juntura
de 175C la corriente ya es de 50mA.
Una de las curvas ms importantes

es la que muestra la cada de voltaje en
directa en funcin de la corriente que
maneja el diodo. Esta curva muestra que
para corrientes de 1A y temperatura de
juntura de 125C la cada en el diodo es de
apenas 0.25V, muy inferior a un diodo
normal. Para una corriente de 100A la
cada en el diodo alcanza los 0.75V. Esto
contribuye mucho a reducir las prdidas
por conduccin. Ntese que para temperaturas mayores, donde la conductividad
del semiconductor es mayor, la cada de
potencial del diodo es an menor. Esto es
cierto para los otros diodos.
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Especificaciones trmicas
Las resistencias trmicas definen la facilidad con que el dispositivo puede deshacerse del
calor generado en la juntura por la disipacin de potencia. En el siguiente captulo se revisar el
clculo de la potencia disipada en los dispositivos semiconductores de potencia, as como el
clculo del disipador de calor y los mtodos de reduccin de estrs.
2.1.3 DIODO DE FRECUENCIA DE LNEA O DIODO ESTNDAR.

Estos diodos son diseados para que su cada de voltaje en directa durante la
conduccin sea lo ms bajo posible, con el propsito de disminuir las prdidas durante la
conduccin, pero como una consecuencia directa se tiene un valor elevado del tiempo de
recuperacin reversa trr, los cuales son aceptables para diodos de frecuencia de lnea. Estos
diodos estn disponibles con especificaciones de voltaje inverso pico de varios kilovolts y
especificaciones de corriente de varios kiloamperes. Adems, estos diodos pueden ser
conectados en serie o en paralelo para satisfacer los requerimientos de corriente y voltaje
del convertidor. Ntese, que la principal aplicacin de estos diodos son los circuitos
rectificadores, los cales normalmente operan a 50 60 Hz.
Las caractersticas elctricas tienen un formato similar a las mostradas para el diodo
schottky, sin embargo tambin puede encontrarse informacin sobre el parmetro I2t
relacionado con la energa que deben manejar los fusibles utilizados para la proteccin del
dispositivo.
A continuacin se muestran las caractersticas elctricas para el diodo
SD200N de International Rectifier. El diodo mostrado es un diodo de 200 A y 2400 V,

sin embargo puede manejar una corriente de 314 Arms y una corriente no repetitiva de
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4920 A. Ntese que para estos niveles de corriente ya no se utilizan los encapsulados de
plstico.
En esta curva se aprecia

la dependencia del la cada de
voltaje en el diodo estndar de la
corriente
dispositivo.
que
maneja
el
En este caso se
hace referencia a la corriente

instantnea.
Otro diodo al que hacemos referencia es el SD6000C, que puede manejar hasta
6690 A, el cual es un valor bastante elevado. Las caractersticas principales de este diodo
se muestran en la siguiente tabla, junto al encapsulado del mismo.
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En esta ltima grfica se presenta la dependencia que existe entre la cada de voltaje
en directa y la corriente maneja por el diodo. Observe como la cada llega a alcanzar
valores de hasta 3V para corrientes instantneas superiores a los 30000 A.
2.1.4 DIODO DE RECUPERACIN RPIDA

Estos diodos son diseados para ser utilizados en circuitos de alta frecuencia en
combinacin con interruptores controlables, donde sea necesario tener un tiempo de
recuperacin reversa muy pequeo. Para niveles de corriente de algunos cientos de
amperios y de voltaje de algunos cientos de volts, estos diodos tienen tiempos de
recuperacin menores a algunos microsegundos.
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A continuacin se presentarn datos de fabricante del diodo de recuperacin rpida

30EPF fabricado por International Rectifier. Los datos que se refieren a los valores
mximos y especificaciones elctricas no difieren en su significado de los presentados en
las hojas de especificaciones de los otros diodos, sin embargo, los parmetros asociados
con la recuperacin del diodo si son especialmente resaltados en este diodo, por lo tanto se
muestran a continuacin.
Parmetros de recuperacin del diodo.
Obsrvese de la tabla anterior que el tiempo de recuperacin de este diodo es de

160ns para una corriente de 20 A y una temperatura de 25C. De igual forma puede
observarse que la corriente mxima de recuperacin es de 10A, o sea, la mitad de la
corriente circulante por el diodo.
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En las curvas anteriores se muestra la relacin existente entre los parmetros de

recuperacin (tiempo y corriente de recuperacin reversa) y la velocidad de cada de la
corriente (di/dt) para diferentes valores de corriente en el diodo. Obsrvese que para
corrientes pequeas, debido a que la carga almacenada en el diodo se comporta de forma
ms o menos constante, cuando el tiempo de recuperacin disminuye el valor de corriente
de recuperacin necesario aumenta.
En la figura contigua se muestra la
forma cmo el nmero de parte guarda
relacin
con
las
caractersticas
del
dispositivo. Cabe mencionar que aunque

los parmetros definidos en el nmero de
parte son tpicamente los mismos, cada
fabricante genera su propio cdigo, motivo
por el cual es necesario verificar la
referencia de cada uno antes de hacer la
interpretacin de los cdigos.
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Adicionalmente a lo antes expresado, cuando se trata de diodos de recuperacin

rpida cada fabricante puede tener subcategoras, como en el caso de International
Rectifier, quienes tambin fabrican los diodos llamados Hyperfast Rectifier. Uno de
estos diodos es el 30ETH06, del cual slo se presentarn algunos parmetros relacionados
con sus caractersticas de recuperacin.
Cuando se comparan estos parmetros con los del diodo anterior, se nota
inmediatamente la diferencia. Para una corriente mayor, en este caso 30 A, el tiempo de
recuperacin es de 77ns. Obsrvese que el aumento de la temperatura de la juntura degrada
el desempeo del diodo, ya que para temperaturas mayores el diodo como buen
semiconductor presenta una mayor conductividad y es ms difcil su recuperacin.
Obsrvese tambin que la corriente de recuperacin reversa es de valor inferior a las
presentadas por el diodo anterior.
2.2 OTRAS PRESENTACIONES PARA LOS RECTIFICADORES

En aplicaciones de electrnica de potencia muchas veces estos dispositivos se
utilizan en arreglos o circuitos conocidos, por este motivo los fabricantes ofrecen paquetes
con dos, cuatro o seis diodos, que vienen conectados de una forma especfica. Esto facilita
el proceso de montaje, disminuye ruidos e interferencias y mejora la fiabilidad del circuito,
aunque puede incrementar los costos de reparacin.
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A continuacin se presenta un resumen de las especificaciones del paquete

MTP-3 phase de International Rectifier.
Especificaciones
Aplicaciones
Pequeo Vf
Bajo perfil
Montaje directo en
disipador de calor
Baja resistencia
termica
Soldadura
UPS
Fuente
conmutadas
Controles para
motores
Encapsulado
Diagrama
Como se aprecia, este dispositivo es til para convertidores AC-DC, ya que el

rectificador trifsico est totalmente armado y no hay necesidad de hacer ninguna
conexin. El mismo cuenta con las tres terminales para las lneas de entrada de corriente
alterna, y presenta duplicadas las terminales de salida donde ha de conectarse el capacitor
de filtro. A continuacin se muestra la descripcin del cdigo para este dispositivo, con la
cual se puede definir la capacidad de corriente y de voltaje que se requiere para el mismo.
2.3 TRANSISTORES DE POTENCIA

Entre los transistores de potencia utilizados en electrnica de potencia estn el BJT
de potencia, el Darlington de potencia, el MOSFET de potencia y el IGBT. Todos ellos
tienen caractersticas diferentes y aplicaciones diferentes, siendo el BJT el de menos
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aplicacin debido a su poca ganancia de corriente y complejidad en el control del circuito

de la base. De cualquier forma, el estudio de estos transistores se iniciar con el BJT de
potencia, presentando su estructura y curvas caractersticas. Posteriormente se continuar
con los otros transistores en el mismo orden en que se mencionaron.
2.3.1 TRANSISTOR BIPOLAR DE POTENCIA

En la figura 2.5 se muestra la estructura bsica de un BJT de potencia as como un
isomtrico de la misma. Inmediatamente se pueden mencionar tres caractersticas que
diferencian su estructura de la estructura de un transistor de seal, estas son:
1. Estructura vertical. Maximiza el rea de la seccin transversal a travs de la cual
fluye la corriente del transistor y minimiza la resistencia trmica del transistor.
2. Capa semiconductora n-. Esta regin de caracterstica principalmente resistiva le
permite al transistor soportar mayores voltajes. De decenas a cientos de m.
3. Unin base-emisor entrelazada. Con esto se aumenta el rea de contracto entre la
base y el emisor y evitando la acumulacin de corriente y disminuyendo el riesgo
de falla por segunda ruptura.
Figura 2.5. Estructura bsica e isomtrico de un BJT de potencia.
Esta nueva estructura permite que estos transistores puedan comportarse de forma
algo diferente a los transistores de seal, hecho que queda de manifiesto al observar su
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caracterstica de salida, donde aparece una nueva regin llamada regin de cuasisaturacin. Debido a que el objetivo principal del uso de los transistores en electrnica
de potencia es hacerlos operar como interruptores, los mismos no operan en forma
permanente en la regin de activa, slo la atraviesan para pasar del estado de corte a la
saturacin y viceversa.
Cuando se analiza la operacin de un convertidor slo se estudian los circuitos
cuando el transistor est conduciendo y cuando el transistor est abierto, o sea, se
desprecian los estados intermedios.
Para que esta aproximacin tenga sentido, las
conmutaciones deben ser lo ms rpidas posibles, por lo tanto, en lugar de someter al

transistor a una saturacin dura, se utiliza el estado de cuasi-saturacin, en donde la cada
de voltaje a travs del transistor es casi la misma, sin embargo, la cantidad de carga
acumulada en su interior es muy inferior. Esto permite que el transistor pueda abandonar
con facilidad este estado y emigrar hacia el estado de corte.
Figura 2.6. Curvas caractersticas de salida para un BJT de potencia.
De cualquier forma como el BJT de potencia es un dispositivo controlado por

corriente, por lo cual su velocidad de conmutacin no es muy alta y slo puede ser operado
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a bajas frecuencias (menores a 5kHz). Estos transistores tienen ganancias de corriente que
no superan las 10 unidades, motivo por el cual el circuito de comando de la base debe ser
un circuito robusto y con cierta capacidad de manejo de corriente.
Con el propsito de poder utilizar los BJT de potencia en los convertidores de
potencia se fabrican los transistores Darlington. Los Darlington utilizados, cuyo circuito
es similar al mostrado en la figura 2.7, pueden ser de dos o tres etapas. Obsrvese la
presencia del diodo D1, el cual permite extraer la carga acumulada en transistor principal
(M).
Con este arreglo se pueden lograr ganancias superiores a las 100 unidades,
disminuyendo la robustez necesaria para el circuito de comando de la base. La ganancia

del Darlington est defina por la siguiente frmula:
M D M D
(2.1)
Figura 2.7. Circuito para un Darlington de potencia de 2 etapas. El diodo D2 es til para
aplicaciones en convertidores de puente H.
La fabricacin de los transistores Darlington no difiere mucho de la fabricacin de

los BJT de potencia. Obsrvese en la figura 2.8, que la regin del colector, formada por
las capas n+ y n-, es similar a la del BJT. La diferencia radica en la regin de la base en
donde se hace una perforacin y se coloca xido de silicio como aislante, consiguiendo as
tener dos bases. Luego se hace la metalizacin del emisor de transistor D a la base del
transistor M, y est listo el dispositivo.
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Figura 2.8 Estructura interna de un Darlington de potencia.
2.3.2 MOSFET DE POTENCIA

Los MOSFET de potencia son dispositivos tiles en aplicaciones de bajo voltaje y
elevada corriente, aunque claro est, pueden ser utilizados para valores no tan elevados de
corriente. La estructura de estos dispositivos puede observarse en la figura 2.9, donde se
puede apreciar el diodo intrnseco dentro de la estructura del mismo. Este diodo es muy
til cuando el transistor se utiliza para el control de cargas inductivas.
El control de los MOSFET es mucho ms fcil que el control de los BJT de
potencia, ya que stos son controlados por voltaje y no es necesario mantener una corriente
para que se mantengan en conduccin. Sin embargo, es bueno saber que los MOSFET de
potencia poseen una capacitancia de entrada que debe ser cargada y descargada con cada
conmutacin, motivo por el cual estos dispositivos no deben ser conectados directamente
a un circuito integrado. La forma apropiada, es comandar la compuerta de estos dispositivo
con un arreglo push-pull que trabaje entre +15V y 5V.
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Figura 2.9 Smbolo y Estructura bsica del MOSFET de potencia. Observe que las tres
caractersticas mencionadas para los transistores de potencia estn presentes en
esta estructura.
Otro aspecto importante a considerar, es que en electrnica de potencia slo se

utilizan los MOSFET de enriquecimiento, ya que stos no conducen si no se aplica en su
compuerta un voltaje que supere el voltaje de umbral. En el caso de los MOSFET de
vaciamiento, sera necesario fijar un voltaje negativo en su compuerta para bloquear el
dispositivo, lo cual complicara grandemente el control. La curva caracterstica genrica
de estos dispositivos se muestra en la figura 2.10.
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Figura 2.10 Curva caracterstica de salida y transconductancia para un MOSFET canal N.
Las caractersticas para un MOSFET canal p son similares a las mostradas en la

figura 2.10, y su control de compuerta debe tambin ser invertido.
La desventaja de los MOSFET de potencia radica en que se comportan bsicamente
como un elemento resistivo, por lo tanto, la potencia disipada en su juntura depende del
cuadrado de la corriente que estn manejando y del valor de su resistencia. El problema
surge debido a que el proceso de fabricacin implica que para MOSFET que soporten
elevados voltajes, los valores de su resistencia de encendido se ven multiplicados, siendo
que un MOSFET de 40V puede tener una resistencia de encendido de slo 3m, mientras
que MOSFET de 1000V pueden tener resistencias superiores a los 2. La potencia de
encendido de estos dispositivos est dada por:
PON RDS ON I D2
(2.2)
De lo anterior se desprende que para aplicaciones de bajo voltaje, como sistemas

automotrices, las prdidas por conduccin en estos dispositivos ser menor que en un BJT
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o Darlington de potencia. Sin embargo, para elevados valores de voltajes las prdidas se
haran inmanejables, por lo tanto, no se consiguen MOSFET de potencia para altos voltajes
y corrientes.
Hojas de datos
A continuacin se presenta los datos principales del MOSFET IRF2204 de
International Rectifier. Este dispositivo soporta un voltaje mximo entre drenaje y fuente
de 40V y puede manejar una corriente promedio de 210 A, con una resistencia de encendido
de 3.6m.
Mximos absolutos
De los valores mximos absolutos se debe destacar la corriente mxima y la

potencia mxima del dispositivo, as como los rangos de temperatura de juntura y
almacenaje. En el caso de los MOSFET es comn ver que la temperatura mxima de la
juntura alcanza los 175C. Adicionalmente puede observarse el Factor de degradacin de
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la potencia, que define la disminucin en la capacidad de manejo de potencia del

dispositivo por cada C de aumento de la temperatura de la carcasa (sobre los 25C).
Caractersticas trmicas
En la tabla anterior se muestran los valores de resistencia trmica, que definen la

