You are on page 1of 40
PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

TEKNIK LISTRIK

SEMESTER

314-403-17

 

KARAKTERISTIK

III

LABORATORIUM

DIODE

EXP : 3

WAKTU : 7 JAM

 

LISTRIK

1. TUJUAN

  • 1.1 Mengukur karakteristik v- ἰ diode germanium dan diode silicon

  • 1.2 Menentukan tegangan hidup (threshold voltage),vt

  • 1.3 Menghitun resistansi statis,Rs

  • 1.4 Menghitun resistansi dinamis,rd

  • 1.5 Menggunakan osiloskop untuk menampilkan karakteristik v-ἰ diode secara

langsung

  • 1.6 Membandingkan parameter diode germanium dengan diode silicon.

2 PENDAHULUAN

  • 2.1 Diode adalah komponen yang bergantung polaritas,yang dapat di pasang

biasa arah maju (forward biased ) atau arah balik (reverse bisade ).diode dikatakan di bias maju jika tergantung anode (material P ) dibuat lebih positif dari pada katode (material N ),arus akan mengalir dengan mudah melalui diode.sebalikya,dibias balik jika anode lebih negatif dari pada katode.

Anode Katode A K F Simbol diode Struktur diode 2.2 Beberapa parameter diode dapat di tentukan
Anode
Katode
A
K
F
Simbol diode
Struktur diode
2.2 Beberapa parameter diode dapat di tentukan dari kurve karakteristik vf- ἰf-
nya.

Tegangan hidup Vt diperoleh dengan memperpanjang bagian lineiar dari

kurve karakteristik

bias maju sampai memotong sumbu

tegangan.tegangan hidup adalah tegangan minium yang di perlukan pada diode

untuk mengatasi tegangan difusi padda sambungan (junction)diode.

Resistansi statis

Rs =

VF

iF

( bias maju)

Resistansi dinamis rd =

PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA TEKNIK LISTRIK SEMESTER 314-403-17 KARAKTERISTIK III LABORATORIUM DIODE EXP :

Vf

F

F Karakteristik Bias Maju + 0 v ἰ F 0 - TABULASI DATA TABEL 1 (DIODE

Karakteristik Bias Maju

+ 0 v ἰ F 0
+
0
v
ἰ F
0

- TABULASI DATA TABEL 1 (DIODE GERMANIUM)

F Karakteristik Bias Maju + 0 v ἰ F 0 - TABULASI DATA TABEL 1 (DIODE

v F

 

Bias Maju

Bias Maju Bias Balik

Bias Balik

Vf

If

VR

IR

(volt)

(mA)

(Volt)

(µA)

0,05

1

50,1

2

0,15

3

0,2

5

0,2

8

 

1

12

 

2

18

 

3

25

 

4

30

 

6

40

 

8

50

 

10

60

TABEL 1 (DIODE SILIKON)

 

Bias Maju

Bias Balik

 
Bias Maju Bias Balik Vf If VR IR (volt) (mA) (Volt) (µA) 0,2 1 0,4 2
 

Vf

If

VR

IR

(volt)

(mA)

(Volt)

(µA)

0,2

1

0,4

2

0,6

3

 

10

5

20

8

50

12

100

18

200

25

400

30

600

40

800

50

1000

60

3.BAHAN DAN PERALATAN

  • 1 Diode germanium,10 Ma ,90 v

  • 1 Diode silikon 1 A,100 V

  • 1 Resistor 1 k

  • 1 Resistor 1 0 k

  • 2 multimeter

  • 1 Osiloskop dua-saluran

  • 1 Sumber tegangan dc variable 0-60 v

  • 1 Sumber regangan ac variable 0-12v/1 A/50 Hz

4. DIAGRAM RANGKAIAN

4. DIAGRAM RANGKAIAN 4.2 4.3

4.2

4. DIAGRAM RANGKAIAN 4.2 4.3

4.3

4. DIAGRAM RANGKAIAN 4.2 4.3
  • 5. LANGKAH KERJA

    • 5.1. Buatlah rangkaian seperti diagram 4.1, gunakan diode

germanium dan R1 = 1 k Ω

Lakukan pengukuran

If sebagao fungsi

Masukkan hasilnya pada tabel 1

Vf

  • 5.2. Buatlah rangkaian seperti diagram 4.2, gunakan diode

germanium

Lakukan pengukuran

IR

sebagai fungsi VR

Masukkan hasilnua pada tabel 1

  • 5.3. Gambarlah karakteristik V - I diode germanium tersebut. Buatlah skala yang berbeda untuk bias maju dan bias balik

  • 5.4. Analisislah Karakteristik V - I dan tentukan : 5.4.1.Tegangan hidupnya , VT

5.4.2.Resistansi statisnya ,

Rs

Pada bias maju IF = 10 mA dan

Pada bias balik VR

= 30 V

5.4.3 Resistansi dinamisnya, rd.

  • 5.5. Kerjakan seperti langkah 5.1 untuk diode silicon dengan R1

=

10 Ω / 10 W.

(Tabel 2)

  • 5.6. Kerjakan seperti langkah 5.2 untuk diode silikon. (Tabel 2)

  • 5.7. Kerjakan seperti langkah 5.3 untuk diode silicon.

  • 5.8. Kerjakan seperti langkah 5.4 untuk diode silicon

  • 5.9. Buatlah rangkaian seperti diagram 4.3, gunakan diode

germanium dan P1 = 1k Ω

Hidupkan osiloskop pada operasi X-Y/ DC. Naikkan tegangan sumber secara –lahan perlahan sampai maksimum. Lukislah pada kertas grafik karakteristik V – i

Diode tersebut, disertai skala arus dan tegangannya

  • 5.10. Kerjakan seperti langakh 5.9 untuk diode silicon dengan R1 = / 10 W.

10 Ω

  • 5.11. Buatlah perbandingan parameter diode germanium dengan diode silicon yang telah diperoleh.

PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

TEKNIK LISTRIK

SEMESTER

314-403-17

 

KARAKTERISTIK

III

LABORATORIUM

DIODE ZENER

EXP : 3

WAKTU : 7 JAM

 

LISTRIK

1. TUJUAN

  • 1.1. Mengukur karakteristik

vi diode zener dengan menggunakan

osiloskop

  • 1.2. Menentukan tegangan zener, v z

  • 1.3. Menghitung resistansi dinamis, r z .

  • 1.4. Membangun rangkaian untuk pengukuran resistansi dinamis diode

zener.

2. PENDAHULUAN

  • 2.1. Pada keadaaan bias maju, karakteristik diode zener tidak berbeda

dengan diode silikon biasa sedangkan pada keadaan bias balik, diode zener akan bersifat menghantar ketika besar tagangannya melampaui tegangan dadalnya (breakdown voltage). Arus yang mengalir pada keadaan dadal tidak merusak diode zener sejauh kemampuan disipasi- daya maksimumnya tidak dilampaui.

  • 2.2. Dengan gambar karakteristik

v zi z

dapat ditentukan besarnya

tegangan dadal atau dikenal dengan tegangan zener dan resistansi

dinamis diode zener. Tegangan zener v z ditentukan pada titik arus-uji tertentu I zt yaitu sekitar

25% dari kemampuan disipasi-daya maksimumnya.

Resistansi dinamis

r

z=

∆v z

∆i

z

i z + -
i z
+
-

simbol diode zener

  • 2.3. Resistansi dinamis diode zener dapat juga ditentukan berdasarkan metode pengukuran diagram 4.2.

r z = ( v i 2 1 ) R 2

n

v

r

  • 3 BAHAN DAN PERALATAN

    • 1 Diode zener, 4,7 v / 0,25 w

    • 1 Diode zener, 10 v / 0,25 w

    • 1 Resistor 100Ω

    • 1 Resistor 1 kΩ

    • 1 Kapasitor elektrolit 1 µF / 35 v

    • 1 Multimeter

    • 1 Osiloskop 2 saluran

    • 1 Generator sinyal sinusoida

    • 1 Sumber tegangan ac variabel 0-15 v / 50 H z

    • 1 Sumber tegangan dc variabel 0-30 v

  • 4 DIAGRAM RANGKAIAN
    2.4.

  • 1 KΩ 0 … 15 V ~ ~ i z - + V Z _ 0
    1 KΩ
    0 … 15 V ~
    ~
    i z
    -
    +
    V
    Z
    _
    0 v

    2.5.

    I Z

    1 KΩ

    0 … +30 v A + 1 µF _ G R 2 ~ 1 KHz 100Ω
    0 … +30 v
    A
    +
    1 µF
    _
    G
    R 2
    ~
    1 KHz
    100Ω
    0 v
    2.5. I 1 KΩ 0 … +30 v A + 1 µF _ G R 2
    • V in

    TABULASI DATA TABEL 1 ( Zener 4,7 V ) Iz Vin Vr2 rz ( mA )
    TABULASI DATA
    TABEL 1 ( Zener 4,7 V )
    Iz
    Vin
    Vr2
    rz
    ( mA )
    ( Vpp )
    ( Vpp )
    ( ohm )
    6
    0,1
    10
    0,1
    14
    0,1
    18
    0,1
    22
    0,1
    *)Lihat langkah kerja 5.8
    TABEL 2 ( Zener 10 V )
    Iz
    Vin
    Vr2
    rz
    ( Ma )
    ( Vpp )
    ( Vpp )
    ( ohm )
    2
    0,1
    4
    0,1
    6
    0,1
    8
    0,1
    10
    0,1
    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA
    TEKNIK LISTRIK
    SEMESTER
    314-403-17
    KARAKTERISTIK
    III
    LABORATORIUM
    TRANSISTOR
    EXP : 3
    WAKTU : 7 JAM
    LISTRIK
    1. TUJUAN
    • 1.1 Mengukur karakteristik-keluaran transistor (NPN).

    • 1.2 Mengukur karakteristik-kontrol-arus transistor.

    • 1.3 Menghitung faktor penguatan-arus,hpg.

    • 1.4 Mengukur karakteristik-kontrol-tegangan transistor

    • 1.5 Menghitung transkonduktansi,9m

    • 1.6 Mengukur karaakteristik-masukkan transistor

    2. PENDAHULUAN

    • 2.1 Transistor berada dalam kondisi kerja bila sambungan (junction) Basis-emitor mendapat bias maju dan sambungan basis-kolektor mendapat bias balik. Untuk Transistor NPN, tegangan pada basis (B) Harus lebih positif daripada emitor (E) dan tegangan pada kolektor(C) harus lebih positif dari pada basis.

    B

    C

    1.1 Mengukur karakteristik-keluaran transistor (NPN). 1.2 Mengukur karakteristik-kontrol-arus transistor. 1.3 Menghitung faktor penguatan-arus,hpg. 1.4 Mengukur karakteristik-kontrol-tegangan

    E Simbol Transistor NPN NPN

    B

    C

    1.1 Mengukur karakteristik-keluaran transistor (NPN). 1.2 Mengukur karakteristik-kontrol-arus transistor. 1.3 Menghitung faktor penguatan-arus,hpg. 1.4 Mengukur karakteristik-kontrol-tegangan

    E

    Struktur

    transistor

    2.2 Karakteristik keluaran memperlihatkan hubungan antara arus kolektor (i C )

    dan tegangan

    i C = i (V CE ).

    koleketor-emitor (V CE ) pada arus basis(i G ) konstan,

    dan

    • 2.3 Karakteristik-kontrol-arus memperlihatkan hubungan antara arus kolektor arus basis pada tegangan kolektor-emitor konstan,i C = f(i g ) Faktor

    penguatan-arus dc, h FE= I C

    • I B

    • 2.4 Karakteristik-kontrol-tegangan memperlihatkan hubungan antara arus

    kolektor dan tegangan

    basis-emitor (V BE )

    Pada tegangan kolektor-emitor

    konstan, i C = i(V BE ) Transkonduktansi , g m = Δ i C hFE Δ i g

    ΔV BE ΔV BE

    • 2.5 Karakteristik-masukan memperlihatkan hubungan antara arus basis dan

    tegangan basis-emitor pada tegangan kolektor-emitor konstan, i g = f (V BE ). Karakteristik ini dapat digambar dengan data dari kedua karakteristik-kontrol tersebut diatas.

