El Diodo

01/10/2013
EL DIODO
01/10/2013
Qu es?
Es un componente electrnico de dos terminales que permite

la circulacin de corriente elctrica a travs de l en un slo
sentido.
Un diodo se forma al unir un semiconductor tipo p con otro
de tipo n, ambos construidos a partir de la misma base: Si o
Ge. Las terminales del diodo se unen a cada regin.
El lmite dentro del cristal de estas dos regiones, llamado una
unin PN, es donde la importancia del diodo toma su lugar.
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Construccin
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal

n al p (Je). Al establecerse una corriente de difusin, estas corrientes
aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la unin, zona que
recibe el nombre de regin de agotamiento.
A medida que progresa el proceso de difusin, la regin de agotamiento
va incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados
de la unin
Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de
desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones y terminar
detenindolos.
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Construccin
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (VD) es de
0,7 Ven el caso del silicio y 0,3 V para los cristales de germanio.
La anchura de la regin de agotamiento una vez alcanzado el equilibrio,
suele ser del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est
mucho ms dopado que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
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Funcionamiento
Polarizacin: aplicacin de un voltaje externo

a travs de las dos terminales del dispositivo
para extraer una respuesta.
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de
un diodo semiconductor, el flujo neto de carga
en una direccin es cero, es decir, la corriente
en condiciones sin polarizacin es cero.
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Funcionamiento
Sin polarizacin (VD = 0V):
Cualesquiera portadores minoritarios (huecos) del material tipo n

localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier razn pasarn
de inmediato al material tipo p.
Los portadores mayoritarios del material tipo n (electrones) deben vencer
las fuerzas de atraccin de la capa de iones positivos del material tipo n y
el escudo de iones negativos en el material tipo p para poder pasar al rea
ms all de la regin de empobrecimiento del material tipo p.
El nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el material tipo n
que invariablemente habr un cierto nmero de portadores mayoritarios
con suficiente energa cintica para que atraviesen la regin de
agotamiento hacia el material p.
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Funcionamiento
Sin polarizacin (VD = 0V):
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Funcionamiento
Polarizacin en directa (VD > 0V):
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Funcionamiento
Efecto: reduccin del ancho de la regin de agotamiento debido a la

recombinacin de los electrones (material tipo n) y huecos (material tipo
p) con los iones prximos al lmite.
El flujo de portadores minoritarios no cambia de magnitud.
Produccin de un intenso flujo de portadores mayoritarios a travs de
la unin.
Conforme se incrementa la magnitud de polarizacin aplicada, el ancho de
la regin de empobrecimiento continuar reducindose, produciendo
un crecimiento exponencial de la corriente.
Cuando la polarizacin aplicada es mayor que la diferencia de potencial
en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren
la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales
previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
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Funcionamiento
Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p
convirtindose en electrn de valencia.
Este electrn de valencia es atrado por el polo positivo de la batera y se
desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual
se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.
Con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una
corriente elctrica constante hasta el final.
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Funcionamiento
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Funcionamiento
Polarizacin en inversa (VD < 0V):
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Funcionamiento
Efecto: mayor apertura en la regin de empobrecimiento, crendose una

barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan
superar, por lo que el flujo de portadores mayoritarios se reduce a cero.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n,
dejando a los tomos donadores de electrones con una carga elctrica neta
de +1, con lo que se convierten en iones positivos.
De forma similar, el polo negativo de la batera cede electrones libres a los
tomos aceptores de la zona p, stos caen dentro de los huecos de los
tomos aceptores quienes adquieren una carga elctrica neta de -1,
convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
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Funcionamiento
El nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de

empobrecimiento no cambia, produciendo un flujo de portadores
minoritarios de la misma magnitud que en el caso sin polarizacin.
A su vez, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrnhueco a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del
orden de 1 A).
Esta corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama
corriente de saturacin en inversa, representada por Is.
Caractersticas de Is:
No es mayor a unos cuantos microamperes.

Alcanza su nivel mximo con rapidez.
No cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin
en inversa.
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Funcionamiento
Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de

fugas la cual, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo.
En la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes
tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener
estabilidad.
Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n
como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos.
No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente
superficial de fuga es despreciable.
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Funcionamiento
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Funcionamiento
Video
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Curva caracterstica
V Tensin umbral de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no
polarizado
Imax Corriente mxima que puede conducir
el diodo sin fundirse por el efecto Joule.
Dado que es funcin de la cantidad de
calor que puede disipar el diodo, depende
sobre todo del diseo del mismo.
IS Corriente inversa de saturacin, pequea
corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formacin
de pares electrn-hueco debido a la
temperatura.
Vr Tensin de ruptura, tensin inversa
mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
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Curva caracterstica
Regin Zener
En la grfica V-I del diodo existe