facilidad con que el dispositivo puede eliminar el calor generado en la juntura. Los dos
primeros valores sirven para el clculo de la resistencia trmica del disipador de calor. El
ltimo valor es til si el dispositivo se utiliza sin disipador de calor. Sin embargo, ntese
que con un valor tan elevado (62C/W), la potencia que puede manejar el dispositivo,
suponiendo que la temperatura ambiente sea de 25C, se ve limitada a menos de 2.5W.
Caractersticas elctricas (@25C) Tiempos de conmutacin.
En la tabla anterior se muestran los valores para los tiempos de conmutacin para
un punto de operacin especfico, lo que deja en evidencia que los tiempos de conmutacin
no son parmetros constantes para el dispositivo. En este caso los retardos (td) estn
relacionados principalmente con la carga y descarga de la capacitancia de entrada. El
tiempo de subida (tr) en este caso alcanza los 140ns y el tiempo de cada (tf) los 110ns.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-26-
Caractersticas del diodo intrnseco.
Otro punto nuevo en las especificaciones de los MOSFET, se refiere a las

especificaciones de las caractersticas del diodo intrnseco. Observe que en este caso el
diodo presenta un voltaje en conduccin de 1.3V y tiene un tiempo de recuperacin reversa
tpico de 68ns para una corriente de 130 A.
Dentro de las curvas

presentadas en la hoja de
especificacin se debe prestar
principal atencin a la curva que
muestra la dependencia de la
resistencia de encendido RDS(on),
con la temperatura de la juntura,
ya que la potencia disipada por
el dispositivo depende directamente de este valor.
Esta
curva se muestra en la figura

adjunta.
Observe que la resistencia de encendido est normalizada a 25C, valor para el cual
el factor obtenido de la curva es 1. Sin embargo, para la temperatura mxima el factor
obtenido llega a 2.1, con lo cual la potencia disipada se habr duplicado.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-27-
En esta figura se muestra

el rea de Operacin Segura en
polarizacin directa. Como se
observa, este rea est limitado
por el tiempo de operacin del
transistor (ciclo de trabajo), por
el voltaje VDS y por la corriente
ID. Tambin se observa otra rea
limitada por el valor de RDS, o
sea, las prdidas se vuelven
inmanejables.
Es importante
sealar que este dispositivo no

presenta segunda ruptura.
A continuacin se presentan los parmetros principales para otros MOSFET de

potencia IRF3413, IRFP360 e IRFPG50, con el propsito de puedan ser comparados y
verificar la dependencia de la resistencia de encendido con el voltaje mximo del
dispositivo.
IRF3415
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-28-
IRFP360
IRFPG50
Para los MOSFETs mostrados complete la siguiente tabla e intente establecer la

relacin de correspondencia entre los diferentes parmetros mostrados en la tabla
VDSS
ID
RDS(ON)
tr
tf
IRF2204
IRF3415
IRFP360
IRFPG50
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-29-
Tambin debe aclararse que aunque los tiempos de cambio para la corriente y el
voltaje durante la conmutacin sean diferentes, en las datas de fabricante slo se definen
los tiempos para las corrientes, por lo tanto, si se requieren los tiempos para los voltajes
debern aproximarse a los tiempos de las corrientes.
Como punto final debe acotarse que los MOSFET de potencia pueden operar a
frecuencias tan altas como 100KHz, esto claro, dependiendo de la carga y el circuito de
comando de la compuerta. Por ejemplo, para el ltimo dispositivo la suma de los tiempos
de conmutacin es de 220ns. Si se considera que este tiempo no debera ser mayor al 5%
del perodo, entonces el perodo mnimo sera de 4.4s, lo que da como resultado una
frecuencia mxima de 225kHz.
2.3.3 TRANSISTOR BIPOLAR DE COMPUERTA AISLADA IGBT.

El desarrollo de este dispositivo tuvo como principal objetivo reunir las ventajas
del BJT de potencia y del MOSFET de potencia en un solo dispositivo. O sea, el
dispositivo debera tener caractersticas de entrada similares a las del MOSFET de potencia
(controlado por voltaje) y caractersticas de salida similares al BJT de potencia (voltaje de
salida prcticamente constante).
En la figura 2.11 se muestran las caractersticas del IGBT as como los smbolos
utilizados para representarlos. Existe quizs algo de desacuerdo en la representacin de
este dispositivo, porque en ocasiones se representa por un smbolo muy semejante al de un
MOSFET y en otros casos se le representa con un smbolo muy semejante a un BTJ. Es
ms, no est claro si los terminales de salida se denominan emisor y colector (por el BJT)
o si se denominan drenaje y fuente (por el MOSFET).
Los voltajes utilizados para el control de la compuerta de un IGBT son bsicamente
los mismos que los utilizados con los MOSFET (+15V y 5V). Ya que este dispositivo
presenta caractersticas capacitivas muy similares a los MOSFETs de potencia, tampoco
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-30-
debe conectarse directamente a un circuito integrado, sino que debe utilizarse un circuito
de comando como interfaz.
(d)
Figura 2.11
Smbolo y curvas caractersticas para un IGBT. Se puede observar que se

presentan dos smbolos, y es que en la literatura suelen aparecer ambos. Quiz
la ambigedad est relacionada con los orgenes mismos del transistor. De la
misma forma, en ocasiones se nombras los terminales de salida como drenajefuente y a veces como colector-emisor.
En la figura 2.12 se muestra la estructura bsica y el isomtrico del IGBT, la cual

es bastante similar a la del MOSFET de potencia. La principal diferencia es la presencia
de la capa p+, la cual forma el drenaje del IGBT. La compuerta y la fuente del IGBT se
encuentran integradas en una estructura geomtrica similar a la del MOSFET de potencia.
Tambin puede observarse que la estructura presenta un SCR parsito, sin embargo, la
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-31-
operacin de dicho elemento no es deseable, ya que este es un dispositivo no-controlable

del todo.
Figura 2.12
Seccin transversal de la estructura vertical de un IGBT, junto con una vista

isomtrica del mismo.
En cuanto a los tiempos de conmutacin los IGBT, debido a su estructura ms

compleja, presentan un fenmeno que es ajeno a los MOSFET de potencia, ste es una cola
de corriente al momento del bloqueo. Dicha cola hace que los tiempos de cada de la
corriente se catapulten y resulten mucho mayores a los tiempos de los MOSFETs. En la
figura 2.13 se muestra dicho fenmeno.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-32-
Figura 2.13 Comparacin entre el bloqueo del MOSFET y el IGBT.
Hojas de datos
Las hojas de datos de los IGBT no aportan elementos nuevos a nuestro anlisis,
pero debe mencionarse que a pesar de que los IGBT no poseen un diodo en antiparalelo
como los MOSFET, algunos fabricantes le aaden este dispositivo para facilitar su uso en
el control de velocidad para motores elctricos.
A continuacin se presentarn algunos de los parmetros del IGBT IRG4P254S
de International Rectifier, el cual es un dispositivo de 250V y 55A, corriente para la
que presenta una cada de voltaje entre drenaje-fuente de 1.32V.
Mximos absolutos
De los valores mximos del dispositivo se puede resaltar la degradacin de la
potencia disipada con el aumento de temperatura, tambin observe que la temperatura
mxima de la juntura slo llega a 150C.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-33-
Resistencia trmica
Caractersticas elctricas @25C
Caractersticas de conmutacin @25C
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-34-
Obsrvese que a diferencia de los MOSFET, en el caso de los IGBT, el tiempo de

cada de la corriente es muy superior al tiempo de subida de la misma. En este caso tr=44ns
y tf=510ns, para una corriente de colector de 55A y una temperatura de juntura de 25C, la
cual es una condicin bastante difcil de obtener. Tambin se muestran estos mismos datos
para una temperatura de juntura de 150C.
Con relacin a las curvas, si hay varias curvas que debemos analizar las cuales
muestran la dependencia o relacin entre ciertos parmetros vitales del IGBT.
Una de estas curvas que se
muestra adjunta y define la relacin entre
la corriente de colector y el voltaje
colector emisor. Puede observarse que
aunque la corriente, en este caso, aumente
desde 1 hasta 100A, el voltaje colectoremisor slo ha aumentado 0.6 a 2V. Esta
misma condicin en un MOSFET de
potencia
hara
que
su
voltaje
se
incrementase 100 veces.

Otra curva de inters muestra la
relacin entre la corriente de colector y el
voltaje compuerta-emisor que es necesario
para obtener el nivel de conduccin
requerido. Obsrvese que con un voltaje
de 9V se puede polarizar al dispositivo con
el campo suficiente como para que ste
conduzca ms de 100 A. Por esta razn,
los circuitos de comando de los MOSFET
e IGBT utilizan un voltaje de 15V para
operar.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-35-
En esta ltima curva se observa

que el voltaje de encendido entre colector
y emisor depende principalmente de la
corriente de colector y que el efecto de la
temperatura slo es algo apreciable para la
corriente de 110 A.
En el caso de la
corriente de 55 A, no es perceptible el
efecto de la temperatura.
En el caso de los IGBT las caractersticas no cambian notablemente con el cambio

de sus caractersticas mximas, motivo por el cual no se presentarn hojas de fabricante
adicionales.
PREGUNTAS:
1. Por qu el semiconductor en contacto con los terminales principales de los
dispositivos de potencia est altamente dopado?
2. Qu potencia puede disipar el MOSFET IRF2204 cuando la temperatura del
encapsulado es de 100C?
3. Para qu el fabricante provee el valor de la resistencia trmica entre juntura y
ambiente?
4. Por qu los BJT de potencia no son utilizados en circuitos de medias potencias?
5. Por qu un MOSFET de potencia a pesar de ser controlado por voltaje no puede ser
manejado directamente por un circuito integrado.
6. Explique con sus palabras y haciendo referencia al diagrama de la estructura del
MOSFET de potencia, por qu la resistencia de encendido aumenta con el voltaje
mximo que pueden soportar.
7. Por qu es necesario aplicar un voltaje negativo a la base de los BJT de potencia
cuando se quiere apagarlos, en circuitos de electrnica de potencia.
8. Por qu la barrera de potencial en un diodo Schottky es menor que en un diodo
estndar?
9. Para qu aplicaciones se prefiere un IGBT en lugar de un MOSFET y por qu?
10. Cul es el valor del voltaje de encendido en un IRG4P254S que conduce 50A, y
diga si este valor depende de la temperatura de juntura.
11. Dibuje el diagrama de un Darlington de tres etapas, considerando la necesidad de
retirar la carga acumulada en la base de los transistores.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-36-
12. Dibuje el diagrama de un circuito de antisaturacin para un BJT que no permita que
el voltaje de colector-emisor disminuya por debajo de 2.1V.
13. Por qu razn la ganancia de corriente en los BJT de potencia presenta valores tan
bajos? (entre 5 y 10 unidades). Su respuesta debe relacionarse con la estructura
fsica del dispositivo.
14. A qu se debe que los MOSFET de potencia presenten una eleva resistencia de
encendido RDS-ON, cuando son diseados para soportar altos voltajes.
15. Qu es el fenmeno de segunda ruptura, cuando puede presentarse y que puede
hacerse para evitarlo.
16. Para qu condiciones de aplicacin se hara necesario utilizar un GTO en lugar de
un IGBT.
17. Para un IGBT con la curva de Ic vs Vge igual a la presentada en la pgina 35, que
maneja una corriente de carga de 37A, cuanta corriente pasar por este dispositivo
si el voltaje de entrada (Vge) es de 7.5V para una temperatura de juntura de 150C.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-37-
Prdidas y Snubbers
CLCULO DE PRDIDAS Y
CIRCUITOS DE AYUDA A LA
CONMUTACIN
En este captulo se presentar el procedimiento para el clculo de las prdidas de
potencia en un transistor, paso esencial para el clculo del disipador de calor apropiado
para que la juntura del dispositivo no sobrepase el mximo especificado, ya que de ser as,
la vida til del dispositivo se ve comprometida. Tambin se analizarn los circuitos de
ayuda a la conmutacin (snubber), para el disparo y para el bloqueo, los cuales tienen
como funcin reducir las prdidas en los transistores, modificando la trayectoria de la
conmutacin, y adems reducen los estrs de voltaje y corriente sobre el transistor, los que
pueden llevarlo a una falla por segunda ruptura.
3.1 PRDIDAS EN UN TRANSISTOR DE POTENCIA

Cuando se analiza la disipacin de potencia en un dispositivo semiconductor debe
tenerse presente que sta tiene dos orgenes, uno se debe a las prdidas asociadas a la
conduccin de corriente, y el otro se debe al proceso de conmutacin. Aunque el proceso
de conmutacin toma slo una pequea parte del perodo de la seal, es crtico porque en
l se presentan al mismo tiempo elevados valores de voltaje y corriente. Adems, este
fenmeno se repite muchas veces en un segundo, en aplicaciones tpicas, se puede estar
trabajando a una frecuencia de conmutacin de 30kHz.
3.1.1 PRDIDAS POR CONDUCCIN

Las prdidas por conduccin se generan cuando el interruptor se encuentra en su
estado ON. Sin embargo, en la mayora de las aplicaciones los interruptores se controlan
con el mtodo de PWM, o sea, la frecuencia y por tanto el perodo se mantienen constantes
y el intervalo en que el transistor est conduciendo vara, generando as el parmetro
conocido como ciclo de trabajo (D).
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-38-
Prdidas y Snubbers
Si se considera que durante la conduccin el transistor maneja la corriente de la

carga y presenta entre sus terminales el voltaje de encendido, se puede definir la potencia
disipada como la multiplicacin de estos parmetros por el ciclo de trabajo. Al aplicar este
concepto a los transistores estudiados se llega a las siguientes ecuaciones.
a. BJT de potencia e IGBT
PON VCE ON I O D
(3.1)
PON RDS ON I O2 D
(3.2)
b. MOSFET de potencia
De las ecuaciones anteriores se desprende que si el valor de la resistencia de

encendido del MOSFET es pequeo, sus prdidas sern menores que las generadas por el
BJT o IGBT cuando se maneje la misma corriente, caso contrario sern mucho mayores,
ya que sus prdidas dependen del cuadrado de la corriente.
NOTA: Es importante hacer nfasis que en el clculo de la potencia debe utilizarse
la corriente de la carga y no la corriente mxima que puede manejar el transistor.
3.1.2 PRDIDAS POR CONMUTACIN

Las prdidas por conmutacin son algo ms complejas que las prdidas por
conduccin, ya que las mismas dependen del tipo de carga que est manejando el transistor.
En la mayora de las aplicaciones de electrnica de potencia, los transistores tienen como
objetivo manejar una carga con caractersticas inductivas, pero puede darse el caso de que
la carga se presente como una resistencia pura. En este folleto nos enfocaremos al caso
inductivo que es presentado en la figura 3.1.
Como se puede apreciar en primera instancia, en el circuito se presenta un diodo en
antiparalelo con la carga inductiva, representada por una fuente de corriente Io. Este diodo
es de suma importancia y no debe ser olvidado bajo ninguna circunstancia, ya que el mismo
permite que la corriente de la carga tenga un camino alterno para su circulacin cuando el
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-39-
Prdidas y Snubbers
transistor de potencia es apagado. De no estar presente o haberse daado, el efecto

inductivo de la carga har que sta incremente su voltaje hasta donde sea necesario, con el
fin de mantener la continuidad en el flujo de corriente. Este elevado voltaje someter al
transistor de potencia a un estrs excesivo que seguramente terminara con su destruccin.
Figura 3.1
Circuito y formas de onda para la conmutacin de cargas inductivas por un

transistor de potencia.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-40-
Prdidas y Snubbers
Analizando las curvas, podemos ver que para el caso inductivo, la corriente y el
voltaje en el transistor no evolucionan a la vez, como sucede en el caso resistivo, y esto se
debe exclusivamente al diodo colocado en antiparalelo con la carga. Ntese tambin que
existen tiempos tdON y tdOFF, los cuales estn relacionados con la colocacin y remocin
de la carga del transistor. Por otra parte, los tiempos asociados con la subida y cada del
voltaje y la corriente no son iguales, sin embargo, en las hojas de especificaciones no se
dan los valores para ambas variables, slo se definen los relacionados a la corriente.
Como se aprecia en la figura 3.1, la energa asociada a cada conmutacin depende
de los valores de corriente y voltaje de la carga y de los tiempos de conmutacin. Sin
embargo, como nuestro inters es el clculo de la potencia, estos valores deben sumarse y
multiplicarse por la frecuencia de conmutacin, dando como resultado la siguiente
ecuacin:
PS 12 VO I O f S t ri t fv t rv t fi
(3.3)
Cuando se considera que las hojas de datos no presentan todos los parmetros
necesarios, se hace obligatorio aproximar los tiempos de conmutacin de corriente y voltaje
a los presentados en la hoja de especificacin y obtener la siguiente ecuacin.
PS VO I O f S t r t f
(3.4)
3.1.3 CLCULO DEL DISIPADOR DE CALOR