    LANGKAH KERJA

    • 5.1 Buatlah rangkaianseperti diagram 4.1, tanpa memasang V2. Lakukan pengukuran V2 sebagai fungsi Vbe dengan V3 dengan 10 A, 20 A, 30 A Masukan hasilnya pada tabel 1

    • 5.2 gambarkan karakteristik-keluaran transistor tersebut. Bilamakah terjadi kenaikan tajam arus kolektor dan bilamanakah terjadi arus kolektor jenuh ?

    • 5.3 dengan rangkaian yang sama seperti langkah 5.1 lakukan pengukuran Ib sebagai fungsi Ic dengan Vce konstan (5 v). Masukan hasilnya pada tabel 2

    (kolom Ib)

    • 5.4 gambarlah karakteristik kontrol-arus transistor tersebut. Bagaikanakah hubungan antara arus basis dan arus kolektornya ?

    • 5.5 Hitunglah faktor penguatan-arusnya !

    • 5.6 buatlah rangkaian seperti diagram 4.1, dengan menghubungkan singkat A1 dan memasang V2. Lakukan pengukuran Vbe sebagai fungsi Ic dengan Vce konstan 15 V ! Masukan hasilnya pada tabel 2

    (kolom Vbe)

    • 5.7 gambarlah karakteristik kontrol-tegangan transistor tersebut. Bilamanakah mulai terjadi kenaikan arus kolektor yang relatif besar.

    • 5.8 Hitunglah transkoduktansi (gm) transistor : (gunakan karakteristik kontrol-tegangan yang telah di dapat.

    • 5.9 Gambarlah karakteristik masukan transistor dengan menggunakan nama dari kedua karakterisktik kontrolnya. Apakah hubungan karakteristik masukan dengan karakteristik kontrol tegangannya ?

      • 5.10 Buatlah rangkaian seperti diagram 4.2. hidupkan osiloskop pada operasi X- Y/DC tetapkan Ib=30 vA dan naikan tegangan sumber AC secara perlahan- lahan sampai maksimum 9 Vrms Lukislah pada kertas-grafik karakteristik keluaran yang disampaikan osiloskop lengkap dengan skala arus dan tegangannya. Kerjakan juga untuk Ib = 25 µA : 20 µA : 15 µA : 10 µA : 5 µA dan 0 µA

    1. TUJUAN PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA TEKNIK LISTRIK SEMESTER 314-403-17 TIGA RANGKAIAN DASAR PENGUAT
    1.
    TUJUAN
    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA
    TEKNIK LISTRIK
    SEMESTER
    314-403-17
    TIGA RANGKAIAN
    DASAR PENGUAT
    TRANSISTOR
    III
    LABORATORIUM
    EXP : 3
    WAKTU : 7 JAM
    LISTRIK
    1.1 Membangun rangkaian stabilisasi tegangan yang menggunakan diode
    zener
    1.2 Mengukur pengaruh
    diode
    zener
    pada
    tegangan beban terhadap
    perubahan tegangan Sumber
    1.3 Mengukur pengaruh diode zener pada tegangan beban terhadap
    perubahan
    arus beban
    2.
    PENDAHULUAN
    2.1 Karakteristik bias-balik diode zener menunjukan bahwa pada tegangan-
    Zener (V z ) suatu perubahan arus zener yang cukup besar hanya
    mengakibatkan perubahan tegangan zener yang relative kecil ( konstan ).
    Hal ini dapat dimanfaatkan untuk pembuatan rangkaian stabilisasi
    tegangan. Tegangan beban rangkaian tersebut dihargakan dan konstan
    terhadap perubahan tegangan sumber dan arus bebannya
    2.2 Untuk maksud diatas sebuah resistor yang dihubungkan seri dengan diode
    zener, diperlukan
    untuk menyerap perbedaan antara tegangan sumber dan tegangan diode
    zener. Resistor
    harus ditentukan sedemikian rupa sehingga masih terdapat arus zener
    pada keadaan
    tegangan sumber minimum dan arus beban maksimum, tetapi tanpa
    melampaui daya maksimumnya pada keadaan tegangan sumber
    maksimum dan arus beban
    Is
    +
    R
    +
    VDC
    Vs
    Iz
    V z
    V L
    Beban tak
    stabil
    -
    -

    Rangkaian Stabilisasi Tegangan

    • 3. BAHAN DAN PERALATAN

      • 1 Diode zener 6,8 V

      • 1 Resistor 270 Ω

      • 1 Potensio meter 1 kill

      • 1 Kapasitor elektrolit 100µF/25V

      • 1 Diode penyearah

      • 1 Multimeter

      • 1 Osiloskop du-saluran

      • 1 Sumber tegangan AC variable 0

    . . .

    15 V / 50 Kz

    • 4. DIAGRAM RANGKAIAN

    5. LANGKAH KERJA 5.1 Buatlah ragkaian seperti diagram, tetapkan potensiometer pada kedudukan maksimu dan arus sumber

    5. LANGKAH KERJA

    • 5.1 Buatlah ragkaian seperti diagram, tetapkan potensiometer pada kedudukan maksimu dan arus sumber tegangan sampai 10 V. Amati tegangan DC V s dan V z dengan osiloskop. Gambarkan bentuk tegangan Dc Vs dan V L untuk rangkaian tanpa dan dengan kapasitor tapis c

    • 5.2 Jelaskan mengapa kapasitor tapis mutlak diperlukan dalam rangkaian percobaan ini.

    • 5.3 Lakukan pengukuran V L sebagai fungsi V S untuk beban minimum ( P = maksumim ) dan untuk Beban maksimum ( P = minimum ). Masukan data pada table 1.

    • 5.4 Gambarkan grafik “Tegangan beban sebagai fungsi tegangan sumber DC “.

    • 5.5 Lakukan pengukuran V L sebagai fungsi I L untuk V S konstan ( 12 V dan 10 V ) Masukan data percobaan pada table 2.

    • 5.6 Gambarlah grafik “Teganga beban sebagai fungsi arus beban “. Pada arus beban berapakah tegangan beban mulai turun ?

