Laboratorio N 05: EL TRANSISTOR

BIPOLAR POLARIZACIN, CORTE

Y SATURACIN
Tarazona Valverde Nahum Abel 20120372G
Huarsocca Canteo Henry 20122140F
Meza Gomez Eladio Jhon 20131312K
Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica, Universidad Nacional de Ingeniera
Lima, Per
2016-2

INFORME FINAL
I.

PROCEDIMIENTO

A. Mida las resistencias y los potenciometros con

el multimetro y anote los valores.
B. Determine los terminales del transistor con el
multmetro o use los manuales e imprima el
Datasheet obtenida en Internet(Nota , si el
multmetro tiene probador de transistores
selo)

base(IB), la puede medir indiderectamente con

la tension en la resistencia de 10K. La tension
de colector emisor (VCE) la puede ajustarb
con el potenciometro de 50K, la corriente de
colector (Ic) la puede medir directamente con
la tension en la resistencia de 10K si solo
cuenta con un ampermetro.
G. Para determinar las curvas Ic vs V CE , ajuste
y mantenga Ib en 40uA y llene las siguiente
tabla.
IB=41.20uA

C. Arme el siguiente circuito.

D.

Si usa un transistor equivalente busque en el

Data sheet sus caracteristicas y modifique el
voltaje de entrada si es necesario.

E. Verifique las conexiones con el multimetro,

ajuste la fuente a 12VDC y conectela al
circuito.
F.

La corriente de base(IB),Obtenida en el
informe precio, la puede ajustar con el
potenciometro de 500K. La corriente de

VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VCEReal(v)
0.2
0.51
1.09
2.04
3.02
4.03
5
6
7
7.99
9.03
10.04

IC(mA)
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02

40
50
60
70
80
90
100
110
120

IC Vs VCE
15
10
5

0.66
0.66
0.67
0.67
0.66
0.67
0.67
0.66
0.66

0
0

10

12

Ajuste y mantenga IB en 80 uA y llene la sigueinte

tabla
IB=81.78uA
VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VCEReal(v)
0.2
0.502
1.01
2.07
3.09
4.03
9
6
7
8.09
9.05
9.8

IC(mA)
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02

IB Vs VBE
150
100
50
0
0.64

H. Obtener las curvas Ic vs IB : (=Ic/IB )

Mantenga VCE =5v y llene la siguiente
tabla:
IB(uA)
2
5
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

IC(mA)
--------5.13
6.87
8.12
10.5
12.85
14.93
17.08
18.71

Beta
--------171
171.75
162.4
175
183.57
186.63
189.78
187.1

I.

Obtener las curvas IB vs VBE

IB
10
20
30

VBE
----0.65

IC Vs IB
20
15
10
5
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100110

TRANSISTORES BIPOLARES EN ZONA

ACTIVA, CORTE Y SATURACIN.
J.

Arme el siguiente circuito:

10v

7.24

5.2

3.84

5.33

2
22.1
6

240

A partir de esta tabla graficar la curva de

transferencia de entrada a la salida Vc vs V B
si es necesario tomar medidas de puntos
intermedios.

L.

VC Vs VB
10
5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
M. Graficar la curva de transferencia de
corrientes(Ic vs IB) y el beta de la
misma(BETA vs Ic)

BETA Vs IC
200
180
160
140
4

10 12 14 16 18 20

K. Polarizar el dispositivo y medir Vc y V B para

completar la siguiente tabla:
A. Armar el Cirucito de la figura:
Vpic
o

Veficaz

Vc

VB

IC

IB

Bet
a

0.63
mv
1v

0.005

0.006
0.209

0.00
4
0.21

0.76

0.713

0.72

5.2
6
292

2v

1.398

0.814

0.82

2.82

291

3v

2.035

1.399

1.42

4.28

332

4v
5.01v

2.768
3.54

2.085
2.796

2.13
2.85

6.9
9.26

309
308

6.01v

4.21

3.33

0.14
8
0.72
8
0.93
5
1.46
0
1.83
2.31
5
2.62

3.42

297

7v

4.97

3.93

2.92

4.02

8.02v

5.66

4.52

3.35

4.59

8.99v

6.33

4.88

3.62

4.95

11.5
3
13.5
9
15.8
1
18.3

295
290
270

B. Medir las tensiones Vc,VE,VB para trazar

la recta de carga del circuito,variando
Rs.
Rs

56K

47K

22K

15K

3.3K

Vs(v)
Vc(v)

6.18
6.5

5.74
6.93

3.80
8.85

2.87
9.77

VE(v)
Ic(mA
)
IB(uA
)
Zona

5.54
5.56

5.10
5.13

3.17
3.19

2.24
2.26

0.75
11.8
2
0.18
0.18

110

121

167

190

240

Saturad
o

activ
o

activ
o

activ
o

Cort
e

C. Graficar en un mismo plano las

diferenres rectas de carga, a colores ,
indicando las zonas de operacin.
Adjuntar las Datasheet con los datos de
de los transistores utilizados.
Luego de recoger los datos del cuadro B
se procede a trazar las rectas de carga ,
se ve que son simlares las rectas, se
resalta en un circulo los el punto de
operacin
y
la
esistencia
correspeondiente(ver cuadro de datos B).