Para el clculo del disipador de calor debe obtenerse la potencia total (PTOT), que es
simplemente la suma de la potencia disipada por conduccin y la potencia disipada por
conmutacin.
Debe considerarse tambin la temperatura mxima de la juntura del
transistor y el rango de variacin de la temperatura ambiente. En el caso de la resistencia

trmica entre la juntura y el encapsulado, su valor se ve definido por el fabricante, pero en
el caso de la resistencia trmica entre el encapsulado y el disipador, la misma depende del
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-41-
Prdidas y Snubbers
tipo de montaje y el fabricante slo da un valor de referencia para un tipo de montaje

especfico.
Con todos los datos definidos se puede obtener el valor de la resistencia trmica del
disipador (RSA) de calor con la siguiente ecuacin:
T j Ta PTOT RJC RCS RSA
(3.5)
Es importante saber qu criterio utilizar al definir el valor de la temperatura de

juntura, ya que por cada 10C por debajo de la temperatura mxima la fiabilidad a
largo plazo del dispositivo se duplica. Lo contrario pasa cuando el dispositivo opera
normalmente por encima de la temperatura mxima especificada, siempre y cuando
no se superen los 230C, valor para el cual el silicio normalmente falla.
En la figura 3.2 se muestra la diferencia en las cadas de voltajes para diferentes

dispositivos, entre ellos MOSFET de diferentes voltajes y un IGBT. Ya que las prdidas
por conduccin estn definidas por la multiplicacin de corriente y voltaje, los dispositivos
que presenten mayor voltaje en las curvas, presentarn mayores prdidas.
Figura 3.2
Comparacin entre la cada de voltaje y la corriente manejada por diferentes

dispositivos.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-42-
Prdidas y Snubbers
3.2 CIRCUITOS DE AYUDA A LA CONMUTACIN

Como se ha demostrado, las prdidas por conmutacin dependen directamente de
la frecuencia de conmutacin. En la figura 3.3 se muestra de forma ms real el proceso de
conmutacin en un transistor de potencia. En la misma puede apreciarse el efecto inductivo
de los cables, conectores y patas de dispositivos, as como de la corriente de recuperacin
reversa del diodo.
En la parte b de la figura 3.3, se observa que durante la conmutacin, tanto en el
disparo como en el bloqueo, se presentan elevados valores de voltaje y corriente al mismo
tiempo, los que someten a los dispositivos a una situacin de estrs que podra causar su
falla por el fenmeno conocido como segunda ruptura. Si se define el voltaje colectoremisor para el circuito de la figura 3.3a se tendr la siguiente ecuacin:
vCE Vd L
diC
dt
(3.6)
Lo conveniente para la reduccin de las prdidas por conmutacin es el uso de

circuitos conocidos como circuitos de ayuda a la conmutacin o snubber. Estos
circuitos se disean tanto para el bloqueo como para el disparo de los transistores. En el
caso del bloqueo el propsito es disminuir la velocidad con que aumenta el voltaje colectoremisor, en el caso del disparo la intencin es reducir la velocidad de aumento de la corriente
a la vez que se reduce el voltaje sobre el transistor de potencia.
La segunda ruptura es un fenmeno asociado a los BJT y a algunos otros dispositivos

de portadores minoritarios durante el cual el voltaje colector-emisor decae mientras
se manejan valores elevados de corriente. El problema es que el manejo de corriente
se da en reas localizadas llegando a producirse filamentos de corrientes los cuales
elevan la disipacin de potencia y la temperatura del semiconductor en estas regiones,
llevndolo a su destruccin si el fenmeno no termina prontamente.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-43-
Prdidas y Snubbers
Figura 3.3 Conmutacin de carga inductiva. a) Circuito equivalente, b) Trayectoria de

corriente y voltaje, c) Formas de onda en funcin del tiempo.
3.2.1 SNUBBER DE BLOQUEO

Para mejorar la evolucin de las variables de voltaje y corriente durante el bloqueo
se utiliza el circuito mostrado en la figura 3.4. La idea inicial es colocar un capacitor en
paralelo con el transistor de potencia y as reducir el dv/dt a la hora del bloqueo. El voltaje
en el capacitor del snubber sigue la siguiente ecuacin:
vCS
I Ot 2
2CS t fi
(3.7)
Esto funciona adecuadamente para el fin deseado, pero al inicio del siguiente
perodo el capacitor se descargar sobre el transistor provocando un pico de corriente que
no es deseable.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-44-
Figura 3.4
Prdidas y Snubbers
Circuito de ayuda a la conmutacin durante el bloqueo. a) Diagrama

esquemtico, b) Circuito equivalente durante el transitorio. c) Formas de onda
de voltaje y corriente el bloqueo. CS1 es el valor para el cual la corriente de
colector se anula en el mismo instante en que el voltaje colector-emisor llega a
su mximo.
Para evitar esto, se coloca una resistencia en serie con el capacitor, pero slo una
resistencia aumentara mucho la constante de tiempo durante el bloqueo, y la frecuencia de
conmutacin podra verse afectada. Para tener dos constantes de tiempo diferentes se
coloca un diodo en paralelo con la resistencia, lo cual permite que el capacitor se cargue a
travs del diodo durante el bloqueo y se descargue a travs de la resistencia durante el
disparo. El valor del capacitor CS1 puede determinarse a travs de la siguiente ecuacin.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-45-
Prdidas y Snubbers
CS1
I O t fi
2Vd
(3.8)
El valor de la resistencia serie, as como su potencia, pueden ser calculados por las
siguientes ecuaciones
Vd
0.2 I O
RS
(3.9)
C SVd2
PR
fS
2
(3.10)
No es estrictamente necesario que el capacitor utilizado sea igual a CS1, su valor

puede ser mayor o menor, un valor mayor reduce las prdidas por conmutacin pero alarga
este proceso. Un valor menor tiene menos efecto sobre la reduccin de las prdidas por
conmutacin. Adicionalmente, existe una potencia disipada en el resistor Rs, la cual
disminuye la eficiencia global del circuito. Por esta razn debe definirse con claridad cual
es el objetivo del snubber, considerando que es conveniente mantener el transistor lo ms
fro posible.
En la figura 3.5 se muestra un grfico que modela las prdidas en el transistor y en
el resistor utilizado en el snubber en funcin del tamao del capacitor Cs. Obsrvese que
las prdidas totales tienen un mnimo para un valor cercano a 0.5CS1, para obtener el valor
exacto debe derivarse la expresin para las perdidas totales con respecto a CS e igualar este
valor a cero.
3.2.2 SNUBBER DE DISPARO

Para mejorar las condiciones durante el disparo se coloca un inductor en serie con
el transistor de potencia, sin embargo, este inductor puede tambin tener un efecto adverso
sobre el transistor durante el bloqueo del mismo, por lo tanto, es necesario poner un diodo
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-46-
Prdidas y Snubbers
en antiparalelo con el mismo. Tambin es necesario el uso de un resistor en serie para

eliminar la energa que se ha almacenado en el inductor, ya que de no hacerse as, no se
tendr proteccin durante el siguiente disparo. El circuito y las curvas relacionadas se
presentan en la figura 3.6.
Figura 3.5. Disipacin de energa durante el bloqueo en un BJT de potencia.
Las frmulas apropiadas para el clculo de los elementos del snubber son las
siguientes:
VCE
LS I O
t ri
VCE ,max RLS I O
PR
LS I O2
fS
2
(3.11)
(3.12)
(3.13)
El valor de VCE est definido por la disminucin en el voltaje colector debida a la

cada de voltaje en el inductor Ls. El valor de VCE-max se refiere a la sobretensin que se
generar al final del perodo de bloqueo debido al inductor Ls. Este valor no debera ser
superior a un 10% del valor de la fuente.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-47-
Figura 3.6
Prdidas y Snubbers
Ayuda a la conmutacin durante el disparo. a) circuito en serie con el

transistor de potencia, b) circuito en serie con el diodo de recirculacin,
c) Formas de onda de voltaje y corriente para valores pequeos de Ls,
d) Formas de onda de voltaje y corriente para valores grandes de Ls.
3.3 TERMOGRAFA INFRARROJA

La termografa infrarroja es una tcnica de anlisis trmico que permite hacer un
anlisis bidimensional en tiempo real de la temperatura superficial de un objeto. Esta
tcnica tuvo sus orgenes cuando un experimento de William Herschel, un astrnomo y
msico germano-britnico descubri mediante un sencillo esperimento que las diferentes
longitudes de onda de la luz visibles transmita cantidades de energa diferente, inclusive
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-48-
Prdidas y Snubbers
que en la regin que pareca no tener luz visible haba ms energa que en la regin roja
del especro.
La termografa ha evolucionado por decenas de aos desde las primeras cmaras que
necesitaban enfriamiento del sensor infrarrojo a temperturas por debajo de -100C, hasta
las cmaras actuales que no requieren refrigeracin en absoluto. En la actualidad se pueden
encontrar cmaras muy econmicas que sirven para realizar inspecciones sencillas (por
menos de B/. 2,000.00) hasta cmaras que permiten ver fugas de hidrocarburos en
estaciones petroleras (por encima de B/. 100,000.00). Aunque existen muchos fabricantes
de equipos infrarrojos, la mayora se queda en la fabricacin de equipos de gama baja o
media.
Al momento de seleccionar una cmara infrarroja se deben tener en cuenta algunos de

los siguientes parmetos:
Resolucin del sensor. Un valor bueno en la actualidad sera 320x240 pixeles
Rango de temperatura: depende de las aplicaciones (Ej. 650C)
Sensibilidad trmica: capacidad de diferenciar temperaturas cercanas (Ej.

50mK)
Enfoque ptico:fijo, manual, automtico o contnuo
Video: capacidad de grabar video radiomtrico (con informacin de

temperatura)
Campo de visin: influye sobre la calidad de las imgenes (Ej. 24x19)
Frecuencia: No tiene que ver con la red elctrica, sino con la velocidad de
trabajo de la cmara. Una cmara de 9Hz puede ser algo lenta.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-49-
Prdidas y Snubbers
Otras caractersticas: algunos fabricantes como FLIR incorporan otras

caractersticas que podran ser tiles, como lo son las tecnologas, MSX,
Ultramax, y bloques pticos giratorios.
La termografa infrarroja nos permite analizar componentes de defirentes sistemas y

encontrar anomalas en etapas insipientes o avanzadas, pero que pueden ser atendidas antes
de que se de una falla. A nivel de los centros de investigacin, tambin se utilizan cmaras
infrarrojas con caractersticas especiales, tales como resolucin de 1024x768 pixeles,
sensibilidad de 20mK y rango de temperatura de -40 a 2000C.
para proyectos de investigacin
Imagnes tomadas de Flir Systems, cmara T1K
Las cmaras termogrficas pueden ser utilizadas para muchas aplicaciones, entre ellas
tenemos:
Sistemas elctricos en baja, media y alta tensin
Componentes electrnicos
Componentes mecnicos (cajas reductoras, compresores, bombas)
Sistemas trmicos: hornos, calderas, ductos y tuberas
Problemas de humedad y filtraciones
Deteccin de cncer y otras lesiones
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-50-
Prdidas y Snubbers
Para el buen uso de estos equipos hay que tener algunos cuidados, ya que por tratarse de
imgenes se pueden cometer algunos errores al aplicar la lgica. A continuacin algunos
datos que debe considerar para que pueda medir la temperatura del encapsulado y del
disipador sin mayores problemas.
1. La cmara debe estar configurada adecuadamente con los parmetros ms
importantes: emisividad, temperatura reflejada y distancia.
2. Mientras mayor la emisividad mejor se puede realizar la termografa, pero su valor
debe ser el correcto y depende del objeto. Para el transistor se puede utilizar 0.95
pero el disipador es diferente. Si el aluminio est pintado tambin puede intentar
con un valor elevado como 0.9, pero si est sin pintar podra trabajar con 0.7.
3. La temperatura reflejada debe ser medida con un procedimiento especfico,
utilizando un trozo de papel de aluminio arrugado. Pero si se encuentra en un saln
de laboratorio puede utilizar un valor aproximado de 25C.
4. Si la cmara le pide la distancia del objeto debe poner la distancia correcta,
probablemente 1 metro.
5. Cuando tome la imagen los colores ms claros indican los puntos ms calientes en
la mayora de los casos. Esto depende de la paleta de color seleccionada. Algunas
cmaras tienen las paletas hierro, lava y arcoris.
6. Asegurese de que el objeto est bien enfocado y luego tome la imagen.
7. Transfiera su imagen a un software de anlisis. La facultad de Ingeniera Elctrica
cuenta con dos cmaras flir.
Existe un software gratuito que
puede descargar de la pgina
www.flir.com, FLIRTOOLS.
8. Utilizando las herramientas de
anlisis como puntos, lneas y
reas
podemos
comportamiento
evaluar
trmico
el
del
componente
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Prdidas y Snubbers
PROBLEMAS RESUELTOS
PROBLEMA 1:
Se utiliza un MOSFET de potencia para controlar una carga
de 24V/100 A, la cual puede conmutarse a 2.5kHz (modo econmico) o a 25kHz
(modo silencioso). La relacin cclica para el control de la carga puede variar
entre 0.2 y 0.75 y la temperatura ambiente vara entre 23 y 42C.
Determine el valor mximo de la resistencia trmica del disipador de calor?
Solucin : Para seleccionar el MOSFET a utilizar en nuestra aplicacin se consulta
la DATA de fabricante del dispositivo, y se debe verificar que su VDSS(Voltaje mximo
que soporta entre drenajefuente) sea mayor que el voltaje requerido por la carga.
De igual forma la ID (Corriente de drenaje promedio que soporta el dispositivo) sea
mayor que la corriente que requiere la carga. Tomando en cuenta stas disposiciones
seleccionamos el MOSFET IRF2204, ya que el mismo soporta 40V y 210A. De la
data del fabricante anotamos los siguientes valores que son necesarios para la solucin
del problema:
RDS(on) = 3.6m @ 25 C
TJmax = 175 C
RJC = 0.45 C/W

tr = 140 ns
RCS = 0.50 C/W

tf = 110 ns
Como nuestro objetivo es calcular el valor mximo de la resistencia trmica del

disipador de calor RSA de la ecuacin TJ Ta PT RJC RCS RSA , resulta
evidente que el primer paso es calcular la PT ya que todos otros valores en la
ecuacin son dados por el problema o estn en la data del dispositivo.
PT Pon PS
Al calcular PT es importante tener en cuenta que deseamos calcular la mxima
RSA( tamao mnimo del disipador) por lo cual debemos disear para las
peores condiciones de operacin dadas en el problema. Esto es ms alta
frecuencia de operacin, ms tiempo de encendido (ciclo de trabajo, D, mayor)
y temperatura ambiente ms elevada.
Potencia Disipada durante la conduccin
Pon RDS ( on) I O2 D