    • 5.7 Hitung arus sumber DC I S , arus zener I Z dan disipasi daya padadiode zener P Z untuk setiap hasil pengukuran langkah 5.3 jelaskan pengaruh kenaikan I L terhadap I S , I Z dan P Z !

    • 5.8 Sesuaikan keburukan utama rangkaian stabilisasi tegangan pada percobaan

    ini !

    6. TABULASI DATA

    Tabel 1

     

    V L ( Volt )

    V S ( Volt )

    P = Maks

    P = Min

    2

    4

    6

    7

    8

    9

    11

    12

    13

    15

    Tabel 2

     

    V L ( Volt )

    I L ( mA )

    Vs = 12 V

    Vs = 10 V

    0

    4

    6

    8

    10

    12

    14

    16

    18

    20

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    TEKNIK LISTRIK

    SEMESTER

    314-403-17

     

    TIGA RANGKAIAN

    DASAR PENGUAT

    III

    LABORATORIUM

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     

    LISTRIK

    TRANSISTOR

    I. TUJUAN

    Setelah praktek , praktikan diharapkan dapat :

    • 1.1 Membuat

    tiga

    rangkaian

    dasar

    penguat

    transistor

    “Emitor

    bersama “ (CE) :

    Basis

    bersama

    (CB)

    :

    dan

    Kolektor

    bersama “ (CC)

    • 1.2 Menentukan penguatan arus Ai, penguatan tegangan Av,

    penguatan Ap , dan

    impedansi masukan Ri

    • 1.3 Melakukan optimasi pengesetan titik kerja berdasarkan pada

    sinyal keluaran.

    • 1.4 Membandingkan rangkaian “

    Basic bersama “ dan

    “ Kolektor

    bersama “ dengan

    rangkaian “ Emitor bersama “ .

    II. PENDAHULUAN

    • 2.1 Penguat transistor mempunyai “rangkaian masukan “ dengan

    sumber tegangan bolak- balik (AC) dan “ rangkaian

    keluaran” dengan resistor beban . Sumber

    tegangan

    dc

    diperlukan untuk membuat transistor dapat bekerja , yaitu untuk

    mempolarisasi Basis pada arah konduksi ke Emitor dan untuk menutup

    garis edar

    Basis-Kolektor.

    Ada 3 macam

    rangkaian

    dasar

    penguat

    transistor

    ,

    yaitu:

    rangkaian Emitor

    bersama,

    Basis

    bersama,

    dan

    Kolektor

    bersama. Letak perbedaan dari ketiga

     

    rangkaian

    dasar

    tersebut adalah pada bagaimana ketiga terminal transistor

     

    dihubungkan

    . Sedangkan istilah rangkaian bersama

    ( common

    )

    adalah berhubungan dengan elektroda yang

    dihubungkan secara bersama ( common ) dengan

    rangkaian masukan dan keluaran ,sepanjang menyangkut tegangan AC .

    Hal

    ini

    tidaklah

    mutlak

    bahw

    elektroda

    yang

    akan

    dibersama-sama kan ke ground

    harus

    dihubungkan

    ke

    ground

    secara langsung tapi bisa dilakukan penghubungan

    melalui kapasitor.

    Ada 3 macam rangkaian dasar penguat transistor , yaitu: rangkaian Emitor bersama, Basis bersama, dan Kolektor
    Ada 3 macam rangkaian dasar penguat transistor , yaitu: rangkaian Emitor bersama, Basis bersama, dan Kolektor

    Emitor Bersama

    Kolektor Bersama

    Ada 3 macam rangkaian dasar penguat transistor , yaitu: rangkaian Emitor bersama, Basis bersama, dan Kolektor

    Basic Bersama

    • 2.2 Rangkaian Emitor Bersama (CE) Rangkaian Emitor Bersama paling sering digunakan karena

    system rangkaian

    kalian

    mendapatkan penguatan arus antara 50 dan

    ini memungkinkan untuk

    500 , penguatan

    tegangan antara 100 dan 1000, secara bersamaan . Impedansi

    masukanya berada pada

    batas daerah medium (1-5 k ) sehingga

    membuat

    tegangan dan arus masukan menjadi relative

    rendah .

    2.3

    Rangkaian Kolektor Bersama (CC)

    Dalam rangkaian ini, tegangan keluaran lebih kecil dari tegangan

    masukan

    sebesar tegangan Basis – Emitornya yang dalam hal

    ini relative rendah sehingga

    penguatan teganannya sedikit

    lebih dari 1.

    2.4

    Rangkaian Basis Bersama ( CD )

    Penguatan arus pada rangkaian “ Basis Bersama “ mempunyai

    harga yang identic

    dengan penguatan tegangan “kolektor

    bersama”, disana arus keluaran kolektor

    lebih kecil dari arus

    masukkan emitor sebesar arus basis. Sedangkan harga arus

    dan tegangan lainnya dapat dilihat dari hasil pengamatan yang akan

    dilakukan.

    2.5

    Rumus – rumus penguatan ( lihat rangkaian percobaan )

    Harga – harga arus mauoun tegangan diambil harga puncak ke

    puncak ( p –p )

    • - Penguatan tegangan Av = Vo

    Vi

    • - Penguatan Arus

    Ai = Vo

    Ii

    • - Penguatan daya

    Ap = Av . Ai

    • - Impedansi masukkan

    Ri = Vi

    Ii

    Untuk rumus – rumus yang lain supaya ditentukan sendiri :

    III.

    DAFTAR ALAT DAN BAHAN

    • - Papan percobaan , 1 buah

    • - Resistor 1k , 2 buah

    • - Resistor 100k , 1 buah

    • - Resistor 10k , 1 buah

    • - Potensiometer 10k , 1buah

    • - Transistor BC 107 , 1buah

    • - Kapasitor 0.47 F, 50v , 1 buah

    • - Multimeter , 1buah

    • - Osiloskop , dua channel , 1 buah

    • - Penyedia daya DC , 1 buah

    • - Generator fungsi, 1 buah

    • - Penghubung

    IV.

