Introduccion a la Ciencia e Ingenieria de los Materiales WILLIAM D. CALLISTER, Jr. Department of Materials Science and Engineering The University of Utah. EDITORIAL REVERTE, S.A. Barcelona © Bogota * Buenos Aires * Caracas * MéxicoINDICE ANALITICO A DESIMBOLOS XV INTRODUCCION 1 DA Perspectiva historica 2 1.2 Ciencia ingenierfa de tos materiales 2 13. Clasificacién de tos materiales 4 14 Necesidad de materiales moderns 5 Bibliografia 6 spitule 2 ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACES INTERATOMICOS 7 21 Introduccién 8 STRUCTURA ATOMICA 8 22 Conceptos fundamentales 8 23. Laselectrones en los stomos 9 24 Latabla periédica 15 NLACES ATOMICOS EN LOS SOLIDOS 17 25. Fuerzas y energfas de enlace 17 26 Enlaces interat6micos primarios 19 27 Enlace secundario o enlace de van der Waals 23 28 Moléculas 25 Resumen 26 Términos y conceptos importantes 27 Bibliogratia 27 Problemas y cuestiones 27 v (A ESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS CRISTALINOS 31 Introducci6n 32 TRUCIURA CRISTALINA 32 Conceptos fundamentales 32 Celdilla unidad 33 Estructurascristalinas de los metales 34 Calculo dela densidad 38 Polimorfismo y alotropia 39 Sistemas cristalinos 39 DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS — 40 38 Direcciones cristalogriticas 40 39. Panos cristalograficos 45 10 Densidades atémicas lineal y planar 48 311 Estructuras cristalinas compactas 31 MATERTALES CRISTALINOS Y NO CRISTALINOS 53 SS io es 3.12 Monocristales 53 3.13. Materiales policristatinos 53 3.14 Anisotropia 54 3.15. Difraccion de rayos X: determinacién de estructuras, cristalinas 55 3.16 Sélidos no cristalinos 60 Resumen 61 ‘Términos y conceptos importantes Bibliografia 62 Problemas y cuestiones 63 aw IMPERFECCIQNES EN SOLIDOS 71 4.1_Introduccién 72 DEFECTOS DE PUNTO 72 42 Vacantesy autointersticiales 72 43. Impurezas en s6lidos 74 IMPERFECCIONES 76 4.4 Dislocaciones. Defectos lineales 76 45 Detectos interfaciales 80 4.6 Defectos de volumen 84 4.7 Vibraciones atémicas 84 OBSERVACION MICROSCOPICA 48 General 84 4.9 Microscopia 85 4.10 Determinacién del tamaio del grano 89 Resumen 89 ‘Términos y conceptos importantes 90 ~~ Bibliografia 91 Problemas y cuestiones 91 spitulo 5 DIFUSION 95 SA Introducci6n 96 5.2. Mecanismos de difusién 97 5.3 Difusién en estado estacionario 98 54° Dilfusi6n en estado no estacionario 100 55 Factoresde la difusion 104 5.6 Otros tipos de difusin 107 5.7 Difusion y tratamientos de los materiales 107 Resumen 107 ‘Términos y conceptos importantes Bibliogratia 108 Problemas y cuestiones 108 107 xtxl Capitulo 6 PROPIEDADES MECANICAS DE LOS METALES 113 6.1 Introduccion 114 62__ Conceptos de esfuerzo y deformacién 114 DEFORMACION ELASTICA 118 63 Comportamiento bajo cargas uniaxiales . 118 64 Anelasticidad 121 65 _ Propiedades elisticas de los materiales 122 DEFORMACION PLASTICA 125 6.6 Propiedades de tracci6n 125 67 TensiGn y deformacién reales 132 68. Recuperacién eléstica durante ta deformacién plastica 235 69 Deformacién por compresi6n, por cizalladura y torsional 135 6.10 Dureza 136 6.11 Variabiliad de las propiedades de tos materiales 142 6.12 Factores de seguridad 144 Resumen 145 ‘Términos y conceptos importantes Bibliogratia 146 Problemas y cuestiones 146 146 4 Capitulo 7 DISLOCACIONES Y MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO 157 74 Introduccin 158 DISLOCACIONES Y DEFORMACION STICA 158 72 Conceptos bisicos 158 73, Caracteristicas de les disfocaciones 161 74 Sistemas de deslizamiento 163 75. Eldestizamiento en monocristales 164 7.6 Deformacién plistica de materiales policristalinos 168 7.1. Deformaci6n por maclado 169 MECANISMOS DE ENDURECIMIENTO DE LOS METALES — 170 78 Endurecimiento por reduccién del tamaio de grano 171 7.9 Endurecimiento por disolucién sotida 173, 7.10 Endurecimiento por deformacion 175 RECUPERACION, RECRISTALIZACION Y CRECIMIENTO DELGRANO 178 TAL Recuperacin 179 7.12 Recristalizacion 179 7.413. Crecimiento del grano 284 Resumen 185 Términos y conceptos importantes Bibliografia 186 Problemas y cuestiones 187 186 INDICE ANALITICN Capitulo & ROTURA 193, 8.1 Introduccion 194 FRACTURA 194 82 Fundamentos de fractura 194 83° Fracturaductil 195 84° Fractura frégil 198 85 Principios de mecinica de la fractura 199 86 _ Ensayos de fractura por impacto 210 FATIGA 215 87 Tensiones cicliceas 216 88 LacurvaSN 217 89. Iniciacion y propagacion de la grieta 220 8.10. Velocidad de propagacién de fa grivta 223 8.11 Factores que afectan a la vida a fatiga 229 8.12 Influencia del medio 231 FLUENCIA EN CALIENTE 232 8.13. Comportamiento bajo fluencia en caliente 233 8.14 Influencia de la tensidn yde fa temperatura 234 8.15. Métodos de extrapolacin de los resultados 236 8.16 Aleaciones para utilizacién a temperaturas elevadas 238 Resumen 238 ‘Términos y conceptos importantes 241 Bibliografio 242 Froblemas y cuestiones 242 Capitulo 9 DIAGRAMAS DE FASES 257 9. _Introduccign 252 DEFINICIONES Y CONCEPTOS FUNDAMENTALES — 252 9.2 Limite de sotubilidad 252 93 Fases 253 8.4 Microestructura 254 9.5 Equilibrio de fases 254 DIAGRAMAS DE EQUILIBRIO DE FASES. 9.6 Sistemas isomorficos binarios 256 9.7 Sistemas eutécticos binarios 264 9.8 Diagramas de equilibrio con fases 0 compuestos intermedios 274 9.9 Reacciones eutectoide y peritéctica 277 9.10 ‘Transformaciones de fases congruentes 277 9.11 Ceramica y diagramas de fases ternarios 279 9.12 Laregla de las fases de Gibbs 279 EL SISTEMA HIERRO-CARBONO 281 9.13 Diagrama de fases hierro-carburo de hierro (FeFe,C) 281 9.14 Desarrollo de mieroestructuras en aleaciones hierro-carbono 285 9.15 Influencia de otros elementos de aleacién 292INDICE ANALITICO. Resumen 293 vy ‘Términos y conceptos importantes 294 Bibliogratia 295 Problemas y cuestiones 295 Capitulo 10 TRANSFORMACIONES DE FASE EN LOS METALES 303 10.1 Introduccion 304 TRANSFORMACIONES DE FASES 304 10.2 Conceptos fundamentales 304 10.3. Cinética de reacciones en estado s6lido 304 10.4 Transformaciones multifase 306 CAMBIOS MICROESTRUCTURALES Y DE PROPIE DADES EN ALEACIONES HIERRO-CARBONO — 307 10.5 Diagramas de transformaci6n isotérmica 307 10.6 Diagramas de transformacién por enfriamiento continuo 320 10.7. Comportamiento mecéinico de los aceros al carbono 323 108 Martensita revenida 326 10.9. Revisin de las transformaciones de fase de los aceros 329 Resumen 330 Bibliogratia 330 Términos y conceptos importantes 331 Problemas y cuestiones 331 apitulo 11 TRATAMIENTOS TERMICOS DE ALEACIONES METALICAS 337 111 Introducci6n 338 RECOCIDO 338, 1.2 Proceso de recocido 338 13. Eliminacin de tensiones 339 4. Recocido de aleaciones férreas 339 TRATAMIENTOS TERMICOS DE LOS ACEROS 34 ILS Templabilidad 341 11,6 Influencia del medio de temple, tamafo y geometrfa de la muestra — 346 ENDURECIMIENTO POR PRECIPITACION 349) 1.7 Tratamientos térmicos 350 11.8 Mecanismos de endurecimi 11,9 Otras consideraciones 355 Resumen 355 Términos y conceptos importantes Bibliogratia 356 Problemas ycuestiones 356 0 353 356 Cepituto 1? ALEACIONES METALICAS 359 Introduccién 360 xin CONFORMACION METALICA. 360 12.2 Hechurado 361 123 Moldeo 362 124 Otras téenicas 363 ALEACIONES FERRFAS — 364 125 Aceros 364 126 Fundicién 310 ALEACIONES NO FERREAS 3 12.7 Cobre y sus aleaciones 376 128 Aluminio y sus aleaciones 378 12.9 Magresio ysus aleaciones 378 12.10 Titanio y sus aleaciones 380 12.11 Metales refractarios 380 12.12 Superateaciones 381 , 12.13 Metales nobles 382 12.14 Otras aleaciones no férreas 382 Resumen 383 - Términos y conceptos importantes 384“ Bibliograila 384 Problemas ycuestiones 384 Capitulo 13 ESTRUCTURA Y PROPIEDADES DE LAS CERAMICAS 387 13.1 Intyoduccién 388 ESTRUCTURAS CFRAMICAS 388 13.2 Estructuras cristalinas 388 133. Cerdmicas formadas por silicatos 399 134 Catbono 404 : 135. Imperfecciones de tascerémicas 408 13.6 Diagramas de fases ceramicos 412 PROPIEDADES MECANICAS 416 13.7 La fractura frégil de las cerdmicas 416 138 Comportamiento tensién-deformacién 418, 13.9. Mecanismos de deformacién plastica 420 13.10 Otras consideraciones mecénicas 422 Resumen 424 ‘Términos y conceptos importantes, 425 Bibliogratia 425 Problemas y cuestiones 426 Capitute 14 APLICACIONES Y CONFORMADO DELAS CERAMICAS 431 14.1 Introduccion 432 VIDRIOS 4 142 Propiedades de los vidrios 432 143 Conformado del vidrio 436 144 Vidrios tratados térmicamente 438, 145 Cerémicas vitreas 439 PRODUCTOS DE ARCILLA 440 146 Caracteristicas de la arcilla 440 14.7 Composiciones de tos productos de arcilla 441xiv 14.8 Técnicas de fabricacién 441 149 Secadoycocido 443 REERACTARIOS 444 14.10 Refractarios de arcilla 446 14.11 Refractarios de sfice 446 14.12 Refractarios basicos 447 14.13 Refractarios especiales 447 OTRAS APLICACIONES Y METODOS DE PROCESADO 447 14.14 Abrasives 447 14.15 Prensado de polvo 449 14.16 Cementos 450 14.17 Cerdmicas avanzadas 452 Resumen 455 Términos y conceptos importantes 456. Bibliogratia 456 Cuestiones y problemas 457 INDICE ANALFTICO Apéndice A SISTEMA INTERNACIONAL DE UNIDADES (SI) A-t Apéndice B CONFIGURACIONES ELECTRONICAS DE LOS ELEMENTOS A-3 Apéndice C PROPIEDADES DE MATERIALES PARA INGENIERIA SELECCIONADOS —A-7 PUESTAS A LOS PROBLEMAS +1 INDICE ALFABETICO |.LISTA DE SIMBOLOS Entre paréntesis se indica el ntimero de la seccién donde se introduce un simbolo A= érea A = unidad angstrom A,= peso atémico del elemento i (2.2) % AR = ductilidad, en porcentaje de reduccién de érea (6.6) pardmetro de red: longitud de la arista del eje.x de la celdilla unidad GB.4) longitud de una arieta superficial (8.5) 1% at = porcentaje atémica (4.3) B = densidad de flujo magnético (induccién) (21.2 B, = remanencia magnética (21.7) BCC = estructura cristalina ciibica centrada en el cuerpo (3.4) ‘b= parémetro de red: longitud de la arista del eje y de la celdilla unidad B.7) b= vector de Burgers C= capacidad (19.17) C)= concentracién del componente i Cy, Cp = capacidad calorifica a volumen constante , capacidad caloritica a presién constante (20.2) VPC = velocidad de penetraci6n de la corrosién (18.3) CVN = ensayo Charpy con entalla en forma de V (8.6) jorcentaje de trabajo en frio (7.10)Xv ISTADESIMBOLOS = pardmetro de red: longitud de la arista del ejez de la celdilla unidad (3.7) c=velocidad de la radiacién electromagnéticaenel vacio (22.2) Coeficiente de difusién (5.3) desplazamiento dieléctrico (19.18) d=diémeso didmetro medio de grano (7.8) dyya= distancia interplanar entre planos de indices de Miller h, ky (3.15) E = energfa (2.5) E=médulo de elasticidad o médulo de Young (6.3) intensidad del campo eléctrieo (19.3) Ey= energia de Fermi (19.5) E, = intervalo de energia prohibida (19.6) E,(() = médulo de relajacién (16.6) %EL = ductilidad, en porcentaje de efongacién (6.6) -arga eléctrica del electrén (19.7) = electr6n (18.2) % en peso = porcentaje en peso (3.4) exp =e, la base de los logaritmos naturales ~ fuerza interatmica 0 mecénica (2.5, 6.2) = constante de Faraday (18.2) FCC= estructura cristalina cubica centrada en las caras G4) FEA = factor de empaquetamiento atémico (3.4) fer = funcién de error gausiano (5.4) G = médulo de cizallamiento (6.3) H = campo magnético (21.2) H, = coercitividad magnética (21.7) HBB = dureza Brinelt (6.10) HC = estructura cristalina hexagonal compacta (3.4) HK = dureza Knoop (6.10) HRB, HRC, HRF = dureza Rockwell: escalas B, Cy F (6.10) HRISN, HR3OT, HR45W = dureza superficial Rockwell: escalas 15N, 30T y 45W (6.10) HV = dureza Vickers (6.10) f= constante de Plartck (22.2) (hkl) = indices de Miller de un plano cristalogréfico G9) T= corriente eléctrica (19.2) = intensidad de radiacién electromagnética (22.3) i= densidad de corriente (18.3) ic = densidad de corriente de corrosién (18.4) flujo de difusién (5.3) densidad de corriente eléctrica (19.3) K = factor de intensidad de tensiones (8.5) enacidad de fractura (8.5) DK,,= tenacidad de fractura en deformacién plana para el modo I de desplazamiento superficial de grieta (8.5) _— k = constante de Boltznann (4.2) k = conductividad térmica (20.4) I= longitud 1, = longitud de fibra critica (17.4) In = Sogaritmo natural log = logaritmo base 10 ‘M = magnetizacién (21.2) ‘M,= peso molecular medio numérico de wn polimero (15.5) M,,= peso molecular medio masico de un polimero (45.5) %mol = porcentaje de moles N= niimero de ciclos de fatiga (8.8) Na =niimero de Avogadro (3.5) Np= vida a la tatiga (8.8) ‘n= niimero cudntico principal (2.3) n= niimero de dtomos por celdilla unidad (3.5) n= exponente de endurecimiento por deformacién (6.7) n=niimero de electrones en una reaccién electroquémica (18.2) ‘n= ntimero de electrones de conduccién por metro iibico (19.7) n= indice de refraccién (22.5) n'= en cerdmicas,swimero de unidades-férmula por metro cabi- co (13.2) grado de polimerizacién medio numérico (15.5) ny = grado de polimerizacién medio mésico (15.5) P = polarizaci6n de un dieléctrico (19.18) relacisn (P-B) = relaci6n de Pilling-Bedworth (18.10) p=simero de huecos por metro evbico (19.10) Q=energia de activacion Q = magnitud de carga almacenada (19.17) R= radio atémico (3.4) R= constante de los gases r= distancia interatémica (2.5) rr= velocidad de reaccién (103, 18.3) ra, Te= Fadios idnicos del ani6n y del cation (13.2) 5 = amplitud del esfuerzo de fatiga (8.8) SEM = microscopia 0 microscopio electrénico de barrido T= temperatura T= temperatura de Curie (21.6) Tc = temperatura critica de un superconductor (23.11) T, = temperatura de transici6n vitrea (14.2) Tm = vemperatura de fusién TEM = microscopia © microscopio electrénico de transicién TS = resistencia a la traccion (6.6) t= tiempo f, = tiempo a la ruptura (8.13) U, = médulo de resilencia (6.6) (uvw] = indices de las direcciones cristalogréticas (3.8) ISTA DE SIMBOLOSxvi jiferencia de potencial eléctrico (voltaje) (18.2) TisTADESIBOLOS — Ve = volumen de la celdilla unidad (3.4) Vc= potencial de corrosién (18.4) Viq = voltaje Hall (19.13) V; = fraccién volumétrica de la fase i (9.7) v= velocidad % vol = porcentaje de volumen W, = fraccién masica de la fase i (9.7) longitud 2 = coordenada del espacio Y= pardmetro adimensional en las expresiones