Pon 3.6 10 3 100 0.75 1.75
Pon 47 .25W
2
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Prdidas y Snubbers
Aunque la TJmax del dispositivo es de 175C hemos decidido disear el

disipador de tal manera que se aumente su fiabilidad y se introduzca un
factor de seguridad para corregir cualquier factor adverso en las
aproximaciones realizadas para el clculo de la potencia. Por lo tanto,
supondremos una nueva TJ =140 C para ste diseo, la cual introduce un
factor de 1.75 que corrige el valor de la resistencia de encendido. Estos
valores se obtienen de la siguiente curva. Vale la pena resaltar que el valor
de 140C no obedece a un criterio especfico, ni es producto de la aplicacin
de una frmula matemtica, su propsito es reducir el estrs trmico del
transistor y aumentar su fiabilidad a largo plazo.
Potencia disipada por conmutacin

PS 24100 25 10 3 110 10 9 140 10 9
PS 15W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 47 .25W 15W
PT 62 .25W
Resistencia trmica del disipador

RSA
TJ Ta
RJC RCS
PT
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Prdidas y Snubbers
140 42
0.45 0.5
62.25
RSA 0.62 C / W
RSA
PROBLEMA 2:
Se controla una carga inductiva de 90V y 30A con un
MOSFET. El ciclo de trabajo vara entre 0.1 y 0.90 y la frecuencia de operacin
puede ser de 8kHz 30kHz. Encuentre el valor de la resistencia trmica del
disipador de calor. La temperatura ambiente vara entre 30 y 42C.
Solucin:
Para satisfacer los requerimientos de corriente y voltaje de la
carga inductiva el MOSFET adecuado es el IRF3415.
VDSS = 150V
ID = 43 A
De la data del fabricante tenemos
RDS(on) = 0.042 @ 25 C
TJmax = 175 C
RJC = 0.75 C/W
RCS = 0.50 C/W
tr = 55 ns
tf = 69 ns
De las condiciones dadas en el problema utilizaremos aquellos valores que

sometan al dispositivo a las peores condiciones de operacin.
T
R
JMax
JC
CS
SA
=175 grados
=0.75 Grados/watt
=0.5 Grados/watt
= ?
T =42 grados
a
Figura 1. Analoga entre la R, V e I de un circuito

Elctrico con R, T y PT para el clculo del disipador
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Prdidas y Snubbers
Prdidas por Conduccin
Pon RDS ( on) I O2 D

Pon 0.042 30 0.9 2.6
Pon 88 .45W
2
El factor 2.6 se obtiene de la curva normalizada RDSON VS. TJ, a

una temperatura de 175 C.
Prdidas por conmutacin

PS 90 30 30 10 3 55 10 9 69 10 9
PS 10 .04W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 88.45W 10 .04W
PT 98 .49W
Resistencia trmica del disipador
TJ Ta
RJC RCS
PT
175 42
RSA
0.75 0.5
98.49
RSA 0.1004 C / W
RSA que acabamos de calcular es el valor mximo que da el tamao mnimo del
disipador. Si RSA hubiera sido negativa se tendra que bajar la Ta o disminuir
la frecuencia de operacin. Si aun as sigue negativa se procede a cambiar el
transistor.
RSA
PROBLEMA 3: Se desea conmutar una carga de 180 VDC y 37A a una frecuencia
de 10kHz. El ciclo de trabajo puede ser ajustado entre 0.1 y 0.9. La temperatura
ambiente oscila entre 27 y 42 C.
a) Determine el tamao mnimo del disipador de calor.
b) Disee el snubber de bloqueo si CS=CS1.
c) Calcule Nuevamente el disipador de calor.
d) Disee el snubber de disparo si:
VCE=0.45Vd
VCemx = 0.12Vd
e) Calcule el nuevo Disipador
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Prdidas y Snubbers
Solucin:
Como primer paso verificamos los requerimientos de la carga
para luego seleccionar el dispositivo que vamos a utilizar. Para las
condiciones de la carga de corriente, voltaje y frecuencia el dispositivo
indicado para este problema es un IGBT IRG 4P254S
VCES = 250V
IC = 55 A
De la hoja de datos
VCE(on) = 1.32V @ 55A
TJmax = 150 C
RJC = 0.64 C/W
RCS = 0.24 C/W
tr = 45 ns @ 150C
tf = 940 ns @ 150C
a) Clculo del disipador de calor

Pon VCE ( on ) I O D
Pon 1.32 37 0.9
Pon 43 .956W
PS 180 37 10 10 3 45 10 9 940 10 9
PS 65 .60W
PT 43.956W 65 .60W
PT 109 .557W
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
RSA
0.64 0.24
109.557
RSA 0.1057 C / W
RSA
b) Disee el snubber de bloqueo si CS=CS1
Parmetros del Snubber

I ot f
CS 1
2Vd
C S1
C S1
37 * 940 10 9
2 *180
9.66 10 8 F
RS
Vd
0.2 I o
180
0.2 * 37
RS 24 .32
RS
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Prdidas y Snubbers
1
1
PRS CSVd2 f S 96.6 10 9 1802 10 103
2
2
PRS 15 .65W
Potencia disipada por el IGBT con el snubber de bloqueo

PQ
2
2
37 940 10 9 10 10 3
I o2 t 2f f s
24 9.66 10 8
24C S1
PQ 5.22W
Debemos recordar que las prdidas de conmutacin, sin la
utilizacin de Snubbers, estn compuestas por las prdidas en
el disparo y el bloqueo del dispositivo, esto es
PS Pdisparo Pbloqueo ,
PS
.
2
Al colocar el snubber de bloqueo las prdidas de potencia en
el bloqueo cambian, se reducen y estn terminadas por PQ.
P
Las prdidas en el encendido siguen siendo Pdisparo S ya que
2
no hay snubber de disparo
por ende Pdisparo Pbloqueo
Ahora el valor de PT queda definido por

P
PT PON s PQ
2
65.60
PT 43.956
5.22
2
PT 81 .976W
c) Nuevo Disipador de Calor
ste disipado se calcula utilizando PT 81 .976W
RSA
RSA
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
0.64 0.24
81.976
RSA 0.437 C / W
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Prdidas y Snubbers
d) Disee el Snubber de Disparo

VCE =0.45Vd
VCE mx = 0.12Vd
VCE
LS I O
, entonces
tr
VCE t r 0.45180 45 10 9
Io
37
Ls
Ls 98 .51nH
VCE max RLS I o , de aqu que
RLS
VCE max 0.12 180
Io
37
R LS 0.58
2
L S I o2
98.51 10 9 37
PR
fs
10 10 3
2
2
PR 0.67W
VCE = 180V
IO = 37A
VCE = 81V
99 V
tr = 45ns
e) Calcule el nuevo disipador
ic
Io
tr
PQ
1
TS
PQ
VCE I O t r2 VCE I O t r

fS
TS t r 2
2
tr
VCE
IO
tdt
tr
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Prdidas y Snubbers
PQ 0.824W
Para el clculo de la nueva PT debemos considerar los efectos de ambos
Snubbers.
PT PON PQdisparo PQbloqueo
PT 43 .956 0.824 5.22 50W
Disparo
on
RSA
RSA
Bloqueo
TJ Ta
RJC RCS
PT
150 42
0.64 0.24
50.00
RSA 1.28 C / W
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET para conmutar una carga de 24 V y 100A
a una frecuencia de 50kHz. Calcule la potencia total disipada por el transistor.
El ciclo de trabajo vara entre 0.2 y 0.8.
Prdidas por Conduccin
Pon 60 .48W
Prdidas por conmutacin

Potencia Total
PS 30W
PT 90 .48W
PROBLEMA 2: Se utiliza un MOSFET IRF3415 para controlar una carga de 120 V

y 33 A. Para controlar la potencia de salida, el ciclo de trabajo del MOSFET puede
ajustarse entre 0.1 y 0.5 y el usuario puede elegir entre trabajar en modo
econmico (fs = 5 kHz) o modo silencioso (fs = 40 kHz). La temperatura ambiente
en el lugar donde se instalar el control vara entre 28 y 38 C.
Debe considerarse como objetivo de diseo que la fiabilidad del dispositivo
a largo plazo se doble.
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Prdidas y Snubbers
a) Calcule la potencia total disipada por el transistor.

b) Calcule el tamao mnimo para el disipador de calor.
c) Calcule los circuitos de ayuda a la conmutacin (snubber) para el
disparo y el bloqueo, asumiendo que VCE = 0.6Vd y que VCEmx =
0.1Vd
d) Tamao mnimo del disipador de calor considerando los snubber.
e) Determine cual debe ser el disipador a utilizar de la figura mostrada a
continuacin.
a.)
Pon 54 .88 W
PS 19 .64 W
PT 54.88 19.64 74.52 W

b.)
Disipador de calor
RSA 0.454 C / W
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c.)
Prdidas y Snubbers
Snubber de Bloqueo
C S 1 9.487 nF
RS 18 .18
PRS 2.732 W
PQ 0.9108 W
Snubber de Disparo
Ls 120 nH
R LS 0.3636
PR 2.6136 W
d.)
Nuevo Disipador
PQ 1.742 W
RSA 0.957 C / W
e) Seleccin del disipador de calor.
Para seleccionar el disipador solo observe la figura y escoja el disipador con una
resistencia trmica ligeramente menor a la obtenida en nuestros clculos.
PROBLEMA 3: La ecuacin 3.7 que define el voltaje en el capacitor del snubber de

bloqueo tambin define el voltaje entre colector y emisor, por qu?
PROBLEMA 4: En la figura 3.3 se observa un pico de corriente en la corriente de colector

durante el disparo, a que se debe ste.
PROBLEMA 5: Explique por qu el sobrevoltaje que ocurre durante el apagado obedece
a la ecuacin 3.12.
PROBLEMA 6: Cuanto es la corriente mxima que enva el capacitor del snubber de
bloqueo (Cs) hacia el transistor durante el disparo? Exprese su respuesta con relacin a Io.
PROBLEMA 7: En la figura de los disipadores falta el nmero 4, sera apropiado hacer
una interpolacin entre los valores adyacentes?
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-61-
Tiristores
TIRISTORES
Los tiristores son dispositivos que se diferencian de los transistores principalmente
por tener cuatro capas bsicas en su estructura interna.
Estos dispositivos tambin
funcionan de forma diferente, generalmente el diseador puede controlar su disparo a

travs de una seal electrnica de bajo nivel, pero su bloqueo est determinado por las
corrientes y voltajes en el circuito de potencia.
Entre los tiristores ms utilizados estn el SCR o rectificador controlado de silicio,
el TRIAC o triodo de corriente alterna y el GTO o tiristor de apagado por compuerta. Estos
dispositivos tienen diferentes aplicaciones y rangos de trabajo para la corriente y el voltaje
que pueden manejar.
El objetivo de todos estos dispositivos es controlar la cantidad de energa que le
llega una carga en un tiempo determinado, aunque ocasionalmente se puedan utilizar slo
como interruptores para activar o desactivar una carga determinada.
En los convertidores de electrnica de potencia muy poco se utilizan los TRIAC,
los cuales son ms utilizados en circuitos analgicos para controlar la energa que le llega
a una carga en un proceso industrial.
El SCR es el dispositivo ms utilizado en los convertidores de electrnica de
potencia, bsicamente en los rectificadores trifsicos controlados. Este es el dispositivo
con mayor capacidad de manejo de corriente y voltaje que se puede conseguir.
En el caso de que se requiera un interruptor controlable tanto en el disparo como en
el bloqueo puede utilizarse un GTO. Este es el nico tiristor que permite al diseador
controlar el momento del bloqueo. Sin embargo, este dispositivo requiere un circuito de
comando muy robusto, pero es una alternativa cuando los valores de voltaje y corriente no
pueden ser manejados por ninguno de los transistores vistos anteriormente.
Ing. Abdiel Bolaos
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-62-
Tiristores
4.1 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO SCR

Los SCR fueron inventados a finales de la dcada del 50 por General Electric y
desde entonces han sido utilizados en una infinidad de aplicaciones, en donde se haca
necesario el control de la energa proporcionada a una carga elctrica.
El smbolo y la curva caracterstica de salida para un SCR tpico se muestran en la
figura 4.1. El terminal de disparo definido como compuerta se identifica por la letra G.
ste es un dispositivo bidireccional en voltaje y unidireccional en corriente, la cual slo
puede circular de nodo (A) a ctodo (C), aunque tambin presenta el fenmeno de
recuperacin reversa visto en los diodos.
Este dispositivo normalmente se dispara
mediante un pulso de corriente de puerta de magnitud y duracin apropiadas. Para esto

debe conseguirse la aplicacin de un voltaje determinado entre el terminal de compuerta y
el terminal de ctodo.
Aunque no sea el propsito del diseador, el dispositivo se disparar si el voltaje
entre nodo y ctodo supera el valor VBO, para lo cual no se requiere corriente de
compuerta. En este caso la corriente por el dispositivo depende slo de la carga. Tambin
puede dispararse el dispositivo si el voltaje aplicado entre nodo y ctodo aumenta a una
mayor velocidad que la permitida por el fabricante (dV/dt).
Despus que el dispositivo comienza a conducir se mantendr en este estado
mientras que su corriente no caiga por debajo de un valor denominado corriente de
mantenimiento (IH). Debido a esto, los SCR son muy utilizados en circuitos de corriente
alterna, porque al final de cada semiciclo la corriente se extingue y el voltaje en el
dispositivo se invierte llevndolo al estado de corte. Al principio del prximo semiciclo
positivo debe aplicarse nuevamente un pulso de disparo con un retado igual o diferente al
usado en el ciclo anterior. En circuitos de corriente directa debe haber un circuito auxiliar
para poner en corto o invertir la polaridad del voltaje aplicado al dispositivo. Esta
condicin hace que los SCR sean menos utilizados en circuitos de corriente directa.
Ing. Abdiel Bolaos
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-63-
Tiristores
Figura 4.1. Smbolo del SCR y curva caracterstica de salida.
Es importante sealar que al adquirir un SCR su voltaje VDRM o VBO debe ser mayor
al voltaje mximo de la aplicacin. Por ejemplo, si se utilizar el SCR en un circuito
de 120Vrms, se debe considerar que el voltaje mximo es de 169.7V, por lo que el SCR
debe ser por lo menos de 200V.
En la figura 4.2 se muestra un diagrama de la estructura interna del un SCR, puede

notarse su construccin vertical de nodo a ctodo
Figura 4.2 Seccin transversal vertical de un SCR.
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-64-
Tiristores
En trminos de sus dimensiones laterales los tiristores estn entre los

semiconductores ms grandes fabricados en la actualidad. Su seccin transversal se parece
a la del BJT de potencia, an considerando el grosor y la densidad de impurezas de sus
capas. La regin n- acta igual que en el transistor, permitindole al SCR soportar grandes
voltajes cuando est apagado. La capa p en el nodo del SCR es la que hace que el mismo
se comporte de forma diferente al BJT de potencia.
Con los SCR se da un fenmeno parecido al que se presenta en los diodos con el
tiempo de recuperacin reversa. Al apagar el dispositivo polarizndole inversamente, se
genera una corriente de recuperacin reversa Irr, durante un tiempo identificado como trr.
Esto obliga al diseador a no aplicar un voltaje directo hasta que no haya transcurrido un
tiempo conocido como tiempo de recobro (tq), caso contrario el dispositivo volver a
conducir.
Figura 4.3 Circuito resistivo para el disparo de SCR.
Con el circuito anterior se puede variar el momento en que se aplican los valores de
corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conduccin del SCR (IGT, VGT). Esto
se consigue mediante la variacin de R2.
El tiempo transcurrido desde el cruce por cero de la seal de voltaje de corriente
alterna y el momento en que se da la corriente necesaria para la conduccin, se conoce
como ngulo de disparo y normalmente se denota con la letra griega . Para el circuito
Ing. Abdiel Bolaos
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-65-
Tiristores
mostrado en la figura 4.3, slo puede ser aumentado hasta un lmite de 90, ms all de
este valor no se tiene control sobre el ngulo de disparo.
Pregunta:
Explique por que razn no se pueden conseguir ngulos de disparo mayores con este
circuito.
Figura 4.4.
ngulos de disparo diferentes para el circuito de disparo anterior. El valor de