    DIAGRAM RANGKAIAN

    • 4.1 Emitor Bersama

    4.1 Emitor Bersama 4.2 Basis bersama
    • 4.2 Basis bersama

    4.3 Kolektor Bersama
    • 4.3 Kolektor Bersama

    4.3 Kolektor Bersama
    V. PROSEDUR PERCOBAAN 5.1 Buat rangkaian “Emitor Bersama “ (CE) seperti gambar pada 4.1 5.2 Optimalkan
    V.
    PROSEDUR PERCOBAAN
    5.1
    Buat rangkaian “Emitor Bersama “ (CE) seperti gambar pada 4.1
    5.2
    Optimalkan pengamatan “titik kerja” rangkaian dengan cara
    sebagai berikut :
    Berikan tegangan suplai DC , atur tegangan
    masukan AC dari generator fungsi
    dengan frekuensi f = 10 kHz
    dan atur pengesetan titik kerja dengn potensiometer
    P sehingga
    diperoleh tegangan keluaran Vo yang sinusoidal , maksimum dan
    tidak distorsi (cacat ), (Berarti pengesetan titik kerja pada kondisi
    optimum sudah
    tercapai)
    5.3
    Ukur tegangan keluaran DC Vo dan arus basis DC Ib, tanpa sinyal
    masukan AC
    (Generatot fungsi harus “off” )
    Tentukan penguatan arus DC, ß = h FE =
    I C
    I
    B
    5.4
    Tanpa perubahan apapun pada rangkaian, berikan sinyal
    masukan AC Vi sehingga tegangan keluaran Va = ß V P – P ( harus
    sinusoidal )
    Ukur Vi dan Vw ; dan tentukan Av ; Ai ; Ap ; Ri ; dan gambarkan
    bentuk gelombang keluaran – masukkannya.
    Perhatian!
    Hindari pemakaian kabel penghubung yang tidak terlalu penting
    untuk menghindari pengaruh osilasi yang tinggi dalam rangkaian
    ( terutama untuk CB ) .
    Lakukan pengukuran menggunakan osiloskop.
    5.5
    Ulangi prosedur percobaan di atas (5.1 – 5.4 ) untuk rangkaian “
    Basis bersama “
    ( 4.2 ) dan kolektor bersama ( 4.3 )
    5.6
    Masukkan semua hasil pengamatan dan perhitungan kedalam
    satu table . Bandingkan rangkaian basis bersama dan kolektor
    bersama dengan emitor
    bersama.
    5.7
    Bandingkan tegangan keluaran DC dengan tegangan sumber Dc
    pada kondisi
    pengesetan titik kerja optimum, Berikan
    komentar !
       
     
    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA
     

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

     

    TEKNIK LISTRIK

     

    SEMESTER

    314-403-17

     

    STABILISASI TITIK

    KERJA RANHKAISAN

    III

    LABORATORIUM

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     
     

    LISTRIK

    EMTITOR BERSAMA

     
    • 1. Tujuan Setelah melaksanakan percobaan praktikan diharapkan. 1.1Melihat adanya pergeseran titik kerja pada penguat transistor akibat

     

    terjadinya pemanasan

     

    1.2Mengetahui

    bahwasanya

    resistor

    emitor

    dapat

    digunakan

    untuk

    menstabilkan titk kerja terhadap proses pemanasan

     

    1.3Mengamati

    dan

    menenrangkan

    pengaruh

    resistor

    emitor terhadap

    rangkain 1.4Mengamati dan menerangkan pengaruh umpan balik pada penguasaan

    tegangan

     
    • 2. PENDAHULUAN Karakteristik transistor akan berubah apabila dipanaskan, bertitik tolak, dari hal itulah stabilisasi titik kerja amat penting artinya untuk memperkecil faktor ketergantungannya terhadap perubahan temperatur. Meskipun terjadi kenaikan temperatur pada transistor, titik kerjanya akan relatif tetap dengan adanya stabilisasi ini. Pemanasan ini bias terjadi dari pemanasan dalam (internal) yang terjadi akibat adanya efek pembebanan pada transistor atau pemanasan dari luar (eksternal) stabilisasi disini terutama untuk menanggulangi pemanasan internal yaitu yang terjadi pada transistor pada saat beroperasi. Stabilisasi titik kerja dapat dilakukan dengan menggunakan resistor emitor dalam percobaan ini. Proses pemanasannya diambil dari luar, yaitu dari solder listrik daya rendah. Pemanasan internal sangat sulit dilakukan tanpa merusakkan transistornya. Pemanasan dilakukan selama 20 detik dan pengaruhnya dapat dilihat dalam waktu pemanasan itu pula.

    • 3. KOMPONEN DAN INSTRUMEN

     
    • - Papan percobaan, 1

    - Transistor BC 107 C, 1

     
    • - Resistor 330 Ω, 1

    - Oscilloscope, 2 Chanel, 1

    • - Resistor 1 KΩ,

     

    - Generator fungsi, 1

     
    • - Multimeter, 2

    - Pencatu Daya DC, 1

    • - Kapasitor 0,47µF/50V, 1

       
    • - Kapasitor elektronik 100µF/50V, 1

    - Solder 30 Watt, 1 - Kabel Penghubung

    • - Potensiometer 1KΩ, 1

    - Stop Watch.

     

    4. DIAGRAM RANGKAIAN

    4.1 Rangkaian emitor bersama (titik kerja tidak distabilkan).

    4. DIAGRAM RANGKAIAN 4.1 Rangkaian emitor bersama (titik kerja tidak distabilkan). 4.2 Rangkaian emitor bersama (titik

    4.2 Rangkaian emitor bersama (titik kerja distabilkan).

    5. TUGAS DAN PERTANYAAN 5.1Buatlah rangkaian seperti pada diagram 4.1 dan lakukan pengukuran- pengukuran / perhitungan-perhitungan

    5. TUGAS DAN PERTANYAAN

    5.1Buatlah

    rangkaian

    seperti

    pada

    diagram

    4.1

    dan

    lakukan

    pengukuran-

    pengukuran / perhitungan-perhitungan yang perlu dilakukan dibawah ini.