D. Armar el circuito de la figura 2 , conectar

los diodos LED en serie con las
resistencias R1 y R2 , colocar en V3 una
fuente DC y reeplazar R1 por un
potenciometro.
E. Para determinar la regin activa varie el
voltaje de entrada V1 y realice las
mediciones necesarias, de tal forma que
pueda determinar el intervalo de
votaje(Vmin<v1<Vmax) que mantiene el
transistor operando en la regin activa.
Variando V3(Voltaje de entrada)
Vmin=0.6v
Vmax=60v
F. Para determinar cuando el transistor
esta en corte o esta en satuacion,
aumentar de 1 V en 1v el Vmax DC de
V1 hasta encontrar un cambio en V0.
Luego
repetoir
el
procedimiento
disminuyendo Vmin de V3 desde el ultimo
valor de V hasta cero.

G. En la simulacion determianr la
resistencias de R1 que facilite el corte y
saturacion de manera mas rapida y usar
ese valor en la practica de laboratorio
*Para facilitar la saturacion entonces
hay que aumentar el Ib, para eso
reducimos la resistencia de 180K a
50ohm o menos, siempre cuidando que no
se queme.
La que facilita el corte es una resistencia
alta 1 Mohm.
H. Tomar datos y completar la siguiente
tabla.
ZONA DE CORTE

ZONA ACTIVA

ZONA DE
SATURACION

VBE<0.425v

0.7< VBE< 10v

VBE=10v

IB=344nA

344nA< IB <0.1782 A

IB=1.782A

IC=50.58uA

50.58< IC <0.012

IC=6mA

IE=49.7uA

49.7< IE <12mA

IE=6mA

VCE=11.96

6< VCE <11.96

VCE=6

Nota: hemos considerado 6V de voltaje de

saturacin ya que si subimos ms el voltaje en V3
se quema el circuito; en realidad debemos llegar a
VCE= 0 v.

II. PREGUNTAS DE INFORME FINAL

A.Haga una tabla comparando los valores
teoricos con los valores experimentalesCmo los
explica?

Pegar cuadro de datos simulados

CIRCUITO 1
VCE(V)
0.20
0.48
1.96
4.01
6.05
8.04
10.1

IC(mA)
3.28
7.43
7.61
7.83
8.05
8.26
8.48

VCE(V)
0.20
0.49
2.01
3.94
5.97
8.12
10.4

IC(mA)
3.81
11.5
14.3
14.7
15.1
15.5
16.0

IB(uA)

IC(mA)

22.2
40.3
59.3
80.5
102

4.51
7.94
11.3
14.9
18.4

203
197
191
185
180

Los valores pueden diferir por:

Prdidas en las conexiones

La no exactitud de las resistencias
Tipo de transistor usado
Cantidad de pruebas realizadas no son
suficientes
Tempreatura aumenta mientras mayor
sea el tiempo de funcionamiento de los
dispositivos usados y esto afecta las
mediciones
La presicion de los instrumentos de
medida no es la deseada

Datos tericos:

IB(uA)
22.2
40.3
59.3
80.5
102
118

VBE(V)
0.70
0.71
0.72
0.73
0.74
0.75

CIRCUITO 2
V3(V)

2.00

4.00

6.00

8.00

VC(V)
VB(V)
IC(mA
)
IB(uA)

11.5
1.10
0.92

10.8
2.08
2.25

10.3
3.09
3.42

9.90
4.09
4.45

10.0
0
9.64
5.10
5.37

3.20
288

8.47
266

13.8
248

19.2
232

24.6
218

CIRCUITO 3
R
VB(V)
VC(V)
VE(V)
IC(mA
)
IB(uA)

56k
5.94
6.80
5.22
5.20

47k
5.52
7.21
4.81
4.79

22k
3.64
9.07
2.94
2.93

15k
2.83
9.87
2.14
2.13

3.3k
0.80
11.8
0.18
0.18

22.7
229

20.4
235

11.2
262

7.80
273

0.58
310

IB(uA
)
2
5
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100

Datos experimentales:
CIRCUITO 1

VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VCEReal(v)
0.2
0.51
1.09
2.04
3.02
4.03
5
6
7
7.99
9.03
10.04

IC(mA)

VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10

VCEReal(v)
0.2
0.502
1.01
2.07
3.09
4.03
9
6
7
8.09
9.05
9.8

IC(mA)