R2 para el caso a) es mayor que el valor utilizado para el caso b).
Si se desean ngulos de disparo mayores a 90 se deber utilizar un circuito como

el de la figura 4.5, donde se utiliza un capacitor para retrasar la subida del voltaje aplicado
a la compuerta del dispositivo, y la corriente de compuerta es controlada por el resistor R3.
En la figura 4.5 b se consigue un mayor retraso debido al doble RC.
En la prctica estos circuitos no se analizan en detalle sino de forma aproximada.
Por ejemplo, para el clculo de la primera constante de tiempo R1C, se utiliza un valor
pequeo, en el caso de una seal de 60Hz, puede estar entre 1 y 2ms. Para la segunda
constante de tiempo (R1+R2)C se utiliza un valor mayor que el perodo de la seal en
cuestin, por ejemplo 20ms. Para el caso de la tercera constante de tiempo R3C2 se utiliza
un valor algo superior a la primera constante de tiempo, tal vez, 4ms. Con estos valores se
procede a armar el circuito y de forma emprica se hacen los ajustes necesarios.
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-66-
Figura 4.5
Tiristores
Circuitos de control de compuerta para SCR, con los cuales se pueden

conseguir ngulos mayores que 90.
En la figura 4.6 se muestra un circuito con dos SCR, el cual permite utilizar ambos
semiciclos de la seal de voltaje de corriente alterna. En la parte b) se observa la forma de
onda rectificada y el ngulo de disparo. En esta figura no se hace nfasis en el circuito de
control del ngulo de disparo, pero este puede ser similar a los mostrados anteriormente o
puede ser algo ms complejo, inclusive puede ser una seal generada por un
microcontrolador y aplicada al SCR a travs de un optoacoplador.
NOTA:
La mayora de los circuitos de control para los SCR y TRIAC permite el control del
ngulo de disparo entre 30 y 150, lo que a primera vista puede parecer el resultado
de un control con poca precisin, al pensar que no se tiene control sobre un tercio de
la seal total (180). Ahora bien, si se piensa en el objetivo del circuito, que es
controlar la potencia aplicada a la carga y se recuerda que la potencia es funcin del
cuadrado del voltaje, se tendr una situacin muy particular. La onda de voltaje es
senoidal y si se grafica el seno2 se tendr que la potencia aplicada a la carga es
proporcional al rea bajo esta curva. Durante los primeros 30 y los ltimos 30 grados
de la seal seno2, el rea bajo la curva es realmente mnima, menor al 5%, por lo tanto
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Tiristores
no existe un gran desperdicio de energa al no hacer uso de estos ngulos de

conduccin.
Figura 4.6
Control de potencia rectificada de onda completa, usando dos SCR y un

transformador con derivacin central.
Hojas de datos
A continuacin se presentar informacin sobre el SCR 50RIA de International
Rectifier, el cual puede manejar hasta 50 A y tiene un tiempo de bloqueo de 110s
soportando un amplio rango de voltajes, dependiendo del dispositivo.
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-68-
Tiristores
Entre las principales caractersticas de disparo relacionadas a la compuerta tenemos

las relacionada con las corriente IGT y el voltaje VGT.
En las curvas
adjuntas se
muestra la relacin entre la corriente de

nodo y el voltaje nodo-ctodo. Como
puede verse el voltaje aumenta de forma
lineal hasta aproximadamente los 100A.
Sin embargo, debe recordarse que ste
es un dispositivo de 50 A, valor para el
cual la cada de voltaje es de slo 1.3V.
Tampoco debe olvidarse que este
dispositivo puede llegar a conducir ms
de 1000 A de forma momentnea.
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-69-
Tiristores
A continuacin se presentarn resmenes de hojas de datos para que el lector pueda

comparar los parmetros de SCRs de diferentes capacidades.
ST180C
Caractersticas
Compuerta con amplificacin central
Encapsulado metlico con aislante
cermico
Aplicaciones
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
ST3230C
Caractersticas
Enfriamiento de doble lado
Alta capacidad contra transitorios
Libre de fatiga
Aplicaciones tpicas
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
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-70-
Tiristores
4.2 TIRISTOR DE APAGADO POR COMPUERTA - GTO

En varios aspectos, los tiristores estn cerca de ser los interruptores ideales para
usarse en las aplicaciones de electrnica de potencia. Ellos pueden bloquear altos voltajes
(varios miles de volts) cuando estn apagados y pueden conducir grandes corrientes (varios
miles de amperes) cuando estn encendidos, con una cada de voltaje de slo unos cuantos
volts. Adems, una de sus mejores caractersticas es que pueden ser disparados con una
pequea corriente que se aplica a su terminal de compuerta.
Sin embargo, los tiristores tienen una seria deficiencia, la cual impide su uso como
interruptores controlables; esta es la incapacidad de bloquear al dispositivo mediante la
aplicacin de una seal de control en su terminal de compuerta. La inclusin de esta
capacidad en un tiristor requiere de algunas modificaciones al dispositivo y de algunos
compromisos que deben cumplirse para la operacin del mismo.
Figura 4.7 Seccin transversal vertical y vista en perspectiva de un GTO.
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-71-
Tiristores
El GTO mantiene la estructura bsica de cuatro capas y los perfiles de dopaje del
SCR, pero presenta tres diferencias fundamentales.
Primero, la estructura ctodo-
compuerta est altamente interdigitalizada, donde se usan varios tipos de formas

geomtricas entre el ctodo y la compuerta, con el fin de maximizar la periferia del ctodo
y minimizar la distancia de la compuerta al centro de la regin del ctodo.
Segundo, la regin del ctodo normalmente termina en islas, que en el momento del
encapsulado hacen contacto con el metal del disipador de calor, creando as la conexin
con el mundo exterior. Tercero, la mayor diferencia aparece en la regin del nodo. A
intervalos reguladores, regiones de material semiconductor n+ penetran en la regin de
ctodo p+. Las regiones n+ hacen contacto directo con el metal del nodo, por lo cual se
llaman nodo en corto. Estas estructuras tienen como propsito incrementar la velocidad
de apagado del GTO.
Las curvas caractersticas del GTO son muy similares a las del SCR en polarizacin
directa, sin embargo, en polarizacin inversa los GTO prcticamente no poseen capacidad
de bloqueo de voltaje, gracias a la estructura conocida como nodo en corto. La capacidad
de bloqueo de los GTO se define por la unin J3 y est limitada a 20 30V, por este motivo
algunos GTO se fabrican sin la estructura conocida como nodo en corto. Si es necesario
aumentar la capacidad del bloqueo del circuito, puede usarse un diodo en serie con el GTO,
con lo cual se cubre su deficiencia.
4.2.1 CONMUTACIN DEL GTO.

Los GTO son muy tiles cuando los otros interruptores controlables no pueden
manejar la potencia requerida por la carga, sin embargo el utilizarlos no es lo ms fcil que
pueda encontrarse en electrnica de potencia. Estos dispositivos tienen amplificaciones de
corriente diferentes para el disparo y el bloqueo, siendo mucho ms sensibles a la hora del
disparo, y presentando lmites en las corrientes que pueden ser bloqueadas.
Ing. Abdiel Bolaos
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-72-
Tiristores
En la Figura 4.8 se presenta un circuito para el disparo de un GTO en el que puede

observarse la complejidad de los requerimientos. Este circuito se puede describir de la
siguiente manera:
1. Se necesita de un pulso elevado de corriente para disparar el dispositivo, por lo cual
se manda un pulso de corriente a la base de TG2 y TG1.
2. Luego de disparado el dispositivo debe mantenerse un cierto nivel de corriente en
la compuerta, con si fuera un BJT. El problema reside en que si la corriente de
nodo disminuye demasiado debido a la carga, algunas de las islas del ctodo
dejarn de conducir, sin embargo, si la carga aumenta repentinamente, las islas que
quedaron conduciendo manejarn toda la carga, lo que puede exceder sus
especificaciones, destruyendo el dispositivo.
3. Para el bloqueo se utiliza un MOSFET de potencia. Debido a que la ganancia de
bloqueo es menor (tpicamente 5 o menos), la corriente necesaria para el bloqueo
ser mucho mayor que la corriente necesaria para el disparo. Utilizando un
MOSFET de potencia se tendrn menos prdidas ya que se trabaja a voltajes
reducidos.
Debido a la complejidad necesaria para el control de la compuerta, este dispositivo
es utilizado casi exclusivamente para niveles de medias potencias. Tambin es importante
aclarar que debe utilizarse snubber de bloqueo con los GTO, tal como se muestra en la
figura 4.8.
4.3 TRIODO DE CORRIENTE ALTERNA - TRIAC

Los TRIACs son dispositivos semiconductores diseados para el control de la
energa que se le suministra a una carga determinada para la realizacin de un trabajo. Este
control se logra, en principio, de la misma forma como se hace con los SCR, con la salvedad
de que el dispositivo de control de compuerta debe generar pulsos de disparo tanto en el
semiciclo positivo como en el negativo.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-73-
Figura 4.8
Tiristores
Circuito de control de la compuerta para un Tiristor de bloqueo por

compuerta GTO.
Estos dispositivos son bidireccionales en corriente y en voltaje y su curva

caracterstica es la mostrada en la figura 4.9. Para este dispositivo los parmetros en directa
y en reversa tienen bsicamente las mismas funciones y caractersticas. Si se supera el
voltaje VDRM o el voltaje VRRM el dispositivo entrar en conduccin. Si la corriente de
nodo disminuye por debajo de la corriente de mantenimiento IH el dispositivo se apagar.
A diferencia de los SCR, si el voltaje entre los terminales principales MT2 y MT1 es
negativo y sobre pasa el valor de VRRM el dispositivo no se destruir.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-74-
Tiristores
Figura 4.9 Curva caracterstica I-V para el TRIAC.
A diferencia del SCR, el TRIAC soporta corrientes de compuerta negativas, sin

embargo, estas corrientes negativas no tienen el objetivo, como en el caso del GTO, de
apagar el dispositivo. Tanto las corrientes positivas como las negativas en la compuerta,
tienen el mismo propsito, disparar al TRIAC. Las polaridades entre los terminales
principales y entre la compuerta y terminal principal 1 pueden ser dependientes o no, esto
guarda estrecha relacin con el tipo de circuito utilizado para el control de la compuerta.
En la figura 4.10 se muestran los cuatro posibles cuadrantes de disparo para el
TRIAC, pero debido a que la estructura semiconductora del TRIAC no es totalmente
simtrica, estos cuadrantes no tienen la misma sensibilidad. El primer cuadrante es el ms
sensible de todos, mientras que la sensibilidad del segundo y tercer cuadrante es muy
similar y el cuarto cuadrante es el menos sensible.
Para evitar que la sensibilidad de disparo para el semiciclo positivo y negativo sea
diferente se prefiere utilizar una fuente de voltaje negativo, cuando la polaridad de la
corriente de disparo no depende de la polaridad de los terminales principales, o sea, cuando
la fuente de disparo es independiente.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-75-
Figura 4.10
Tiristores
Cuadrantes de disparo para el TRIAC. El primer cuadrante es el ms sensible

y el cuarto es el menos sensible.
Hojas de datos
A continuacin se presentan algunas de las caractersticas del TRIAC MAC16D
de Motorola.
Adems de los valores mximos se presentan sus caractersticas de
compuerta (IGT, VGT) en funcin de la temperatura de juntura. Este es un dispositivo con

capacidad para manejar una corriente rms de 16A y una corriente mxima no-repetitiva de
150A durante un ciclo completo de una seal de 60Hz. Se puede obtener para 400, 600 y
800V. La potencia promedio disipada por la compuerta es de 0.5W y en rango de operacin
de la temperatura de la juntura est definido por 40 y 125C.
En las caractersticas de disparo mostradas se observa que para el primer cuadrante
slo se requieren 16mA, mientras que para el segundo cuadrante se requieren 18mA y para
el tercer cuadrante 22mA. Para este dispositivo la corriente de mantenimiento es de 20mA.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-76-
Tiristores
En las siguientes curvas se muestra como la temperatura de la juntura afecta los

parmetros de disparo (VGT, IGT). Al aumentar la temperatura se requiere menos voltaje y
menos corriente de compuerta.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-77-
Tiristores
En la curva adjunta se observa

como la corriente de mantenimiento
tambin se ve afectada por la temperatura de juntura. Puede observarse
tambin que la corriente de mantenimiento no es la misma para ambos
semiciclos,
necesitndose
menos
corriente en el semiciclo negativo.
En la figura 4.11c se muestra el efecto resultante de disparar el TRIAC con un

circuito RC, el cual trabaja normalmente en el primer y tercer cuadrante, los cuales tienen
sensibilidad diferente. Al tener el primer cuadrante mayor sensibilidad su ngulo de
disparo es menor. Esto puede ocasionar un parpadeo en la carga y esta es de tipo lumnica.
Para mejorar esto se pueden utilizar algunos dispositivos, conocidos como dispositivo de
transicin conductiva.
4.4 DISPOSITIVOS DE TRANSICIN CONDUCTIVA UTILIZADOS PARA EL

DISPARO DE TIRISTORES
Cuando se utilizan circuitos anlogos para el disparo de tiristores el objetivo es
generar un retardo para obtener el ngulo de disparo deseado. Este retardo se puede generar
mediante una red RC como se a mostrado, o mediante un circuito algo ms complejo
llamado oscilador de relajacin. Para la construccin de estos osciladores se utilizan
normalmente dos pequeos transistores; el Transistor de Unijuntura y el Transistor de
Unijuntura Programable. En los prximos puntos se analizarn estos dispositivos, as como
algunos circuitos de aplicacin.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-78-
Figura 4.11
Tiristores
Disparo de un TRIAC. A)ngulo de disparo de 30 y ngulo de conduccin de

150, b)ngulo de disparo de 120 y ngulo de conduccin de 60, c)ngulos
de disparo diferente, ocurre normalmente cuando se utiliza un arreglo RC
para el disparo del TRIAC.
4.4.1 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA - UJT