    • 5.1.1 Penyetelan titik penyetelan (tanpa sinyal AC). Lakukan penyetelan titik kerja dengan mengatur potensiometer p sehingga tegangan Vce≈

    • 1 Vcc

    • 2 Vcc atau harga Ic =

    Rc

    = ……

    ..

    mA,

    ukur arus Ib, dan tentukan hFE.

    • 5.1.2 Panaskan transistor dan tuliskan hasil pengamatan terhadap Ic, Vce

    dan Ib.

    Berikan

    • 5.1.3 tegangan

    masukan

    bolak-balik

    (f=10kHz).

    Yang

    dibuat

    sedemikian rupa sehingga tegangan keluaran sebedar mungkin tapi tidak cacat. Ukur sinyal masukan dengan oscilloscope pada posisi AC, sinyal keluaran pada posisi DC. Gambarkan bentuk gelombang tegangan masukan dan tegangan keluaran. Tentukan penguatan

    tegangan AV=

    Vo

    Vi

    .

    • 5.1.4 transistor,

    Panaskan

    amati

    oscilloscope. Jelaskan.

    bentuk

    tegangan

    Keluaran

    pada

    5.2Buatlah rangkaian seperti pada rangkaian 4.2

    • 5.2.1 Penyetelan titik kerja (tanpa Sinyal AC). Lakukan penyetelan titik kerja dengan mengatur potensiometer P. sehingga tegangan VcE≈

      • 1 Vcc

    • 2 Vcc atau Ic =

    2(Rc+ℜ) = ………….

    mA hitung dan ukurlah tegangan keluaran Vo.

    • 5.2.2 Panasi transistor, amati arus kolektor Ic, sebutkan alasan-alasan mengapa berbeda dengan 5.1.2

    • 5.2.3 Berikan tegangan masukan bolak-balik yang diatur sedemikian rupa sehingga tegangan keluaran maksimum tapi tidak cacat, ukur tegangan Vi, Vo, dan hitunglah Av.

    • 5.2.4 Panaskan transistor, amati bentuk tegangan keluaran dan jelaskan

    • 5.2.5 Lepaskan kapasitor CE, Lakukan lagi pengukuran seperti pada butir 5.2.3 jelaskan dan tulis alasan perbedaan yang terjadi pada harga Av dan Vo pada rangkaian dengan dan tanpa kondensator CE.

    • 5.2.6 Naikkan tegangan masukkan bolak balik sehingga didapatkan tegangan keluaran maksimum tapi tidak cacat, ukur Vi dan Vo, serta tentukan Av, bandingkan penguatan tegangan Av yang diperoleh dengan harga

    R2

    R3

    , Berikan komentar!

    • 5.2.7 Lakukan pemanasan dan pengamatan seperti langkah-langkah sebelumnya dan jelaskan!

    • 5.2.8 Jelaskan mengapa resistor emitor RE bias digunakan untuk stabilisasi titik kerja.

    • 5.2.9 Apakah tujuan pemasangan CE parallel RE , dan rumusan pendekatan yang mana yang menyatakan berapa harga CE yang seharusnya dipasang?

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    TEKNIK LISTRIK

     

    SEMESTER

    314-403-17

    KARAKTERISTIK

    III

    LABORATORIUM

    JFET

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     

    LISTRIK

    1.

    Tujuan

    :

    • 1.1. Mengukur karakteristik keluaran JFET

    • 1.2. Mengukur karakteristik transfer JFET

    • 1.3. Mengukur transkonduktansi JFET

    • 1.4. Mengukur karakteristik perubahan trnskonduktansi terhadap arus-drain

    • 2. Pendahuluan

    FET (Field Effect Transistor) masuk kelompok transistor unipolar karena hanya mempunyai satu jenis pembawa muatan.

    JFET atau Junction FET merupakan salah satu dari keluarga FET. JFET terdiri dri dua jenis, yaitu JFET kanal-N dan JFET kanal-P. Yang akan diamati pada percobaan ini

    • 3. Bahan dan Peralatan

    • 1 JFET E 300

     
    • 1 Resistor 1KΩ

     
    • 1 Resistor 100KΩ

       
    • 1 Potensiometer 470KΩ

    • 1 Kapasitor 1µF

    • 2 Voltemeter dc

    • 1 Amperemeter dc

    Simbol dan Struktur

    • 1 Osiloskop

    JFET kanal-N

    • 1 Generator Frekuensi Audio (APS)

    • 1 Sumber tegangan dc tetap 9 V

    • 1 Sumber tegangan dc variabel 0 – 10V

      • 4. Diagram Rangkaian

    Diagram 1

    Diagram 2

    Diagram 2 5. Langkah Kerja 5.1 .Pengukuran karakteristik keluaran dan karakteristik transfer 5.1.1. Buat rangkaian seperti

    5. Langkah Kerja

    5.1 .Pengukuran karakteristik keluaran dan karakteristik transfer

    • 5.1.1. Buat rangkaian seperti diagram 1

    5.1.2. Laksanakan pengukuran dan catat hasilnya dalam tabel 6.1 gunakan potensiometer 100KΩ untuk menetapkan tegangan Vgs dan sumber tegangan dc variabel untuk tegangan Vds

    5.2. Pengukuran transkonduktansi maksimum (g mo )

    5.2.1. Buat rangkaian seperti diagram 2

    5.2.2. Laksanakan pengukuran dan catat hasilnya dalam tabel 6.2 gunakan osiloskop untuk mengukur tegangan ac, Vgs dan Vds dan tetapkan tegangan Vds dengan mengatur sumber tegangan dc variabel.

