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Prof: I. Elyamani
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE
Il constitue gnralement le dernier tage d'une chane amplificatrice; il doit tre capable de fournir
une charge (haut-parleur, moteur...) une certaine puissance. Celle-ci est prleve l'alimentation, et le
rendement de l'tage doit tre le plus lev possible.
On supposera nulle la tension de saturation des transistors; la grande amplitude des signaux
n'autorise plus l'utilisation du schma quivalent des transistors.
1.2 Classes
Classe A : angle d'ouverture gal 2
Classe B : angle d'ouverture gal
Classe C : angle d'ouverture infrieur
2. AMPLIFICATEUR EN CLASSE A
2.1 Schma, point de repos
Rb
iC
Vcc
Ru
Ru
Vcc
Ce
IC0
vs
ve
Vcc
Vcc v
CE
2
Le point de repos A est choisi de faon obtenir aux bornes de la charge Ru une tension d'amplitude
maximale.
Vs2
La charge tant rsistive : Pu =
Ru
L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc /2, la puissance utile maximale a
pour valeur :
Pu Max =
V cc2
8. R u
Vcc
Vcc2
1T
Pa = Vcc . i c . dt = Vcc . < i c > = Vcc .
=
T0
2. Ru 2.Ru
En classe A, la puissance absorbe est indpendante de la puissance fournie la charge.
2.2.3 Rendement
Pu 2. Vs2
=
Pa
Vcc
et
Max =
PuMax
Pa
= 0,25
Amplificateur de puisssance
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3. AMPLIFICATEUR EN CLASSE B
3.1 Principe de fonctionnement
iC
iC
T1
ve
Vcc
vs
Ru
T2
iC
Vcc
Ru
is
B
Vcc
- vCE
Vcc
vCE
- iC
iC
t
iC
is
t
Les transistors T1 et T2 sont complmentaires, le point de repos choisi est le point B si bien qu'en
l'absence de tension ve, la charge n'est parcourue par aucun courant. Les transistors T1 et T2
conduisent alternativement :
pour que T1 conduise il faut que ve > VBE1
pour que T2 conduise il faut que ve < VBE2
si VBE2 < ve < VBE1 aucun transistor ne conduit d'o l'allure des courants ci dessus.
On remarquera que le courant circulant dans la charge n'est pas purement sinusodal mais prsente
une distorsion dite de croisement ou de recouvrement (cross-over). Cette distorsion peut tre
supprime grce des montages appropris (cf 3.3).
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Vcc
1T
Pa1 = Vcc . i c1. dt =
T0
T
T/2
$I . sin t. dt =
c
Vcc . $Ic
2. Vcc . V$ s
Pa = Pa1 + Pa2 = 2.Pa1 =
.Ru
La puissance absorbe crot linairement avec la tension aux bornes de la charge. La puissance
absorbe maximale vaut donc : PaMax
2. Vcc2
.R u
Pu =
Vs2
Ru
La puissance utile est une fonction parabolique de la tension aux bornes de la charge.
L'amplitude maximale de la tension de sortie ayant pour valeur Vcc, la puissance utile maximale a pour
valeur : Pu Max
Vcc2
=
2.Ru
3.2.3 Rendement
Pu
. Vs
. V$ s
=
=
Pa 2. 2. Vcc 4. Vcc
Max =
et
PuMax
Pa
= 0,785
4
PT = Pa Pu =
Ru
2
charge.
Cherchons la valeur de Vs pour laquelle la puissance PT est maximale, pour cela drivons cette
puissance par rapport la tension de sortie et cherchons pour quelle valeur de Vs cette drive
s'annule. On obtient :
2. Vcc
V$ s =
et
PTMax
2. Vcc2
= 2
.R u
4. Vcc2
Pa = 2
.R u
2. Vcc2
et Pu = 2
= PTMax
.R u
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donc
PT1Max
Vcc2
= 2
.R u
Amplificateur de puisssance
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3.3 Distorsions
3.3.1 Diminution de la distorsion de croisement
3.3.1.1 Prpolarisation des transistors
iC
T1
Rv
ve
T2
iC
Vcc
vs
Ru
is
Vcc
On peut utiliser par exemple un systme diodes qui maintient entre les deux bases une tension gale
la somme des tensions de seuil des jonctions base-metteur des transistors.
Par raison de symtrie, le potentiel du point commun aux diodes est le mme que celui des deux
metteurs, c'est dire 0 V.
En augmentant la valeur de Rv, on augmente l'intensit du courant dans les diodes ce qui a pour
consquence de rendre les transistors un peu plus conducteurs.