El transistor de unijuntura es un dispositivo de tres terminales denominados base 1
(B1), base 2 (B2) y emisor (E), y se utiliza tpicamente en un circuito llamado oscilador de
relajacin, cuyo objetivo es el disparo de tirstores, tales como SCR y TRIAC.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-79-
Tiristores
Operativamente los terminales del UJT no tienen ninguna relacin con los terminales de
un transistor bipolar.
El smbolo, modelo y curva caracterstica del UJT se muestran en la figura 4.12.
En el modelo se puede observar que no existe ninguna juntura entre B2 y B1, por lo tanto
el semiconductor se comporta de forma resistiva entre estos terminales. El valor de esta
resistencia comnmente oscila entre 6 y 10k.
El funcionamiento de este dispositivo es el siguiente: cuando se aplica un voltaje
entre las bases se define un voltaje en el ctodo del diodo el cual podra ser calculado por
divisor de voltaje, si se conoce el valor de ambas resistencias. Mientras el voltaje en el
emisor (el nodo del diodo) sea menor que el voltaje en el ctodo, el dispositivo no
conducir. Cuando el voltaje en el emisor sea mayor que el voltaje en el ctodo ms el
voltaje de umbral del diodo (0.6V tpicamente), el dispositivo comenzar a conducir; a este
voltaje se le conoce como voltaje pico (Vp). Los portadores de carga que ingresan a la
regin de la base 1, disminuirn su resistencia elctrica y el voltaje en el dispositivo caer
rpidamente hasta llegar al valor conocido como voltaje valle (Vv). En este momento si la
corriente que atraviesa el emisor es mayor que la corriente valle Iv, el dispositivo
continuar conduciendo, si la corriente es menor el dispositivo se apagar.
A partir del modelo del UJT, se puede definir la relacin intrnseca en funcin de
sus resistencia internas. A partir de este valor se puede definir el valor del voltaje pico para
el cual el dispositivo conducir.
VEB1 VD
rB1
VB 2 B1
rB1 rB 2
rB1
r
B1
rB1 rB 2 rBB
V P VS V D
Ing. Abdiel Bolaos
(4.1)
(4.2)
(4.3)
FIE-UTP
-80-
Tiristores
Figura 4.12. Smbolo, modelo y curva caracterstica del UJT.
A continuacin se muestran las caractersticas principales del UJT NTE6400,

donde se puede observar su relacin intrnseca, su resistencia de interbase y los valores de
las corrientes de pico y valle. Obsrvese que para la corriente pico slo se muestra el valor
mximo, esto se debe a que esta corriente se utiliza para el clculo de la resistencia mxima
que puede utilizarse en el emisor para un oscilador de relajacin. Ntese tambin que para
la corriente de valle slo se define el valor mnimo utilizado para el clculo del valor
mnimo de la resistencia de emisor. Otros valores podran llevar a definir rangos para Re,
para los cuales el dispositivo puede muy bien dejar de oscilar.
NTE6400
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-81-
Tiristores
Oscilador de relajacin
En la figura 4.13 se muestra el circuito y las formas de onda de un oscilador de
relajacin con UJT. La salida de este circuito est en la base 1, punto que puede ser
utilizado para el disparo de un SCR o TRIAC. En este circuito el capacitor se cargar de
la fuente DC a travs de la resistencia RE. Cuando el voltaje de emisor alcance el valor de
Vp el dispositivo empezar a conducir, siempre que la corriente que pasa por RE sea mayor
que la corriente pico, caso contrario el capacitor continuar cargndose hasta llegar a VS y
el circuito no oscilar.
De lo anterior se desprende que RE tiene un valor mximo que est definido por VP,
IP y VS, esta relacin puede observarse en la siguiente ecuacin.
RE _ max
VS VP
IP
(4.4)
Cuando el UJT conduce, su voltaje decae rpidamente hasta alcanzar el valor de

VV.
Es en esta etapa de la operacin del circuito que el capacitor se descarga,
producindose un pico de corriente en el emisor. Dependiendo de la carga acumulada en

el capacitor el proceso de descarga durar ms o menos, pero siempre ser mucho menor
que el perodo de carga, debido precisamente a su constante de tiempo. El valor del voltaje
en la resistencia R1 subir rpidamente hasta un valor cercano a VP-VV, y decaer con la
velocidad que lo haga el voltaje en el capacitor.
Cuando la carga del capacitor se agota, la corriente del emisor ser igual a la
corriente que atraviesa la resistencia RE, si sta es menor que la corriente de valle el
transistor se apagar, si es mayor que la corriente de valle el transistor continuar
conduciendo. Para que el circuito oscile es necesario que el transistor se apague al llegar
al voltaje de valle, es por esto que la resistencia de emisor tambin tiene un lmite inferior
el cual est definido por la siguiente ecuacin.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-82-
Tiristores
RE _ min
VS VV
IV
(4.5)
Para definir el valor de R1 debe considerarse la forma de onda del voltaje en esta
resistencia, en la cual se generan picos de voltaje en el momento que el UJT conduce, y
permanece un voltaje residual cuando el mismo est apagado. Los tiristores slo deben ser
disparados por los picos de voltaje y nunca por seales de ruido que se sumen al voltaje
residual. Por esta razn el voltaje residual debe mantenerse alrededor de 0.3V, algo alejado
del voltaje de disparo de los tiristores (0.6V). Si se considera que los voltajes tpicos en
estos circuitos, as como los valores de resistencia interbase, se tendr como resultado una
corriente en R1 cercana a los 3mA. Para que el voltaje en R1 no supere los 0.3V, dicha
resistencia no debe superar los 100.
En la figura 4.13 se observa un oscilador de relajacin con UJT utilizado para el

comando del la compuerta de un SCR.
Debe considerarse que aunque el SCR es
bidireccional en voltaje, el UJT no funciona para voltajes negativos, motivo por el cual se
utiliza un diodo zener.
Ejemplo de aplicacin
El funcionamiento del circuito de la figura 4.13 puede describirse de la siguiente forma:
1. Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta rpidamente hasta
alcanzar el valor del voltaje zener.
2. En este momento el zener fija el voltaje para el circuito de oscilacin y la resistencia
Rd soporta el voltaje excedente.
3. El capacitor CE se carga a travs de las resistencia de emisor, esta carga durar ms
o menos, dependiendo de los valores fijados en las resistencias.
4. Cuando el voltaje en el capacitor alcance el valor de Vp el UJT conducir y el
capacitor se descargar a travs del UJT.
5. Durante la descarga del capacitor se presentar un pico de voltaje en R1. Dicho
voltaje ser utilizado para el disparo del SCR.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-83-
Tiristores
6. La variacin del resistor REV cambiar la constante de tiempo de carga del

capacitor, cambiando as el ngulo de disparo del SCR y la potencia que le llega a
la carga en cada semiciclo.
7. Una vez disparado el SCR, el voltaje aplicado al oscilador de relajacin caer a un
par de volts, el voltaje de conduccin del SCR, y el circuito no volver a oscilar.
8. Durante el semiciclo negativo, el zener conducir, aplicando un voltaje de
aproximadamente 0.7V al oscilador de relajacin, por lo tanto, este circuito no
funcionar durante este intervalo de tiempo.
Figura 4.13
Uso de un oscilador de relajacin con UJT para el disparo de un SCR en los

semiciclos positivos.
4.4.2 TRANSISTOR DE UNIJUNTURA PROGRAMABLE - PUT

El transistor de unijuntura programable es un dispositivo ms verstil que el UJT
ya que sus parmetros no dependen exclusivamente del fabricante y de la temperatura de
operacin. El diseador puede definir la corriente pico, la corriente valle y el voltaje pico
del dispositivo mediante la seleccin apropiada de la resistencia equivalente vista desde su
compuerta. Esta versatilidad tambin hace que el PUT sea un dispositivo algo ms difcil
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-84-
Tiristores
de utilizar, ya que si no se cuenta con las curvas del fabricante es muy probable que no se
pueda definir el rango correcto de valores de RE para los cuales el dispositivo oscila.
En la figura 4.14 se muestra el smbolo del dispositivo, as como su curva
caracterstica, la cual no difiere mucho de la curva del UJT. En la figura 4.15 se presenta
un oscilador de relajacin con PUT, para este caso la resistencia equivalente ser el paralelo
de 16k y 27k, o sea 10k. El voltaje equivalente o Vs se puede obtener del divisor de
voltaje, siempre y cuando se conozca el voltaje de la fuente. Suponga que la fuente es de
10V, entonces Vs ser igual a 6.28V.
Figura 4.14 PUT. a) Smbolo y circuito equivalente de compuerta. b)Curva caracterstica.
Figura 4.15
Oscilador de relajacin con PUT. El voltaje de salida puede ser utilizado para
el disparo de un SCR o TRIAC.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-85-
Tiristores
La ventaja del oscilador de relajacin con PUT, mostrado en la figura 4.15, con
relacin al oscilador con UJT es su inmunidad al ruido. Esto se debe a que antes de que el
dispositivo conduzca, la corriente que lo atraviesa es aproximadamente cero, y el voltaje
residual en el resistor de 20 es prcticamente cero.
A continuacin se presentan algunos datos de la hoja de especificaciones del PUT
2N6027 de Motorola. Este dispositivo puede soportar hasta 40V entre nodo y ctodo y
puede manejar una corriente promedio de 150mA en el nodo. Su disipacin de potencia
es de 300mW y decrece a razn de 4mW por cada grado centgrado de aumento en la
temperatura del encapsulado.
PUT 2N6027
En las curvas siguientes se tiene la informacin necesaria para la programacin de

la corriente de valle, as como el efecto que tiene la temperatura ambiente sobre dicha
corriente.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-86-
Tiristores
A continuacin se presentan las curvas para la programacin de la corriente pico,

como tambin el efecto de la temperatura sobre este parmetro. Ntese que tanto para la
corriente valle como para la corriente pico, las curvas estn dadas para ciertos valores de
RG, por lo cual debe tratarse de que la resistencia equivalente este cercana a los valores
definidos en las curvas.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-87-
Tiristores
4.5 PROTECCIN CONTRA SOBREVOLTAJES TRANSITORIOS

En las siguientes pginas se presenta una descripcin breve de los
sobrevoltajes transitorios de corta duracin, atendiendo a su causa, efectos y
maneras de protegernos contra estos fenmenos elctricos.
En primera instancia debemos aclarar que los sobrevoltajes a los que
nos referimos en este punto son variaciones bruscas de la onda de tensin de
corta duracin (microsegundos) con una magnitud mayor a dos veces el
valor rms de la seal. Estas variaciones pueden ser generadas por
fuentes naturales como las descargas elctricas directas o indirectas, o
fuentes artificiales como cortocircuitos, dao de transformadores o hasta
la conmutacin de cargas de gran tamao.
Tambin es importante dejar claro que dispositivos como UPS y
reguladores de voltaje no pueden proteger a nuestras cargas sensibles de este tipo de
fenmeno. Por lo tanto, las cargas que tienen un costo elevado por s solas o las cargas que
tienen un impacto directo en nuestra produccin, ya que su prdida implica necesariamente
la prdida de horas de produccin, deben ser protegidas contra este tipo de eventos.
Existen diferentes tecnologas para la proteccin contra los sobrevoltajes
transitorios como son los Varistores de xido metlicos (MOV), los Gas filled Arresters, o
los diodos supresores de transientes.
Los primeros representan la tecnologa ms
desarrollada y comn hoy en da, los segundos son los que pueden absorber ms energa y
los ltimos los que reaccionan ante voltajes menores.
Estadsticamente podemos hablar de que existen una 2000 tormentas simultaneas
en el planeta y caen cerca de 100 rayos por segundos, lo que nos lleva a 4000 tormentas y
9 millones de rayos cada da, matando alrededor de 1000 personas cada ao. Otro motivo
de preocupacin es que Panam tiene un clima que hace propicia la formacin de tormentas
elctricas, y aunque no existen estadsticas oficiales de afectaciones se sabe que las
descargas elctricas han causados muchas prdidas directas e indirectas a industrias y
comercios y tambin en el sector residencial.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-88-
Tiristores
Como se dijo anteriormente la tecnologa ms

utilizada son los Varistores de xido metlico y su
tamaa define la cantidad de energa que pueden
absorber, definindose normalmente en kiloampers (kA).
Otro parmetro importante es el voltaje de operacin, o
sea, indicar si se van a utilizar en un sistema de 120/208V
o 277/480V. El tipo de sistema tambin es importante,
principalmente
cuando
se
compran
soluciones
comerciales como los provistos por la marca APT (Advance Protection Technologies INC).
La forma en que estos dispositivos operan es bastante sencilla, lo que hacen es que
al presentarse un voltaje mayor al umbral de activacin, su resistencia disminuye
drsticamente por lo que prcticamente entran en corto. Esto provee un camino de baja
impedancia hacia tierra, para el evento de alta energa que provoca el sobrevoltaje. Lo
anterior quiere decir que de nada nos sirven los supresores de sobrevoltajes si la instalacin
no tienen un sistema de aterrizaje apropiado.
Por ltimo, en la actualidad los supresores se definen como supresores de tipo 1,
tipo 2 y tipo 3, como se muestra en la siguiente imagen, siendo el tipo 1 el supresor que
puede ser colocado en cualquier parte de la instalacin sin peligro alguno. Como se
muestra, la idea es hacer una coordinacin entre los diferentes tipos de supresores para
reducir paso a paso el evento de sobrevoltaje hasta niveles manejables por los equipos.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-89-
Tiristores
PROBLEMAS RESUELTOS:
PROBLEMA 1:
Para el circuito mostrado:
a.) Calcule el valor de R2 que causar un retardo de disparo de 90.
b.) Si R2 = 2.5 k, calcule el ngulo de conduccin y el ngulo de retardo de
disparo.
Rcarga
R1
1k
SCR1
SCR
115 Vrms
60Hz
R2
GT
=35mA
Solucin
a)
VS 115 2sen (90) 162 .63 V a 90

Cuando =90
IGT = 35mA
R1 R2
162.63
4.65 k
35 10 3
R2 4.65 1 3.65 k
b)
R1 R2 2.5 1 3.5 k Rtotal

VS Rtotal * I GT 3.535 122 .5 V
VS 115 2 sin
122.5
48.87
115 * 2
180 48 .87 131 .13
sin 1
conducin
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-90-
Tiristores
PROBLEMA 2:
El siguiente circuito de control es usado con una fuente
conmutada de voltaje CD de 60 V. La IGT del SCR es 10 mA.
a.) Si la fuente de CD es encendida repentinamente, para los valores mostrados
en el esquema de circuito. Cunto tiempo transcurre antes del disparo del
SCR?
b.) Qu valor de C causar un retardo de tiempo de 70 ms entre el cierre del
interruptor y el disparo del SCR.
Rcarga
S1
R1
1k
R2
60V
2.5k
R3
1k
D1
SCR1
SCR
C
0.5uF
Solucin:
a.)
1 R1 R2 C 3.5 10 3 0.5 10 6 1.75 ms
VC I GT R3 VD VGT 1 10 3 10 10 3 0.7 0.6 11 .3 V
Utilizando la ecuacin de carga del capacitor podemos calcular el

tiempo de disparo del SCR
t
VC VS 1
3
11 .3 601 1.7510
De aqu, resolviendo para t tenemos que

t 0.365 mseg
b.) Para resolver este apartado recurrimos nuevamente a la ecuacin de carga del
capacitor. Con esto encontraremos la constante de tiempo necesaria para que
el disparo del SCR ocurra en 70 ms y a partir de aqu el valor de la
capacitancia necesaria para dicha constante de tiempo
7010
11 .3 60 1
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-91-
Tiristores
1 0.1883
70103
7010
ln 0.811667 ln
70 10 3
0.208665
335.5 ms
C
R1 R2
335.5 10 3
95.86 F
3.5 10 3
PROBLEMA 3: Para el circuito mostrado la fuente de voltaje es de 220 Vrms, 60 Hz.

El resistor de carga es de 16 . Ignore el VT del SCR.
Rcarga
16
R1
Fuente de
Voltaje
R2
a.) Cunta potencia es proporcionada a la carga si el ngulo de retardo de

disparo = 0 ?
b.) Cunto si el ngulo de retardo de disparo = 90 ?
c.) Si el ngulo de retardo de disparo = 135, Ser menor que la mitad o
mayor que la mitad de la cantidad proporcionada para un ngulo de
retardo de disparo de 90? Explique.
Solucin: Para calcular la potencia disipada por la carga para los diferentes ngulos
de disparo haremos uso de la ecuacin de la potencia instantnea por medio de la
integral del cuadrado del voltaje
1 2 V 2
d
T 1 R
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-92-
Tiristores
donde:
V 2 220 2 * sin( ) 2 * 220 2 sin 2

2
T 2 , reemplazando en la integral de potencia nos queda
220 2
16
sin 2 d
Resolviendo dicha integral tenemos que
P 481 .44sin cos , evaluado de 1 a 2

a.)
Para un ngulo de retardo de disparo de 0, 1 = 0 a 2 = .
b.)
Para un ngulo de retardo de disparo de 90 grados, 1 = /2 a

2 =.
P 481 .44 1512 .5 W
P 481 .44 / 2 756 .25 W
c.)
Con un ngulo de retardo de disparo de 135 , 1 = 3/4 a

2 =.
3 3
3
P 481.44sin cos sin
cos
4
4
4
P 481.440 0.5 481.44 * 0.2854 137.4 W

4
Como era de esperarse la cantidad de potencia suministrada a la carga con un

ngulo de retardo de disparo de 135 grados es menor que la mitad producida
por un ngulo de retardo de disparo de 90 grados. Esto se debe a que ya sea
dentro de los primeros o ltimos 90 grados de un semiciclo de una onda
senoidal la seal no es lineal, por tanto el rango de las amplitudes de voltaje
son menores despus de los 135 grados dando como resultado una menor
potencia entregada a la carga
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-93-
Tiristores
Rcarga
PROBLEMA 4:
En el siguiente
circuito:
R1
a)Si C = 0.47F , encuentre los tamaos
adecuados de R1 y R2 para un rango
amplio de ajuste del ngulo de retardo Fuente de
R2
Voltaje
de disparo.
R3
b)Si R1= 4.7k y R2 =100k, escoja un
tamao aproximado de C que permita
C
que el ngulo de retardo de disparo sea
ajustado muy tarde.
Solucin: Para ste tipo de circuito se ha establecido que la constante de tiempo
1 R1 R2 C de estar entre 1 y 30 ms para un amplio rango de ajuste del ngulo
de retardo de disparo. Basndonos en este enunciado de la teora para circuitos de
disparo RC para SCR se calculan los valores deseados.
Si C = 0.47F, entonces la constante de tiempo mnima est determinara por R1 y C.

