BAHAN SEMIKONDUKTOR

Karakteristik Bahan Semikonduktor

Semikonduktor elemental terdiri atas unsur unsur pada system periodik golongan IV
A seperti silikon (Si), Germanium (Ge) dan Karbon (C).Karbon semikonduktor ditemukan
dalam bentuk Kristal intan.Semikonduktor intan memiliki konduktivitas panas yang tinggi
sehingga dapat digunakan dengan efektif untuk mengurangi efek panas pada pembuatan
semikonduktor laser.
Semikonduktor gabungan (kompon) terdiri atas senyawa yang dibentuk dari logam
unsur periodik golongan IIB dan IIIA (valensi 2 dan 3) dengan non logam pada golongan VA
dan VIA (valensi 5 dan 6) sehingga membentuk ikatan yang stabil (valensi 8). Semikonduktor
gabungan III dan V misalnya GaAs dan InP, sedangakan gabungan II dan VI misalnya CdTe
dan ZnS.

Tabel 1: karakteristik semikoduktor

Semikonduktor Intrinsik (murni)

Silikon dan germanium merupakan dua jenis semikonduktor yang sangat penting
dalamelektronika.Keduanya terletak pada kolom empat dalam tabel periodik dan
mempunyaielektron valensi empat. Struktur kristal silikon dan germanium berbentuk
tetrahedraldengan setiap atom memakai bersama sebuah elektron valensi dengan atomatomtetangganya. Gambar 6.1 memperlihatkan bentuk ikatan kovalen dalam dua
dimensi.Pada temperatur mendekati harga nol mutlak, elektron pada kulit terluar terikat
denganerat sehingga tidak terdapat elektron bebas atau silikon bersifat sebagai insulator.
Gambar 1: Ikatan kovalen silikon dalam dua dimensi
Energi yang diperlukan mtuk memutus sebuah ikatan kovalen adalah sebesar 1,1eV
untuk silikon dan 0,7 eV untuk germanium. Pada temperatur ruang (300K),sejumlah elektron
mempunyai energi yang cukup besar untuk melepaskan diri dari ikatan dan tereksitasi dari

pita valensi ke pita konduksi menjadi elektron bebas (gambar6.2).Besarya energi yang
diperlukan untuk melepaskan elektron dari pita valensi kepita konduksi ini disebut energi
terlarang (energy gap). Jika sebuah ikatan kovalenterputus, maka akan terjadi kekosongan
atau lubang (hole). Pada daerah dimana terjadikekosongan akan terdapat kelebihan muatan
positif, dan daerah yang ditempati electron bebas mempunyai kelebihan muatan negatif.
Kedua muatan inilah yang memberikankontribusi adanya aliran listrik pada semikonduktor
murni. Jika elektron valensi dariikatan kovalen yang lain mengisi lubang tersebut, maka akan
terjadi lubang baru ditempat yang lain dan seolah-olah sebuah muatan positif bergerak dari
lubang yang lamake lubang baru.
Gambar 2: Struktur kristal silikon memperlihatkan adanya sebuah ikatan kovalen
yang terputus
Proses aliran muatan ini, yang biasa disebut sebagai arus drift dapat
dituliskansebagai berikut
Peristiwa hantaran listrik pada semikonduktor adalah akibatadanya dua partikel masingmasing bermuatan positif dan negative yang bergerak dengan arah yang berlawanan akibat
adanyapengaruh medan listrikAkibat adanya dua pembawa muatan tersebut, besarnya rapat
arus dinyatakan sebagai:
konduktivitas (S cm-1)Karena timbulnya lubang dan elektron terjadi secara serentak, maka
padasemikonduktor murni,
Tabel 2: Beberapa properti dasar silikon dan germanium pada 300 K

Besar energi yang dibutuhkan untuk membentuk pasangan elektron dan hole pada
semikonduktor intrinsik ditentukan oleh jarak celah energi antara pita valensi dengan pita
konduksi semakin jauh jaraknya maka semakin besar energi yang dibutuhkan untuk
membentuk
elektron hole sebagai pembawa muatan. Pada Si dibutuhkan energi Eg = 1,12 eV.