de tenacidad de fractura (8.5) y= coordenada del espacio z= coordenada del espacio = pardmetro de red: angulo de los ejes y-z de la celdilla unidad (3.7) , B, Y= designaciones de fases = coeficiente de dilatacién lineal (20,3) arémetro de red: Angulo de los ejes x-z de la celdilla unidad (3.7) pardmetro de red: éngulo de los ejes.x-y de la celditta unidad (3.7) {= deformacién por cizalladura (6.2) -ambios finitos en los parémetros a cuyos simbolos precede leformacién nominal (6.2) ermitividad dieléctrica (19.17) onstante dieléctrica o permitividad relativa (19.17) €, = velocidad de fluencia estacionaria (8.13) e7= deformacién real (6.7) 11= Viscosidad (13.9) 11 = sobrevoltaje (18.4) 6 = dngulo de difracciGn de Bragg (3.15) Gp = temperatura de Debye (20.2) longitud de onda de radiacién electromagnética (3.15) #= permeabilidad magnética (21.2) Hp = magnet6n de Bohr (21.2) H, = permeabilidad magnética relativa (21.2) HM, = movilidad electrénica (19.7) y= movilidad de huecos (19.10) v= relacién de Poisson (6.5) v= frecuencia de radiacién electromagnética (22.2) p= densidad (3.5) p= resistividad eléctrica (19.2) p,~ radio de curvatura del frente de la grieta (8.5) = esfulerzo 0 tensién nominal en tracciGn o en compresién (6.2) @= conductividad eléctrica (19.3) 4g = tension critica para la propagacién de una grieta (8.5) Gn = esfuerzo maximo (8.8) 0,, = tensién media (8.7) Gn, = MOdulo de rotura (13.8)esfuerzo o tensi6n real (6.7) esfuerzo de seguridad o de trabajo (6.12) 6, = limite elastico (6.6) t= esfuerzo de cizalladura (6.2) resistencia del enlace fibra-matriz (17.4) tensidn o esfuerzo de cizalladura resuelto critico (7.5) susceptibilidad magnética (21.2) SURINDICES material compuesto final arotura f= fibra instanténeo m= matriz m, max. = maximo min, = minimo 0 = origen 0=enel equilibrio 0 = enel vacio XIX TISTA DE SIMBOLOSya INTRODUCCION2 INTRODUCCION 1.1 PERSPECTIVA HISTORICA Probablemente, la importancia de los materiales en nuestra cultura es mayor que lo que habitualmente se cree. Précticamente cada segmento de nuestra vida cotidiana esté influido en mayor o menor grado por los materiales, como por ejemplo transporte, vivienda, vestimenta, comunicacién, recrea- ci6n y alimentacién. Histéricamente, el desarrollo y la evolucién de las so- ciedades han estado intimamente vinculados a la capacidad de sus miembros para producir y conformar los materiales necesarios para satisfacer sus nece- sidades. En efecto, las primeras civilizaciones se conocen con el nombre del material que alcanz6 mayor grado de desarrollo (p.cj., Edad de Piedra, Edad de Bronce), El hombre primitivo s6lo tuvo acceso a un ntimero muy limitado de ma- teriales, que encontré en la naturaleza: piedras, madera, arcilla, cuero y po- cos mas. Con el transcurso del tiempo, el hombre descubrié técnicas para producir materiales con propiedades superiores a las de los naturales; entre estos nuevos materiales se encontraban la cerdmica y algunos metales. Ade- mis, se descubrié que las propiedades de un material se podian modificar por tratamiento térmico o por adicién de otras substancias. En este aspecto, la utilizacién de los materiales era totalmente un proceso de selecci6n; esto es, de un conjunto limitado de materiales se decidia cul era, en virtud de sus caracteristicas, el més idéneo para una aplicacién particular. Hace relativa- ‘mente poco tiempo que los cientificos llegaron a comprender la relacién en- tre elementos estructurales de los materiales y sus propiedades. Este conocimiento, adquirido en los Ultimos 50 afios aproximadamente, los ha ca~ pacitado, en alto grado, para modificar o adaptar las caracteristicas de los materiales. Se han desarrollado decenas de miles de materiales distintos con caracteristicas muy especiales para satisfacer las necesidades de nuestra mo- derna y compleja sociedad; se trata de metales, plasticos, vidrios y fibras. El progreso de muchas tecnologfas, que aumentan la confortabilidad de nuestra existencia, va asociado a la disponibilidad de materiales adecuados. Elavance en la comprensi6n de un tipo de material suele ser el precursor del. progreso de una tecnologfa. Por ejemplo, la fabricacién de automéviles fue posible por la aparicién de un acero idéneo y barato o de algiin sustituto comparable. Actualmente los adelantos electrénicos mas sofisticados se ba- san en componentes denominados materiales semiconductores. 1.2. CIENCIA E INGENIERIA DE LOS MATERIALES La disclipina ciencia de los materiales implica investigar la relaciGn entre la estruc- tura y las propiedades de los materiales. Por el contrario, la ingenieria de los mate riales se fundamenta en las relaciones propiedades-estructura y diseiia 0 proyecta Ja estructura de un material para conseguir un conjunto predeterminado de pro- piedades. En este texto se hace hincapié en las relaciones existentes entre las pro- piedades de los materiales y sus elementos estructurales. “Estructura” es un término confuso que necesita alguna explicacién, Normalmente la estructura de un material se relaciona con la disposicién de sus componentes internos. La estructura subatémica implica a los electrones dentro de los atomos individuales y a las interacciones con su nticleo. A nivel atémico, la estructura se refiere a la organizaci6n de étomos o moléculas en- tre sf. El proximo gran dominio estructural, que contiene grandes grupos de4tomos enlazados entre si, se denomina “microscépico" y significa que se puede observar utilizando algin tipo de microscopio. Finalmente, los ele- menios estructurales susceptibles de apreciarse a simple vista se denominan macroseépicos" La nocién de "propiedad" necesita cierta elaboracién. Un material en servicio esté expuesto a estimulos externos que provocan algtin tipo de res- puesta. Por ejemplo, una muestra sometida a esfuerzos experimenta defor- un metal pulido refleja la luz. Las propiedades de un material se expresan en términos del tipo y magnitud de la respuesta a un estimulo es- pecifico impuesto. Las definiciones de las propiedades suelen ser indepen- dientes de la forma y del tamaio del material Todas las propiedades importantes de los materiales sGlidos se agrupan en seis categorias: mecénicas, eléctricas, térmicas, magnéticas, dpticas y qui- micas. Para cada categoria existe un tipo caracteristico de estimulos capaz de provocar respuestas diferentes: Las propiedades mecénicas relacionan la de- formaci6n con la carga o fuerza aplicada; ejemplos de ellas son el médulo eldstico y la resistencia, En las propiedades eléctricas, tales como conducti- vidad eléctrica y constante dieléctrica, el estimulo es un campo eléctrico. El comportamiento térmico de los s6lidos se representa en funcién de la capa- cidad calorifica y de la conductividad térmica. Las propiedades magnéticas se refieren a la respuesta de un material frente a la influencia de un campo magnético. Para las propiedades épticas, el estimulo es la radiacién electro- magnética o luminica; el indice de refraccién y la reflectividad son propieda- des Gpticas representativas. Finalmente, las propiedades quimicas indican la reactividad quimica de un material. En los siguientes capitulos se tratarén las propiedades incluidas en cada una de estas seis clasificacione: GPor qué se estudian los materiales? Muchos cientificos técnicos o inge- nieros, sean mecanicos, civiles, quimicos 0 eléctricos, en alguna ocasién se encontrarén con un problema de disefio en el cual intervengan materiales. El engranaje de una transmisién, la superestructura de un edificio, el com- ponente de una refineria de petr6leo 0 el "chip" de un circuito integrado son algunos ejemplos. Por descontado, el ingeniero y el cientifico de materiales son especialistas totalmente involucrados en Ia investigacién y en el disefio de materiales. A menudo el problema que se presenta es la eleccién del material més idéneo de entre los muchos miles de materiales disponibles. Existen varios criterios en los cuales se basa normalmente ta decisi6n final. En primer lugar, deben caracterizarse las condiciones en que el material prestaré servicio, y se anotardn las propiedades requeridas por el material para dicho servicio. En raras ocasiones un material retine una combinaci6n ideal de propiedades, por lo que, muchas veces, habra que reducir una en beneficio de otra. El ejemplo clésico lo constituyen la resistencia y la ductilidad; generalmente, un material con alta resistencia tiene ductilidad limitada. En estas circuns- tancias habré que establecer un compromiso razonable entre dos 0 més pro- piedades, La segunda consideracién se refiere a la degradacién que el material ex- perimenta en servicio. Por ejemplo, las elevadas temperaturas y los ambien- tes corrosivos disminuyen considerablemente la resistencia mecénica. 4s convincente es probablemente la eco- Finalmente, la consideracién mé némica. {Cudl es el coste del producto acabado? Un material puede que retina un conjunto id6neo de propiedades pero resulte caro. De nuevo se es- 12 CIENCIA a INGENIERIA DELOS MATERIALES4 iNTRODUCCION tablece un inevitable compromiso, El coste de la pieza acabada también in- cluye los gastos de los procedimientos de conformacién para conseguir la forma final. Cuanto més familiarizados estén los ingenieros o los cientificos con las di- ferentes caracterfsticas y relaciones propiedad-estructura de los materiales, asi como con las técnicas de su procesado, mayor seré su habilidad y confian- za para hacer elecciones sensatas basadas en estos criterios. 1.3. CLASIFICACION DE LOS MATERIALES Los materiales s6lidos se clasifican en tres grupos: metales, ceramicas y po- limeros. Este esquema se basa en la composicién quimica y en la estructura at6mica, Por lo general, la mayorfa de los materiales encajan en un grupo u otro, aunque hay materiales intermedios. Ademés, existen otros dos grupos de importantes materiales técnicos: materiales compuestos (composite) y semiconductores. Los materiales compuestos constan de combinaciones de dos o més materiales diferentes, mientras que los semiconductores se ut zan por sus extraordinarias caracteristicas eléctricas. A continuacién se des- criben brevemente los tipos de materiales y sus caracteristicas més representativas. En los capitulos siguientes se estudian con algin detalle los elementos estructurales y las propiedades de cada uno, 1.3.1 Metales Normalmente los materiales metélicos son combinaciones de elementos metélicos. Tienen gran ntimero de electrones deslocalizados, que no perte- necen a ningtin tomo en concreto. La mayorfa de las propiedades de los metales se atribuyen a estos electrones. Los metales conducen perfecta- mente el calor y la electricidad y son opacos a la luz visible; la superficie metélica pulida tiene apariencia lustrosa. Ademés, los metales son resis- tentes, aunque deformables, lo que contribuye a su utilizacién en aplicacio- nes estructurales. 1.3.2 Ceramicas Los compuestos quimicos constituidos por metales y no metales (6xidos, ni- truros y carburos) pertenecen al grupo de las cerdmicas, que incluye mine- rales de arcilla, cemento y vidrio. Por lo general se trata de materiales que son aislantes eléctricos y térmicos y que a elevada temperatura y en ambien- tes agresivos son més resistentes que los metales y los polimeros. Desde el punto de vista mecénico, las cerémicas son duras y muy frégiles. 1.3.3 Polimeros Los polfmeros comprenden materiales que van desde los familiares plasticos al caucho. Se trata de compuestos orgénicos, basados en el carbono, hidr6- geno y otros elementos no metalicos, caracterizados por la gran longitud de Jas estructuras moleculares. Los polimeros poseen densidades bajas y ex- traordinaria flexibilidad.1.3.4 Materiales compuestos Se han diseftado materiales compuestos formados por mAs de un tipo de ma- terial. La fibra de vidrio, que es vidrio en forma filamentosa embebido den- tro de un material polimérico, es un ejemplo familiar. Los materiales compuestos estdn disefiados para alcanzat la mejor combinaci6n de las ca- racteristicas de cada componente. La fibra de vidrio es mecdnicamente re- sistente debido al vidrio, y flexible debido al polimero. La mayorfa de los materiales desarrollados tiltimamente son materiales compuestos. 1.3.5 Semiconductores Los semiconductores tienen propiedades eléctricas intermedias entre los conductores y los aislantes eléctricos. Las caracteristicas eléctricas de los se- miconductores son extremadamente sensibles a la presencia de diminutas concentraciones de étomos de impurezas. Estas concentraciones se deben controlar en regiones espaciales muy pequefias. Los semiconductores posi- bilitan la fabricacién de los circuitos integrados que han revolucionado, en las tltimas décadas, las industrias electronica y de ordenadores. 