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Diodos de potencia
Transistores de potencia de unin bipolar BJT
Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT
Tiristores.
Diodos de Potencia:
Son funcionalmente idnticos a un diodo normal, excepto por su habilidad de soportar
corrientes mucho ms grandes y voltajes grandes.
Existen 3 tipos de diodos de potencia:
Diodos Estndar o de uso general: Cuyos rangos tpicos de voltajes y de corriente son 3000V y
de 3500A respectivamente. Su tiempo de conmutacin es aproximadamente de 25seg.
Diodos de recuperacin rpida o de alta velocidad: Los rangos tpicos de voltaje y de corriente
son 3000V y de 1000A respectivamente. Su tiempo de conmutacin es de 5seg.
Diodos Schottky: Pueden conmutar ms rpido, en el rango de los nanosegundos pero se
limitan a 100V y 300A.
Zona activa
Zona de saturacin
Zona de corte.
Ib
Ic
C
hie
Cbe
Bib
ro
Ie
E
Q1
NPN
Rc
+
Vcc
-Vbb
Tiempo de retraso (tD): Si VB cambia de VBB a VBB, entonces IB cambia de 0 a IB1, pero la
corriente de colector no comenzar a fluir hasta despus de un retardo, debido a que la
capacitancia CBE se tiene que cargar hasta VBesat = 0,7V.
Tiempo de elevacin (tR): Despus que la unin base-emisor se polariza directamente, la
corriente de colector crece hasta alcanzar un valor del 90% de la corriente mxima:
Tiempo de almacenamiento (tS): es el tiempo que se requiere para eliminar la carga acumulada
en la base antes de que la unin base-emisor se polarice inversamente.
Para acelerar este proceso, el voltaje de la base se lleva a valores negativos (VBB) de tal
forma que la corriente de base negativa acelere la descarga de la carga acumulada en la base,
sin esta corriente negativa el tiempo de almacenamiento sera ms alto.
Tiempo de abatimiento (tF): Finalmente, la capacitancia de la unin base-emisor polarizada
inversamente se debe cargar al voltaje de la base negativa, antes de que termine el transitorio
de conmutacin. Representa el tiempo que tarda en disminuir la corriente colectora del 90% al
10% de su valor de saturacin.
VBB
IB
VBB/R2
VBB/R2
VBB
VceSAT
Ics
90% Ics
10% Ics
Vcc
VceSAT
tON
tOFF
PcMAX
to
td
tr
tn
ts
tf
to
td
MOSFET de Potencia:
Tambin llamados IG-FET (Transistor de Efecto de Campo de Compuerta Aislada) el cul
presenta una estructura especial, ya que una capa de oxido de silicio asla la compuerta del canal.
Los MOSFET de potencia deben trabajar en la regin hmica, donde una corriente grande
de drenador puede fluir con voltajes de drenador-surtidor pequeos. El otro modo de operacin
es en la zona de corte donde no fluir corriente y el voltaje drenador-surtidor es alto.
Caractersticas de conmutacin del MOSFET:
El comportamiento del MOSFET es ms rpido que el BJT por no contar con portadores
minoritarios, la corriente de drenador responde casi inmediatamente a la tensin de compuerta.
Donde se presenta el retraso es en la capacitancia CGS ya que retrasa la respuesta de tensin a la
compuerta en el circuito de control.
Cgd
G
D
rds
Cgs
gmVgs
Cds
VGG
VGSP
VP
ID
90% Ids
Idss
VDS
VDD
VDCSAT
tON
tOFF
PDMAX
to
td(ON) tr
tn
td(OFF)
tf
to
td
Vcc
VceSAT
td
tr
tn
ts
tf
to
Busquemos las ecuaciones en tr y tf, aplicando la ecuacin de la recta de los grficos anteriores:
tr: () =
0) () = +
() = +
tf: () =
0) () = +
() = +
1
= () () =
0
0
b) Durante el tiempo de elevacin: () = +
=
() = +
1
() () = +
+
Desarrollando:
= [6 + 6 + 3 + 3 ]
1
= () () =
=
0
0
d) Durante el tiempo de almacenamiento (tS): () =
() =
1
= () () =
=
0
0
e) Durante tiempo de abatimiento (tf): () = +
=
() = +
1
() () = +
+
Desarrollando:
= [6 + 6 + 3 + 3 ]
f)
1
= () () =
=
0
0
g) Prdida total de potencia en el transistor: PT = Pd + Pr + Pn + PS + Pf + Po
IBf
ODF=IBf/IBs
IBo
IB
toff
f = ICs/IBs.
ton
a) Control de Activacin:
C1
Vbb
R1
R2
Rc
+
Vcc
-Vbb
2
1+2
1+2
y el
b) Control de desactivacin:
C1
Vbb
R1
R
R2
R3
D1
R4
Rc
C2
Vcc
-Vbb
1+2||(3+4)
y el
condensador se carga en 1 =
1+2
5(1 +2 )
1 +2
La relacin de vueltas es 1 =
Rc
SW
Vb
R1
T1
Vcc
d) Control de Antisaturacin
Si el transistor es operado severamente, el tiempo de almacenamiento, que es
proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la velocidad de conmutacin. El tiempo
de almacenamiento puede ser reducido operando al transistor en una saturacin suave, en vez de
una saturacin brusca. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje colector-emisor a un valor:
Malla C-E: = + . , fijando el Vce a un valor mayor que el voltaje de saturacin.
La corriente de base sin fijacin, es = 1 =
y su correspondiente =
Y la corriente de carga es
1 +2
(
+1 1
+ )
Para la fijacin 1 > 2, esto se puede obtener conectando dos o ms diodos en vez de
un solo diodo d1. La resistencia de carga RC deber satisfacer la condicin > , por tanto
> ( 1 + 2 )
La accin de fijacin da como resultado una corriente colectora ms reducida y la
eliminacin prcticamente del tiempo de almacenamiento, obtenindose una activacin rpida.
Sin embargo, como el Vce aumento, la disipacin de potencia en el transistor aumenta en estado
activo, en tanto que la prdida de potencia por conmutacin se reduce.
D2
Rc
Rb
Vb
D1
Vcc