    5.3. Pengukuran pengaruh arus-drain terhadap transkonduktansi qm – f (I D ) V DC konstan

    Seperti langakah 5.2.1. dan 5.2.2. catat hasilnya dalam tabel 6.3. gunakan potensiometer 100KΩ untuk mengatur arus I D

    6. Data Pengamatan

    Tabel 1 (Karakteristik keluaran & karakteristik Transfer)

    Vds

    (Volt)

     

    Id (mA)

     

    Vgs =

    Vgs=

    Vgs=

    Vgs =

    Vgs =

    Vgs =

    Vgs =

    0V

    V

    V

    0,6V

    0,9V

    1,2 V

    1,5V

    0,2

    0,4

    0,8

    1,5

    3

    6

    10

    Tabel 2 ( Transkonduktansi Maximum)

     

    V

    DS

    V

    CG

    V

    gs

    V

    d

    G mo (ms)

    (volt)

    (volt)

    (Vpp)

     

    (Vpp)

     

    terukur

    dihitung

    10 0
    10
    0

    Tabel 3 (Perubahan transkonduktansi terhadap arus-drain)

    V

    DS

    I

    D

    V

    gs

    Vds

    G m (ms)

     

    (Volt)

    (mA)

    (Vpp)

    (Vpp)

    terukur

    dihitung

     
    • 10 10

     

    0,1

     
    • 10 7

     

    0,1

     
    • 10 4

     

    0,1

     
    • 10 2

     

    0,1

     
    • 10 1.2

    0,1

     
    • 10 0,5

    0,1

     
    • 10 0,1

    0,1

     

    7. Tugas

    1. Gambarkanaah karakteristik keluaran untuk Vgs konstan 0 V:

    V

    :

    -

    0,2

    V:

    -0,4 V: dan –0,7V

    2. Gambarkanlah karakteristik transfer untuk Vds konstan 0,2V 0,4V 0,8V dan 10V. Tandailah Idss dan Vp pada grafik

    3. Hitunglah transkonduktansi

    maksimum

    (Gmo)

    pada

    tabel

    6.2.

    dan

    transkonduktansinya untuk setiap harga arus drain

    (Id)

    pada

    tabel 6.3.

    menggunakan rumus pengukuran transkonduktansi : Gm = V ds

     

    V gs . R2

     
     
    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    TEKNIK LISTRIK

    SEMESTER

    314-403-17

     

    PENYEARAH SATU

    III

    LABORATORIUM

    FASA

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     

    LISTRIK

    1.

    TUJUAN

    • 1.1. Membangun rangkaian penyearah setengah-gelombang, satu-gelombang,

    dan penyearah jembatan.

    • 1.2. Menggambar bentuk tegangan keluaran penyearah, dengan dan tanpa

    pemasangan kapasitor tapis.

    • 1.3. Menjelaskan hubungan antara tegangan keluaran dc dan tegangan masukan

    ac pada rangkaian penyearah tanpa kapasitor tapis.

    • 1.4. Menjelaskan hubungan antara tegangan ripel dengan arus beban dan

    kapasitansi tapis.

    • 1.5. Menjelaskan perbedaan antara penyearahan setengah –gelombang, satu-

    gelombang dan jembatan.

    • 2. PENDAHULUAN Arus searah selain dihasilkan oleh sumber dc batere, dapat juga diperoleh dangan penyearah sumber ac. Pennyearah sumber ac ke dc dapat dilakukan dengan beberapa sistem yaitu penyearah setengah-gelombang (half-wave), satu-gelombang (full-wave) dan jembatan (bridge). Untuk mendapatkan arus searah yang rata, pada rangkaian dapat ditambahkan tapis (filter).

    • 3. BAHAN DAN PERALATAN

      • 4 diode silikon IN4007

      • 1 Resistor 470

      • 1 Potensiometer 1k

      • 1 kapasitor elektrolit 10uf, 47uf, 10uf, 470uf

      • 2 multimeter

      • 1 osiloskop dua-saluran

      • 1 transpormator 220V/24V (CT)

    • 4. DIAGRAM RANGKAIAN

    5. LANGKAH KERJA Penyearah setengah-gelombang
    5. LANGKAH KERJA Penyearah setengah-gelombang
    • 5. LANGKAH KERJA

    Penyearah setengah-gelombang

    5.1.

    Buatlah rangkaian seperti diagram 4.1 (tanpa kapasitor tapis C dan

    beban R L ).

    5.2.

    Ukur tegangan masukan V 1 (rms) dan tegangan keluaran V 2 (dc).

    Bandingkan!

    5.3.

    Pasangkan R L =470. Tampilkan bentuk teganagan V 1 dan V 2 pada

     

    osiloskop, tanpa dan dengan pemasangan C=10UF. Gambarlah bentuk

    gelombangnya. Ulangi percobaan untuk C=470Uf.

    5.4.

    Ukur periode ripel dan hitung frekuensinya.

    5.5.

    Ukur tegangan ripel V r (p-p) dengan osiloskop untuk C=10Uf, 47uF,

    100Uf, dan 470Uf pada arus beban I L =10Ma (dijaga konstan dengan

    mengukur potensiometer)

    5.6.

    Ukur V r (p-p) untuk C=470Uf pada I L =100Ma, 20Ma, dam 30Ma.

     

    Penyearah satu gelombang

     

    5.7.

    Buatlah rangakaian seperti 4.2. (tanpa C dan R L )

    5.8.

    s.d. 5.10: seperti langkah 5.2 - 5.4.

    5.11. Ukur V r (p-p) untuk C=470F.

    Penyearah Jembatan

    • 5.12. Buatlah rangkaian seperti 4.3 (tanpa C dan R L )

    • 5.13. s.d. 5.16. :seperti langkah 5.2. – 5.4.

    • 5.17. seperti langkah 5.11.

    1. TUJUAN

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    TEKNIK LISTRIK

    SEMESTER

    314-403-17

     

    DAYA AKTIF,

    III

    LABORATORIUM

    REAKTIF DAN SEMU

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     

    LISTRIK

    1.1 Menentukan daya listrik beban resistif , induktif ,kapasitif dan campuran 1.2 Menentukan factor daya (cos Q) dan factor reaktif (sin Q) 1.3 Menggambar tiga komponen daya dalam segitiga daya beserta diagram vector arus dan tegangan

    2.BAHAN DAN PERALATAN

    • 1 variac 0-220V

    • 1 lampu pijar 220V/100W

    • 1 ballast TL 220V/40W

    • 1 kapasitor 9µF

    • 1 voltmeter ac

    • 1 amperemeter

    • 1 Wattmeter

    3.DIAGRAM RANGKAIAN

    1.1 Menentukan daya listrik beban resistif , induktif ,kapasitif dan campuran 1.2 Menentukan factor daya (

    II. PENDAHULUAN :

    Didalam rangkaian arus bolak-balik,arus dapat bersifat mendahului,sefase atau terlambat terhadap tegangannya,tergantung dari bebannya. Jika beban yang dipasang kapasitif,maka arus akan mendahului tegangan,jika beban bersifat induktif

    arus akan terlambat terhadap tegangan, dan jika beban berupa tahanan murni,arus akan sefasa dengan tegangan.