1.4 NECESIDAD DE MATERIALES MODERNOS A pesar de los espectaculares progresos en el conocimiento y en el desarrollo de los materiales en los tltimos aftos, el permanente desafio teenolégico re~ quiere materiales cada vez més sofisticados y especializados. Desde la pers- pectiva de los materiales se pueden comentar algunos extremos. La energia constituye una preocupacién constante. Se reconoce la nece- sidad de nuevas y econémicas fuentes de energia y el uso més racional de las actuales fuentes. Los materiales desempefian un papel preponderante en esta cuestién. Por ejemplo, se ha demostrado la conversiGn directa de la energia solar en energia eléctrica, peto las células solares emplean algunos de los materiales més complejos y caros. La viabilidad tecnol6gica de esta conversi6n se asegurarfa si se desarrollaran materiales baratos y de alta efi- ciencia para este proceso. La energia nuclear tiene futuro, pero la solucién a los muchos problemas que quedan por resolver est4 relacionada con los materiales: desde el com- bustible a la estructura de los recipientes para controlar los residuos radiac- tivos. La calidad medioambiental depende de nuestra habilidad para controlar Ja contaminacién del aire y del agua. Las técnicas de control de la contami- nacién emplean diversos materiales. Ademés, los procedimientos de fabrica- cin de los materiales deben producir minima degradacién ambiental, esto es, mfnima contaminacién y minima destruccién del paisaje en aquellos lu- gares de donde se extraen las materias primas. Los transportes consumen cantidades significativas de energfa. La dismi- nucién del peso de los vehiculos de transporte (automéviles, aviones, trenes, etc.) y el aumento de la temperatura de funcionamiento de los motores me- joran el rendimiento del combustible. Es necesario desarrollar nuevos ma- teriales con elevada resistencia y baja densidad, as{ como materiales capaces de soportar elevadas temperaturas, para fabricar componentes de motores. Td NECESIDAD DE MATERIALES MODERNOS6 INTRODUCCION La mayoria de los materiales que utilizamos proceden de fuentes no re- novables; es decir, no son capaces de regenerarse. Entre ellos se encuentran los polfmeros, cuya principal fuente es el petrdleo, y algunos metales. Estas fuentes no renovables se empobrecen paulatinamente, por lo que es necesa- rio descubrir nuevas reservas o desarrollar nuevos materiales con propieda- des comparables y con menos impacto medioambiental. Esta tltima alternativa constituye el mayor reto para los ingenieros y cientificos de ma- teriales. BIRLIOGRAFIA El ntimero de Octubre de 1986 de la revista Scientific American, Vol. 255, N°4 esté dedicado enteramente a varios materiales técnicamente avanzados y a Sus Us0s. Las restantes referencias bibliogréficas del Capitulo 1 son libros de texto que tratan los conceptos fundamentales de la ciencia e ingenierfa de los materiales. ASKELAND, D. R., The Science and Engineering of Materials, nd edition, PWS-Kent Publishing Co., Boston, 1989. FLINN, R. A. and P. K. TROJAN, Engineering Materials and Their Applications, 4th edition, Houghton Miffiin Co., Boston 1990. SHACKELDFORD, J. F, Introduction to Materials Science for Engineers, 3rd edition, Macmillan Publishing Company, New York, 1992 SMTi, C.O., The Science of Engineering Materials, 3rd edition, Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, NJ, 1986. Smut, W. F, Foundations of Materials Science and Engineering, 2nd edition, McGaw-Hill Book Co,, New York, 1993. THORTON, P. A. and V, J. COLANGELO, Fundamentals of Engineering Materials, Prentice-Hall, Inc, Englewood Cliffs, NJ, 1985. VAN VLACK, L. H., Elements of Materials Science and Engineering, Addison-Wesley Publishing Co., Reading, MA, 19892 area 7 ATOMICA Y ENLACES INTERATOMICOS8 ESTRUCTURA ATOMICAY INTERATOMICOS ICAY ENLACES 2.1. INTRODUCCION Algunas de las propiedades més importantes de los materiales solidos de- penden de la disposicién geométrica de los étomos y de las interacciones que existen entre los étomos y las moléculas constituyentes. A fin de preparar al lector para temas posteriores, en este capitulo se considerarn conceptos fundamentales tales como estructura atémica, configuracién electronica en tomos, tabla periddica, y varios tipos de enlaces primarios y secundarios que mantienen unidos a los Atomos que forman los sélidos. Estos temas se tratarén con brevedad, ya que los lectores los suelen conocer. ESTRUCTURA ATOMICA. 2.2 CONCEPTOS FUNDAMENTALES Los étomos constan de niicleos muy pequefios que, a su vez. estén compues- tos de protones y neutrones. Este conjunto esta rodeado de electrones en movimiento. Tanto Jos electrones como fos protones estan eléctricamente cargados. El valor de esta carga es del orden de 1,60x 10"! C, de signo ne- gativo para el caso de los electrones y positivo para los protones, Los neu- trones son eléctricamente neutros. Las masas de estas particulas subatémicas son infinitamente pequeftas; protones y neutrones tienen aproximadamente la misma masa, 1,67 x 1027 kg, que és significativamente mayor que la de un electrén, 9,11 x 107! kg, Cada elemento quimico se caracteriza por el nimero de protones del nii- cleo o ntimero atémico (Z).! Para un dtome cléctricamente neutro, el miime- 10 atémico coincide con el ntimero de electrones. Los valores del mimero atémico, para los elementos que se encuentran en la naturaleza, van desde 1 para el hidrégeno a 94 para el plutonio. La masa atémica (A) de un tomo especifico se puede expresar como la suma de las masas de os protones y los neutrones del nticleo. Aunque el nti- mero de protones es igual en todos los dtomos de un mismo elemento, el nd- mero de neutrones puede variar. Asi, los étomos de un mismo elemento que tienen dos 0 mas masas atémicas se denominan istétopes. El peso atomico corresponde al peso ponderado de las masas atémicas de los is6topos, de acuerdo a la abundancia relativa de cada istopo en la naturaleza. Para cal- cular el peso atémico se utiliza el concepto de unidad de masa atémica (uma). Se ha establecido una escala, donde 1 uma se define como 1/12.de la masa atémica del is6topo mas corriente y abundante del carbono, el carbo- no 12( 2C) (A = 12,0000). De acuerdo con esta escala las masas del protén y del neutrdn son algo mayores que la unidad, y AzZ+N Q1) El peso atomico de un elemento 0 el peso molecular de un compuesto se puede expresar en uma por tomo (molécula) © en masa por mol de mate- ria. En un mol de una substancia hay 6,023 x 10°} (nimero de Avogadro) Atomos o moléculas. Estas dos formas de expresar los pesos atmicos estén relacionadas segiin la siguiente ecuacién: 1 uma/étomo (0 molécula) = 1 g/mol Las palabras escritas en negeita se definen en el Glasario, que sigue al Apéndice CElectrén orbital > Por ejemplo, el peso atémico del hierro es 55,85 umalatomo, 0 55,85 gimol A veces se utiliza uma por dtomo 0 molécula: en otras ocasiones se prefiere (0 kg)/moi. La htima es la empleada en este libro. 2.3 LOS ELECTRONES EN LOS ATOMOS, 2.3.1 Modelo atémico de Bohr A finales de! siglo XIX se constaté que muchos fendmenos que implicaban electrones en los s6lidos no se podian explicar en términos de la mecénica clisica. Por este motivo, pata explicar el comportamiento de entidades at6- micas y subatomicas, se estableci6 un conjunto de principios y leyes conoci- do como mecanica eusntica. La comprensién del comportamienta de los electrones en atomos y sdlidos cristalinos implica necesariamente la discu- sida de conceptos de la mecénica cuintica. Sin embargo, la explicacién deta- llada de estos principios se escapa del propésito de este libro, donde se da un tratamiento superficial y simplificado. Una primera consecuencia de la mecénica cudntica fue el modele atémi- 0 de Bobr simplificado, donde se supone que los electrones giran alrededor del nticleo atémico en orbitales discretos, y la posicién de un electrén parti- cularse define, con mayor o menor precisién, en términos de su orbital. Este modelo atémico esta representado en la Figura 2.1. Otro importante principio de la mecénica cudntica estipula que las ener- gfas de los electrones estén cuantizadlas; es decir, los electrones s6lo pueden tener valores especificos de energfa. Un electron puede cambiar de energia, pero al hacerlo deberd realizar un salto cudntico a valores de energia permi tidos, bien superiores (con absorcidn de energia), bien inferiores (con emi- sin de energia). Suele ser conveniente pensar que estas energias permiidas al electrén estin asociadas con niveles 0 estados energéticos, Estos estados no varian continaamente con la energia, sino que los estados contiguos estan separados por valores finitos de enetgia. Por ejemplo, los estados de energia permitidos para el dtomo de hidrogeno de Bohr estan represeatads en la Fi- 9 DI LOS ELECTHONES EN LOS ‘ATOMOS Figura 2.1. Representacisin esquems- tica del tomo de Bohr.ESTRUCTURA ATOMIC INTERATOMICOS Figura 2.2 (a) Los tres primeros esta dos energéticos de los electrones segiin el modelo de Bohr para el stomo de hiidedgena. (b) Los tres primeros niveles tenexgéticas dle los electrones segin el modelo meciinico-ondulatorio para el ‘tomo de hidr6geno. (Adaptado de W. G. Moffatt, G. W. Pearsall y J. Wult The Siructure and Properties of Mate: ‘als, Vol. I, Structure, p. 10. Copyright 3964 John Wiley and Soa, In.) gura 2.2, Estas energias son negativas ya que el cero de referencia corres- ponde al electrén libre. Desde luego, el tinico electrén asociado con el tomo de hidrdgeno solo llenara uno de estos estados. Asi, el modelo de Bohr representa el primer intento para describir los electrones de un dtomo en términos de posicidn (orbitales electronicos) y de energia (niveles de energia cuantizados). 2.3.2 Modelo atémico de la mecanica ondulatoria El modelo atémico de Bohr presentaba algunas limitaciones significativas a causa de su incapacidad para explicar varios fendmenos relacionados con los clectrones. La solucidn a estas deficiencias aparecié con el desarrollo de la mecénica ondulatoria (una subdivisién de la mecénica cudntica) y un mode- Jo més adecuado del dtomo. En e] modelo de la meeanica ondulatoria, se considera que el electron presenta la dualidad onda-corptisculo. y el movi- miento de un electron se describe mediante los principios matematicos que rigen el movimiento de las ondas. Una consecuencia importante de la mecénica ondulatoria es que los elec- trones no son tratados como particulas que se mueven en orbitales discretos, sino que la posicién de un electr6n se considera como la probabilidad de en- contrarlo en una zona alrededor del nticleo. En otras palabras. ta posicion se describe como una distribucién de probabilidades 9 ube electronica. La Fi gura 2.3 compara el modelo de Bohr con el de la mecinica ondulatoria re- ferido al tomo de hidrégena. Ambos modelos se utilizan a lo largo de este libro; la eleccidn depende de! modelo que simplifique mas la explicacién. se ixto®= Distancia al nvicieo 1+ Elect oath Qi 5 fa) tb) 2.3.3 Ndmeros cuanticos Empleando la mecénica ondulatoria, cada electron de un tomo se caracte- riza por cuatro parametros, llamados ntimeros cuanticos. El tamafio, la for- ma y la orientacién espacial de la densidad de probabilidades de un electrén estén determinados por tres de estos ntimeros cudnticos. Ademés, los ntime: Fos cudnticos separan los niveles energéticos de Bohr en subniveles e indican el niimero de estados de cada subnivel. Los niveles estan determinados por el ntimero cudntico principal n, que toma valores enteros empezando por la unidad. A veces, los niveles se designan con las letras K, L, M, N, O,etc., que corresponden, respectivamente, an = 1,2, 3,4,5, etc.,tal como indica la Ta- bla 2.1. Cabe sefialar que este niimero cudntico, y s6lo éste, también esté aso- ciado al étomo de Bohr. El segundo mimero cudntico, l, significa el subnivel y se designa median- te una letra miniscula: s, p, d, 0 f-El niimero de estos stibniveles esta restrin- gido por el valor de n. Los subniveles permitidos para varios valores de n también figuran en la Tabla 2.1, El niimero de estadas energéticos para cada subnivel estd determinado por el tercer nimero cudntico, m). Para wn subni- vel s s6lo existe un estado energético, mientras que para los subniveles p, d y fexisten, respectivamente, tres, cinco y siete estados (Tabla 2.1). En ausen- cia de una campo magnético exterior, los estados dentro de cada subnivel W SENTOS ATOMos Figura 2.3 Comparacién de los, modelos atémicos segiin Bohr (a) y segiin la mecsnica ondulatoria (b) en funcion de Ia distribucién electrénica, (Adaptaclo de Z. D. Jastrzebski, The Nature and Properties of Engineering Materials, 3° edicién, p.4. Copyright 1987 John Wiley and Sons, Nueva * York, Autorizada la reproduccién por John Wiley and Sons, Ine)ESTRUCTURA ATOMICA ¥ ENLACES INTERATOMICOS Figura 24 Representacion esque. tica de las energias relatives de Jos electrones para wares niveles y subni- eles. (De K. M. Ralls, TH Courtney y J. Wulf, Introduction to Materials Science and Engineering, p. 22. 1976 John Wiley and Sons, Nuova. York Auiorizada Ia reproduccién. por John Wiley and Sons, Inc.) Tees iveles y er ‘Mimero de electrones Mimero cudmtice | Desigacion Mimero de | Por principaln | del nivel | Subnivel | estados | subnivel | Por nivel 7 K 5 I 7 2 5 1 2 2 L > 5 é 8 s 1 2 3 M P 3 6 18 a 5 10 s 1 2 P 3 6 ; 4 N a 5 0 2 f 7 M4 son idénticos. Sin embargo. al aplicar un campo magnético los estados de es tos subniveles adquieren valores energéticos algo diferentes. Cada electron tiene asociado un momento de espin, que puede estar orientado hacia arriba o hacia abajo. El cuarto ntimero cudntico m,, esté relacionado con este momento de espin y tiene dos valores posibles sty 4), uno para cada orientacién del espin. De este modo, el modelo de Bohr se perfeccioné mediante la mecénica ondulatoria, la cual, al introducir tres nuevos mimeros cudnticos, da lugar a subniveles dentro de cada nivel. En las Figuras 2.20 y 2.2b se comparan es- tos dos modelos para el atomo de hidrdgeno, En la Figura 2.4 se muestra un diagrama de niveles de energia completo para varios niveles y subniveles segin el modelo de la mecéinica ondulatoria. Conviene destacar varios aspectos de este diagrama: en primer lugar, el ni- — jae (—d—P ‘ ’ | 4—f— 2 se & P Het} tit 12 Nantero cusatico principal, =mero cudntico menor corresponde al nivel energético més bajo; la energia de un estado 1s es menor que la de un estado 2s y ésta, a su vez, es menor que la de un estado 3s. En segundo lugar, en cada nivel, la energia de un sub- nivel se incrementa con el valor del ntimero cudntico /. Por ejemplo, la ener- gia de un estado 3d es mayor que la del 3p, que, a su vez, es mayor que la del 3s. Finalmente, los valores de energfa correspondientes a un estado de un ni- vel pueden superponerse a los valores correspondientes a estados de los ni- veles adyacentes; esto se da especialmente en los estados d y.f. Asi, por ejemplo, la energia del estado de 3d es mayor que la del 4s. 2.3.4 Configuraciones electrénicas En la discusién precedente hemos hablado basicamente de 10s estados elec- trénicos: 1os valores de energia permitidos para los electrones. Para deter- minar como se llenan estos estados con electrones se utiliza el principio