CIRCUITOS DE MEMORIA

1. CONOCIMIENTO TEORICO REQUERIDO

El estudiante deber tener conocimientos de memorias UVPROM.

Conocer software de grabacin y edicin de memorias.

2. COMPETENCIAS

Al final de la prctica el estudiante:

Empleara memorias EEPROM para usndolos en combinacin con circuitos digitales MSI de
uso especfico para generar aplicaciones combinadas.

3. MATERIALES, REACTIVOS Y EQUIPOS

1 Multmetro
1 Breadboard
1 Generador de seal
1 Fuente de alimentacin
1 Circuito integrado 2816 EEPROM
Resistencias de diseo
Display BCD 7 Segmentos de diseo

4. TECNICA O PROCEDIMIENTO
Extraer de una memoria EEPROM 2816 una secuencia numrica del 0 al 99 binario, la
cual debe ser desplegada en dos display BCD 7 SEGMENTOS, directamente desde la
memoria EEPROM.
Un circuito contador binario de bucle cerrado proporcionar las direcciones a la memoria y
los datos extrados sern desplegados en los display, disear la lgica adicional para que
este circuito funcione.

5. RESULTADOS
Parte 5.1
Se verifico el comportamiento del circuito, introduciendo la posicin de memoria en la que
se encuentra el dato resguardado por el 2816 expresados en displays.

0
0
0
0

U1
8
7
6
5
4
3
2
1
23
22
19
21
18
20

A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
CE
OE/VPP
2732

U2
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7

9
10
11
13
14
15
16
17

7
1
2
6
4
5
3

A
B
C
D
BI/RBO
RBI
LT

0
DISPLAY

13
12
11
10
9
15
14

7448

U3
7
1
2
6
4
5
3

A
B
C
D
BI/RBO
RBI
LT
7448

2816 EEPROM

QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG

QA
QB
QC
QD
QE
QF
QG

13
12
11
10
9
15
14

6 CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
En la prctica realizada se logro exitosamente el diseo e implementacin de los circuitos
lgicos, con el diseo de la memoria 2816, permitindonos acceder y comprender las
caractersticas que resguarda este CI, adems de sabe manipular la informacin
almacenada.
7. CUESTIONARIO

1. Explique el funcionamiento de los integrados usados y sus funciones.

El CI 2816, es un dispositivo de memoria EEPROM con una capacidad de 16 Kbits igual a

16 384 bits, tamao de palabra de 8 bits y 11 lneas de direccionamiento. En dicho CI
posee almacenado los datos del 0 al 99, en sus respectivas posiciones, al momento de
seleccionar la posicin, nos muestra el dato almacenado en los displays.

2. Mencione aplicaciones reales de las experiencias realizadas.

Los dispositivos de memoria, lograron facilitar y poder avanzar en el desarrollo de nuevas
tecnologas, se los puede utilizar para almacenar cualquier tipo de dato en forma binaria,
de la cual podemos extraer en la posicin requerida.
Por ejemplo como circuito de aplicacin se puede utilizar para poder mostrar valores con
un tamao de palabra de ocho bits, utilizado en la aplicacin de un termmetro digital y la
aplicacin de un ADC0808 que nos permita interpretar esta seal analgica y pueda ser
traducida de forma eficiente por la memoria.
8. TRABAJO DE INVESTIGACION:
CIRCUITOS DE MEMORIA
Las caractersticas ms importantes de las memorias son:
Tiempo de escritura: Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la
informacin a almacenar en la memoria y el momento en que la informacin queda realmente
registrada.
Tiempo de lectura: Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en
que la informacin est disponible en la salida.

Tiempo de acceso
Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente.
Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que
esta lo entrega.
Tiempo de ciclo
Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de
reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es
entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso.
Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la
memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar una nueva operacin de lectura o
escritura.
Acceso aleatorio
Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posicin de memoria es
siempre el mismo.
Cadencia de transferencia
Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo)
Capacidad
Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina tambin
volumen.
Densidad de informacin
Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico.
Volatilidad
Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se produce un corte de
alimentacin
MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL
Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros:
Por el modo de acceso:
Acceso Aleatorio (RAM)
Acceso Secuencial
Asociativas
Por el modo de almacenamiento:
Voltiles
No voltiles
Por el tipo de soporte
Semiconductoras
Magnticas
De papel
Por su funcin o jerarqua
Tampn o borrador: (LIFO,FIFO)
Central o Principal
De masas
POR LA FORMA DE ACCESO
Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son
memorias en las que cualquier informacin puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso,
cualquiera que sea la clula de memoria elegida.
Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una determinada clula,
espreciso leer todas las clulas que le preceden fsicamente
Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por una direccin.
POR EL MODO DE ALMACEAMIENTO
Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella almacenada, al cortar la
alimentacin.
Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus de eliminar o cortar la
alimentacin

POR EL TIPO DE SOPORTE

Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos semiconductores para registrar la
informacin
Memorias magnticas.- El registro de la informacin se realiza por magnetizacin de un soporte de
este tipo.
Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel (cinta perforada o tarjeta)
permite almacenar una informacin en forma de marca o perforaciones.

POR SU FUNCION O JERARQUIA

Memorias tampn.- Son generalmente de tipo semiconductor y se caracterizan porque la
informacin en ellas se almacena durante un corto periodo de tiempo. Puede decirse que son
memorias borrador, de paso o adaptadoras.
Son memorias de baja capacidad y acceso rpido, puesto que normalmente se refieren a los
registros generales incluidos dentro del propio sistema microcomputador. Su funcin ser,
pues, actuar como memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de informacin entre
el sistema y las unidades exteriores.
Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampn cuyo nombre proviene
de la forma de almacenar y extraer la informacin de su interior.
FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila
de espera
LIFO (Last in-first out), la ltima informacin introducida en la memoria es la primera en
extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento.
Memoria Central.- Es la que est incorporada en la Unidad Central de Proceso de un
ordenador. Su misin consiste en almacenar los programas y los datos implicados en la
ejecucin de las sucesivas instrucciones.
Hasta hace algunos aos, las memorias centrales estaban formadas a partir de ncleos de
ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo de memorias ha sido desplazado
definitivamente por las memorias integradas a semiconductores. Y la memoria central del
sistema est formada por la asociacin de un nmero de chips de memoria RAM y ROM a
semiconductores, mayor o menor, segn la capacidad de almacenamiento requerida por el
sistema.
MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM)
Usualmente se reserva el trmino RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas.
Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se
reserva el trmino ROM o RPROM tc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es
una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una informacin sobre
ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM

ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM
Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write)
respectivamente.

Fig. 1

Situar en los terminales de DIRECCION la combinacin adecuada a la clula de memoria a

operar.

En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por ltimo permitir el funcionamiento de
la memoria, es decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la
informacin almacenada en la direccin de memoria correspondiente.

En el caso de escritura, adems de la direccin adecuada es preciso situar en los terminales

de "entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deber ponerse a
"1". Por ltimo, validar la operacin con C="1", la informacin a la entrada de datos quedar
registrada en la direccin de memoria indicada.

Diagrama de los tiempos de seales que intervienen en la operacin.

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura

9.BIBLIOGRAFIA

https://prezi.com/btsklcazpzgg/complejidad-de-los-circuitos-integrados

http://www.ecured.cu/index.php/Circuito_integrado

http://antares.itmorelia.edu.mx/~adrianat/index_archivos/EDI/Escint.pdf

http://www.ecured.cu/index.php/electronica_memorias