Seleccionando min = 2 ms , tenemos que :
2 10 3
R1
4255
0.47 10 6
Cuando la red de disparo ofrece su mayor resistencia entonces la constante de tiempo
es la mxima permisible para el disparo del SCR. Por ende asignamos
max = 28 ms.
28 10 3
R2
R1 55.32 k
0.47 10 6
Si R1= 4.7k y R2 =100k y se requiere que el ngulo de retardo de disparo sea
ajustado muy tarde seleccionamos nuevamente max = 28 ms.
28 10 3
C
0.267 F
104.7 10 3
PROBLEMA 5:
Dado el siguiente circuito encuentre:
vC
a.
t
b.
R F 120
c.
d.
El valor del ngulo de disparo mnimo?
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-94-
Tiristores
Carga
Rd
5k
24v
R2
25k
R4
1k
PNP
D2
60 Hz
RF
8k
C1
0.5uF
n=0.58
. T2
SCR1
SCR
Solucin:
dvC
dv
i
vc I c
de aqu que c c , entonces
.
dt
dt
C
t
C
Con esto vemos que es necesario calcular IC. Es importante notar que estamos
asumiendo que IB = 0 y que IC IE
24 8
VB
14.77 V
13
a. Debemos recordar que iC C
VE VB VEB 14.77 0.7 15.47 V

VR 2 24 VE 24 15 .47 8.53 V
IE
VR 2
8.53
3.412 mA I C
R2 2.5 103
vc I c 3.41 10 3
6.82 V ms
t
C 0.5 10 6
b. Calcule el ngulo de disparo

V p VB 2 B1 0.6
V p 0.58 24 0.6 14 .52 V
vc VP
6.82
t
t
14.52
t
2.13 ms
1 ms
6.82
180 2.13 10 3
t
,
3
8.33 10
8.33 ms equivale al T/2 de una onda de 60 Hz
Ing. Abdiel Bolaos
VP
FIE-UTP
-95-
Tiristores
46
c.
RF 120 ?
180 8.33 ms
120 t
8.33 120
t
5.55 ms
180
vc VP
t
t
**
Ic C
vc
0.5 10 6 2.616 V ms 1.308 mA I E
t
VR 2 R2 I E 2.5 10 3 1.308 10 3 3.27 V
VRF VZ VR 2 VEB 24 - 3.27 - 0.7 20.03 V

I RF I 5k
24 VRF
3.97
794 A
5k
5 103
RF
VRF
20.03
I RF 0.794 10 3
RF 25 .2 k
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1
En el circuito de la figura 4.15 se mide el voltaje en el capacitor Cc con un osciloscopio
para observar la forma de onda, o sea, la carga y descarga del capacitor, sin embargo, slo
se observa un valor constante de 12V, que es el mismo valor de alimentacin VB.
a) Qu sucedi con el PUT y que habra que hacer para que el circuito pueda oscilar.
b) Conteste la pregunta anterior si el voltaje visto en el osciloscopio fuera igual al
voltaje de valle.
PROBLEMA 2
El siguiente circuito tiene como funcin autorregular el voltaje que se le aplica al foco de
manera que la iluminacin se mantenga constante aunque se presente variaciones en el
voltaje de alimentacin. Indique como este circuito regula el voltaje aplicado a la lmpara
partiendo de un supuesto aumento en el voltaje de alimentacin de CA:
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-96-
Tiristores
PROBLEMA 3
Para el siguiente circuito responda lo siguiente:
a. Qu dispositivo es el encargado de limitar la corriente que le llega a la carga.
b. Por qu el transformador de pulsos muestra la polaridad indicada.
c. En que cuadrantes es disparado el TRIAC
d. Son iguales los ngulos de disparo en los semiciclos positivo y negativo, por qu?
e. Cul es la funcin de R2.
f. Si se retira el SUS se puede garantizar que los ngulos de disparo en ambos
semiciclos sean iguales?
PROBLEMA 4
Utilice el circuito mostrado abajo para disear un generador de diente de sierra con un
voltaje mximo de 10V y una frecuencia de 10Hz. Adems:
a. Determine la amplitud mxima que puede ser generada con este circuito.
b. Por qu la carga del capacitor no es de tipo exponencial, sino lineal?
c. Cmo nos aseguramos de que el circuito en realidad est oscilando?
NOTA: Puede cambiar el valor de los elementos excepto el de las resistencias del
transistor. Utilice las curvas para el PUT presentadas en este folleto.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-97-
Tiristores
PROBLEMA 5
Cul es el error en el circuito del ltimo problema de los problemas resueltos?
PROBLEMA 6
El circuito siguiente muestra seales en un oscilador de relajacin con UJT el cual se
alimenta de una fuente de 20V.
a. Determine los parmetros del UJT(Vv, Vp, )
b. Dibuje el circuito del oscilador. C=0.1nF.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-98-
Tiristores
PROBLEMA 7
Encuentre el valor y la potencia del resistor que determina la corriente en el emisor
para la activacin de un MOC3011. La resistencia se encuentra en serie con el
diodo emisor y con un transistor que trabaja en las regiones de saturacin y corte
(VCEON=0.2V). Escoja el voltaje de alimentacin segn los datos de la hoja de
especificaciones.
PROBLEMA 8
Investigue el diagrama de potencia de un arrancador suave para motores de
corriente alterna y explique cmo piensa usted que funciona?
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-99-
Circuitos Rectificadores
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Los circuitos rectificadores o convertidores AC-DC estn presentes en todas las
aplicaciones electrnicas que toman energa de la red de alimentacin pblica y tienen
circuitos electrnicos. Existen muchos circuitos utilizados para la rectificacin de la
corriente alterna, pero el objetivo de este captulo es el estudio de estos circuitos para
determinar su voltaje de salida y cmo estos circuitos afectan la calidad de la energa
disponible en la red pblica.
Dependiendo del tipo de dispositivo utilizado, los rectificadores pueden ser
no-controlados o controlados, esto es, si estn compuestos por diodos o por SCRs. En
ambos casos el factor de potencia y la distorsin armnica total de la lnea se ven afectados,
motivo por el cual se presentarn algunos criterios relacionados con este fenmeno.
5.1 RECTIFICADORES NO-CONTROLADOS

En la figura 5.1 se muestra el circuito de un rectificador monofsico no-controlado
y las formas de onda de voltaje para cada semiciclo, indicando tambin los diodos que
conducen en cada semiciclo. En el circuito de la figura 5.2 se muestran las formas de onda
para el rectificador monofsico, pero en este caso considerando el capacitor de filtro Cd.
Este anlisis supone que el capacitor es lo suficientemente grande para que el voltaje de
salida no muestre una variacin perceptible.
Obsrvese que la corriente id slo comienza a fluir despus de que el voltaje de
entrada a superado el valor del voltaje de salida, o sea, despus que los diodos del circuito
han sido polarizados directamente. Mientras que el voltaje de la fuente de entrada Vs sea
mayor que el voltaje de salida, habr una acumulacin de energa en el inductor Ls, al
hacerse menor el voltaje de la fuente, el inductor se ve forzado a mantener el flujo de
corriente, y para ello genera el voltaje necesario para polarizar directamente los diodos del
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-100-
rectificador. Este proceso contina hasta que la energa contenida en el inductor se

extingue (b)
Figura 5.1. Rectificador monofsico a diodos. a) circuito, b)formas de onda sin el capacitor
de filtro Cd.
En la figura 5.2b se muestra la caracterstica de salida para el circuito rectificador

en funcin del parmetro LSId, donde Id es equivalente a la corriente de carga. Obsrvese
que si la corriente de carga se hace cero, el valor del voltaje de salida alcanzar su mximo,
2VS
Figura 5.2. Rectificador monofsico. A)formas de onda, b) caracterstica.
5.1.1 PARMETROS DE CALIDAD DE ENERGA

A continuacin se presentan los parmetros ms importantes relacionados con la
calidad de la energa de la red pblica al utilizar un circuito rectificador. Estos parmetros
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-101-
son el factor de potencia (PF), la corriente de distorsin (IDIS), la distorsin armnica

total (THD), el factor de cresta y el factor de forma. Tambin se presentarn algunos
otros aspectos relacionados con la medicin de dichos parmetros.
En la figura 5.3 se muestran las formas de onda de corriente y voltaje en un
rectificador monofsico. La corriente iS viene a ser la corriente total, mientras que la
corriente iS1 es la corriente fundamental asociada. Tambin puede observarse el valor el
ngulo de desfase 1, entre el voltaje de entrada vS y la corriente fundamental.
Figura 5.3 Formas de onda de corriente y voltaje en un rectificador monofsico.
Definiciones bsicas
Mediante el anlisis de Fourier, la corriente de lnea puede ser expresada en
trminos de la corriente fundamental ms los otros componentes armnicos. Si se asume
que el voltaje de entrada es una senoide pura, entonces slo la componente fundamental de
la corriente contribuye al flujo de potencia real, tal como se muestra en la siguiente
ecuacin.
P VS I S 1 cos 1
Ing. Abdiel Bolaos
(5.1)
FIE-UTP
-102-
donde 1 es el ngulo entre la fundamental de la corriente de entrada y el voltaje de entrada.

La potencia aparente en este circuito puede ser calculada de la siguiente forma.
S VS I S
(5.2)
Por lo tanto, el factor de potencia se puede calcular como:
power _ factor _ PF
PF
P
S
(5.3)
VS I S1 cos1 I S1
. cos1
VS I S
IS
(5.4)
Si se considera el factor de potencia de desplazamiento (DPF) como el coseno del

ngulo, entonces el factor de potencia queda definido como.
PF
I S1
.DPF
IS
(5.5)
El valor rms de la corriente de lnea puede ser calculado por medio de la raz media
cuadrtica de la forma de onda de iS utilizando la siguiente ecuacin.
1 T
I S is2 t . dt
T 0
(5.6)
I S I S21 I sh2
h2
(5.7)
El valor rms de la componente de distorsin est dado por:
I dis I I
2
S
2
S1
Ing. Abdiel Bolaos
I sh2
h2
(5.8)
FIE-UTP
-103-
Para cuantificar la distorsin existente en la forma de onda de corriente se utiliza la

corriente de distorsin y la corriente fundamental segn lo indica la siguiente relacin.
%THD 100
I dis
I S1
(5.9)
En muchas aplicaciones es importante conocer el valor pico de la corriente iS, o sea,

Is,pico. El valor ideal para el factor de cresta sera
2.
Factor _ de _ cresta
I s , pico
IS
(5.10)
Se puede definir otra cantidad llama Factor de forma, la cual relaciona la corriente
rms de la entrada con la corriente directa de la salida.
Factor _ de _ Forma
Figura 5.4
IS
Id
(5.11)
Normalizacin del factor de potencia y el factor de potencia de desplazamiento

en funcin de LS, Id y VS.
En las figuras 5.4 y 5.5 se muestran curvas desarrolladas para los rectificadores
monofsicos, donde se muestra la relacin de los factores mencionados con un parmetro
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-104-
normalizado, el cual permite utilizar dichas curvas para muchas condiciones de operacin
diferentes.
Figura 5.5 Factor de cresta, Factor de Forma y Ganancia del rectificador
5.1.2 CIRCUITO DOBLADOR DE VOLTAJE.

Antes de aparecer los circuitos autorregulados, exista una opcin muy prctica para
aplicaciones que podran ser utilizadas en redes pblicas con diferentes niveles de voltaje.
Este circuito se conoce como doblador de voltaje, y le daba al usuario la opcin de conectar
el equipo a redes de alimentacin de 115Vrms o 230Vrms. Dicho circuito se muestra en
la figura 5.6 y los modos de operacin se identifican por flechas de diferente color.
El objetivo de este circuito es hacer que el voltaje a la salida del rectificador sea
siempre el mismo, aproximadamente 300VDC.
Cuando el circuito opera de una
alimentacin de 230Vrms, el interruptor debe abrirse para que trabaje como rectificador
normal quedando C1 y C2 en serie. En cada semiciclo la corriente pasa por ambos
capacitores cargndolos al mismo tiempo. En caso de que el voltaje de entrada sea de
115Vrms, el interruptor debe estar cerrado para que el capacitor C1 se cargue durante el
semiciclo positivo y el capacitor C2 se cargue durante el semiciclo negativo. En la
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-105-
actualidad este circuito puede ser encontrado en la mayora de las fuentes conmutadas
utilizadas para computadoras personales.
a)
Figura 5.6
b)
Circuito doblador de voltaje. A) Circuito operando con un voltaje de entrada

de 230Vrms, interruptor abierto, b) Circuito operando con un voltaje de
entrada de 115Vrms, interruptor cerrado. La lnea roja representa la
circulacin de corriente durante el semiciclo positivo y la lnea azul durante el
semiciclo negativo.
5.1.3 RECTIFICADORES TRIFSICOS

En aplicaciones industriales, donde comnmente se dispone de alimentacin
trifsica, es preferible utilizar rectificadores trifsicos en lugar que rectificadores
monofsicos, debido a que los primeros ocasionan un menor rizado en la corriente de
entrada y tienen una mayor capacidad de manejo de potencia. En la figura 5.7 se muestra
el circuito para un rectificador trifsico, el cual slo consta de 6 diodos, por lo tanto es ms
efectivo que un rectificador monofsico, el cual necesita de 4 diodos.
Este circuito tambin se conoce como rectificador de seis pulsos, eso se debe a que
para un perodo de la seal de entrada, se presentarn seis picos de voltaje en la seal de
salida. Esta caracterstica se puede apreciar en la figura 5.8, donde se muestra que cada
diodo conduce por 120 y que cada pareja de diodos conduce por 60. La corriente de
entrada para este rectificador puede ser continua o discontinua, lo que depende bsicamente
del valor del inductor Ld, ubicando entre el rectificador y el capacitor de filtro, Cd. El valor
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-106-
mnimo de este inductor, necesario para garantizar una corriente continua, est definido
por la siguiente ecuacin:
Ld ,min
0.013VLL
I d
(5.12)
Figura 5.7 Rectificador trifsico o rectificador de seis pulsos.
Figura 5.8. Formas de onda para un rectificador trifsico sin capacitor de filtro ni corriente
de carga.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-107-
Si existe una corriente fluyendo en forma continua a travs del rectificador, su

voltaje de salida se mantendr constante y estar definido por la ecuacin:
Vd
Ad
3 2
V 1.35VLL
/3
LL
(5.13)
La ventaja de este rectificador es que su factor de potencia puede ser controlado

mediante el valor del inductor Ld, tal como se muestra en la figura 5.9. Obsrvese que si
el valor del inductor es igual a Ld,min, el factor de potencia estar prximo a 0.8, valor muy
superior al obtenido normalmente de un rectificador monofsico (0.7). Si el valor de este
inductor se eleva a dos veces el valor de Ld,min, el factor de potencia esperado est en el
orden de 0.9.
Figura 5.9 Efecto de Ld sobre el factor de potencia.
5.2 RECTIFICADORES CONTROLADOS

Los rectificadores no-controlados vienen a ser un caso particular de los
rectificadores controlados, ya que los rectificadores controlados pueden operar bajo con
ngulos de disparo diferentes, lo que les permite no slo variar el voltaje de salida, sino
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-108-
obtener un voltaje de salida negativo, con lo cual se puede transferir energa de la parte DC
a la parte AC, convirtiendo al circuito en un inversor.
Es importante aclarar que estos circuitos pueden trabajar en modo inversor, si y slo
si, existe una fuente de energa de corriente alterna. Estos circuitos tampoco pueden
invertir el sentido de circulacin de la corriente ya que estn compuestos por SCRs, los
cuales son unidireccionales en corriente.
En la figura 5.10 se muestra el concepto bsico del rectificador controlado cuando
su carga de salida es una fuente de voltaje de corriente directa. En esta figura se observa
que el inicio de la conduccin depende de dos factores; uno de ellos es que el voltaje de
entrada sea mayor que el voltaje de salida, dada esta condicin har falta el pulso de
corriente de compuerta. Dependiendo de la energa almacenada en el inductor L, la
corriente del rectificador se extinguir antes o despus, al alcanzar el ngulo 4.
Figura 5.10. Circuito equivalente y formas de onda para un rectificador controlado con una
fuente de voltaje como carga. Caso ms prximo a la realidad.
En la figura 5.11 se muestra el circuito de un rectificador trifsico controlado.