de exclusin de Pauli, otro concepto mevénico-cudntico. Este principio estable- ce que cada estado electrénico sélo puede estar ocupado por dos electrones que deben tener espines opuestos. Asi, los subniveless, p, d y f pueden aco- modar un total de 2, 6, 10 y 14 electrones, respectivamente. La Tabla 2.1 in- dica el nimero maximo de electrones que puede ocupar cada uni de los cuatro primeros niveles. No obstante, no todos los estados posibles de un étomo estén llenos de electrones. En la mayoria de los étomios los electrones llenan los estados de menor energia de los niveles y subniveles electrénicos: dos electrones con espines opuestos por estado. La estructura energética del dtomo de sodio estd esquematizada en la Figura 2.5. Cuando todos los electrones ocupan las energias més bajas de todas las posibles y de acuerdo con las anteriores restricciones, se dice que el étomo se encuentra en su estado fundamental. Sin embargo, como se discute en los capitulos 19 y 22, son posibles as tran- siciones del electrén a estados energéticos superiores. La configuracién electronica estructura de un dtomo representa el modo como se van ocu- pando estos estados. En la notacién convencional, el ntimero de electrones de cada subnivel se indica mediante un superindice después del nivel o sub- nivel designado. Por ejemplo, las configuraciones electrdnicas de los dtomos oy = t) ne eae 8 25 bo, 3 23 LOS ELECTRONES EN LOS ‘ATOMOS Figura 2.5 Esquema de os estados energaticas Hlenos para un tomo de sodioINTERATOMICOS ORM ATOMICA ¥ ENLACES de hidrégeno, helio y sodio son 15', 1s*y 1s? 2s? 2p 3s!, respectivamente. En la Tabla 2.2 se dan las configuraciones electrénicas de algunos de los ele- mentos més corrientes. En el apéndice B aparecen tabulados todos los ele- mentos. Conviene hacer algunas consideraciones sobre las configuraciones elec- tr6nicas, Primero, los electrones de valencia ocupan los niveles més exter- nos. Estos electrones son extraordinariamente importantes, puesto que participan en el enlace entre étomos de los agregados atémicos y molecula- res, Ademds, muchas de las propiedades fisicas y quimicas de los s6lidos tie~ nen su explicaci6n en los electrones de valencia, Algunos dtomos que tienen la denominada "configuraci6n electrénica estable" presentan los estados de los niveles més externos 0 de los electrones rete een Elemento Simboto | NAM"? | Configuraci6n electrénica Hidrogeno H 1 fist Helio He 2 fast Litio Li 3 |sas! Berilio Be 4 | 1522s? Boro B 5 | 1522522! Carbono c 6 {1522522p2 Nitrégeno N 7 | 1222522p3 ‘Oxigeno ° 8 |18%25%2p4 Fléor F 9 |1s22s2p> Neon Ne 10 | 1s°2s?2p Sodio Na 11 }1s225%2p 63! Magnesio Mg 12 | 1s225%2p832 Aluminio Al 13 | 19°25%2p%3s?3p! -| siticio si 14 [15%2s22p83e23p? Fosforo P 15 |15°2322p9323p? Azure s 16 | 1522322p5s23p4 loro a 17 | 452242p63523p° Argon Ar 18 |152222p63-23p8 Potasio K 19 | 1922422 323pSas! Caleio 20 | 192222 p63e2Sptas? Escandio 21 | 18224229 83e23phsalas? -Titanio 22 | 152242 aps23p Seas? Vanadio 23 | 1522422p6352phacas? Cromo 24 | 15222ap 0323p %aahast Manganeso 25 | 152262993233? Hierro 26 | 1522s22p63523p Sas? Cobalto 21 | 1s2202ap 6242395374? Niquel 28 |as?2s2op%as2apSsabas? Cobre 29 | 1s22s22p83s23phalast Zine 30 | 1522s2ap63523p6alO4s? Galio 31 | 1822s%2p63523563dl4s%4p! Germanio 32. | 1322s2ap3523s63a!4ctap? Arsénico 33. | 1522s22p63523e63d!4s2ap3 Selenio 34 | 152242 9p952as8aa apt Bromo 35. | 1522s29p93523463a!%4s24p> Cripton 36 1522429 634235634%4s24p®de valencia completamente Henos. Normalmente, esto corresponde a la ocu- pacion de los estados s y p de los niveles més externos por ocho electrones, como en el neén, argon y cripton; el helio es una excepcién ya que sélo con- tiene dos electrones ( 1s). Estos elementos (Ne, Ar, Kr y He) son gases iner- tes o nobles, potencialmente no reactivos. Algunos dtomos de los elementos que tienen niveles de valencia no llenos adquieren la configuracién electr6- nica estable ionizéndose, ganando o perdiendo electrones o compartiendo electrones con otros dtomos, Este es el fundamento de algunas reacciones quimicas y del enlace atémico de los s6lidos, como se explica en la Seccién 26, 2.4 LATABLA PERIODICA. Todos los elementos han sido clasificados en la tabla periédica (Figura 2.6) de acuerdo con la configuracién electrénica. En dicha tabla, los elementos se sittian, segtin una disposicién de ntimeros atémicos crecientes, en siete hile- ras horizontales denominadas periodos. La disposicién es tal que todos los elementos que coinciden en una columna o grupo tienen estructuras electré- nicas de valencia similares, asi como propiedades fisicas y quimicas también Metal 15 "24 TA TABLA PERIODICA No seta a | o cine a 1 | Némero atomico f Intermedio WA IVA VA VIA) NA PE uA Cu | Simbolo i He sat 65s Soin ot Ledites 7] 7) pepo] ey;o) | ti | Be pic {nw | ol pr | Ne ro fons zo {ts | an] as | to Ta] me we ve via vw vi teu ase ae Na | Me in ats | ep | os | car oy | 18 —_ sfx | 2a | 2s | su wl» >ays)sypals)s)s) se)» > as we [os |e Kk} caf} s | om |v | G& | me) re | ce | mi | Cu | am as | Se | Be) ke ox fmm fr Pots fore foe | 1S fas | 1X | ote fas | te 2 2s w7Ts>w)>a >a >e,alsa>s > «|e pe wf > ps ro | se | y | zw | No | mo | te | Ru | me | or | ae | co sh | te | 1 | xe ox fio} | me fore fk | ae faz | 22 | 22 | 1B | AS My fai | as ee lanl [a [ee | eS > Se Gy) 6a fista{ an | ta Re | Os | | om | aD | tg me) Pe | a | Rn oa [os fie} ta | as 9 [22 fae [ab | oe |b rm | oa | 2 | [Sr ~ Fr | Ra | Ac ut | 09 | No Lia Figura 2.7 __ Valores de electronepatividad de los elemestos. (Adaptada de L. Pauling, The Nature ofthe Chemical Bond, 3 edicion, Copyright 1939 y 1940. Copyright 1966 Cornell University. Con autoriznc iin de Cornell University Press.ENLACES ATOMICOS EN LOS SOLIDOS 2.5 FUERZAS Y ENERGIAS DE ENLACE La comprensién de muchas propiedades fisicas de los materiales se basa en el conocimiento de las fuerzas interatémicas que enlazan los étomos. Los principios del enlace atémico se pueden ilustrar mejor considerando la int. racci6n entre dos tomas aislados que se van aproximando desde una distan- cia de separaci6n infinita. A grandes distancias, las interacciones son despreciables, pero al aproximarse, cada étomo ejerce fuerzas sobre el otro. Estas fuerzas son de dos tipos, atractivas y repulsivas; la magnitud de cada una de estas fuerzas varia en funci6n de la separacién o distancia interat6mi- a. El origen de la fuerza atractiva F4 depende del tipo de enlace particular que existe entre los dos dtomos. Esta magnitud, como se esquematiza en la Figura 2.8a, varia con la distancia interatémica. Finalmente, los niveles mas externos de los étomos empiezan a solaparse y aparece una fuerza repulsiva Fp elevada. La fuerza resultante Fy entre los dos stomos es la suma de los componentes repulsivo y atractivo Fy = Fat Fe 22) que también es una funci6n de ta separacién interatémica, como se repre- senta en la Figura 2.84, Cuando los componentes de ambas fuerzas son igua- les, la resultante es nula F,+F, =0 23) Entonces se alcanza el equilibrio. Los centros de los dos étomos permanece- rin separados por la distancia de equilibrio ro, como indica la Figura 2.8a. Para muchos dtomos, rp es aproximadamente 0,3 nm (3 A). Una vez que al- canzan esta posici6n, los étomos contrarrestardn cualquier intento de alejarse © aproximarse mediante fuerzas de atraccién o repulsiOn, respectivamente. ‘A veces es més conveniente trabajar con las energfas potenciales entee dos dtomos en vez de hacerlo con fuerzas. Matemsticamente, la energia (E) y la fuerza (F se relacionan de la siguiente forma: fr ar 24) En sistemas atomicos fry a 5) (2.6) j Fydv E,+E, @7 donde Ey Eqy Epson las energias resultante, atractiva y repulsiva para dos Atomos vecinos aislados, wv 72.5 TUERZAS ¥ ENERGIAS DE ENLACEue ESTRUCTURA ATOMICA V ENLACIS INTERATOMICOS, Figura 2.8 (a) Dependencia de Ins fuerzas repalsva, atractiva y resafiate ‘con la distancia interatsmica entre dos Stomos aisludos. 16) Dependencia dle lus energias repubiva, atractivay otencial resultant con la distancia nteratémica ene dos stomos sislados. \ Fuerza de atraccion Fy Fuerza F 27 Separation intratimicar Fuerza de repulsion Fe t @ _- Engin ce eopulsion Ey ‘atraceién Energia potenciat E Repulsion Enovgia de atraccisn Eg o La Figura 2.8 representa las energias potenciales atractiva, repulsive y resultante en funcién de la separacion interatémica para dos dtommos. La gr- fica de la resultante, que de nuevo es la suma de las otras dos, presenta un minimo de energia potencial, En este caso fa distancia de equilibrio, rp, co- rresponde a la distancia entre tomos en que la grafica de la energia poten- cial es minima. La energia de enlace de estos dos stomos, Ey, corresponde a la energia en este punto minimo (también mostrada en la Figura 2.8) y re- presenta la energia necesaria para separar estos dos étomos una distancia in- finita. El tratamiento anterior corresponde a una situacién ideal referida solo a dos dtomos, pero en los materiales concurren condiciones similares aunque més complejas, puesto que deben considerarse interacciones con muchos lomos que originan fuerzas y enexgias. No obstante, una energia de enlace, andloga a la anterior Ey, puede asociarse a cada atomo. La magnitud de esta energia de enlace y la forma de la grifica de la energia frente a la separacion interatémica varian de un material a otro, y ambas variables dependen del tipo de enlace atémico. Las substancias sélidas se caracterizan por poseer va- lores elevados de energia de enlace, mientras que en el estado gaseoso estosvalores son bajos; en el estado liquido las energias de enlace tienen valores intermedios. Generalmente la temperatura de fusién y las propiedades co- hesivas reflejan la magnitud de la energia de enlace de los materiales sdlidos. En Jos solidios existen tres tipos de enlace quimico o primario: iénico, co- valente y metélico. En todos ellos, él enlace implica a los electrones de va- lencia; por otra parte, la naturaleza del enlace depende de la estructura electrénica de los dtomos constituyentes. Cada uno de estos tres tipos de en- Jace surge de la tendentia de tos dtomos a adquirir la configuracién electré- nica estable, correspondiente al gas inerte, llenando compieiamente de electronesel nivel energético mas externo, también Ilarado nivel de valencia. En muchos materiales sdlidos existen energias y fuerzas fisicas 0 secun- darias, que son mas débiles que las primarias, pero que no influyen en las propiedades fisicas de algunos materiales, Las siguientes secciones explican, varios tipos de enlaces interatémicos primarios y secundarios, 2.6 ENLACES INTERATOMICOS PRIMARIOS. 2.6.1 Enlace iénico ‘Quiz’ el enlace iénico sea el més fécil de describir y de visualizar. Siempre existe ent compuestos formados por elementos metilicos y no metélicos, © sea, entre elementos situados en los extremos horizontales de la tabla perid- dica. Los dtomos de un elemento metalico dan facilmente sus electrones de valencia a dtomos de un no metal, que es, a su vez, un buen aceptor de elec- trones. En este proceso todos los étomos adquieren ta configgiracién estable del gas inerte, para ello se han de ionizar, cargéndose eléctricamente. El clo- ruro sédico (NaCl) es el material i6nico clisico. E) étomo de sodio adquiere la configuracion det nesn (y una carga positiva, Na*) cediendo ef tinico elec tron de valencia 3s a un dtomo de cloro. Después de esta iransferencia elec- trdnica, el ion cloro tiene una carga negativa, Cl’, y una configuracién electrénica idéntica a la del argén. En el cloruro s6dico, el cloro y el sodio existen como iones. Este tipo de enlace esté esquematizado en la Figura 2.9. Las fuerzas atractivas del enlace son fuerzas de Coulomb: tas cargas po- sitivas y negativas se atraen entre si. La energia atractiva, £4, entre dos iones aislados, en funcién de la distancia interatémica esta dada segtin:! Ey -4 (2.8) Andloga ecuacién se establece para !a energia repulsiva e 29) = E, En estas expresiones, A, B y n son constantes que dependen del tipo de jones. El valor de m se aproxima a 8. Laconstante A delta Eeaaci6n 2.8 es igual pe@aze donde €, es la permitivided del vacio (8.85 x 10°" Fim), Zy y Za ou las valencias de los dos tipos de iones y ees la carga del electron (J,6>10 "C), ~~ 2b ENLACES INTERATOMICOS PRIMARIOSFigura 2.9 Representacién esque: matica del enlace j6nico en el eloruro Sédico (NaCl wetza de elace de Covlom &-EG=6-@-9 1 ae a @=@=@Q=O-( ieee Cer = @=( a =e) Yom toy th =@=CQ=@=@) La magnitud del entace iGnico es igual en todas las direcciones alrededor de un ion y se denomina no direccional. Para que un material iénico sea es- table es necesario que todos los iones positivos tengan como vecinos mas proximos, en un esquema tridimensional, jones cargados negativamente, y viceversa. El enlace predominante en los materiales cerémicos es i6nico. Al- gunas disposiciones de los iones para estos materiales se discuten en el Ca- pitulo 13. Las energias de enlace suelen valer de 600 a 1500 kJ/mol (de 3 a 8eVx tomo) y esta elevada cuantia se refleja-en las altas temperaturas de fusién.! La Tabla 2.3 da las energias de enlace y las temperaturas de fusién de varios materiales iénicos, Los materiales iénicos se caracterizan por la dureza, fra- gilidad y por ser tanto eléctrica como térmicamente aislantes. Como se dis- cute en los capitulos siguientes, estas propiedades tienen su origen en la configuracién electrdnica ylo en la naturaleza del enlace idnico. 