8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02

8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02

IC(mA)

Beta

--------5.13
6.87
8.12
10.5
12.85
14.93
17.08
18.71

--------171
171.75
162.4
175
183.57
186.63
189.78
187.1

No se hizo en las partes 2-5-10-20 ya que no

pudimos llegar con las resistencias que teniamos ,
simulamos, para estar seguros y efectivamente se
necesita una alta resistencia en la baese para
poder llegar a las corrientes Ib que piden
(2,5,10,20)

IB
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120

VBE
----0.65
0.66
0.66
0.67
0.67
0.66
0.67
0.67
0.66
0.66

CIRCUITO 2

Vpic
o

Veficaz

Vc

VB

IC

IB

Bet
a

0.63
mv
1v

0.005

0.006
0.209

0.00
4
0.21

0.76

0.713

0.72

5.2
6
292

2v

1.398

0.814

0.82

2.82

291

3v

2.035

1.399

1.42

4.28

332

4v

2.768

2.085

0.14
8
0.72
8
0.93
5
1.46
0
1.83

2.13

6.9

309

5.01v

3.54

2.796

2.85

9.26

308

3.33

2.31
5
2.62

6.01v

4.21

3.42

297

4.97

3.93

2.92

4.02

8.02v

5.66

4.52

3.35

4.59

8.99v

6.33

4.88

3.62

4.95

10v

7.24

5.2

3.84

5.33

11.5
3
13.5
9
15.8
1
18.3
2
22.1
6

7v

BETA Vs IC

295

220

290

200

270

180

240

160
2

8 10 12 14 16 18 20

CIRCUITO 3
Rs

56K

47K

22K

15K

3.3K

Vs(v)
Vc(v)

6.18
6.5

5.74
6.93

3.80
8.85

2.87
9.77

VE(v)
Ic(mA
)
IB(uA
)
Zona

5.54
5.56

5.10
5.13

3.17
3.19

2.24
2.26

0.75
11.8
2
0.18
0.18

110

121

167

190

240

Saturad
o

activ
o

activ
o

activ
o

Cort
e

B.Para el circuito de la fig 1 , obtenga las graficas

de las curvas IC vs VCE;IC vs IB;BETA vs IC e IB vs
VBE
Graficas de la simulacin:

IC Vs VCE
15
10
5
0
0.64

IB Vs VBE
150
100
50
0
0.6

0.7

0.8

0.9

Fotos del experimento:

D.Observe los limites para la zona activa y

comparelos con los valores

Qu diferencia observa entre las curvas tericas

y experimentales?
Las curvas obtenidas en laboratorio, son muy
parecidas a las simuladas; por lo tanto podemos
decir que se logr comprobar la teora en cuanto
a transistores se refiere.
En ellas tambien podemos resaltar algunos
pequeos cambios los cuales se deben a los
diferentes tipos de error que se podran presentar
a la hora de realizar las mediciones.
C.Para los circuitos de las figuras 1,2,3. Presente
la forma de onda de entrada(Vm) y de la carga V L
obtenida en el laboratorio . Que relacion de fases
hay entre ellas?
Para el segundo circuito la forma de onda es
senoidal como en la foto de arriba y su respuesta
es uana seal de media onda con desfase de 180 ,
la media onda se debe a que el transistor no esta
con carga de maxima excursion simetrica.

OBSERVACIONES:
*Pudimos notar durante el experimento que la
seal amplificada por el transistor es recortada
como si hubiese un diodo.
*Se observ que luego de un tiempo de uso de las
resistencias su valor vara, poco, pero vara.
*Se observ que la poca sensibilidad de los
instrumentos, es perjudicioso para la correcta
toma de datos.

*El multimetro no puede medir corrientes

poqueas,para medir corrientes pequeas como la
de base se improvis un mtodo que consiste
medir el voltaje en resistencia y luego aplicar ley
de ohm, y tiene mucha exactitud.
CONCLUSIONES:
*Efectivamente, la seal amplificada sale
recortada debido a la configuracin interna del
transistory a que no tiene la carga de maxima
excurcsion simetrica.

Rs
Vs(v)
VE(v)
Diferencia

56K
6.18
5.54
0.64

47K
5.74
5.10
0.64

22K
3.80
3.17
0.63

15K
2.87
2.24
0.63

*La recta de carga salen parecidas al variar la

resistencia del potenciometro y se puede ver
cuando esta en saturacion y corte.
*Luego de un lapso de tiempo, en el cual circula
corriente por los diferentes dispositivos
electronicos, stos se calientan y cambian sus
propiedades.
*En el curdro de datos del circuito 3 letra B se
peude observar que la diferencia entre Vs y VE es
de 0.65voltios , esto en teoria es correcto ya que
es el voltaje interno Vbe del transistor.

3.3K
0.75
0.18
0.57