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Transistor BJT
Sabik Fernando Portillo Villalobos
David Alejandro Toro Sandoval
Alfredo Snchez Hernndez
Electrnica de potencia
Germn Escoto Mora
4MM2
31/03/16
Objetivos
Desarrollar nuestros conocimientos relacionados con los transistores BJT en aplicaciones de electrnica de
potencia, de tal manera que el conocimiento se reconstruya y expanda en otros sentidos de la ingeniera adems
de los simplemente electrnicos.
Desarrollar las competencias necesarias para poder disear un circuito de potencia capaz de activar o desactivar
un foco de 12V y un relay, mismo que puede conectarse con casi cualquier dispositivo por su acoplamiento
mecnico.
Identificar las diferentes propiedades fsicas principalmente trmicas relacionadas con el tipo de empaquetado
del transistor ya que el calentamiento puede modificar las propiedades del circuito
Propiciar un entorno de diseo con fundamentos matemticos apropiados provenientes de la teora
correspondiente a las distintas configuraciones del transistor BJT utilizado.
Desarrollo
Experimento 1
Este experimento consisti en conectar 2 transistores BJT NPN con diferentes encapsulados en un mismo circuito, para
identificar las propiedades y caractersticas elctricas de los mismos. El circuito es una configuracin simple de transistor
como conmutador en emisor comn, esta configuracin invierte las seales capturadas en la base. Esta seal de control
se encarga de saturar al transistor y permitir el flujo de corriente entre el colector y el emisor. Siendo as como el foco
(no instalado en la simulacin) se activa o desactiva.
tip41 con foco
Tabla de resultados
Transistor/Atributo
2n2222 TO92
Tip 31 TO220
VBEsat (V)
0.8
0.78
IBsat (A)
0.02
0.02
ICsat
(A)
0.43
0.43
VCEsat (V)
VCE0 (V)
0.18
11.98
0.19
11.98
En esta tabla se concentran todo los resultados del experimento 1 que coincidiran en su mayora con los valores
obtenidos en los experimentos posteriores dos y tres.
Experimento 2
Esta conserva la misma configuracin del transistor que el experimento 1 pero incorpora un relay en vez de un foco, esto
con la intencin de apreciar el efecto inductivo que presenta la bobina del relay al ser activada y como se aprecia en la
seal de salida. Al mismo tiempo se construye una fase de potencia apta para la activacin diversos circuitos.
2.1 tip41 con relay
Figura 9.- Muestra las seales de entrada (amarillo) y salida (azul) cuyos
valores pico son de 5V y 12V respectivamente. Se pueden apreciar los
picos debido a la demanda de corriente por el inductor al polarizarse.
Estos son mas significativos que los equivalentes en el circuito del tip41
Experimento 3
Este es una variante del experimento 2 que incorpora adems un diodo rectificador en inversa sobre el inductor del relay, esto con
la intencin de minimizar al mximo los picos del efecto inductivo y suavizar el cambio en los distintos puntos crticos de la seal
3.1 tip41 con relay y diodo
Experimento 4
En este experimento se implementa una configuracin Darlington con transistores NPN (BC547) y un transistor PNP (TIP42) para
crear un conmutador parecido al de los experimentos anteriores. Una de las ventajas de esta configuracin es que la corriente
requerida en la base activadora es mucho menor al de una configuracin normal, la amplificacin del transistor se ve incrementada
y es ms fcil entonces saturarlo. El experimento se desarroll conectando un foco a la terminal del emisor del segundo transistor
(No mostrado en la simulacin).
Las formulas a continuacin fueron utilizadas para el clculo de las resistencias en las bases de los dos transistores en la
configuracion Darlington
"# =
"- =
12 "("#
Experimento 5
En este experimento se implementa una configuracin Darlington con transistores PNP TIP32 y NPN BC547 exactamente igual que
el experimento 4. Es importante considerar que ahora la terminal del emisor del transistor 1(tip42) es ahora la que se conecta a
Vcc
Figura 19.- Imagen real de la salida del circuito anterior que atena casi
al 100% los picos generados por el inductor del relay,
Conclusiones
El uso de transistores BJT como fases de potencia otorgan al sistema en cuestion la corriente necesaria para
funcionar dependiendo unicamente de una seal activadora con caracteristicas minimas de tal manera que
pueden emplearse dispositivos programables o de baja corriente de salida para activar o desactivar sistemas de
alta corriente.
Es importante considerar los puntos de corte y saturacion de los transistores para poderlos utilizar de la manera
apropiada. Pues al no conocerse estos puntos lmite, el trasistor puede caer un una etapa de amplificacin o de
transicin en donde no se obtienen los resultados deseados.
El calculo de la corriente de base siempre tiene que estar en funcion de la corriente que pretendemos hacer
pasar por el colector, por lo que es importante determinar esta primero antes de hacer cualquier clculo posterior
Lo encapsulados del mismo circuito integrado varian principalmente en su capacidad de disipacin de potencia,
especficamente, la corriente soportada en el circuito. Es indispensable seleccionar un encapsulado apropiado
para la aplicacin en cuestin y evitar el sobrecalentamiento y el posible fallo del transistor.
Para el uso de Relays es importante considerar los picos debido a las inductancias generadas en la bobina del
mismo. Para esto, es recomendable utilizar diodos rectificadores de proteccin que se encargan de absorver
dichos pichos y facilitar una seal mas fiel a la seal generadora.
Bibliografa
Robert L. Boylestad, Electrnica: Teora de Circuitos y dispositivos electrnicos, Pearson, Dcima edicin
Floyd, Dispositivos Electrnicos, Prentice Hall, Octava edicion