Gambar 3: Celah energy

Semikonduktor Ekstrinsik (Tak Murni)

Kita dapat memasukkan pengotor berupa atom-atom dari kolom tiga atau lima
dalamtabel periodik (memberi doping) ke dalam silikon atau germanium murni (lihat gambar
2) Elemen semikonduktor beserta atom pengotor yang biasa digunakan diperlihatkanpada
tabel
Tabel 2: Elemen semikonduktor pada tabel periodic

Semikonduktor tipe-n
Semikonduktor tipe-n dapat dibuat dengan menambahkan sejumlah kecil atom
pengotorpentavalen (antimony, phosphorus atau arsenic) pada silikon murni. Atomatompengotor (dopan) ini mempunyai lima elektron valensi sehingga secara efektif memiliki
muatan sebesar +5q. Saat sebuah atom pentavalen menempati posisi atom silicon dalam kisi
kristal, hanya empat elektron valensi yang dapat membentuk ikatan kovalenlengkap, dan
tersisa sebuah elektron yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.3).Dengan adanya energi
thermal yang kecil saja, sisa elektron ini akan menjadi electron bebas dan siap menjadi
pembawa muatan dalam proses hantaran listrik. Material yangdihasilkan dari proses
pengotoran ini disebut semikonduktor tipe-n karenamenghasilkan pembawa muatan negatif
dari kristal yang netral. Karena atom pengotor memberikan elektron, maka atom pengotor ini
disebut sebagai atom donor.Secaraskematik semikonduktor tipe-n digambarkan seperti
terlihat pada gambar.

Gambar 4: Struktur kristal silikon dengan sebuah atom pengotor valensi lima menggantikan
posisi salah satu atom silicon.

Semikonduktor tipe-p
Dengan cara yang sama seperti pada semikonduktor tipe-n, semikonduktor tipe-p
dapatdibuat dengan menambahkan sejumlah kecif atom pengotor trivalen (aluminium,
boron,galium atau indium) pada semikonduktor murni, misalnya silikon murni. Atomatompengotor (dopan) ini mempunyai tiga elektron valensi sehingga secara efektif
hanyadapat membentuk tiga ikatan kovalen. Saat sebuah atom trivalen menempati posisiatom
silikon dalam kisi kristal, terbentuk tiga ikatan kovalen lengkap, dan tersisasebuah muatan
positif dari atom silikon yang tidak berpasangan (lihat gambar 6.4) yangdisebut lubang
(hole). Material yang dihasilkan dari proses pengotoran ini disebutsemikonduktor tipe-p

karena menghasilkan pembawa muatan negatif pada kristal yangnetral. Karena atom pengotor
menerima elektron, maka atom pengotor ini disebutsebagai atom aseptor (acceptor).

Generasi dan Rekombinasi

Proses

generasi

(timbulnya

pasangan

elektron-lubang

per

detik

per

meter

kubik)tergantung pada jenis bahan dan temperatur. Energi yang diperlukan untuk
prosesgenerasi dinyatakan dalam elektron volt atau eV. Energi dalam bentuk temperatur
Tdinyatakan dengan kT, dimana k adalah konstanta Boltzmann. Analisa secara statistic
menunjukkan bahwa probabilitas sebuah elektron valensi menjadi elektron bebas
adalahsebanding dengan e eVG kT / . Jika energi gap eVG berharga kecil dan temperatur T
tinggimaka laju generasi termal akan tinggi.Pada semikonduktor, elektron atau lubang yang
bergerak cenderungmengadakan rekombinasi dan menghilang.Laju rekombinasi (R), dalam
pasanganelektron-lubang per detik per meter kubik, tergantung pada jumlah muatan yang
ada.Jika hanya ada sedikit elektron dan lubang maka R akan berharga rendah; sebaliknya
Rakan berharga tinggi jika tersedia elektron dan lubang dalam jumlah yang banyak.Sebagai
contoh misalnya pada semikonduktor tipe-n, didalamnya hanya tersedia sedikitlubang tapi
terdapat jumlah elektron yang sangat besar sehingga R akan berharga sangattinggi.Secara
umum dapat dituliskan:
R r n p (6.3)
dimanar menyatakan konstanta proporsionalitas bahan.Dalam kondisi setimbang, besamya
laju generasi adalah sama dengan besarnyalaju rekombinasi atau dengan kata lain perkalian
konsentrasi elektron dan lubang menghasilkan suatukonstanta, jika salah satu dinaikkan
(melalui proses doping), yang lain harus berkurang.Bahan Semikonduktor 61. Jika kita
menambanhkan atom pengotor pada semikonduktor murni, praktis semua atomdonor atau
aseptor terionisasi pada suhu ruang. Pada semikonduktor tipe-n, konsentrasiatom donor
ND>>ni, dengan konsentrasi elektron sebesar
Model Setara Penguat
Secara umum penguat (amplifier) dapat dikelompokkan menjadi 3 (tiga), yaitu
penguat tegangan, penguat arus dan penguat transresistansi. Pada dasarnya kerja sebuah
penguatadalah mengambil masukan (input), mengolahnya dan menghasilkan keluaran
(output) yang besarnya sebanding dengan masukan. Besarnya tegangan keluaran (vo)
dibandingkan dengan tegangan masukan (vi) dinyatakan sebagai