un punto donde la aplicacin de un
voltaje
demasiado
negativo
producir un cambio abrupto de
las caractersticas tpicas.
La corriente se incrementa muy
rpido en una direccin opuesta a
la de la regin de voltaje positivo.
El potencial de polarizacin en
inversa que produce este cambio
de las caractersticas se llama:
Potencial Zener, cuyo smbolo es
VZ.
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Curva caracterstica
Regin Zener
Al incrementar el voltaje en la regin de polarizacin inversa, se

incrementa la velocidad de los portadores minoritarios generadores de la
corriente IS.
Estos portadores logran adquirir una mayor velocidad y por tanto
aumentan su energa cintica asociada (Wk=1/2mv) volvindose suficiente
para liberar ms portadores por colisiones con otros tomos que de otra
forma seran estables.
Al chocar estos portadores con electrones de valencia pueden provocar su
salto a la banda de conduccin. Al ser liberados, a su vez, se aceleran por
efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y
liberndolos a su vez.
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Curva caracterstica
Regin Zener
Los diodos que emplean esta parte nica de la caracterstica de una unin
p-n (regin zener) se llaman: diodos Zener.
El mximo potencial de polarizacin en inversa que se puede aplicar antes
de entrar a la regin zener se llama voltaje inverso pico (valor PIV) o
voltaje de reversa pico (valor PRV).
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Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.
El punto de levantamiento vertical

de las caractersticas es diferente
para cada material, aunque la forma
general de cada una es muy
semejante.
Los voltajes de rodilla (Vk) se

presentan a continuacin:
Semiconductor
Vk(V)
Ge
0.3
Si
0.7
GaAs
1.2
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La forma de la curva en la regin de

polarizacin inversa es parecida para
cada material.
Diferencia significativa
magnitudes de Is.
en
Semiconductor
Is
Ge
1A
Si
10pA
GaAs
1pA
las
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Las magnitudes relativas a los

voltajes zener para cada material son
distintas.
Semiconductor
VZ
Ge
100V-400V
Si
50V-1kV
GaAs
10%+Si
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Desvo de la condicin ideal del diodo

semiconductor de Si.
Aumento del voltaje debido
a la presencia de resistencia
de cuerpo interna y
resistencia de contacto
externa de un diodo.
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Funcionamiento
Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir

mediante la ecuacin de Shockley, para las regiones de polarizacin
directa, inversa y cero:
I D I S eVD / nVT 1 ( Amperes)
Donde:
IS es la corriente de saturacin en inversa.

VD es el voltaje en polarizacin directa aplicado a travs del diodo.
n es un factor de idealidad, el cual es una funcin de las condiciones de
operacin y construccin fsica (vara entre 1 y 2).
VT se llama al voltaje trmico y est determinado por:
kT
VT
Volts
q
k es la constante de Boltzmann = 1.38E-23 J/K.

T es la temperatura absoluta en Kelvin = 273 + C.
q es la cantidad de carga del electrn = 1.6E-19 C.
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Funcionamiento
Valores positivos de VD:
I D I S eVD / nVT
Valores negativos de VD:
I D IS
Valor cero de VD:
I D I S e 0 1 I S 1 1 0
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El diodo ideal
1.
2.
Permite un flujo abundante de carga cuando se establece una polarizacin

en directa.
Permite un nivel muy pequeo de corriente (casi cero) cuando la
polarizacin es en inversa.
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El diodo ideal
Para describir el comportamiento del diodo semiconductor se utiliza la

analoga con un interruptor mecnico, ya que el diodo puede controlar el
flujo de corriente entre sus dos terminales.
El diodo se diferencia del interruptor en el sentido de que cuando ste se
cierra slo permite que la corriente fluya en una direccin.
A cualquier nivel de corriente sobre la lnea vertical, el voltaje a travs del
diodo ideal es de 0V y la resistencia es de 0.
En la lnea horizontal, la corriente es de 0mA y la resistencia es de .
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El diodo ideal
Por la forma y ubicacin de la

curva del diodo comercial en
polarizacin directa, existir
una resistencia de diodo de
ms de 0.
A medida que el punto de
operacin de un diodo se
mueve de una regin a otra, su
resistencia tambin cambia
debido a la forma no lineal de
la curva caracterstica.
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Diodo semiconductor.
Resistencia de CD o esttica:
La aplicacin de un voltaje en
cd a un circuito que contiene
un diodo produce un punto de
operacin constante.
La resistencia del diodo en este
punto se halla aplicando la
siguiente ecuacin:
VD
RD
ID
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Ejemplo:
Determinar los niveles de
resistencia de cd del diodo de
la figura adjunta, con:
1.
2.
3.
ID = 2mA.
ID = 20mA.
VD = -10V.
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Circuitos equivalentes
Circuito equivalente: Es una combinacin de elementos

apropiadamente seleccionados para que representen mejor las
caractersticas reales de un dispositivo o sistema en una regin de
operacin particular.
Existen tres modelos (circuitos equivalentes) del diodo bsicos:
1.
2.
3.
Modelo lineal por segmentos.