2 Enlace covalente La configuracién electr6nica estable del enlace covatente se consigue com- partiendo electrones entre étomos vecinos. Dos atomos unidos covalente- mente contribuyen cada uno al enlace con al menos un electron; los electrones compartidos se consideran de ambos dtomos, En la Figura 2.10 esté esquematizado el enlace covalente de una molécula de metano (CHy). El 4tomo de carbono tiene cuatro electrones de valencia, mientras que cada uno de los cuatro dtomos de hidrégeno, tiene un solo electron de valencia. Cada dtomo de hidr6geno adquiere la configuracién electrénica del He (dos electrones de valencia 1s), ya que comparte un electrén con e] dtamo de car- bono. Asi, el carbono tiene ocho electrones, cuatro de los cuales son los elec- trones adicionales compartidos, uno de cada hidrégeno, y la configuracién electrénica del ne6n. El enlace covalente es direccional: existe entre étomos especiticos y s6lo en la direccién que hay electrones compartidos. Muchas moléculas de elementos no metélicos (FH, Clr, Fp, etc.), asi como muchas molécutas que contienen étomos diferentes (CH, H;O, HNOs, HF, 1A veces las enersias de enlace se expresan por 4tomo o por ion. En estas condiciones et electronvoltio (eV) es una unidad de enerpia de un eleirén: sveterado a través de un potencial de un votio. La equivatenca cone julio esta siguiente: 1,602 x10") = 1 eV,Cee es Energia de enlace Tipade | Tipode | —ki/mol | eVéitomo, | Temperatura de enlace | _sustancia | (kcaltmol) | ion, motécula | fusion (°C) 6 6iocissy | 33 801 nico 090 (239) | 52 2800 5 47 1410 Covatemte | ¢ giamanye) | 450 (108) , C(aiamanse) | Ty3 99) | 74 33550 He 07 39 Al 16) | 38 660 Metilico Fe 324 (7) 42 1538 w 406 (07) | 88 3410 849 (203) Van der Ar 08 189 Waals ch | a7 aa | 08 =101 , Nu. 3174) | 036 18 Hidrégeno H,0 032 0 ° 35 (84) 51 (122) @ Zz Electrén compart Electron compart por el carbone or el hidrogeno™ etc.) tienen enlaces covalentes. Ademés, este tipo de enlace aparece en soli- dos elementales, tales, como diamante (carbono), silicio, germanio, y en ‘compuestos s6lidos formados por elementos localizados @ la derecha de la tabla periédica, tales como arseniuro de galio (GaAs), antimoniuro de iridio (IrSb) y carburo de silicio (SiC). El ntimero de enlaces covalentes posibles para un dtomo particular de- pende del nimero de electrones de valencia. Para N’ electrones de valencia, ‘un dtomo puede enlazarse covalentemente, como méximo, con 8-N’ ato- a 76 ENLACES INTERATOMICOS PRIMARIOS | Figura 2.10 Representacién esquems- tica del enlace covalente de una molé- cula de metano (CH,),INTERATOMICOS mos. Por ejemplo, para el cloro N’= 7, y, por tanto, 8 ~ N’= 1; esto significa que un atomo de cloro puede enlazarse con vn sole détamo, como en la mo- Iécula de Cl. Anélogamente, para el carbono N'= 4, por lo que 8- N= 4 y asi cada étomo de carbono tiene cuatro electrones para compartir. El dia- ‘mante es la estructura del carbono interconectada en tres dimensiones, don- de cada étomo de carbono se une covalentemente con otros cuatro étomos de carbono, Esta disposicion esta representada en la Figura 13.15, Los enlaces covalentes pueden ser muy fuertes, como ea el caso del dia- mante, que es un material muy duro y tiene una temperatura de fusién muy elevada, T; > 3550°C (6400°F), pero también pueden ser muy débiles, como es el caso de los enlaces del bismuto, que funde a 270°C (518°F), En la Tabla 2.3 se dan las energias de enlace y las temperaturas de fusién de algunos ma- teriales que poseen enlaces covalentes. Este tipo de enlace es caracteristico de los materiales poliméricos, en los cuales la estructura molecular funda- mental es una larga cadena de dtomos de carbono enlazados covalentemen- te entre si mediante dos de los cuatro enlaces disponibles por étomo. Los dos enlaces restantes normalmente participan en la unidn covalente con otros Atomos. Las estructuras moleculares de los polimeros se discuten con detalle en el Capitulo 15, En realidad, muy pocos compuestos tienen enlaces i6nicos o covalentes puros, sino que tienen enlaces interatémicos parcialmente iGnicos y parcial- mente covalentes. En un compuesto, el grado de participacién de cada uno de estos dos tipos de enlace depende de las posiciones relativas que ocupen los étomos constituyentes en la tabla periddica (Figura 2.6). El mayor grado de carécter iénico lo poseen los enlaces entre étomos de la parte superior de- recha de la tabla periédica con dtomos de la parte inferior izquierda. E) ma- yor grado de cardcter covalente lo presenta tos dtomos no metalicos unidos entre si 2.6.3 Enlace metélico Los metales y aleaciones presentan enlace metiilico. Se ha propuesto un mo- delo muy sencillo que se-aproxima bastante al esquema de este enface, Los materiales metalicos tienen uno, dos o,a lo sumo, tres electrones de valencia. En este modelo, los electrones de valencia del solido no pertenecen a ningiin tomo en particular y son ms 0 menos libres de circular a través de todo el metal. Se puede interpretar que pertenecen al metal, formando un "mar de electrones” o una."nube de electrones". El micleo y los electrones que no son de valencia forman cationes, que poseen una carga positiva igual al total de electrones de valencia por étomo. La Figura 2.11 es una ilustracién esque- mdtica del enlace metélico. Los electrones libres contrarrestan las fuerzas repulsivas generadas entre cationes (cargados positivamente). En conse- cuencia el enlace metélico tiene cardcter no direccional. Los electrones li bres actan como elemento de unidn de los iones cargados positivamente La Tabla 2.3 muestra las energfas de enlace y temperaturas de fusidn de va- rios metales. El enlace generado puede ser fuerte 0 débil; los valores de energia van desde 68 kJ/mol (0,7 eV/atomo) para el mercurio a 850 kJ/mol (88 eV/dtomo) para el tungsteno. Las temperaturas de fusién son ~39 y 3410°C (-38 y 6170°P), respectivamente. Este tipo de enlace es caracteristico de los metales de los grupos 1A y HA del sistema periddico y de todos los elementos metélicos. Estos materialesdebido a los electrones libres, son buenos conductores de Ia electricidad y del calor. 2.7 ENLACE SECUNDARIO O ENLACE DE VAN DER WAALS. Los enlaces secundarios, de Van der Waals, o fisicos son débiles en compa- racién con los primarios o quimicos. Las energfas de enlace caracteristicas son del orden de 10 kJ/mol (0,1 eV/4tomo). En realidad, existen enlaces se- cundarios entre todos los étomos de las moléculas, pero su presencia puede pasar desapercibida si concurre alguno de los tres tipos de enlaces primarios. Este tipo de enlace, el secundario 0 fisico, es evidente en los gases inertes, que tienen configuracién electronica estable, y, ademas, entre moléculas cu- yos ‘tomos estén unidos covalentemente, Las fuerzas de enlace secundario surgen de los dipolos atémicos 0 mole- culares. En esencia, un dipolo aparece si hay alguna separacién entre las re- giones positiva y negativa de un étomo 0 molécula. El entace es el resultado de la atraccién entre el extremo positivo de un dipolo y la region negativa del vecino, como indica a Figura 2.12. Interacciones dipolares ocurren entre dipolos inducidos y dipolos permanentes (que poseen las moléculas pola- res). El enlace por puentes de hidrégeno, un tipo especial de enlace secun- dari, aparece entre moléculas que tienen dtomos de hidrégeno en su constitucién. Seguidamente se discuten los mecanismos de estos enlaces. ©-@--2-@ “ailment 2B 27 ENLACE SECUNDARIO O ENLACE De VAN DER WAALS Figura 2.11 tlustraci6n esquemstica del enlace metslico. Figura 2.12 tlustracién esquemstica del enlace de tipo Van der Waals entre dos dipoles:2 ESTRUCTURA ATOMICA V ENLACES INTERATOMICOS 13 Represemtacion esque: ica de: (a) atomo eléctricamente simétrico y (b) dipolo atémico indy ida, ~ (eo @ Nacleo atémico romeo | (~ > Nube de @Dethotes b oO, 8 2.7.1 Enlace dipolo inducido fluctuante En una molécula que normalmente es simétrica eléctricamente se puede crear un dipolo inducido por Ja distribucién espacial de los electrones res- pecto a los micleos cargados positivamente, como se muestra en la Figura 2.13a. Todos los stomos estin vibrando constantemente y pueden causar distorsiones instanténeas en la simetria eléctrica de los dtomos y maléculas, creando pequefios dipolos eléctricos, como se muestra en la Figura 2,130. A su vez, 10s dipolos suelen desplazar la distribucién electronica de étomos 0 moléculas préximas y generar otro dipolo que luego se enlaza débilmente al primero: este es un enlace de tipo Van der Waals. Estas fuerzas atractivas que se originan entre gran niimero de étomos o moléculas son temporales y su magnitud fluctita con el tiempo. Este tipo de enlace es el responsable de !a condensacién y, a veces, de la solidificacién de los gases inertes y de otras molécutas eléetricamente neu: tras y simétivas, tales como Hy y Cl. En aquellos materiales en los cuales predominan enlaces debidos a dipolos inducidos, las temperaturas de fusion y ebullicién son extremadamente bajas; son los enlaces intermoleculares mas débiles. Las energias de enlace y Jas temperaturas de fusién del argon y det etoro también estén anotadas en la Tabla 2.3. 2.7.2 Enlace dipolo inducido-molécula polar En algunas moléculas existen dipolos permanentes como consecuencia de la distribucion asimétrica de regiones cargadas positiva y negativamente, son las denominadas moléculas polares. La Figura 2.14 es la representacién es- quemitica de una molécula de cloruro de hidrégeno, en la cual el momento dipofar permanente se origina a partir de las cargas positiva y negativa aso- ciada a los extremos del hidrégeno y del cloro en la molécula de HCl. Las moléculas polares también pueden inducir dipolos en las moléculas apolares prOximas, y el enlace es ta resuftante de las fuerzas de atracci6n en- tre dos moléculas. Ademés, la magnitud de este enlace aumenta con los di polos inducidos fluctuantes.2.7.3 Enlace con dipolos permanentes También existen fuerzas de Van der Waals entre moléculas polares adyacen- tes. Las energias de enlace asociadas son significativamente mayores que las de los enlaces entre dipolos inducidos. El tipo de enlace secundario més fuerte, el enlace por puente de hidrége- ‘no, es un caso particular del enlace de molécula polar. Tiene lugar entre mo- éculas con el hidrégeno unido covalentemente al féor (como en el HF), al oxigeno (como en el H,O) y al nitrégeno (como en el NH). Para cada enlace H-F, H-O oN-H, el electron solitario del hidrégeno es compartido con otro tomo. De este modo, el extremo hidrégeno del enlace es esencialmente un simple protén cargado positivamente, sin electrones que lo apantallen. Este extremo de la molécula cargado més positivamente es capaz de generar una elevada fuerza de atracci6n con el extremo negativo de una molécula adya- centte, como se muestra en la Figura 2.15 para el HF. En esencia, este simple protén forma un puente entre dos étomos cargados negativamente. La mag- nitud del enlace por puente de hidrégeno es generalmente mayor que la aso- ciada a otros tipos de enlaces secundarios y puede llegar hasta 51 kJ/mol (0,52 eVimolécula), como se indica en la Tabla 2.3. A consecuencia del en- lace por puente de hidrégeno, las temperaturas de fusidn y ebullicién del fluoruro de hidrégeno (HF) y del agua H,O son normalmente altas, compa- radas con sus pesos moleculares. 2.8 MOLECULAS Para terminar este capitulo trataremos brevemente el concepto de molécula en términos de los materiales s6lidos. Una molécula puede definirse como 25 72.8 MOLECULAS Figura 2.14 Representacién esque. matica de una molécula polar de clo- ruro de hidrégeno (HCD. Figura 2.15 Representacién esque imtica del enlace de hidrégeno en el fluoruro de hidrégeno (HF)ESTRUCTURA ATOMICA V ENLACES NTERATOMICOS, un grupo de étomos unidos entre si por fuertes enlaces primarios. En este contexto, las probetas s6lidas con s6lo enlaces idnicos y metélicos se pueden considerar como una molécula simple. Sin embargo, este concepto no es vs lido para las substancias en las cuales predomina el enlace covalente, como moléculas elementales diatémicas (F, O2, Hh, etc.) y un sin ntimero de com- puestos (HO, CO2, HNO3, Cc, CHy, €te.). En los estados sélido y liquide condensado, los enlaces entre moléculas son secundarios débiles. Por consi- guiente, los materiales moleculares tienen temperaturas de fusién y de ebu- llicién relativamente bajas. Muchos de ellos, los que estdn constituidos por pequefias moléculas de pocos étomos, son gases a temperatura y presién am- biental. Por otro lado, muchos de los modernos polimeros, materiales mole- culares compuestos de moléculas extremadamente grandes, existen como sélidos; algunas de sus propiedades dependen fuertemente de la presenci de enlaces secundarios de Van der Waals y enlaces por puente de hidr6geno. RESUMEN Este capitulo comienza con un repaso de los fundamentos de la estructura atémica y con una exposicién de los modelos electrénicos de los stomos de Bohr y de la Mecdnica Ondulatoria. Mientras que en el modelo de Bohr se considera que los electrones son particulas 0 corpisculos que giran en drbi- tas diseretas alrededor de los nticleos, la mecdnica ondulatoria los considera como ondas y su posici6n se describe en términos de una distribucién de pro- babilidades, Los estados energéticos del electrén se especifican mediante ntimeros cudnticos que indican la colocacién de los electrones en niveles y subniveles. La configuracién electrénica de un dtomo corresponde a la manera de lle- narse los niveles y subniveles cumpliendo el principio de exclusi6n de Pauli La tabla periddica de los elementos, se forma ordenando los distintos ele- mentos de acuerdo con su configuracién electronica de valencia. En los s6lidos, el enlace atémico puede considerarse en términos de las fuerzas y energfas atractivas y repulsivas. En los s6lidos, los tres tipos de en- lace primario son el i6nico, el covalente y el metalico. Para los enlaces at6- micos, los iones se cargan eléctricamente por la transferencia de electrones de valencia de un tipo de étomo a otro; las fuerzas son culmbicas. En el en- lace covatente existe comparticién de electrones de valencia entre 4tomos contiguos. En el enlace metélico, los electrones de valencia forman un "mar de electrones" uniformemente distribuidos en torno a los iones metélicos y acttian de cemento de unién entre ellos. Los enlaces de Van der Waals y por puente de hidrégeno, denominados ambos enlaces secundarios, son débiles comparados con los primiarios. Estos enlaces se originan por las fuerzas de atraccién entre dipoles electronicos, que pueden ser inducidos o permanentes. En el enlace por puente de hidrs- geno se forman moléculas altamente polares al unirse covalentemente al hi- drdgeno o elementos no metdlicos tales como el flor.