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Objectif :
A partir dun systme technique ou dun sous-systme ou dun mcanisme accompagn de
son dossier technique :
- Identifier la fonction commutation par transistor.
- Raliser des applications qui intgrent la fonction commutation base de transistors.
R1
V1
V3
BD136 BD136
R2
C
S1
V4
V2
BD135 BD135
B
E
S2
b)
Transistors
Type
Rfrence
Botier
VCEMAX (V)
ICMAX (mA)
PCMAX (mW)
V1
PNP
BD136
TO126
45V
1
12 w
V2
NPN
BD135
TO126
45V
1
12 w
V3
PNP
BD136
TO126
45V
1
12 w
V4
NPN
BD136
TO126
45V
1
12 w
c) Botier TO126
Page 2
V1 : Phototransistor
VCE
0V
=0V
Etat logique de
K
0
1
Page 3
c)
Etat logique de la
touche
0
1
Etat de V1
Bloqu
Satur
Etat de V2
Bloqu
Satur
Etat logique de H
H=0
H=1
Activit 2 :
Page 4
- Travail demand :
a) Rfrence : 2N2222
b)
Type : NPN
PCMAX = 0,5 W
ICMAX = 0,8 A
VCEMAX = 60 V
Botier : TO18
Correction Activits pratiques et exercices du cours
Page 5
c)
Niveau de leau
Natteint pas les
lectrodes
Atteint les lectrodes
Etat de V1
Bloqu
Etat de V2
Bloqu
Etat logique de H
H=0
Satur
Satur
H=1
Activit 4 :
Thermistance
Temprature 0C
Temprature
40C
Valeur de
IB
0A
0,000168 A
Valeur de
VCE
4,07 V
0,111 V
Etat logique de
V
Bloqu
Satur
Etat logique de
H
H=0
H=1
Thermistances
Page 6
www.sahbitechnologie.jimdo.com
a)
Etat de S Valeur de IB Valeur de VCE Etat logique de V Etat logique de H
0
0A
12 V
Bloqu
H=1
1
0A
0V
Satur
H=0
b) H S
c) Cest la fonction logique NON
c) H ( S1 S 2) S 3 ( S1 S 2) S 3 ( S1 S 2) S 3
( S1. S 2) S 3 ( S1. S 2) S 3 ( S1| S 2). S 3 ( S1| S 2) | S 3
Correction Activits pratiques et exercices du cours
Page 2
d)
RC1
RC3
RC2
S1
RB1
( S1| S 2)
H (S1| S 2) | S 3
V1
RB7
RB2
S2
S2
RB3
RB4
S3
V7
V2
RB8
V3
RC4
V8
S3
V4
RB5
RB6
V5
V6
Page 3
b)
Etat de M Valeur de IB1 Valeur de VCE1 Etat logique de V1 Etat logique de H11
0
0A
6,802 V
Bloqu
1
1
0,0005099 A 0,1443 V
Satur
0
c) H11 M nom de la fonction H11 : fonction NON.
Travail N2 : a)
b)
Etat de M
0
0
1
1
S2
0
1
1
0
IB3
0A
0,0004744 A
0,00102 A
0,0004744 A
VCE3
6,802 V
0,149 V
0,1143 V
0,149 V
Etat de V3
Bloqu
Satur
Satur
Satur
H13
1
0
0
0
Page 4
c) H13 S1 S 2 S1 S 2
Travail N3 :
H1 (M S1) (M S 2)
H2
F2
D
b)
Etat de D Valeur de IB1 Valeur de VCE1 Etat logique de V1 Etat logique de H21
0
0A
6,802 V
Bloqu
1
1
0,0005099 A 0,1443 V
Satur
0
c) H 21 D nom de la fonction H21 : fonction NON.
Travail N2
a)
Page 5
H3
b)
Etat de D
S3
0
0
1
1
0
1
1
0
IB5
IB6
0A
0A
0,0005035 A
0,0002057 A
0A
0,0005147 A
0,000510 A
0A
c) H 31 D . S 3 D | S 3
Etat de V5
Bloqu
Bloqu
Satur
Satur
Etat de V5
Bloqu
Satur
Satur
Bloqu
H31
1
1
0
1
Travail N3 :
H 2 D | S 3 et H 3 D | S 3
Activit 3 : Monte charge 3 niveaux
1-
R17
Clampe 0
R14
D22
D21
IC8
D14
Clampe 0
T4
R16
R15
2H10
RC2
RC1
S1
RB1
Vcc
V1
2N1711
RB3
V2
2N1711
H0
S2
RB2
Page 6
2-1
a)
S1
0
0
1
1
b)
S2
0
1
1
0
Etat de V1
Bloqu
Satur
Satur
Satur
H10 S1 S 2 S1 S 2
c) H 0 H10
H10
1
0
0
0
Etat de V2
Satur
Bloqu
Bloqu
Bloqu
H0
0
1
1
1
Fonction NOR
Fonction NON
b)
S2
0
0
1
1
S1
0
1
1
0
Etat de V1
Bloqu
Satur
Satur
Bloqu
H10
1
0
0
1
Etat de V2
Bloqu
Bloqu
Satur
Satur
H20
1
1
0
0
Etat de V3
Satur
Bloqu
Bloqu
Satur
Etat de V4
Satur
Satur
Bloqu
Bloqu
H0
0
1
1
1
Page 7
EVALUATION FORMATIVE
Systme propos : Systme darrosage automatique
R1
R2
F
S1
KM
V2
RB
V1
LDR
H
S2
Capteur dhumidit
- Travail demand :
3-1)
a) Sur le schma
b) Sur le schma
c) Type : NPN.
3-2)
a) PCMAX = 0,115 W
b) ICMAX = 0,015 A
c) VCEMAX = 60 V
d) Botier : TO3
3-3)
C
Faux
E
3-4)
3-5)
Etat de la terre
Humide
Humide
Sche
Sche
S2
0
0
1
1
S1
0
1
0
1
IB
0A
0A
0A
0A
Botier T03
Etat de transistor
Bloqu
Bloqu
Bloqu
Satur
Etat de KM
0
0
0
1
Etat de M
0
0
0
1
Page 8
+VCC
S1
S2
+VCC
H
S1
S2
Page 9