Modelo simplificado.
Dispositivo ideal.
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Modelo lineal por segmentos

Consiste en simular con ms o menos precisin las caractersticas
del dispositivo mediante segmentos de lnea recta.
Consideraciones:
1.
Los segmentos de recta no duplican con exactitud las
caractersticas, sobre todo en el codo.
2.
Los segmentos resultantes son suficientemente
parecidos a la curva real.
3.
En la seccin inclinada, la resistencia promedio es el
nivel de resistencia del circuito equivalente.
4.
El diodo ideal establece que slo hay una direccin
de conduccin.
5.
La batera especifica que el voltaje a travs del
dispositivo debe alcanzar el voltaje umbral.
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3 zonas de funcionamiento:
VD 0. La curva del diodo es una recta que
pasa por el origen con pendiente 1/Rr, por lo
que el diodo se comporta como una
resistencia de valor Rr.
VD 0 V. El diodo se comporta como un
circuito abierto, la corriente a travs de l es
nula.
VD 0 V. En esta zona el diodo se
comporta como una recta que corta al eje V
en Vy y tiene una pendiente 1/Rf. En otras
palabras, se comporta como una resistencia
en serie con una fuente de valor Vy.
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1 Aproximacin
VD 0. La curva del diodo es una recta que
pasa por el origen con pendiente 1/Rr, por lo
que el diodo se comporta como una
resistencia de valor Rr.
0 VD V. El diodo se comporta como un
nula.
VD V. En esta zona el diodo se comporta
como una recta que corta al eje V en V y
tiene una pendiente 1/Rf. En otras palabras,
se comporta como una resistencia en serie
con una fuente de valor V.
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2 Aproximacin
VD V. El diodo se comporta como un
nula.
VD V. El diodo se comporta de la misma

forma que en la 1 aproximacin, por lo que
se sustituye al diodo por una resistencia de
valor Rf en serie con una fuente de valor V.
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Ejemplo:
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Modelo simplificado
En un diodo de Si polarizado en directa en un sistema electrnico
en condiciones de cd experimenta una cada de 0.7V a travs de ste en el
estado de conduccin, a cualquier nivel de corriente en el diodo.
Consideraciones:
1.
La
resistencia
promedio
es
suficientemente
pequea
para
ser
ignorada, en comparacin con los dems
elementos de la red.
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Modelo simplificado
VD V. El diodo se comporta como un
nula.
VD V. El diodo se comporta como una

fuente de valor V (lo mismo que en el
modelo lineal por segmentos en su segunda
aproximacin, pero haciendo Rf = 0.
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Modelo simplificado
Ejemplo:
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Modelo ideal
El circuito est conformado nicamente por un diodo ideal, con sus
caractersticas.
Consideraciones:
1.
Se dice que el nivel de 0.7V puede ser

ignorado en comparacin con el nivel de
voltaje aplicado al sistema.
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Modelo ideal
VD 0. El diodo se comporta como un
nula.
VD 0. El diodo se comporta como una

corto circuito, ID .
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Modelo ideal
Ejemplo:
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Como elegir una aproximacin
Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por
ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es
afirmativa se podra usar la segunda aproximacin. Por el contrario, si el
circuito contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1%, puede
ser necesario utilizar la primera aproximacin. Pero en la mayora de los
casos la segunda aproximacin ser la mejor opcin.
La ecuacin que utilizaremos para saber que aproximacin se debe utilizar
es esta:
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Fijndonos en el numerador se ve que se compara

la VS con 0.7 V. Si VS es igual a 7 V, al ignorar la
barrera de potencial se produce un error en los
clculos del 10 %, si VS es 14 V un error del 5 %,
etc...
Si se ve el denominador, si la resistencia de carga

es 10 veces la resistencia interna, al ignorar la
resistencia interna se produce un error del 10 %
en los clculos. Cuando la resistencia de carga es
20 veces mayor el error baje al 5 %, etc...
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En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor

que 1 W, lo que significa que la segunda aproximacin produce un error
menor que el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 W. Por eso la
segunda aproximacin es una buena opcin si hay dudas sobre la
aproximacin a utilizar.
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Notacin para diodos semiconductores. En la mayora de los diodos,

cualquier marca ya sea un punto o una banda, aparece en el ctodo.
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Varios tipos de diodos.
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Varios tipos de diodos.
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Aplicaciones del Diodo
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Anlisis por recta de carga
Consideraciones:
1.
Es la forma ms sencilla de
las configuraciones del diodo.
2.
La solucin se reduce a
determinar los niveles de
corriente y voltaje que
satisfacen, al mismo tiempo,
tanto las caractersticas del
diodo como los parmetros de
la red.
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Consideraciones:
1.
Las caractersticas del diodo se