‘TERMINOS Y CONCEPTOS IMPORTANTES! 4 Configuracion electrénica Dipolo (eléetrico) Electrn de valencia Electtonegativo Electropositive Energia de enlace Enlace covalente Enlace de hidrégeno Enlace iéuico ‘ Enlace primario Enlace secundario Enlace de Van der Waals =stado eleetronico jado fundamental Fuerza de Coulomb Is6t0p0. Mecéinica cudntica Modelo atémico de Bohr PROBLEMAS ¥ CURSONES Modelo mécénico ondulatorio Mol Molécula polar Namero cudntico Peso atsmico Principio exclusion Pauli Tabla periédica ‘Unidad de masa ausmica Enlace metdlico (uma) BIBLIOGRAFIA La mayoria de los concepios de este capitulo figura en los libros de texto de quimica a nivel universitario. A continuacién se hace referencia a dos libros Kourz, J. C. and K. F. PURCELL, Chemistry and Chemical Reactivity, 2nd edition, Saunders College Publishing, Philadelphia, 1991 MasteRTON, W. L. and C. N. HURLEY, Chemisiry, Principles and Reactions, Saunders College Publishing, Philadelphia, 1989. PROBLEMAS Y CUESTIONES 2.4 €@) ZQué es un isétopo? (b) ,Por qué los pesos atémicos de los elementos no son ntimeros enteros? Citar dos razones. Diferencia entre masa atémica y peso atémico. (a) {Cudntos gramos hay en 1 uma de un material? (b) El mol, en este libro, se toma en unidades de mol-gramo, En este contexto, cudntos stomos hay en un mol-peso de una sustancia? (@) Citar dos importantes conceptos mecdnico-cusinticos relacionados con el modelo at6mico de Bohr. (b) Citar dos importantes perfeccionamientos introducidos por el modelo atémico de la mecénica ondulatoria Significado de cada uno de los cuatro némeros cudnticos referente a tos electrones y alos estados electronicos. Los valores asignados a los ntimeros cunticos son los siguientes: n=1,2,3, 1=0,1,2,3,. ‘my =0, 41,42, #3, +12 22 23 24 25 26 nat coil 1En cada capitulo, la mayoria de los términas que se indican en “Términos y conceptos importantes” se definen en el Glosario que sigue al Apéndice C. Los términos que no aparecen en el Glosario sor lo suficientemente importantes como para ser tratados en una seecidn entera del texto, por lo que pueden buscarse mediante el indice analitico 0 el fndice alfabético.28 ESTRUCTURA ATOMICA ¥ ENLACES INTERATOMICOS 28 29 2.40 214 Las relaciones entre my Jas designaciones de nivel est anotadas en la Tabla 2.1. En relaciOn a los subniveles, 1 =O corresponde a un subnivel s 1 | corresponde a un subnivel p 1 = 2 comesponde a un subnivel d 1 =3 corresponde a un subnivel f En el nivel K, los cuatro ntimeros cusinticos para cada uno de los dos electrones en el estado 1s, en el orden nlmym,, son 100(!) y 100!) Eseribir los cuatro nimeros cuanticos para todos los electrones de los niveles L y Me indicar cuales corresponden a los subniveles s,p y d Escribir la configuracion electrénica para los siguientes iones : P™, PY, Sn Se? Fy Ne El 6xido céicico (CaO) presenta predominantemente enlace idnico. ;Cudles son los dos gases inertes que tienen idénticas configuraciones electrOnicas a los iones Ca®* y 02 Con respecto sla configuracién electrénica, ,qué tienen en comiin todos los lementos del grupo LA de la tabla periédica? Sin consultar la Figura 26 ni la Tabla 2.2, indicar si las configuraciones electrénicas siguientes corresponden a un gas inerte, a un haldgeno, a un metal alcalino, a un metal alealinotérreo 0 a un metal de transicién. Justificar la respuesta (a) 152262 2p%s23p (b) 1322s?2p%3s3p034"4s? (ois?2s22p35%3p 63d 04s24p6, (€) 1322s22p63523p asl, () 1322s22p%3s23p°34l4s2ap ead? (0 1s22522ph3s2 (@) En la tabla periddica de los elementos, qué subnivel electr6nico se empieza a Hlenar en la serie de las tierras raras? (b) , Qué subnivel electrSnico se empieza a llenar en la serie de los actinidos? Calcular ta fuerza de atraccidn entre un ion Ca2* y un ion O°, cuyos centras estin separados una distancia de 1.0:nm, La energia potencial entre dos iones contiguos, Ey, se puede considerar como resultante de la suma de las ecuaciones 28 y 2: (2.10) Calcular la energia de enlace, Eo, en funcién de los parimetros A, By 1 utiizando el siguiente procedimiento: 1. Diferenciar Ey con respecto a r, ¢ igualar la expresicn a cero, ya que la grafica de Ey en funcin de r tiene un minimo en Eo. 2. Hallar el valor de r en funcién de A, B, y n, cuando a distancia interidnica esr 3. Mallar una expresion para Ep sustituyendo ry en ka ecuaci6n 2.10. Para el par inico Na’ y Clr las energias atractiva y repulsiva Eq y Ex. respectivamente, dependen de la distancia entre tones r, segin las siguientes 1436 732% 106 =25 2.16 2.22 2.23 Para estas expresiones, las energias estin dadas en electronvoltios para el par Na’ CI y res la distancia en nanémetros. La energia resultante Ey es la suma de las dos anteriores, (2) En un mismo gréfico representar Ey, Ey Ex, en funci6n de ra 1,0 nm. (b) En este grafico representa: (i) la distancia de equilibrio rg entre los jones Na* y CI’ y (ii) la magnitud de la energéa de enlace Eo entre ambos jones. (©) Determinar mateméticamente los valores de ry y Ep utilizando las soluciones del Problema 2.13 y compararlos con los de la parte (b). La energia potencial Ey entre dos iones contiguos a veces se representa por la expresion + Deel 4) (2.11) donde r es Ya separacién interiOnica y C, D y p son constantes cuyo valor depende del material espesifico (@) Deducir una expresién para la enetgia de enlace Ey en funcién de la separacién interi6nica y de las constantes Dy 9 utilizando el siguiente procedimiento: 1, Diferenciar Ey con respecto a r ¢ igualar la expresion a cero. 2, Hallar el valor de C en funcién de D, py ro 3. Hallar un a expresién para Ey substituyendo Cen la Eewaci6n 2.11 (b) Deducir otra expresi6n para Ey en funcién de rp, C y p utilizando un procedimiento andlogo al empleado en la parte a. ‘) Citar brevemente las principales diferencias entre los enlaces iGnico, covalente y metalic. (b) Establecer el principio de exclusién de Pauli Explicar por qué los materiales entazados covalentemente generalmente son menos densos que 10s unidos i6nica o metaticamente. El porcentaje de cardcter i6nico de un enlace entre los elementos A y B (Siendo A el més electronegativo) se puede expresar aproximadamente ‘mediante la siguiente expresion: ses «(1-229 80) em donde Xq y Xp son las electronegatividades relativas de los dos elementos Determinar el porcentaje de cardcter ibnico en los enlaces interatémicos de los siguientes compuestos: MgO, GaP, CsF, CaS y FeO. Representar gréficamente ta energia de enlace en funciGn de las tem- peraturas de fusién de los materiales de la Tabla 2.3. Utilizar este grafico para calcular la energia de enlace aproximada del molibdeno, sabiendo que la temperatura de fusion es de 2617°C Utilizando la Tabla 2.2, determinar el ntimero de enlaces covalentes posibles en los dtomos de los siguientes elementos: germanio, fdsforo, selenio y cloro. {Qué tipos de enlace cabe esperar en cada uno de los siguientes materiales xendn sélido, fluoruro céleico (CaF), bronce, teluro de cadmio (Cae), goma y tungsteno? Explicar por qué el fluoruro de hidrégeno (HF), que tienen un peso molectiat inferior al cloruro de hidrégeno (HCI), presenta temperaturas de ebullicién superiores (19,4 frente a -85°C), Explicar, mediante el enlace de hidrdgeno, el andmalo comportamiento del agua al helarse. ;Por qué aumenta el volumen después de solidificar?LA ESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS CRISTALINOS2 TAESTRUCTURA CRISTALINOS E LOS SOLIDOS 3.1 INTRODUCCION En el Capitulo 2 se han descrito los enlaces atémicos determinados por la configuraci6n electronica de los étomos individuales. Ahora se discute el ni- vel siguiente de la estructura de los materiales: la disposicién adoptada por los étomos en el estado sélido. En este contexto se introducen los conceptos de cristalinidad y no cristalinidad. En los sélidos cristalinos se presenta la no- ci6n de estructura cristalina en términos de la celdilla unidad. Se detallan las tres estructuras cristalinas més frecuentes en los metales en funcién de pla- nos y direcciones cristalogréficas. Se consideran los materiales como mono- cristalinos, policristalinos y no cristalinos. ESTRUCTURA CRISTALINA 3.2 CONCEPTOS FUNDAMENTALES Los materiales s6lidos se pueden clasificar segtin la regularidad con que se sitan, unos respecto de otros, los étomos o iones, En un material cristalino, los dtomos se sittian en una disposicién repetitiva o periddica a lo largo de muchas distancias atémicas; es decir, existe un orden de largo alcance tal que, al solidificar el material, los étomos se sitiian segiin un patrén tridimen- sional repetitivo, en el cual cada étomo esta enlazado con su vecino més pr6ximo. Los metales, muchas cerdmicas y ciertos polimeros adquieren es- tructuras cristalinas en condiciones normales de solidificacién. El orden de largo alcance no existe en los materiales que no cristalizan. Estos materiales denominados no cristalinos 0 amorfos, se discuten brevemente al final de este capitulo. Algunas propiedades de los solidos cristalinos dependen de la estructura cristalina del material; es decir, de la ordenacién espacial de atomos, iones y moléculas. Hay un nimero muy grande de estructuras cristalinas diferentes que tienen, todas ellas, orden at6mico de largo alcance, Estas estructuras va- rian desde las relativamente simples de los metales a las excesivamente com- plejas de los materiales cerdmicos y poliméricos. La presente discusién abarca varias de las estructuras cristalinas de los metales més corrientes. Los Capitulos 13 y 15 se dedican a la estructura cristalina de las cerdmicas y los polfmeros. Al describrir la estructura cristalina se consideran los étomos (0 iones) como esferas s6lidas con diémetros muy bien definidos. Es el denominado modelo atomico de esferas rigidas, en el cual las esferas representan étomos macizos en contacto. La Figura 3.1c muestra un ejemplo de la disposicién atmica de alguno de los metales elementales més corrientes mediante el modelo de las esferas rigidas. En este caso, todos los étomos son idénticos. En el contexto de las estructuras cristalinas a menudo se utiliza la palabra red; en este sentido red significa disposicién tridimensional de puntos coin- cidentes con las posiciones de los atomos (0 centros de las esferas).3.3 CELDILLA UNIDAD Elorden atémico de los slides cristalinos indica que grupos de pocos éto- ‘mos forman un patron que se tepite en el espacio. Al describir la estructura cristalina conviene dividirla en las pequefias entidades, que se repiten, lla- madas celdillas unidad, La celdilla unidad de Ja mayoria de las estructuras cristalinas son paralelepipedos o prismas con tres conjuntos de caras parale- Jas, En la Figura 3.1, y dentro del agregado de esferas, se ha dibujado una cel- dilla, que en este caso es un cubo. La celdilla unidad se elige para representar la simetria de la estructura cristalina, de modo que las posiciones de los éto- ‘mos en el cristal se puedan representar desplazando a distancias discretas la celdilla unidad a lo largo de los ejes. De este modo, la celdilla unidad es la unidad estructural fundamental y define la estructura cristalina mediante su geometria y por la posicién de los étomos dentro de ella. Ordinariamente, la claridad aconseja que los vertices del paralelepipedo coincidan con los cen- tos de las esferas rigidas que representan los étomos. Para definir algunas estructuras cristalinas es necesario establecer mas de una celdilla unidad; sin 33 DAD 33 CELOMLAL Figura 3.1. fstructuracristalina ctbica ‘centrada en las caras: fa} representacién de la celdilla unidad mediante esferas ‘igidas, (6) celdilla unidad representada mediante esferas reducidas y (c) agre- gado de muchos dtomos. (Figura cadap- {ada de W. G. Moffatt, G. W. Pearsall y J. Wulf, The Structure and Properties of ‘Materials, Vol. 1, Structure, p. 51. Copyright 1964 John Wiley & Sons, Nueva York. Reproducida con permiso de John Wiley & Sons, Inc.)TAESTRUCTURA DF 108 SOLIDOS CRISTALINOS, Ratio Radio mea | Exrewee | imo? | meat | ECE | arsmico (nm) (nm) ‘Aluminio | FEC] — 0143 Mobaeno D365 Cadmio HC 0.1490 | Niquel 0.1246 Gromo | Bec | 04249 | Platno 04387 Comto | HC | 0.253 [Plata ous Come | Foc | OMT | Tantato 030 ore Fee | 01842 [Titanio(@) ous Hierro (a) | BCC 0.1241 | Tungsteno 01377 Plomo FCC 01750 | Zine 0,1332, "FCC = ciibica centrada en las caras; HC = hexagonal compacta; BCC = ctibica centrada en el verpo © Un nanémetro (nnt} equivate a 10-9 m. Para convertir los hanometros a unidades angstrom {jes necesario multilicar por 10 valor de los nanémeteos, embargo, generalmente se usa la celdilla unidad que tiene el mayor nivel de simetria geométrica. 