v=Av
Pada paragrap sebelumnya telah dijelaskan bagaimana semikonduktor sambungan
NPN atau PNP terbentuk menjadi sebuah transistor. Pada beberapa rangkaian elektronik
transistor sering difungsikan sebagai elemen penguat dan saklar terkendali. Dua hal yang
membedakan, bila transistor dioperasikan sebagai penguat pemberian tegangan bias
diletakkan pada daerah aktif (linier), sedangkan apabila transistor bekerjasebagai saklar
pemberian tegangan bias berada pada daerah hantaranpenuh/sumbatan penuh (non linier).

Karakteristik masukan
Untuk memudahkan pengertian secara kualitatif perilaku dari bentukkarakteristik
masukan dan keluaran suatu transistor dapat dipandang sebagai ekivalen dari dua buah dioda
yang saling bertolak belakang dengan posisi katodanya saling dihubungkan.Gambar 1
memperlihatkan suatu simbol dan rangkaian pengganti transistor-npn, dimana pada daerah
aktif susunan dioda antara emitor-basis mendapat tegangan bias maju (forward biased).Suatu
sifat penting dari karakteristik masukan arus tegangan adalah menyerupai sifat sumber
tegangan konstan yang ditandai dengan adanya tegangan ambang (V) dengan arus emitor
kecil.Umumnya, besarnya tegangan ambang (V) kira-kira <0,3V untuk transistor
Germanium dan <0.6V untuk transistor Silikon.Pada daerah diatas batasan tegangan ambang
(V) terlihat jelas sekali bentuk kurva dapat digunakan model pendekatan linier sumber arus
konstan. Pada daerah ini terlihat perubahan tegangan basis emitor (VBE) yang sedemikian
kecil akan menyebabkan perubahan arus kolektor (IC) cukup besar. Dengan perilaku yang
demikian ini sangat memungkinkan sekali suatu alasan kenapa transistor banyak difungsikan
sebagai penguat (amplification).

Gambar 1 : Bias dan rangkaian pengganti transistor-NPN

Agar supaya mudah dipahami, maka bentuk kurva dari karakteristik masukan dapat
kita pandang sebagai perubahan tegangan basis emitor (VBE) dengan mengkondisikan

tegangan antara kolektor-emitor (VCE) konstan.Persamaan (2.232) memperlihatkan

kemiringan kurva hubungan fungsi perubahan antara arus kolektor (IC) terhadap tegangan
basis emitor (VBE) pada saat tegangan kolektor-emitor (VCE) dikondisikan konstan.Gambar
1.memperlihatkan karakteristik masukan, dimana absis adalah arus basis (IB) dan ordinat
menggambarkan tegangan basis ke emitor (VBE) untuk berbagai nilai tegangan kolektoremitor (VCE). Pertama dapat diamati untuk tegangan kolektor emitor hubung singkat
(VCE=0) dengan basis emitor terbias maju. Dengan kondisi seperti ini, karakteristik masukan
dari transistor pada hakekatnya menyerupai diode persambungan yang terbias maju. Dan
apabila tegangan basis menjadi nol, maka arus basis (IB) akan berada pada nilai nol juga,
karena dalam keadaan ini kedua persambungan antara kolektor dan emitor dalam kondisi
hubung singkat (short-circuited). Pada kenyataanya menaikan tegangan |VCE| dengan kondisi
tegangan basis emitor (VBE) tetap konstan,

maka akan menyebabkan penurunan arus

rekombinasi basis.
(a)