colocan en el mismo sistema de
ejes con una lnea recta
definida por los parmetros de
la red.
2.
Esta lnea se conoce como

recta de carga.
3.
La interseccin de las dos

curvas definir la solucin para
la red, as como los niveles de
corriente y voltaje.
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Aplicando leyes de Kirchhoff:
E VD VR E VD I D R 0
E VD I D R
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La interseccin de la recta de carga con las caractersticas se determina

sabiendo que en cualquier parte del eje horizontal ID=0A y en cualquier
parte del eje vertical VD = 0V, por tanto:
E
ID
R VD 0V
VD E I
D 0 A
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Ejemplo 1: Determinar VDQ, IDQ y VR.
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Solucin:
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Ejemplo 2: Repetir el ejemplo 1 utilizando el modelo equivalente

aproximado del diodo semiconductor de SI.
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Configuraciones del diodo.
Modelo aproximado e ideal del diodo semiconductor:
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Configuraciones en serie y paralelo
Procedimiento general: para cada configuracin primero se tiene que investigar el

estado de cada diodo. Cules estn encendidos y cuales apagados? Hecho estos, se
sustituye el equivalente apropiado y se determinan los parmetros de la red.
Un diodo est encendido si la corriente establecida por las fuentes aplicadas es tal
que su direccin concuerda con la de la flecha del smbolo del diodo y VD>0.7V
para Si.
La descripcin es vlida si el voltaje de la fuente es mayor que el voltaje de

encendido (VK) del diodo.
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Con el diodo invertido se tiene:
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Determinar VD, VR e ID. (Utilizando el mtodo de la recta de carga y el

modelo simplificado)
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Determinar VD2, V0 e ID.
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Determinar V1, V2, V0 e I.
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Determinar I1, ID1, ID2, V0.
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Determinar I, VR.
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Determinar IR, V0.
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Determinar I1, I2, ID2, V1, V2.
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Compuertas AND/OR.
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Compuertas AND/OR
Determinar V0.
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Compuertas AND/OR
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Compuertas AND/OR
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Compuertas AND/OR
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Analisis de pequea seal
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Anlisis de pequea seal
Hay aplicaciones en las que el diodo se polariza con una tensin continua
en un punto de trabajo en la zona de conduccin, y sobre ese punto se
superpone una seal alterna de amplitud tal que no provoca un cambio
en la zona de funcionamiento del diodo, osea el diodo permanece en la
zona de plena conduccin.
Pequea seal. Si la amplitud de la seal de ac de salida no est
distorsionada o si su amplitud de entrada es lo suficientemente pequea
como para que la curva del diodo sea lineal en ese tramo.
Para esto primero se debe determinar el punto de operacin del diodo (VD
e ID), normalmente se utiliza el modelo simplificado del diodo (diodo
considerado como una fuente fija de 0.7V).
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Para la operacin de la pequea seal el diodo se modela por una

resistencia de valor igual al inverso de la pendiente de la recta tangente
a la curva caracterstica del diodo en tal punto de operacin.
El circuito conceptual y su ecuacin inicial son los siguientes:
vD (t ) VD vd (t )
Donde:
vD(t) voltaje total instantneo del diodo

VD voltaje de dc
vd(t) seal de ac triangular superpuesta a la seal de dc
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vD ( t )
iD(t ) IS e
Donde:
nVT
iD(t) corriente total instantnea

vD(t) voltaje total instantneo
Sustituyendo el voltaje
instantneo en la ecuacin de
corriente instantnea queda:
(VD vd ( t ))
iD(t ) IS e
nVT
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Desarrollando la ecuacin anterior:

VD
iD(t ) IS e
vd ( t )
nVT
nVT
vd ( t )
iD(t ) ID e
nVT
Si vd(t) es lo suficientemente pequea como para que vd/nVT << 1

entonces se puede expandir la ecuacin anterior en su forma de serie,
tomando nicamente los dos primeros trminos:
vd
iD(t ) ID1
nVT
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Esta es la aproximacin de pequea seal, vlida para amplitudes

menores a 10mV y 5mV para n = 2 y n = 1 respectivamente.
Desarrollando esta aproximacin obtenemos:
ID
iD(t ) ID
vd
nVT
Considerando que a la corriente de dc ID se le superpone una seal de ac

proporcional al voltaje vd, esto es:
iD ID id
Se podra deducir que:
ID
id
vd
nVT
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De donde podemos deducir que el trmino que relaciona la corriente y el

