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Instituto Tecnolgico de La Paz

Departamento de Metal-Mecnica
Ingeniera Electromecnica

Trabajo realizado para la materia


Electrnica analgica

Investigacin

Alumno: Johnatan Martnez Gerardo


Docente:

Ing. Juan Pablo Morales lvarez


03/02/2016

Contenido
a).............................................................................................................................................3
SEMICONDUCTORES....................................................................................................3
Hueco de electrn............................................................................................................4
Electrones libres...............................................................................................................4
Semiconductores P y N...................................................................................................4
b).............................................................................................................................................6
Unin PN............................................................................................................................6
REGION DE EMPOBRECIMIENTO..............................................................................7
BARRERA DE POTENCIAL...........................................................................................8
b).............................................................................................................................................8
Diodo..................................................................................................................................8
POLARIZACION DE UN DIODO...................................................................................9
POLARIZACION EN INVERSA..................................................................................9
SIMBOLO DEL DIODO.............................................................................................10
Bibliografa...........................................................................................................................11

a)
SEMICONDUCTORES
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica
inferior a la de un conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El
semiconductor ms utilizado es el silicio, que es el elemento ms abundante en la
naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son el germanio y el
selenio. Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red
cristalina, en la que cada tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con
los cuatro tomos vecinos, formando enlaces covalentes. A temperatura ambiente,
algunos electrones de valencia absorben suficiente energa calorfica para librarse
del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red


cristalina un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos
similares a los que provocara una carga positiva. Los huecos tienen la misma
carga que el electrn pero con signo positivo. El comportamiento elctrico de un
semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos: - Los electrones libres
son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila. Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de
la pila. - Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado,
siendo constante en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de
silicio. - Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el
conductor exterior slo circulan los electrones que dan lugar a la corriente
elctrica.

Hueco de electrn
La descripcin figurada de un hueco de electrn como si se tratara de una
partcula equiparable al electrn aunque con carga elctrica positiva es en todo
caso didcticamente bastante til al permitir describir el comportamiento de estos
fenmenos.

Electrones libres
Los electrones libres son aquellos que no giran alrededor del nucleo de un atomo
ellos se pueden desplazar aleatoriamente o desplazandose a traves de un circuito
electrico siguiendo un orden determinado por una fuente de energia potencial.

Semiconductores P y N
En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se
utilizan impurezas aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina
dopado, utilizndose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones
de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio
y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de
valencia en su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del
silicio, se completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar
al equilibrio y queda libre un quinto electrn que le hace mucho mejor conductor.
De un semiconductor dopado con impurezas pentavalentes se dice que es de tipo
N.

En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se


forman tres enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un
cuarto tomo de silicio con un electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red
cristalina. De un semiconductor dopado con impurezas trivalentes se dice que es
de tipo P.

b)
Unin PN
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P por un
lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN .
Los electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en
sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de dicha
regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se crean iones
negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina, los iones
mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para
recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra
negativa en la regin P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la
unin establece una barrera de potencial que repele los huecos de la regin P y

los electrones de la regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN


no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a
temperatura constante.

REGION DE EMPOBRECIMIENTO
Los electrones libres en la regin n se mueven aleatoriamente en todas
direcciones. En el instante en que se forma la unin pn, los electrones libres que
se encuentran cerca de la unin en la regin n comienzan a difundirse a travs de
la unin hacia la regin p donde se combinan con los huecos que se encuentran
cerca
de
la
unin.

Cuando se forma la unin pn, la regin n pierde electrones libres a medida que se
difunden a travs de la unin. Esto crea una capa de cargas positivas (iones
pentavalentes) cerca de la unin. A medida que estos electrones se mueven a
travs de sta, la regin p pierde huecos a medida que los electrones y huecos se
combinan. Esto crea una capa de cargas negativas (iones trivalentes) cerca de la
unin. Estas dos capas de cargas positivas y negativas forman la regin de
empobrecimiento. El termino empobrecimiento se refiere al hecho de que la regin
cercana a la unin pn se queda sin portadores de carga (electrones y huecos)
debido a la difusin a travs de la unin.

BARRERA DE POTENCIAL
La diferencia de potencial del campo elctrico a travs de la regin de
empobrecimiento es la cantidad de voltaje requerido para mover electrones a
travs del campo elctrico. Esta diferencia de potencial se le llama potencial de
barrera y se expresa en volts. Expresado de otra manera, se debe aplicar una
cierta cantidad de voltaje igual al potencial de barrera y con la polaridad apropiada
a travs de la unin pn para que los electrones comiencen a fluir a travs de la
unin.

c)
Diodo
Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de
la corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco con
dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.

El funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de la
corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto. La punta de la flecha del
smbolo circuital, representada en la figura 1, indica el sentido permitido de la corriente.

presenta resistencia nula.

presenta resistencia infinita.

POLARIZACION DE UN DIODO
POLARIZACION EN DIRECTA
Para polarizar un diodo se le aplica un voltaje de cc a travs de l. Polarizacin en directa es
la condicin que permite la circulacin de corriente a travs de la unin pn.
El resistor limita la corriente en condicin de polarizacin directa a un valor que no dae el
diodo. El voltaje de polarizacin debe ser ms grande que el potencial de barrera.

POLARIZACION EN INVERSA
La polarizacin en inversa es la condicin que en esencia evita la circulacin de corriente a
travs del diodo.

SIMBOLO DEL DIODO


Existen varios tipos de diodos pero el smbolo esquemtico para un diodo rectificador o de
propsito general. La regin n se llama ctodo y la regin p nodo. La flecha en el smbolo
apunta a la direccin de la corriente convencional (opuesta al flujo de electrones).

para un diodo de silicio con polarizacin directa. La grfica nos indica, en primer lugar, que la
corriente es pequea para las primeras dcimas de voltio. A medida que nos acercamos a 0,7
V, los electrones libres comienzan a cruzar la unin en grandes cantidades.
Un diodo de germanio, por otra parte, tiene una tensin umbral de aproximadamente 0,3 V.

Bibliografa
Dispositivos Electronicos - Floyd 8Edi-FREELIBROS.ORG.pdf
Electronica: Teoria de Circuitos y Dispositivos Electronicos
[Boylestad]Electrnica Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos.pdf

Malvino, Albert Paul - Principios de electrnica (VI edicion).pdf