3.4 ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS METALES El enlace atémico de este grupo de materiales es metélico y de naturaleza no direccional, Por consiguiente, no hay restriceiones en cuanto al nimero y po- sicién de atomos vecinos més préximos; Io cual conduce, para la mayorfa de los metales, a estructuras cristalinas con gran niimero de vecinos muy préxi- mos y densamente empaquetados. Utilizando el modelo de esferas rigidas en la descripcién de los metales, cada esfera representa un catién en la estruc- tura cristalina, La Tabla 3.1 indica ef radio at6mico para algunos metales. La mayorfa de los metales mds corrientes cristaliza en una de las tres estructuras cristalinas siguientes: ctibica centrada en las caras, cdbica centrada en el cuerpo y hexagonal compacta 3.4.1 Estructura cristalina cubica centada en las caras La estructura cristalina exige que muchos metales tengan una celdifa unidad de geometria ciibica, con los étomos localizados en fos vértices del cubo y en los centros de todas las caras del cubo. Es la denominada estructura cristali- 1g edibica centrada en tas earas (FCC). Cristalizan en esta estructura el co- bre, aluminio, plata y oro (ver Tabla 3.1). La Figura 3.1 muestra el modelo de esferas rigidas de la celdilla unidad FCC, mientras que la Figura 3.16 re- presenta los centros de los dtomos mediante pequemios eirculos, lo que origi- na una mejor perspectiva de las posiciones de los étomos. El agregado de tomos de la Figura 3.1¢ representa una secci6n del cristal formada por mu- chas celdillas unidad FCC. Estas esferas 0 cationes estan en contacto entre sia lo largo de la diagonal. La longitud de la arista del cubo a y el radio at6- mico R se relacionan mediante Ja siguiente f6rmula:a = 2k Gl) Este resultado se deduce en el problema resuelto 3.1. En Jos cristales de estructura FCC, cada atomo del vértice es compartido con ocho celdillas unidad, mientras que los dtomos centrados en las caras s6lo son compartidos con dos celdillas. Esto esta representado en la Figura 3.la, donde s6lo se han dibujado las partes de las esferas integradas dentro del cubo. La celdilla comprende el volumen del cubo generado desde los centros de los étomos de los vértices, como indica la citada figura. Las posiciones de los vértices y de los centros de las caras son equivalen- tes, puesto que el desplazamiento de la celdilla unidad desde ef étomo del ‘vértice original al étomo del centro de una cara no altera la estructura de la celdilla. Dos caracteristicas importantes de la estructura cristalina son el nimero de coordinacién y el factor de empaquetamiento atémico (FEA). En los me- tales, cada dtomo siempre esté en contacto con el misma ntimero de atomos vecinos, que es el niimero de coordinacién. En la estructura cibica centrada en las caras, el ntimero de coordinacién es 12. Esto se confirma examinando Ja Figura 3.1a: el étomo centrado en la cara frontal tiene cuatro étomos ve- cinos corresporidientes a los vértices, cuatro étomos vecinos correspondien- ‘tes a los étomos centrados en las caras y que estén en contacto con él por detrés, y cuatso étomos vecinos equivalentes a estos tltimos pero que perte- necen a la siguiente celdilla unidad (no representada en la figura). EI FEA es la fraccién de volumen de las esferas rigidas en una celdilla unidad en el modelo atémico de las esferas rigidas: ‘olivine ato ui Celia ind FEA = ~~ volumen ila do ls cedila unidad 62) En la estructura FCC el factor de empaquetamiento atémico es 0,74, que es el méximo empaquetamiento posible para esferas rigidas del mismo tama- fio, E] céleulo de este FEA se incluye en un problema resuelto. Los metales més caracteristicos tienen factores de empaquetamiento at6mico relativa- mente grandes, para maximizar el efecto pantalla de la nube de electrones libres. 3.4.2 Estructura cristalina ctibica centrada en’el cuerpo tra estructura cristalina comin en los metales también es una celdilla uni- dad ciibica que tiene 4tomos localizados en los ocho vértices y un étomo en el centro, Esta estructura cristalina se denomina eiibica centrada en el cuer- po (BCC). La Figura 3.2c muestra wa conjunto de esferas que representan esta estructura cristalina, mientras que las Figutas 3.2a y 3.2b son represen- taciones de celdillas unidad mediante los modelos de esfera rigida y de esfe- ra reducida, respectivamente. Los étomos del centro y de los vértices se tocan mutuamente a lo largo de las diagonales del cubo y la longitud a de la arista de la celdilla y el radio at6mico R se relacionan mediante la siguiente f6rmul ee 63) SiR a5 [AIINAS DE LOS METALESa Figura 3.2 Estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo: (a) representacién de la celdilla unidad mediante cesforas rigidas, (6) celdilla unidad representada mediante esferas reducidas y (c} agregado de muchos stomos. ‘Figura c de W. G. Moffatt, G. W, Pearsall y J. Wulf, The Structure and Properties of Materials, Vol. |, Structure, 51. Copyright 1964 John Wiley & Sons, Nueva York. Reproducids cor permisa de john Wiley & Sons, Inc.) El cromo, el hierro y el tungsteno, asf como varios de los otros metales listados en la Tabla 3.1 presentan estructura BCC. Cada celdilla unidad BCC tiene asociados dos stomos: un tomo equiva- Jente’a un octavo de cada uno de Jos ocho atomos de los vértices, que son compartidos con otras oche celdillas unidad, y el 4tomo del centro de la cel- dilla, que no es compartido. Adem, las posiciones de los étomos del centro y del vértice son equivalentes, El niimero de coordinacién de la estructura cristalina eibica centrada en el cuerpo es 8: cada dtomo situado en el centro de la celdilla esta rodeada por ocho dtomos situados en los vértices. Debido @ o Figura 3.3 Estructura crstalina hexagonal compacta: (a) representacién de la cedilla unidad ‘mediante esferas reducidas (a y c representan las arstas corta y larga, respectivamente)y (b) un agregado de muchos stomos. (Figura b de W. G, Moffatt, G. W. Pearsall y . Wulf, The Structure ‘and Properties of Materials, Vol. I, Structure, p. 51. Copyright 1964 John Wiley & Sons, Nueva York. Reproducida con permiso de John Wiley & Sons inc.)aque el ntimero de coordinacién es menor en la estructura BCC que en la FCC, también el factor de empaquetamiento atémico es menor para BCC: 0,68 frente 2 0,74 3, 3 Estructura cristalina hexagonal compacta No todos los metales tienen celdilla unidad con simetria ctibica; 1a sltima es- tructura cristalina que se discute es la que tiene celdilla unidad hexagonal. La Figura 3.3a muestra la celdilla unidad, en el modelo de esferas reducidas, de esta estructura denominada hexagonal compacta (HC). En la Figura 3.35 se aprecia un conjunto de varias celdillas unidad HC. Las bases superior € inferior consisten en hexégonos regulares con sus dtomos en los vértices y uno en el centro. Otro plano que provee de tres étomos adicionales a la cel- dilla unidad esté situado entre ambos planos. Cada celdilla unidad equivale a seis étomos: cada étomo situado en los 12 vértices superiotes e inferiores contribuye con la sexta parte, los 2 étomos del centro de los hexégonos con- tribuyen con la mitad y los 3 étomos del plano central contribuyen entera- mente, En la Figura 3.3a se aprecia que a y ¢ representan las dimensiones corta y larga de la celdilla unidad, respectivamente. La relacién c/a debe ser 1,633; sin embargo, para algunos metales HC esta relacién se desvia del valor ideal. El mimero de coordinaci6n y el factor de empaquetamiento atémico para los cristales de estructuras HC son idénticos que para los FCC: 12 y 0,74, res- pectivamente. Son metales HC el cadmio, magnesio, titanio y zinc; algunos de éstos figuran en la Tabla 3.1. Prone otek omen] Calcular el volumen de la celdilla unidad FCC en funcién del radig at6mico K SOLUCION En la celdilla unidad esquematizada, cada dtomo contacta con el vecino a 10 largo de la diagonal, cuya longitud es 4R, Ya que la celdilla unidades un exbo, suyolumen ¢s a°, donde a esta longitud de la arista. Del triéngulo recténgulo dela cata : e+e = (AR) 37 3.4 ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE LOS METALES‘STRUCTUR: CRISTALINOS DE LOS SOLIDOS ‘de donde se deduce el valor de a, GA) Elvolumen V, de la celdilla unidad vale: QR /2)3=16 R./2 Ga) [reine cr arenes Demostrar que el factor de empaquetamiento atomico para la estructura cristalina FCC es 0,74, SOLUCION EI FEA se define como Ja ftaccién de volumen de esferas rigidas en na celdille unidadt: “a = —_Yolumen total esteras volumen total celdilta unidad Los volmenes de las esferas y de Ia celdilla unidad se pueden calcular en funcién de! radio atémico R. El volumen de cada esfera es 4/3 m R°, y ya que hhay cuatro atomos en cada celdila unidad FCC, el volumen total de las esferas es: 16 tars = 18nR3 (4) gaRS = FRR j s Del problema resuelto 3.1, se deduce que el volumen total de la celdilla, vunidad vale: ¥e= 162 Por lo tanto, el factor de empaquetamiento atémico es % Ge Ve FEA = ce 16R JE = 074 3.5 CALCULO DE LA DENSIDAD El conocimiento de la estructura cristalina de un s6lido metalico permite el célculo de su densidad p mediante la siguiente relaci6n: nA Pee 62) niimero de étomos asociados a cada celdilta anidad A = peso atémico /olumen de la celdilla unidad jimero de Avogadro (6,023 x 10% étomos/mol)39 renin: ae x 3 3.6 POLIMORFISMONY ALOTROPIA, ~ Caleular la densidad del cobre y compararia con la densidad experimental, © sabiendo que tiene tun radio atémico de 0,128 nm (1,28 a, estructura crisialina FCC y un peso atSmico de 63,5 ee SOLUCION i & = Para solucionar este problema se utiliza la Ecuacién 3.5, Puesto que la estructura cristalina es FCC, el niimero de étomos por celdilla unidad, 1, es 4, El peso atémico Ac, ¢ 63,5 g/mol. El volumen dé la celdilla unidad Vie pera FCC se determing en el problema restelto 3.1 como 16 R¥/3, donde R, elradio atomico, mide 0,128 nm, Sustituyendo Jos varios pardmetros en la ecuacion 3.5, AG, NAGy p= VON, (16R3M2)Ny 4étomos/ cella unidad) (63,52/mol, Tea ‘(3,28 x 10-Sem) 3/celdilln unidad) (6,023 x 107? tomos /mol) = 8,89 gfom® sno esd experimen el cobre oe 6.04 nea valor muy. Fesaioa arena 3.4 POLIMORFISMO Y ALOTROP/A Algunos metales y no metales pueden tener més de una estructura un fendmeno conocido como polimorfismo, Si este fendmeno ocurre en un s6- ido elemental se denomina alotropia. La existencia de una estructura cristali- na depende de la presién y de la temperatura exteriores. Un ejemplo familiar es el catbono: el grafito es estable en condiciones ambientales, mien- tras que el diamante se forma a presiones extremadamente elevadas. El hierro puro tiene estructura cristalina BCC a temperatura ambiental y cambia a FCC a 912°C (1674°F). La transformacién polimérfica a menudo va acompaftada de modificaciones de la densidad y de otras propiedades fisicas. 3.7 SISTEMAS CRISTALINOS Existen muchas estructuras cristalinas diferentes y es conveniente clasificar- las en grupos de acuerdo con las configuraciones de la celdilla unidad ylo 1a disposicidn atémica, Uno de estos esquemas s¢ basa en la geometrfa de la celdilla unidad, la forma del paralelepipedo sin tener en cuenta la posicin de los étomos en ta celdilla, Se establece un sistema x, y y z de coordenadas cuyo origen coincide con un vértice de ta celdilla; los ejes.x, y y z coinciden con las aristas del paralelepipedo que salen de este vértice, camo ilustra ta Figura 3.4, La geometrfa de la celdilla unidad se define en funcién de seis pa- rdmetros: la longitud de tres aristas a, b y cy Jos tres éngulos interaxiales c, By ¥ Estos éngulos se denominan parémetros de red de una estructura cris- talina y est4n representados en la Figura 3.4. En este aspecto hay siete diferemtes combinaciones dea, by cy a, By % que representan otros tantos sistemas cristalinos. Estos siete sistemas crista-40 TAESTRUCTURA DELOS SOLIDOS CRISTALINOS, Figura3.4Celdilla unidad con los jes de coordenadas x, y y 2 mostrando las longitudes de las arisas fa, by oy los “ngulos interaxiales (a, By 7). linos son el etibico, tetragonal, hexagonal, ortorrémbico, romboédrico, mo- noclinico y triclinico. En la Tabla 3.2 se dan las relaciones entre parémetros de red y se esquematizan las celdillas unidad. El sistema ctibico con a = cy a= f= y= 90° tiene el mayor grado de simetria. La simetria desaparece en el sistema triclinico ya quea#b#cyazBzy. Dela discusién de las estructuras de los cristales metalicos se deduce que las estructuras FCC y BCC pertenecen al sistema caibico, mientras que la HC cae dentro del hexagonal. La celditla unidad hexagonal convencional realmente consiste en tres paralepipedos situados como muestra la Tabla 32. DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS Al hablar de materiales cristalinos, a menudo es conveniente especificar al- giin plano cristalogréfico de dtomos particular o alguna direccién cristalo- gréfica, Convencionalmente se ha establecido que para designar las direcciones y planos se utilicen tres enteros o indices. Los valores de los in- dices se determinan baséndose en un sistema de coordenadas cuyo origen estd situado en un vértice de la celdilla unidad y cuyos ejes (x, y y z) coin den con las aristas de la celdilla unidad, como indica la Figura 3.4. En los sis- temas cristalinos hexagonal, romboédrico, monoclinico y triclinico, los tres ejes no son perpendiculares entre si, como ocurre en el familiar sistema de coordenadas cartesianas. 3.8 — DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS ‘Una direccién cristalografica se define por una Ifnea entre dos puntos 0 por un vector, Se utiizan las siguientes etapas para determinar los indices de4as tres direcciones. 1. En el origen de coordenadas del sistema se traza un vector de longitud conveniente, Todo vector se puede trasladar a través de la red cristalina sin alterarse, si se mantiene el paralelismo.— == at 38 DIRECCIONES CRISTALOGRAFICAS ‘Sistema Relaci ‘Geometria de la celdilla crisialino | axial | Angulos imeraxiates unidad (Hexagonal = B=90, y= 120° Tetragonal | a=bec Romboédrico Onorrémbico | azbee Monoclinico |aebec}] a=7=90°%B Tricinico farbec| anpeye90°2 UA ESTRUCTURA DELOS SOLIDOS: CRISTALINOS Figura 2.5 Las ditecciones 1001, [1101 y (111) en una celltla wei. 2, Se determina la longitud del vector proyeccién en cada uno de los tres ejes; en funcién de las dimensiones a, b y ¢ de la celdilla unidad, 3. Estos tres ntimeros se multiplican 0 se dividen por un factor comin para reducirlos al valor entero menor. 