voltaje es una conductancia, llamada conductancia de diodo de pequea
seal.
El inverso de esta es la resistencia del diodo de pequea seal, tambin
llamada resistencia incremental o resistencia dinmica.
nVT
rd
ID
25mV
ID
n 1
Resistencia dinmica, rd. La que se presenta en el diodo ante una seal

alterna.
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Grficamente podemos considerar la resistencia dinmica como el inverso

de la pendiente de la recta tangente a la curva del diodo en el punto de
operacin, punto Q.
diD
iD
vD
dvD
diD
rd 1
dvD
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Los circuitos en los cuales las excitaciones son suma de una componente
continua y otra alterna de pequea amplitud se resuelven aplicando el
principio de superposicin, partiendo de la hiptesis de que el diodo estar
en una de la zonas de funcionamiento y no sale de la misma por efecto de
la seal de alterna.
Este consiste en:
1.
2.
3.
Anlisis DC del circuito: Se cortocircuitan las fuentes de alterna y se

determina el punto de operacin del diodo.
Si el diodo est en conduccin, se determina la resistencia dinmica del diodo
utilizando los datos del punto de trabajo.
Se cortocircuitan las fuentes de continua y se realiza el anlisis del circuito de
alterna sustituyendo el diodo por su resistencia dinmica. De ese modo se
obtiene el modelo equivalente en pequea seal que permite determina las
variaciones que se producen en el diodo.
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Paso 1:
Paso 3:
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Para el circuito de la figura R = 10k, V+ tiene un componente de dc de 10V
con una seal senoidal superpuesta de 1 Vpico y 60Hz de frecuencia. Calcule
el voltaje de dc del diodo y la amplitud de la seal senoidal a travs de l.
Considere un diodo con cada de 0.7V a una corriente de 1mA y n = 2.
nVT 2 25
rd
53.8
ID
0.93
rd
53.8
vdp Vsp
1
5.35mV
R rd
10000 53.8
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En el circuito de la figura los 3 diodos en serie mantienen una cada de tensin
constante de 2.1V. Calcule el porcentaje de cambio de este voltaje regulado
provocado por: a) una variacin en la fuente de alimentacin de 10% y b) una
resistencia de carga RL = 1k. Asuma n = 2.
85
01/10/2013
Anlisis de seal de ac
Si la seal de entrada es lo suficientemente grande para producir una excursin
amplia, la resistencia asociada con el diodo para esta regin se denomina
resistencia de ac promedio.
Resistencia de ac promedio, rav. La resistencia determinada por una lnea
recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores mnimos
y mximos del voltaje de entrada
Vd
rav
Id
punto _ por _ punto
86
01/10/2013
Anlisis de seal de ac
Determinar la resistencia de ac promedio de acuerdo a la grfica mostrada.
Id 17 mA 2mA 15mA
Vd 0.725V 0.65V 0.075V
Vd 0.075V
rav
5
Id
15mA
87
01/10/2013
Rectificadores
88
01/10/2013
Rectificadores
Circuitos Rectificadores: convierten la corriente alterna en corriente

continua (unidireccional). Tambin se conocen como convertidores ACDC
Tipos:
Rectificadores de media onda

Rectificadores de onda completa
Con transformador con derivacin central (dos diodos).

Con puente de diodos (cuatro diodos).
Cuando un diodo se utiliza en el proceso de rectificacin se le llama

comnmente rectificador, y sus valores nominales de corriente y potencia
son normalmente ms altos.
89
01/10/2013
Rectificador de media onda
Cuando la tensin es positiva (intervalo 0 < t < T/2), el diodo se encuentra

polarizado en directa, y conducir la corriente (cada de 0.7 V).
Cuando la tensin es negativa (intervalo T/2 < t < T), el diodo se polariza
inversamente, no dejando pasar corriente. En este intervalo el diodo
soporta la tensin inversa impuesta por la entrada.
90
01/10/2013
Aplicando la 2 Ley de Kirchhoff a los dos casos anteriores se obtiene:
En directa, prcticamente la tensin de la alimentacin est presente en la

carga.
En inversa, la cada de tensin la acapara el diodo dado que no circula
corriente.
91
01/10/2013
La tensin de entrada es senoidal

vS = Vm sen t
Para esta, el valor promedio (la suma algebraica de las reas por encima y
por debajo del eje) es cero.
El valor medio de la tensin de salida se obtiene integrando:
1
1
Vo ( DC )
vod (t )
Vmsen(t )d (t )
Vm
Vo ( DC )
0.318Vm
Para un caso ms real del diodo, la tensin media de salida quedara

como:
Vo ( DC ) 0.318(Vm VT )
92
01/10/2013
La corriente media en una carga resistiva R se obtiene mediante la ley de

Ohm.
La tensin eficaz ser:
1
Vo ( rms )
2
Vm
0 Vm sen td (t ) 2 0.5Vm
Para un caso ms real del diodo, la tensin eficaz de salida quedara como:
Vo ( rms ) 0.5(Vm VT )
La frecuencia de salida es igual a la de entrada.