(b)
Gambar 2: (a) Karakteristik masukan IB=f(VBE) dan (b) transfer IC=f(VBE)
Pemberian bias tegangan dc pada rangkaian transistor bertujuan untuk mendapatkan

level tegangan dan arus kerja transistor yang tetap. Dalam penguat transistor level tegangan
dan arus yang tetap tersebut akan menempatkan suatu titik kerja pada kurva karakteristik
sehingga menentukan daerah kerja transistor. Oleh karena titik kerja tersebut merupakan titik
yang tetap dalam kurva karakteristik, yang disebut dengan titik-Q (atau Quiescent Point).
Pada dasarnya titik kerja suatu rangkaian penguat bisa diletakkan dimana saja di
kurva karakteristik.Agar rangkaian penguat dapat menguatkan sinyal dengan linier atau tanpa
cacat, maka titik kerja transistor ditempatkan di tengah daerah aktif.Disamping itu agar titik
kerja tidak diletakkan diluar batas maksimum dari arus maupun tegangan yang sudah
ditentukan oleh pabrik untuk menjaga transistor dari kerusakan.

Berikut gambar kurva

karakteristik transistor dengan empat buah contoh titik kerja yang diberi nama A, B, dan C.
Kurva Karakteristik Output Transistor

kurva karakteristik transistor,kurva output transistor,karakteristik transistor,titik kerja

transistor,bias tegangan transistor,menentukan titik kerja transistor,teori titik kerja

transistor,definisi titik kerja transistor Pada gambar diatas terlihat arus IC maksimum adalah
40 mA dan tegangan VCE maksimum sebesar 20 Volt. Disamping nilai arus dan tegangan
maksimum tersebut yang tidak boleh dilampaui adalah daya kolektor maksimum
PCmaks.Dalam gambar PCmaks ini ditunjukkan oleh garis lengkung putus-putus.PCmaks
atau disipasi daya kolektor maksimum ini merupakan perkalian IC dengan VCE.Dengan
demikian titik kerja harus diletakkan di dalam batas-batas tersebut.
Transistor yang bekerja pada titik A kurang begitu memuaskan karena termasuk pada
kurva non-linier, sehingga sinyal output yang dihasilkan cenderung cacat. Demikian juga
pada titik C, karena terletak hampir pada batas kemampuan VCE transistor. Disamping itu
transistor juga akan cepat panas. Titik B merupakan pilihan terbaik sebagai titik kerja
transistor sebagai penguat, karena terletak di tengah-tengah, sehingga memungkinkan
transistor dapat menguatkan sinyal input secara maksimum tanpa cacat. Agar transistor
bekerja pada suatu titik kerja tertentu diperlukan rangkaian bias. Rangkaian bias ini akan
menjamin pemberian tegangan bias persambungan E-B dan B-C dari transistor dengan benar.
Transistor akan bekerja pada daerah aktif bila persambungan E-B diberi bias maju dan B-C
diberi bias mundur. kurva karakteristik transistor,kurva output transistor,karakteristik
transistor,titik kerja transistor,bias tegangan transistor,menentukan titik kerja transistor,teori
titik kerja transistor,definisi titi,k kerja transistor,faktor penentu output, faktor penguatan
transistor,daerah aktif transistor,daerah mati transistor,cutt off transistor,daerah jenuh
transistor Dalam praktek dikenal berbagai bentuk rangkaian bias yang masing-masing
mempunyai keuntungan dan kerugian. Kemantapan kerja transistor terhadap pengaruh
temperatur merupakan faktor yang perlu diperhatikan dalam menentukan bentuk rangkaian
bias. Karena perubahan temperatur akan mempengaruhi (factor penguatan arus pada CE)
dan arus bocor ICBO.
Konduktivitas
Sifat dari bahan konduktor adalah tidak adanya medan listrik di dalam konduktor.
Pernyataan ini benar jika konduktor dalam keadaan keseimbangan statis. Tujuan dari
pembicaraan ini adalah ingin menggambarkan apa yang terjadi jika muatan bergerak dalam
konduktor. Muatan yang bergerak dalam sebuah konduktor, akan menghasilkan arus di bawah
pengaruh medan listrik. Medan listrik ini muncul karena adanya pergerakan muatan sehingga
situasinya non-elektrostatis. Keadaan ini sedikit berlawanan dengan situasi untuk
keseimbangan elektrostatis di mana muatan dalam keadaan diam sehingga tidak ada medan
listrik di dalam. Muatan listrik yang dapat berpindah dari suatu tempat ke tempat lain adalah

muatan elektron. Elektron-elektron yang mudah berpindah disebut elektron bebas.Elektronelektron bebas dalam logam merupakan gas elektron yang pada suhu sangat tinggi 70.000C
bersifat sebagai gas sempurna.Elektron-elektron bebas ini bergerak bebas di dalam sebuah
bahan konduktor. Sehingga pada saat tertentu elektron-elektron ini akan berbenturan dengan
elektron bebas yang lain. Dengan jumlah elektron bebas yang besar maka bahan konduktor
mudah mengalirkan muatan listrik.Bahan konduktor yang baik dan sempurna jika
mempunyai

nilai

konduktivitas

yang

besaryaitu

(mendekati

tak

terhingga

besarnya).Sebaliknya untuk hambatan atau hambatan jenisnya mempunyai nilai mendekati

nol atau sangat kecil.