    Daya sesaat yang merupakan hasil kali tegangan sesaat atau sesaat mempunyai harga efektif sebesar :

    S = V. I S = harga efektif dari daya sesaat (volt ampere) = daya semu I = Arus efektif (ampere) V = Tegangan efektif(ampere)

    Daya yang diserap beban merupakan rata-rata dari daya sesaat dan, besarnya adalah :

    P = V.I cos ɸ p = daya rata-rata/daya aktif (watt)

    cos ɸ

    = faktor daya ɸ = beda sudut fasa antara tegangan dan arus

    = < 0 jika bebdab bersifat induktif = > 0 jika beban tahanan murni = 0 jika beban bersifat kapasatif

    Data yang tidak diserap beban ( dikembalikan ke sumber daya) disebut daya reaktif dan besarnya :

    ɸ = VI sin ɸ

    ɸ =

    daya reaktif

    sin ɸ = factor daya

    Dengan demikian,jika kita mengetahui tegangan,arus dan sifat beban(induktif,resistif, atau kapasitif), dapat ita gambarkan.

    Dengan demikian ,jika tegangan a,arus dan sifat beban (induktif,kapasitif,reisitif) diketahui ,maka dapat kita gambarkan diagram vector arus dan tegangan serta diagram daya,sebagaimana gambar 1.

    arus akan terlambat terhadap tegangan, dan jika beban berupa tahanan murni,arus akan sefasa dengan tegangan. Daya

    Gambar 1. Diagram vector

    Arus dan tegangan dan diagram segitiga-daya

    suatu

    Beban.

    • a) Untuk beban terlambat (lagging)

    • b) Untuk beban mendahului(leading)

    4. LANGKAH KERJA

    • 4.1. Buatlah ragkaian seperti diagram.amati dan catat data hasil pengukuran unutk masing-masing beban I resistif R, induktif L dan kapasitif C,secara berganti-ganti pada tegangan nominal 220V.

    tentukanlah dengan

    perhitungan data-data lain yang diperlukan.

    • 4.2 Berikan komentar tentang kemurnian komponen pada langkah kerja 4.1., berdasarkan hasil pengukuran yang diperoleh.

    • 4.3 Lakukanlah pengukuran seperti pada langkah kerja 4.1., untuk beban campuran sebagai berikut : R//L; R//C; L//C; dan R//L//C secara bergantian. Catat data hasil pengukuran dan hitung data-data lain yang diperlukan.

    • 4.4 Gambarkan vector diagram arus-tegangan dan segitiga daya pada langkah kerja 4.4. untuk beban R//L dan R//C.

    • 4.5 Buktikan secara grafis (segitiga-daya),apakah L//C dan R//L adalah beban yang bersifat induktif atau kapasitif.

    • 4.6 Berdasarkan hasil pengukuran pada langkah kerja 4.1. dan 4.3., buktikan secara grafis bahwa daya total suatu system beban merupakan hasil penjumlahan daya masing-masing beban.

    • 1. TUJUAN

      • 1.1 Menjelaskan

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA

    TEKNIK LISTRIK

    SEMESTER

    314-403-17

     

    PERBAIKAN FAKTOR

    III

    LABORATORIUM

    DAYA

    EXP : 3

    WAKTU : 7 JAM

     

    LISTRIK

    pengaruh pemasangan kapasitor pada beban – beban induktif.

    • 1.2 Menghitung kebutuhan kapasitor kompensasi pada rangkaian listrik.

    • 2. PENDAHULUAN

    Kebanyakan beban yang digunakan untuk penerangan dan daya bersifat induktif. Misalnya, lampu TL, motor – motor listrik, transformator. Karena adanya daya reaktif induktif yang ditimbulkan oleh beban tersebut, maka besarnya daya VA akan lebih besar daripada daya nyatanya. Hal ini secara teknis dan ekonomis kurang menguntungkan. Salah satu cara mengatasinya dengan memasangkan kapasitor parallel dengan beban.

    • 3. BAHAN DAN PERALATAN

      • 1 lampu TL 40 W/220V/50Hz

      • 1 motor kapasitor

      • 3 kapasitor 3µF

      • 1 kapasitor 20µF/250V

      • 1 Voltmeter

      • 1 Amperemeter

      • 1 Wattmeter

  • 4. DIAGRAM RANGKAIAN

  •  

    A

    V

    W
    W
    1. TUJUAN 1.1 Menjelaskan PUSAT PENGEMBANGAN PENDIDIKAN POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA TEKNIK LISTRIK SEMESTER 314-403-17 PERBAIKAN FAKTOR
    BEBA
    BEBA

    5. Langkah Kerja

    • 5.1 Buatlah rangkaian seperti diagram dengan bahan lampu TL, dan tanpa

    pemasangan kapasi

    tor kompensasi C

    • 5.2 Ukur tegangan, arus dan daya ( aktif ) beban

    • 5.3 Seperti langkah 5.2 untuk C = 1,5 µF, 3µF, 4,5µF, 6µf

    • 5.4 dan 5.5 Seperti langkah 5.1 dan 5.2 , untuk beban motor kapasitor

    • 5.6 Ukur tegangan, arus dan daya ( aktif ) beban pada C= 6µF, 9µF, 20µF, 23µF

    • 5.7 Hitunglah daya S, Q

    dan factor

    daya

    (

    cos

    Q )

    untuk masing – masing

    pengukuran diatas

    • 5.8 Tentukan atau

    hitunglah nilai C agar

    factor daya =

    1

    ,

    untuk

    masing –

    masing beban diatas

    • 5.9 Kerjakan soal berikut

    Tentukan kapasitor C agar factor daya = 0,94