Es importante hacer notar que el voltaje aplicado a la entrada del circuito
rectificador debe ser menor o igual que el voltaje pico inverso PIV (o
PRV) del diodo, de manera que PIV Vm.
93
01/10/2013
Para el circuito de la figura:

a)
b)
c)
Dibuje la salida Vo y determine el valor medio y eficaz de la salida.

Repita el inciso anterior si el diodo ideal se reemplaza por uno de silicio.
Repita los incisos anteriores si Vm se incrementa a 200V y compare las
soluciones.
94
01/10/2013
Rectificador de onda completa

Puente de diodos.
95
01/10/2013

Puente de diodos.
Ciclo positivo de la entrada, los diodos 2 y 3 conducen.
96
01/10/2013

Puente de diodos.
Ciclo negativo de la entrada, los diodos 1 y 4 conducen.
97
01/10/2013

Puente de diodos.
La polaridad a travs de la resistencia R es la misma para cada ciclo de la

seal de entrada.
98
01/10/2013

Puente de diodos.
Si en lugar de diodos ideales se sustituye por diodos de silicio, el voltaje

pico de salida quedara como:
Vo (max) Vm 2VT
El valor medio de salida podra quedar como
Vo ( dc ) 0.636(Vm 2VT )
99
01/10/2013

Puente de diodos.
Voltaje medio o de continua:
2Vm
Vo ( DC )
Frecuencia de salida:
fout 2 fin
La configuracin en Puente ofrece las siguientes ventajas:
El valor del condensador para un cierto rizado, es la mitad; con lo cual se

reduce el tamao y el precio del sistema.
La corriente soportada por cada diodo es aproximadamente la mitad que para
el de media onda, reduciendo as el espacio ocupado por los diodos y el coste
del diseo.
100
01/10/2013

Transformador con derivacin central.
Consiste en dos rectificadores de media onda con fuentes de tensin

desfasadas 180.
El trafo asla (respecto de tierra) a la carga de la corriente alterna de

entrada.
101
01/10/2013

Durante el ciclo positivo, conduce el diodo 1; durante el ciclo negativo, el

diodo 2 conduce rectificando la seal.
102
01/10/2013

Voltaje medio o de continua:
2Vm
Vo ( DC )
Frecuencia de salida:
fout 2 fin
103
01/10/2013
Determine la forma de onda de salida para la red de la figura y calcule el

nivel de dc y rms de la salida, y el PIV requerido para cada diodo.
104
01/10/2013
Recortadores
105
01/10/2013
Recortadores
Circuitos Recortadores: Son aquellos se utilizan para recortar una

porcin de la seal de entrada que se encuentre por encima o por debajo
de algn nivel de referencia.
Tambin se les conoce como limitadores, selectores de amplitud o
rebanadores.
El rectificador de media onda es un ejemplo de la forma ms simple de un
recortador de diodo. Dependiendo de la orientacin del diodo, la regin
positiva o negativa de la seal de entrada es recortada.
Los circuitos de rectificacin utilizan una accin recortadora de nivel
cero.
106
01/10/2013
Recortadores
Para el circuito de la figura, si la tensin de entrada supera por cualquier

motivo los 0.7 V el diodo D1 quedar polarizado directamente y recortar
el exceso de tensin.
De igual forma, cuando la tensin de entrada disminuya de -0.7 V, el
diodo D2 quedar polarizado directamente y recortar el exceso de
tensin que podra daar la carga.
107
01/10/2013
Recortadores
Si se aade una batera en serie con el diodo, un circuito rectificador

recortar todo lo que se encuentre por encima o por debajo del valor de la
batera de la orientacin del diodo.
A ste se le llama limitador o recortador polarizado.
Para ste es necesaria una tensin de entrada igual al valor de la batera
ms 0.7V para que los diodos se polaricen directamente.
108
01/10/2013
Recortadores
Cuando la tensin de entrada se mantiene dentro de sus lmites normales,

esto es, entre 10 V y -10 V, ninguno de los diodos hace nada.
La batera que est conectada al diodo D1 polariza su ctodo a 10 V,
considerando el diodo ideal, comenzar a conducir cuando la tensin en
su nodo sea mayor que en su ctodo, esto ocurre slo cuando la tensin
de entrada es superior a 10 V.
Cuando Vi supera los 10 V la tensin en el nodo del diodo D1 comienza
a ser superior que la tensin en su ctodo, con lo que el diodo D1 queda
polarizado directamente y comienza a conducir la corriente elctrica, a
partir de este momento la tensin sobrante de la tensin de entrada Vi se
ve recortada y no puede llegar a la carga.
109
01/10/2013
Recortadores
De forma similar, la batera polariza el nodo de D2 a -10 V. Cuando la