Bagaimana untuk isolator?Untuk isolator konduktivitas, hambatan, hambatan jenis, dan sifat
elektron adalah berharga sebaliknya dengan konduktor.Konduktor dan isolator adalah suatu
bahan yang mempunyai sifat kebalikan misalnya III untuk bahan konduktor mempunyai
konduktivitas sangat besar sedang isolator sangat kecil.Konduktor mempunyai hambatan atau
hambatan jenisnya kecil sedang untuk isolator hambatan atau hambatan jenisnya
besar.Bagaimana untuk material atau bahan semikonduktor?Semikonduktor adalah suatu
bahan atau benda yang mempunyai sifat sebagai konduktor dan isolator. Dengan kata lain
bahan semikonduktor mempunyai kemampuan mengalirkan muatan di bawah sifat konduktor
dan di atas sifat isolator. Untuk mendapatkan sifat konduktor dari bahan semikonduktor
biasanya dilakukan penambahan jenis atom lain dengan konsentrasi tertentu atau disebut
pendopingan. Contoh bahan ini adalah germanium, Ge dan silikon, Si.Bahan semikonduktor
dapat dijumpai dalam penggunaan bahan-bahan elektronika.
Tabel diatas menunjukkan bahwa nilai konduktivitas untuk bahan isolator dan konduktor
mempunyai rentang yang sangat besar.

PENGUAT TRANSISTOR
Transistor merupakan komponen dasar untuk system penguat. Untuk bekerja sebagai
penguat , transistor harus berada dalam keadaan aktif. Kondisi aktif dengan memberikan bias
pada transistor.
Ada 3 Macam konfigurasi dari rangkaian penguat transistor yaitu :
1. Common-Emitter (CE) atau Emitter ditanahkan

2. Common-Base (CB) atau Basis Ditanahkan dan

3. Common-Collector (CC) atau Kolektor ditanahkan.

A. Penguat Common Base (Basis Ditanahkan)

Penguat common base adalah penguat yang kaki basis transistor di groundkan atau
ditanahkan, lalu input dimasukkan ke emitor dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat
Common Base Mempunyai karakter sebagai penguat tegangan.
1. Penguat Common Base Mempunyai Karakter sebagai berikut :

Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan efek umpan
balik.

Mempunyai impedansi input yang relative tinggi sehingga cocok untuk penguat sinyal
kecil (Pre Amplifier)

Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada jalur VHF dan UHF

Bisa juga dipakai sebagai buffer atau penyangga.

B. Penguat Common Emitter (Emitor ditanahkan)

Penguat common emitter adalah penguat yang kaki emitter transistor di groundkan atau
ditanahkan, lalu input dimasukkan ke basis dan output diambil pada kaki kolektor. Penguat
Common Base Mempunyai karakter sebagai penguat tegangan.
1. Penguat Common Emiter Mempunyai Karakter sebagai berikut :

Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat terhadap sinyal input

Sangat mungkin terjadi isolasi karena adanya umpan balik positif , sehingga sering
dipasang umpan balik negative untuk mencegahnya.

Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal audio)

Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah karena bergantung pada kestabilan suhu
dan bias transistor.

C. Penguat Common collector (kolektor ditanahkan)

Penguat common kolektor adalah penguat yang kaki kolektor transistor di groundkan
atau ditanahkan, lalu input dimasukkan ke basis dan output diambil pada kaki emitor. Penguat
Common Base Mempunyai karakter sebagai penguat Arus
1. Penguat Common kolektor Mempunyai Karakter sebagai berikut :

Sinyal outputnya sefase dengan sinyal input

Mempunyai penguatan tegangan sama dengan 1

Mempunyai prnguatan arus sama dengan HFE transistor

Cocok dipakai untuk penguat penyangga karena mempunyai impedansi output yang
rendah.