Ce dispositif n'est cependant pas parfait, car lorsque la temprature des transistors augmente (avec la
puissance dissipe), leur tension de seuil diminue si bien que leur point de fonctionnement est modifi,
l'intensit du courant collecteur crot, entranant un chauffement encore plus grand et ainsi de suite :
c'est l'emballement thermique.
Pour y remdier on peut tout d'abord mettre les diodes en contact thermique avec les transistors de
faon compenser toute variation de la tension base-metteur des transistors avec la temprature
(pour le silicium -2,2 mV/C) par une variation de la tension de seuil des diodes.
On ajoute galement en srie avec les metteurs des rsistances r qui limitent l'emballement
thermique puisque alors, une augmentation du courant collecteur se traduit par une augmentation de
la chute de tension dans la rsistance r, si bien que le point de fonctionnement restera alors
sensiblement le mme.
Il s'agit d'une contre-raction de tension rinjection de tension, la tension de sortie tant prleve
entre les deux rsistances r et la masse.
On admet gnralement que la tension crte dans r doit tre voisine de 1 volt lorsqu'elle est parcourue
par l'intensit crte maximale (ici Vcc/Ru).
Ce montage de principe ne peut tre utilis tel quel, car l'intensit du courant dans les diodes dcrot
lorsque l'amplitude de la tension d'entre augmente, en pratique on utilise un gnrateur de courant.
3.3.1.2 Utilisation de la contre-raction
R2
Vcc
vs
ve
R1
Ru
is
Vcc
Pour que l'un des transistors conduise il faut que l'amplitude de la tension de sortie de l'AOP soit
suprieure la valeur absolue de la tension base-metteur d'un transistor, sinon l'AOP est en boucle
ouverte et son coefficient d'amplification est celui de boucle ouverte Ad.
Pour que T1 ou T2 conduise il faut donc que : ve > VBE/Ad
La distorsion de croisement s'en trouve considrablement rduite.
Lorsque l'un des transistors conduit, le coefficient d'amplification en tension du montage a pour valeur
-R2 /R1
Le dernier tage amplifie donc galement en tension; on peut aussi utiliser un montage non inverseur,
l'impdance d'entre sera alors plus leve. Si l'amplification en tension n'est pas ncessaire un
montage suiveur peut convenir. La contre raction diminue donc la distorsion de croisement.
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D' =
Dans la mesure o la distorsion est faible, ces deux taux sont proches car la valeur efficace des
harmoniques est faible devant celle du fondamental.
4. ECHANGES THERMIQUES
La puissance dissipable dans les transistors pouvant tre leve, des problmes de dissipation
thermique se posent.
PT1 = .(j - a) =
j a
R Tja
P = (200 - 25)/175 = 1W
> P il faudra employer un dissipateur thermique.
Si PT1
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R Tra =
1 l
KS
Cette relation est du mme type que celle donnant la rsistance ohmique d'un conducteur.
Entre deux solides les changes de chaleur ont lieu uniquement par conduction; entre un solide et l'air
ils se font galement par convection et rayonnement ; on simplifie toutefois en considrant une
rsistance thermique entre solide et air.
Lorsque la chaleur traverse plusieurs lments les rsistances thermiques proportionnelles
l'paisseur des lments s'ajoutent.
4.4 Calcul
On doit faire appel maintenant la rsistance thermique jonction-botier du transistor RTjb.
Celle d'un 2N 3053 vaut 35 C/W soit un cinquime d e RTja, ce qui signifie que si le botier est
maintenu une temprature de 25 C, la puissance d issipable par le transistor est de 5 W.
sans dissipateur on peut crire la loi d'Ohm thermique :
P=
j b
R Tjb
j a
b a
=
R Tba
R Tjb + R Tba
P j
RTjb
RTra a
P=
P j
j b
R Tjb
RTjb
j a
b r r a
=
=
R Tbr
R Tra
R Tjb + R Tbr + R Tra
RTbr r
RTra a
Or RTbr + RTra << RTba : la puissance dissipable dans le deuxime cas sera donc nettement
suprieure.
Pour amliorer le contact thermique entre le transistor et le dissipateur on intercalera entre les deux
une graisse au silicone.
En basse frquence le dissipateur thermique sera calcul en fonction de la puissance instantane
maximale, en haute frquence on prendra en considration la puissance moyenne.
Exemples :2N 3055 botier TO3
2N 3053 botier TO39
Exercice : calculer la rsistance thermique du dissipateur thermique fixer sur le botier du 2N 3055
lorsque la puissance dissiper vaut 25W ?
On donne jMax = 175 C et la temprature ambiante 25 C .
Rponse : 4,6 C/W
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