tensin de entrada Vi es menor que -10 V, el ctodo del diodo D2 queda a
un potencial menor que -10 V, con lo que el diodo se polariza
directamente y recorta en este caso, las tensiones negativas de entrada, tal
y como se aprecia en la grfica.
110
01/10/2013
Recortadores
Tipos:
Serie: El diodo est conectado en serie con la carga.
Paralelo: El diodo est conectado en paralelo con la carga.
Mixto
111
01/10/2013
Recortadores en serie
Positivo simple:
Positivos polarizados:
112
01/10/2013
Recortadores en serie
Negativo simple:
Negativos polarizados:
113
01/10/2013
Recortadores en paralelo
Positivo simple:
Positivos polarizados:
114
01/10/2013
Negativo simple:
Negativos polarizados:
115
01/10/2013
Mixtos
116
01/10/2013
Recortadores
No existe un procedimiento general para analizar circuitos recortadores, sin
embargo hay aspectos que vale la pena tomar en cuenta:
1.
2.
3.
4.
Hacer un esquema mental de la respuesta del circuito basado en la

direccin del diodo y de los niveles aplicados de voltaje.
Determinar el voltaje aplicado (voltaje de transicin) que causar un
cambio en el estado del diodo.
Estar conscientes continuamente de las terminales definidas y de la
polaridad de vo.
Dibujar la seal de entrada por encima de la de la salida y determinar la
salida para valores instantneos de la entrada.
117
01/10/2013
Recortadores
1.
2.
4.
3.
118
01/10/2013
Cambiadores de nivel
119
01/10/2013
Un circuito cambiador de nivel es aquel que cambia una seal a un nivel

diferente de dc.
La red debe tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo. Tambin
puede emplear una fuente independiente de dc para introducir el
desplazamiento.
La magnitud de R y C debe elegirse de modo que la constante de tiempo
=RC sea lo suficientemente grande para asegurar que el voltaje del
capacitor no se descargue durante el periodo en que el diodo no conduce.
120
01/10/2013
Los pasos siguientes pueden ser tiles para analizar circuitos cambiadores de
nivel:
1.
Comenzar el anlisis considerando la parte de la seal de entrada que
polarizar directamente al diodo (aunque esto implique brincarse un
intervalo de la seal).
2.
En el periodo en que el diodo est encendido suponer que el capacitor se
cargar instantneamente al nivel de voltaje determinado por la red.
3.
Suponer que durante el periodo de apagado del diodo el capacitor
mantendr su nivel de voltaje establecido.
4.
Mantener una conciencia de la localizacin y la polaridad de referencia
para vo para asegurar que se obtienen los niveles apropiados de vo.
5.
Tener en mente la regla general de que la amplitud de la salida total debe
coincidir con la amplitud de la seal de entrada.
121
01/10/2013
Obtener vo.
0 < t < T/2 vo = 0V
T/2 < t < T
-V-V- vo = 0
122
01/10/2013
Obtener vo.
T/2 < t < T -20V -5V + Vc = 0

Vc = 25V vo = 5V
T < t < 3T/2 + 10 + 25 - vo = 0

vo = 35V
123
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= RC = (100k)(0.1F) = 0.01s = 10ms
124
01/10/2013
125
01/10/2013
Diodo Zener
126
01/10/2013
Diodos Zener
Pasos para el anlisis:
1. Se debe determinar el estado del diodo.
2. Se sustituye el modelo apropiado.
3. Se determinan las dems cantidades desconocidas de la red.
A continuacin se presenta la grfica de un diodo zener junto con los circuitos
equivalentes aproximados para cada regin (se suponen aproximaciones de
lnea recta en cada punto de ruptura).
127
01/10/2013
Diodos Zener
Ejemplo 1. Determinar Vo1, Vo2 y la corriente alrededor de la red.
128
01/10/2013
Diodos Zener (Vi y RL fijos)
El uso del diodo zener como regulador utilizando Vi y R fijos en la red

requiere una cierta configuracin bsica del diodo regulador. Esta
configuracin se presenta a continuacin:
El anlisis puede dividirse en dos pasos:
1.
Determinar el estado del diodo Zener

eliminndolo de la red y calculando el
voltaje a travs del circuito abierto
restante.
2.
Sustituir el circuito equivalente

apropiado y resolver para la cantidad
desconocida deseada.
129
01/10/2013

1.
Determinar el estado del diodo Zener eliminndolo de la red y calculando

el voltaje a travs del circuito abierto restante:
Si V > Vz el diodo zener est encendido y se sustituye por el modelo

equivalente apropiado.
Si V < Vz el diodo zener est apagado y se sustituye por su equivalente de
circuito abierto.
130
01/10/2013

