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Prctico N2
Elemento hmico y no hmico
Materiales:
Voltmetro
Ampermetro
Resistencia
Fuente C.C (3 A12 v)
Cables
Soporte
Circuitos:
Circuito 1:
Circuito 2:
Tabla de propuesta
R 100
V(V)
1
2
3
4
5
8.5
10
15
I(A)
1.0x10-2
2.0x10-2
3.0x10-2
4.0x10-2
5.1x10-2
8.7x10-2
1.04x10-1
1.58x10-1
R 1K
V(V)
1
2
2.5
4
5
5.5
7
8
9
Diodo Zener
I(A)
1.0x10-3
2.0x10-2
3.0x10-2
4.0x10-2
5.0x10-2
5.0x10-2
7.0x10-2
8.0x10-2
9.0x10-2
V(V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I(A)
0.01=1.0x10-2
0.02=2.0x10-2
0.03=3.0x10-2
0.04=4.0x10-2
0.05=5.0x10-2
0.06=6.0x10-2
0.07=7.0x10-2
0.08=8.0x10-2
0.09=9.0x10-2
0.10=10x10-3
Forma directa
I(A)
1.0x10-2
2.0x10-2
3.0x10-2
4.0x10-2
5.0x10-2
5.0x10-2
7.0x10-2
8.0x10-2
V(V)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I(A)
0.01=1.0x10-2
0.02=2.0x10-2
0.03=3.0x10-2
0.04=4.0x10-2
0.05=5.0x10-2
0.06=6.0x10-2
0.07=7.1x10-2
0.08=8.1x10-2
0.09=9.1x10-2
0.10=1.0x10-1
V(V)
0.10
0.20
0.30
0.40
0.50
0.53
0.55
0.56
0.57
0.58
I(A)
0
0
3.0x10-2
4.0x10-2
3.6x10-2
8.0x10-1
1.0
1.3
1.4
1.9
Forma indirecta
Representaciones grficas
Resistencia
V
Cuando un voltaje (diferencia de potencial)
se aplica a travs de las
terminales de un conductor metalico, tenemos que la corriente en el conductor
es proporcional al voltaje aplicado.
V I .R
R
Donde la constante de proporcionalidad se llama resistencia del conductor.
La resistencia se define como la razn del voltaje a travs del conductor a la
corriente que porta.
En volts
V
R
I
En ampere
()
La resistencia tiene unidad en el SI de volts por ampere, llamada ohm
Ley de ohm
V I .R
Valor como
dgito
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Valor como
multiplicador
1
10
102
103
104
105
106
107
108
109
Ejemplo
Diodo
Las
propiedades de los materiales semiconductores se conocan en 1874, cuando
se observ la conduccin en un sentido en cristales de sulfuro, 25 aos ms
tarde se emple el rectificador de cristales de galena para la deteccin de
ondas. Durante la Segunda Guerra Mundial se desarroll el primer dispositivo
con las propiedades que hoy conocemos, el diodo de Germanio.
Simbologa
Diodo 1N4007
Principales caractersticas
DIODOS
ZENER.
Se emplean para
producir entre sus
extremos una
tensin constante
e independiente
de la corriente
que las atraviesa
segn sus
especificaciones.
Para conseguir
esto se
aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente
al llegar a la tensin de ruptura (tensin de Zener), pues, la intensidad inversa
del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la destruccin del diodo por la
avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una
resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una
potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o
metlico segn la potencia que tenga que disipar.
Imgenes
Bibliografa:
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php
http://www.ecured.cu/Diodo_1N4007
http://electronica-teoriaypractica.com/diodo-1n4001-1n4007/
Fundamentos de la fsica. SerwayVuile. Novena edicin. Tomo 2.
Sears-Zemansky. Fisica Universitaria. Vol 2. Edicion 12