Aunque es posible construir un rectificador monofsico controlado, estos circuitos no se
encuentran en la prctica. El esquema simplificado para el control de estos rectificadores
se muestra en la figura 5.12, donde se compara una seal diente de sierra con una seal de
referencia. La seal diente de sierra debe estar en sincronismo con la seal senoidal de
entrada, por lo cual es necesario tomar una muestra de sta para su generacin. En el
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-109-
momento en que la seal diente de sierra se hace mayor que la seal de referencia se genera
un pulso de corriente para el SCR respectivo.
Figura 5.11 Circuito del rectificador trifsico controlado.
De la figura 5.12 se puede derivar una expresin para el ngulo de disparo en

funcin de las variables de control.
180.
vcontrol
Vst
(5.14)
El voltaje del lado DC del rectificador queda entonces definido por el ngulo de
disparo y el valor del voltaje de lnea.
Vd
3 2
VLL cos 1.35VLL cos
(5.15)
Si se considera el efecto del inductor de la fuente (Ls0), el cual puede deberse al

inductor visto desde el secundario del transformador, el voltaje DC queda definido como:
Vd
3 2
VLL cos
3LS
Ing. Abdiel Bolaos
Id
(5.16)
FIE-UTP
-110-
Obsrvese que el voltaje DC resultante, al considerar el efecto de Ls, se ve tambin

afectado por la corriente de carga, pero tambin debe considerarse que su efecto en el
voltaje de salida es mnimo.
Figura 5.12
Estrategia para el control de la compuerta de los SCR del rectificador

controlado.
Otra consecuencia de considerar el efecto de Ls en la operacin del rectificador, es

el ngulo de conmutacin. Este ngulo de conmutacin surge como resultado de los
tiempos de conmutacin de los SCRs y del valor de la inductancia de la fuente. A mayor
valor de la inductancia de la fuente y mayor valor de la corriente de carga, mayor retardo
en la conmutacin de los SCRs. En la siguiente ecuacin se define la relacin entre estos
parmetros.
cos( u ) cos
Ing. Abdiel Bolaos
2LS
2VLL
Id
(5.17)
FIE-UTP
-111-
Operacin en Modo Inversor

La operacin en modo inversor no es el objetivo de este folleto, pero si estimamos
necesario definir las condiciones para que un rectificador pueda transferir energa el lado
de corriente directa al lado de corriente alterna. Estas condiciones son:
1. Qu exista una fuente de corriente alterna.
2. Qu la fuente de corriente directa tenga polaridad invertida
3. Qu el ngulo de disparo para los SCRs sea mayor de 90.
Ejemplo:
Un rectificador trifsico controlado se utiliza en modo inversor. El valor del voltaje de
entrada es de 460V a 60Hz, el valor de la fuente de corriente directa es de 550V, y la
inductancia de la fuente es de 0.5mH. La potencia entregada por la fuente DC es de 55kW.
Calcule el ngulo de disparo (), el ngulo de conmutacin (u) y el ngulo de conduccin
().
Solucin:
Id
P 55x103
100 A
E
550
Vd 1.35 460 cos
3 377 0.5 x10 3
100 E 550
ngulo de disparo =149

2 377 0.5 x10 3
cos u cos149
100
2 460
+u=156
u=7 o 0.324ms
= 180 - (+u) = 24
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-112-
5.3 MEDICIONES.
Bsicamente, hay disponibles dos clases de medidores de tipo pinzas: los de
respuesta promedio y los de rms verdadero. Las unidades que trabajan con una
respuesta promedio son ampliamente utilizadas y normalmente son de menor costo. Estas
unidades proporcionan una lectura correcta para cargas lineales, tales como: motores de
induccin estndar, calentadores resistivos, y luces incandescentes. Pero cuando se trata
de cargas no-lineales, las cuales normalmente contienen semiconductores, los medidores
de respuesta promedio, tpicamente leen un valor inferior al verdadero.
Los peores casos cuando se trata de cargas no-lineales incluyen, controles de
velocidad ajustable para pequeos motores (5Hp o menos) conectados 480V entre dos
fases, calentadores controlados con electrnica de potencia conectados a una fase de 240V,
o computadoras conectadas a 120V.
5.3.1 QU ES RMS VERDADERO?

El trmino rms significa raz media cuadrtica, y se deriva de una frmula
matemtica que calcula el valor efectivo (o valor de calentamiento) de cualquier forma de
onda de corriente alterna. En trminos elctricos, el valor rms de una seal de corriente
alterna es equivalente al valor del calentamiento de corriente directa de una forma de onda
particular; voltaje o corriente. Por ejemplo: si un elemento resistivo de calefaccin en un
horno elctrico es especificado como de 15kW a 240Vrms ac, entonces obtendramos la
misma cantidad de calor si se le aplicasen 240V de corriente directa en lugar de corriente
alterna.
Algunos componentes de un sistema de potencia elctrico tales como: fusibles,
barras, conductores y elementos trmicos de un circuito ramal son especificados mediante
la corriente rms porque su principal limitacin es la cantidad de calor que pueden manejar.
Por ejemplo: si se est verificando si un determinado circuito est sobre cargado, se debe
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-113-
medir su corriente rms y entonces comparar este valor con el valor especificado en el
dispositivo en cuestin.
Si el medidor de corriente especifica en sus caractersticas que responde al valor
rms-verdadero de la corriente, esto significa que internamente el circuito calcula el calor
generado utilizando la frmula para valores rms.
Este mtodo dar el valor del
calentamiento correcto de acuerdo a la forma de onda de la corriente.

Ciertos medidores de bajo costo que no traen incorporado el circuito para el clculo
de valor rms-verdadero, utilizan un atajo para el clculo del valor rms. Estos medidores
son especificados para responder al valor promedio rms de la seal. En este caso los
medidores capturan el valor promedio de una forma de onda ac rectificada y escalan este
valor por 1.1 para obtener el valor rms. En otras palabras, el valor desplegado no es rmsverdadero, pero es un valor calculado bajo la premisa de que la seal medida es
perfectamente senoidal. Este mtodo puede llevar a errores hasta del 40% cuando la seal
medida ha sido distorsionada por cargas no-lineales tales como: computadoras o controles
de velocidad ajustable para motores. La tabla siguiente da algunos ejemplos de la manera
en que los tipos diferentes de medidores responden a formas de onda diferentes.
Tipo de
multmetro
Respuesta a
una seal
senoidal
Repuesta a
una seal
cuadrada
Respuesta a un
rectificador
monofsico
Respuesta a un
rectificador
trifsico
Correcta
10% mayor
40% menor
5-30% menor
Correcta
Correcta
Correcta
Correcta
Respuesta
promedio
RMSverdadero
Figura 5.11 Respuestas a diferentes tipos de formas de onda para ampermetros de tipo rmspromedio y rms-verdadero.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-114-
Como se muestra en la tabla anterior la diferencia entre el valor de corriente medido

por un ampermetro de valor rms-promedio y uno de valor rms-verdadero vara segn el
tipo de carga, y tambin es funcin de la demanda de corriente en el momento de la lectura.
En la figura 5.12 se muestra cmo al medir un mismo ramal con medidores de diferente
tipo se obtienen lecturas totalmente diferentes. El medidor de valor rms-promedio lee
aproximadamente 32% del valor correcto en esta ocasin.
Figura 5.12 Medicin de un mismo ramal con un ampermetro rms-promedio (izq) y uno
rms-verdadero (der). Observe que la diferencia es de un 32%.
Existen muchos tipos de ampermetros para la medicin de corriente y voltaje rmsverdadero, aunque normalmente la distorsin en el voltaje es mnima, para la medicin de
corrientes si deben utilizarse instrumentos TRUE-RMS. Marcas como FLUKE cuentan
con una gran variedad de instrumentos como el Fluke 41B, adems de analizadores de
calidad de energa como las serie 434 y 435. Otras marcas menos conocidas como la marca
eslovena METREL est en el mercado desde 1950 y provee equipos clase A, como el 2892
el cual cuesta casi la mitad de lo que cuestan otros equipos pero cuenta con una gran
variedad de funciones, incluyendo comunicacin remota y una memoria que puede
expandirse hasta 64GBytes.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-115-
Figura 5.13. Algunos equipos como el Metrel 2892 le permiten al usuario la conexin remota
al instrumento a travs de un puerto IP. Con esta funcin se puede observar y
controlar el equipo, pudiendo hasta descargar la data registrada.
Algunas funciones interesantes a obserar en un equipo de calidad de energa antes de su

seleccin seran:
Capacidad de registro, al menos memoria de 8GB extrable
Pinzas de corriente flexibles y multirango
Posibilidad de conexin a internet a travs de puerto IP
Equipo clase A, para hacer mediciones en la entrada de servicio
Posibilidad de actualizar software y firmware
Opcin para reloj GPS, para sincronizar varios equipos
Otra caracterstica interesante sera la posibilidad de utilizarse como osciloscopio y

grabar formas de onda y eventos transitorios como corrientes de arranque.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-116-
Figura 5.14. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en estrella. Observe como debe calcularse la energa total.
Adems de la forma correcta de medir la energa, incluyendo voltaje y corriente y

sus componentes armnicos, deben tenerse presente algunos smbolos internacionales
sobre seguridad y los lineamientos de seguridad para la medicin de tensin y corriente.
Estas directrices pueden observase en la figura 5.15.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-117-
Smbolos internacionales de seguridad
Figura 5.15. Seguridad. Smbolos y lineamientos bsicos para la medicin de voltaje y

corriente.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-118-
Convertidores DC-DC
PROBLEMAS
1. Para un rectificador no controlado con una corriente de carga de 60A y un voltaje
de alimentacin de 120Vrms, con una inductancia de fuente de 0.1mH, determine:
a. El factor de potencia y el desplazamiento del factor de potencia.
b. El Factor de cresta y el factor de forma.
c. La corriente pico en los diodos y la corriente rms.
d. La distorsin armnica total.
e. Si midiese la corriente de entrada con un ampermetro de valor promedio,
cul sera probablemente el valor ledo?
2. Para un rectificador trifsico con un voltaje de alimentacin de 208Vrms, determine
los valores del ngulo de disparo(en grados) y de conmutacin(en microsegundos),
si el voltaje de salida debe ser de 250V para una corriente de 45A. El valor de la
inductancia de la fuente es de 0.58mH.
3. Los valores de las corrientes y voltajes medidos en el secundario de un
transformador son los mostrados en la siguiente tabla. Calcule:
a. La corriente de distorsin
b. El %THD de corriente
c. El voltaje de distorsin
d. El %THD de voltaje
e. Cul es el valor de la corriente en el neutro.
Armnico(h)
1
3
5
7
9
11
13
15 17
19
21 23
Vrms (V)
277
12 10
7
5
2
1.5
Irms (A)
67
12 21 18
9
14 12.5 6
8
7.5
4
2
4. Un control de velocidad para un motor de corriente alterna est compuesto por un
rectificador (a la entrada) un capacitor y un inversor (a la salida). Responda lo
siguiente:
a. Qu tipo de ampermetro debe utilizarse para medir la corriente de entrada?
b. Si la corriente rms real en cada fase es de 121.5A, qu valor debe esperarse
si se mide con un ampermetro de valor promedio.
5. Cules son las condiciones necesarias para que un rectificador trifsico controlado
trabaje en modo inversor?
6. Para un rectificador trifsico de 230Vrms que alimenta una carga de 36A, cul debe
ser el valor del inductor DC para que el factor de potencia sea igual a 0.9.
7. Por qu un ampermetro de valor promedio, no puede leer el valor correcto de la
corriente rms cuando hay distorsin en la forma de onda de la misma.
Ing. Abdiel Bolaos
FIE-UTP
-119-
Convertidores DC-DC
8. Si se utiliza el rectificador controlado como el circuito de potencia de un arrancador

suave para motores AC, qu opcin estima usted ms conveniente y por qu?
a. Se mantengan operando los SCR con un ngulo de disparo muy cercano a
0.
b. Se dejen de usar los SCR y se utilice un contactor como bypass para entregar
potencia al motor.
9. Para la siguiente figura las lneas verde, roja y azul, representan las corrientes del
tercer, quinto y sptimo armnico. Diga si las cargas en este circuito son
predominantemente monofsicas o trifsicas
88
72
%H1 L1N (A)
56
40
24
-8
20:59
21:00
21:01
21:02
Ing. Abdiel Bolaos
21:03
21:04
21:05
FIE-UTP
-120-

Electronica de Potencia - Parte I 2016-2

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Electronica de Potencia - Parte I 2016-2

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Electrnica Potencia y Aplicaciones

Ing. Abdiel Bolaos

Electrnica Potencia y Aplicaciones

De esta manera estos dispositivos tienen una baja eficiencia

Aplicaciones de la electrnica de potencia

Ing. Abdiel Bolaos

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Control de traccin de vehculos elctricos

1. 1 CLASIFICACIN DE LOS CONVERTIDORES DE ELECTRNICA

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potencia y as. Desafortunadamente, no es posible tener categoras estrictamente definidas

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Interruptores Electrnicos de Potencia

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Figura 2.1 Diodos. a) Smbolo, b) Caracterstica i-v, c) Caracterstica idealizada

Durante el proceso de disparo los diodos pueden ser considerados normalmente

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Fenmeno de recuperacin de un diodo de potencia. Los parmetros que

Dependiendo de los requerimientos de la aplicacin, pueden ser utilizados tres tipos

2.1.1 ESTRUCTURA BSICA

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Figura 2.3 Seccin transversal de la estructura vertical de un diodo de potencia.

2.1.2 DIODOS SCHOTTKY

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Diodo Schottky. Seccin transversal de su estructura vertical. Observe que el

A continuacin se mostrarn algunas caractersticas del diodo schottky

Mximos absolutos y Descripcin

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Adems de las caractersticas elctricas que se definen en la tabla anterior, las

Una de las curvas importantes es

Otra curva importante en la data

promedio disipada por el dispositivo en

manejada por el mismo. Ntese que esta

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En las siguientes curvas se muestra

Una de las curvas ms importantes

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2.1.3 DIODO DE FRECUENCIA DE LNEA O DIODO ESTNDAR.

A continuacin se muestran las caractersticas elctricas para el diodo

SD200N de International Rectifier. El diodo mostrado es un diodo de 200 A y 2400 V,

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En esta curva se aprecia

hace referencia a la corriente

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