2.
Sustituir el circuito equivalente apropiado y resolver para la cantidad

desconocida deseada.
Si suponemos que V>Vz el estado del diodo es encendido, produciendo la
siguiente red equivalente:
131
01/10/2013
Ejemplo 2a. Determinar VL, VR, IZ, PZ.
Ejemplo 2b. Determinar VL, VR, IZ con RL = 3K.
132
01/10/2013
Diodos Zener (Vi fija y RL variable)
Para determinar la resistencia mnima de carga que encender el diodo zener

simplemente se calcula el valor de RL que ocasionar un voltaje de carga VL
= VZ:
R V
VL VZ
Resolviendo para RL queda:
RL
R RL
R VZ
Vi VZ
Cualquier resistencia de carga mayor que RL obtenida con la ecuacin

anterior asegurar que el diodo zener se encuentre encendido.
La corriente del diodo est limitada a IZM, esto afectar la resistencia
mxima RL.
La corriente IL mnima se obtiene a patir de la corriente del diodo IZ = IR - IL
I L min IR IZM
RL max
VZ
IL min
133
01/10/2013
Diodos Zener (Vi fija y RL variable)
Determinar el rango de RL e IL que hacen que VRL se mantenga en 10V.

Determinar el valor nominal mximo de la potencia en watts del diodo.
134
01/10/2013
Diodos Zener (RL fija y Vi variable)
El voltaje de encendido mnimo que se requiere para que el diodo zener

genere voltaje es:
Vi min
R RL VZ
RL
Ahora, para hallar el voltaje mximo de Vi, se debe tomar en cuenta la

corriente mxima que soporta el diodo zener, y como IZ = IR IL,
I R max I Z I L
Finalmente como IL se mantiene fija e IZ es el valor mximo de corriente

que soporta el diodo zener, el Vi mximo se define como:
Vi max I R max R VZ
135
01/10/2013
Diodos Zener (RL fija y Vi variable)
Ejemplo 3. Determinar el rango de valores de Vi que mantendrn encendido

el diodo zener utilizando el siguiente circuito:
136
01/10/2013
Multiplicadores de Voltaje
137
01/10/2013
Multiplicadores de voltaje
Doblador de voltaje de media onda
138
01/10/2013
Doblador de voltaje de media onda
139
01/10/2013
Triplicador y cuatriplicador de voltaje
140

El Diodo

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01/10/2013

Es un componente electrnico de dos terminales que permite

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de

Polarizacin: aplicacin de un voltaje externo

Cualesquiera portadores minoritarios (huecos) del material tipo n

Efecto: reduccin del ancho de la regin de agotamiento debido a la

Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

Efecto: mayor apertura en la regin de empobrecimiento, crendose una

El nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de

No es mayor a unos cuantos microamperes.

Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de

En la grfica V-I del diodo existe

Al incrementar el voltaje en la regin de polarizacin inversa, se

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

El punto de levantamiento vertical

Los voltajes de rodilla (Vk) se

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

La forma de la curva en la regin de

Diodos de diferentes compuestos: Ge, Si y GaAs.

Las magnitudes relativas a los

Desvo de la condicin ideal del diodo

Las caractersticas generales de un diodo semiconductor se pueden definir

I D I S eVD / nVT 1 ( Amperes)

IS es la corriente de saturacin en inversa.

k es la constante de Boltzmann = 1.38E-23 J/K.

Valores positivos de VD:

Valores negativos de VD:

Valor cero de VD:

Permite un flujo abundante de carga cuando se establece una polarizacin

Para describir el comportamiento del diodo semiconductor se utiliza la

Por la forma y ubicacin de la

Circuito equivalente: Es una combinacin de elementos

Existen tres modelos (circuitos equivalentes) del diodo bsicos:

Modelo lineal por segmentos.

Modelo lineal por segmentos

Modelo lineal por segmentos

Modelo lineal por segmentos

Modelo lineal por segmentos

VD V. El diodo se comporta de la misma

Modelo lineal por segmentos

VD V. El diodo se comporta como una

Se dice que el nivel de 0.7V puede ser

VD 0. El diodo se comporta como una

Como elegir una aproximacin

Como elegir una aproximacin

Fijndonos en el numerador se ve que se compara

Si se ve el denominador, si la resistencia de carga

Como elegir una aproximacin

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor

Notacin para diodos semiconductores. En la mayora de los diodos,

Aplicaciones del Diodo

Anlisis por recta de carga

Anlisis por recta de carga

Las caractersticas del diodo se

Esta lnea se conoce como

La interseccin de las dos

Anlisis por recta de carga

Aplicando leyes de Kirchhoff:

Anlisis por recta de carga

La interseccin de la recta de carga con las caractersticas se determina

Anlisis por recta de carga

Ejemplo 1: Determinar VDQ, IDQ y VR.