4. Los tres indices, sin separacién, se encierran en un corchete, asf: [uvw Los ntimeros enteros u, v y w corresponden a las proyecciones reducidas a lo largo de los ejes x, y y z, respectivamente. Para cada uno de los tres ejes existen coordenadas positivas y negativas. Los indices negativos también son posibles y se representan mediante una finea sobre el indice. Por ejemplo, la direccién [171] tiene un componente en la direccién ~y. Cambiando los signos de todos los {ndices se obtiene una di- recci6n antiparalela; por ejemplo, [711] significa la direccién directamente opuesta a [111]. Si en una estructura cristalina particular se deben especifi- car una direcci6n o un plano, conviene, para mantener la coherencia, que la conversién positiva-negativa no se cambie una vez establecida. Las direcciones [100], (110] y [111] son tinicas y estan dibujadas en la cel- dilla unidad mostrada en la Figura 3.5. PROBL EP ‘Determinar los indices de Ia direccién mostrada en la figura adjunta. SOLUCION ‘ El vector dibyjado pasa por el origen det sistema de coordenadas y, por lo tanto, no necesita traslacion, Las proyecciones de este vector en los ejés x, y ¥.z Son, respectivamente, a/2, by Oc, quese cavierten en 1/2,1y Oen términos de los pardmetros de a celdilla unidad (por ejemplo, cuando a, by c desaparecen). La reducci6n de estos niimeros al menor de los enteros se4“ 53 DIRECCIONES CRISVALOGRAFICAS Proyeccion en el eje x: Proyecci6n ‘en el eje yb) PROBLEMA RESUELTO44 Ta ESTRUCTURA De LOSSO CRISTALINOS DOs desplazdndose a unidades a lo largo del eje « Fy des on pooecae aa " plazandose -a unidades en una direccién paralela al eje -, como indica la ‘figura. Este yectornotene componente ya que la proyecion sobre eee z es cero. En algunas estructuras cristalinas, varias direcciones no paralelas con di- ferentes indices son equivalentes; esto significa que el espaciado atémico a Jo largo de cada direcci6n es el mismo. Por ejemplo, en cristales eibicos, to- das las direcciones representadas por los siguientes indices son equivalentes {100},{700}, [010], (070), [001] y [001]. En los cristales eibicos todas las dire ciones que tienen los mismos indices, sin tener en cuenta orden o signo, son equivalentes; por ejemplo, [123] y [213]. Generalmente esta condicién ao se cumple en otros sistemas cristalinos, Por ejemplo, para cristales con simetria tetragonal, las direcciones [206] y (010] son equivalentes, mientras que no lo son Jas {200} y [001]. Por conveniencia, las direcciones equivalentes se agru- pan en familias que se anotan encerradas en un paréntesis angular: ( 100) 3.8.1 Cristales hexagonales Algunas direcciones cristalogréficas equivalentes de los cristales de simetria hexagonal no tienen el mismo conjunto de indices. Este problema se resuel- ve de forma més complicada utilizando el sistema de coordenadas de cuatro ejes, 0 de Miller-Bravais, mostrado en la Figura 3.6. Los tres ejes ay, aa y a3 estan situados en un plano, llamado plano basal, y forman aéngulos de 120° entre sf, El otro eje, z, es perpendicular al plano basal. Los indices de una direcci6n, obtenidos de este modo, se anotan mediante cuatro digitos: [uxt]. Por convencién, los tres primeros indices corresponden a las proyec- iones a lo largo de los ees del plano basal ay, a2 y a3 La conversi6n del sistema de tres indices al sistema de cuatro indices. [u'v'w’] > [uwvew] se consigue aplicando las siguientes fSrmulas: 4 = BQu-v) (33a) (3.60) (3.60) (3.64) donde los indices seffaiados con apéstrofo estén asociados con el sistema tres indices y los que no con el nuevo sistema de Miller-Bravais de cuatro fn: dives; n es el factor requerido para reducir u, v, f y w a los enteros mas pe- quetios. Utilizando esta conversi6n la direccién [010] se convierte en la [1210]. En la celdilla unidad hexagonal (Figura 3.74) estén indicadas varias direcciones diferentes.3.9 PLANOS CRISTALOGRAFICOS, . La orientacién de tos planos cristalogréficos de ia estructura cristalina se representa de modo similar. También se utiliza un sistema de coordenadas de tres ejes y la celdilla utidad es fundamental, como se representa en la Figura 3.4, Los plands cristalograficos del sistema hexagonal se especifican mediante tres indices de Miller (iki). Dos planos paralelos son equivalen- tes y tienen indices idéntico€. El procedimiento utilizado para la determi- nacién de las valores de los indices es el siguiente. 1. Si el plano pasa por el origen, se traza otro plano paralelo con una ade- cuada traslacién dentro de la celdilla unidad o se escoge un nuevo origen en el vértice de otra celdilla unidad. 2. El plano cristalografico o bien corta, 0 bien es paralelo a cada uno de los tres ejes. La longitud de los segmentos de los ejes se determina en fun- cin de los pardmetros de red h, ky I. 3. Se escriben los némeros recfprocos de estos valores. Un plano paralelo aun eje se considera que lo corta en el infinito y, por lo tanto,el indice es cero. 4, Estos tres ntimeros se multiplican o dividen por un factor comin. 5. Finalmente, se escriben juntos los indices enteros dentro de un parén- resis: (hk) 45 3.9 PLANOS CRISTALOGRAFICOS: Figura 3.6 Sistema de ejes de coorde- rnadas para una celdila unidad hexago- nal (esquema Miller Bravais). Figura 3.7 En el. sistema cristalino hexagonal, (a) tas direcciones (0001), {1700} y 11120) y (by los planos (000, orn) y Go10)Plano (01 refed alonigen de ocrdenadss O Plano (10) refrdo , al eigen de conden 0 TA ESTRUCTURA DELO: CRISTALINOS DOS 7 Otr0s planos y equivalentes al (001) Plano (1) reerido al origen de “ egordenadas Otros planos ‘equivalentes () alco) Figura 3.8 Representaclones de pla nos cristalograficos correspondientes a x Equivalents las series (2) (001), (6) (110) y (a.(111), wo aan Una intersecci6n en el sentido negativo del origen se indica mediante una barra o un signo menos sobre el indice. Adems, cambiando el signo de todos los indices se obtiene un plano paralelo opuesto a una distancia equi- vaiente del origen. En {a Figura 3.8 se han representado varios planos con indice bajo. Una caracterfstica nica e interesante de los cristales ctibicos es que los planos y las direcciones que tienen los mismos indices son perpendiculares entre sf. Sin embargo, esta relacién geométrica entre planos y direcciones que tienen tos mismos indices no existe en otros sistemas cristalinos. os JELTO Determinar fos indices de Milfer del plano mostrado en la figura adjunta (a). SOLUCION ee ‘Ya que el platio pasa por el origen O, se debe escoger un nuevo origen en el vértice de la celdilla unidad adyacente, llamado O” y mostrado en la figura (8). Esie plano es paralela al eje x y su interseccidn tiene lugar en sa. Las intersecciones de los ejes y y z, referidos al nuevo origen Q', soni =b y 2, respectivamente, En términos de los parémetros de la red 4, b y c estas intersetciones valen #, -1y 1/2, Las reciprocos de estos niimeros soa 0, 1 y “2. Ya que todos son enteros no es necesaria ninguna reduccion, Finalmente se escriben entre paréntesis (012), :a 3.9 PLANOS CRISTALOGRAFICSS48 TAESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS CRISTALINOS Figura 3.9 (a) Celdilla unidad FCC op esferas eeducidas y con el plano (110). (6) Empaquetamiento atémico de tun plano (110) FCC, cuyas posiciones atémicas se indican en (a. 3.9.1 Disposicién atémica La disposicién atémica de los planos cristalogréficos depende de la estrue- tura cristalina. Los planos at6micos (110) para las estructuras FCC y BCC estan representados en las Figuras 3.9 y 3.10, donde también se incluyen las celdillas unidad con esferas reducidas. Obsérvese que el empaquetamiento atémico es distinto en cada caso. Los circulos representan atomos en los pla- nos cristalogréficos obtenidos cortando por el centro las esferas rigidas. El empaquetamiento atomico puede ser idéntico para varios planos cris- talograficos que tienen diferentes indices, los cuales dependen de la simetria de la estructura cristalina; tales planos constituyen una familia de planos equivalentes. Una familia de planos se designa encerrando los ndmeros con unas llaves. Por ejemplo, los planos (111), (111), (111), (171), (111), (71), (111) y (111) de los cristales cibicos pertenecen a la familia {111}, Sdlo en el sistema cibico, los planos que tienen los mismos indices, independiente- mente del orden y del signo, som equivatentes. Por ejemplo, (123) y (312) pertenecen a la familia {123}. 3.9.2 Cristales hexagonales En ios cristales con simetria hexagonal es deseable que los planos y las di: recciones equivalentes tengan los mismos indices, Io cual se consigue me- diante el sistema de Miller-Bravais mostrado en Ja Figura 3.6, Esta conversién conduce al esquema de cuatro indices (hkil) que clasifica la orientacién de los planos en el sistema cristalino hexagonal. Hay alguna re- dundancia, pues i equivale a la suma de h y &: —(h+k) Los tres indices h, & y son idénticos para ambos sistemas, La Figura 3.7b recoge varios de los planos més comunes de los cristales con simetrfa hexa- gonal, \ 3.10 DENSIDADES ATOMICAS LINEAL Y PLANAR En las dos secciones precedentes se ha discutido la equivalencia entre planos y direcciones no paralelas, y se ha relacionado la equivalencia con el empa-o quetamiento at6mico, Ahora es el momento de introducir los conceptos de densidades lineal y planar. La densidad lineal corresponde a la fraccién de longitud de linea, de una direcei6n cristalogréfica particular, que pasa atra- vés de los centros de los étomaos. Similarmente, la densidad planar es simple- mente la fraccién del rea del plano cristalogréfico ocupada por étomos (representados como circulos); el plano debe pasar a través del centro del tomo para que éste se pueda inciuir. Estos conceptos, uni y bidimensional, al igual que el efecto de empaquetamiento atémico se tratan en los proble- ‘mas resueltos siguientes. 49 “T10-DENSIDADES ATOMIEAS NEAL PLANAR Figura 3.10 (a) Celdilla unidad BCC con esieras reducidas y con el plano (110). (b) Empaquetamiento atémico de ‘un plano (110) BCC, cuyas posiciones Figura 3.11 (@) Celdilla unidad BCC ‘eon esferas reducidas y con la direccion {en} indicada. (6) Distancia interaté- iieaen la direccién (100) de una estruc- {ura crstalina BCC: entre los étomos M y Nee(al.‘caso es el pardmetro de red a: la distancia entre los centros de Jos étomosM_ | 'yN. En funci6n del radio atémico R, (ver ecuacién 3.3) La longitud de la Iinea intersectada por los cftetlos (dtomos My N), Le. €s igual a 2R. La densidad lineal DL es la siguiente relacion 2R 4RB to 10 come) Calcularia densidad del plano (110) del FCC. SOLUCION Elempaquetamiento atémico de este plano se representa en la Figura 3.96, Considérese que la posicién del plano que interseca la celdilla unidad (Figura 3.9b) y luego calcdlese el érea de este plano y el érea total de los cfrculos en funcin del radio atGmico R. La densidad del plano es la relacién de estas dos areas. El 4rea del plano de la celdilla unidad, A,, es la del recténgulo definido por los centros de Jos étomos A, C, Dy F (Figura 3.9b), La longitud det ecténgulo (AC) la anchura (AD ) son, respectivamente ROAR AD = 2R/2 ‘De donde se deduce: (ver ecuacién 3.1) A, = (BC) (AD) = (48) (2R.) = 8R2V2 E1 tea total de los cfrculos es la suma de un euarto correspondiente a los ‘tomos A, C, D y Fy la mitad de los dtomos B y E, lo que da un total de 2 frculos equivalentes. El drea total encerrada en los cfreulos de tos étomos es: A.= Q)xR? ‘La densidad det plano és! : Reon DPe es este x 0.595 3,7 ee Las densidades lineales y planares tienen gran importancia para explicar los deslizamientos, que son el fundamento del mecanismo de la plasticidad , de los metales. Los deslizamientos ocurren en la mayoria de los planos cris talograficos de méximo empaquetamiento a lo largo de las direcciones que tienen el mayor empaquetamiento at6mico.3.11 ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMPACTAS De la discusién de las estructuras cristalinas de los metales se deduce que las cestructuras edbica centrada en las caras y hexagonal compacta tienen un fac- tor de empaquetamiento de 0,74, que es el més eficiente empaquetamiento de 4tomos o esferas de igual tamaiio, Ades, las representaciones de la cel- dilla unidad de estas estructuras cristalinas se pueden describir en funci6n de planos compactos de étomos (p. ¢j., planos con la maxima densidad de éto- ‘mos 0 esferas rigidas); una parte de uno de estos planos esté representada en la Figura 3.12 a. Ambas estructuras cristalinas se generan colocando pla- nos compactos uno encima del otro; la diferencia entre las dos estructuras radica en la secuencia de apilamiento. Sia los centros de los atomos que forman un plano compacto los marca- ‘mos con A, al representar ese plano aparecen dos conjuntos de depresiones triangulares equivalentes, constituidas por tres étomos adyacentes, en los que se sitdan los 4tomos del siguiente plano compacto de étomos. Los tridn- gulos que tienen el vértice situado hacia arriba se designan arbitrariamente como B, mientras que los que lo tienen dirigido hacia abajo se denominan tal como se indica en la Figura 3.12a. El segundo plano compacto puede hacer coincidir los centros de los 4to- mos con las posiciones B o C; ambas son equivalentes. Supongamos que las posiciones escogidas arbitrariamente son las B; la secuencia de apilaiento se denomina AB y esté ilustrada en la Figura 3.12b. La diferencia entre FCC y HC radica en la colocacién del tercer plano compacto. Para HC los centros atémicos del tercer plano coinciden con las posiciones A. La secuencia de apilamiento, ABABAB..., se repite, Desde luego la secuencia ACACAC... es equivalente. Los planos compactos del HC son del tipo (0001) y su rela- cin con la celdilla unidad se muestra en la Figura 3.13. 51 3.11 ESTRUCTURAS CRISTALINAS COMPACTAS: Figura 3.12 (a) Un conjunto de pla- nos atémicos empaquetados, Se indi- can las pasiciones A, By C.(b) Secuencia de apilamiento AB de planos atémicos fempaquetados. (Adaptado de W. G. Moffat, G. W. Pearsall y J. Wall, The Structure and Properties of Materials, Vol, 1, Structure, p. 50. Copyright. 1964 John Wiley & Sons, Nueva York. Reproducida con permiso de John Wiley & Sons, Inc.)Figura 3.13 Secuencia de apilamien- to de planos atémicos empaquetados de la estructura hexagonal compacta, (Adaptado de W.G . Moffatt, G. W. Pear- sall y |. Wulff, The Structure and Proper- ties of Materials, Vo. |, Structure, p. 51 Copyright 1964 John Wiley & Sons, Nueva York. Reproducida con permiso de John Wiley & Sons, Inc.) Figura 3.14 (a) Secuencia de apila- miento de planos empaquetados de la estructura cibica centrada en las caras.(b) ‘se ha eliminado un véntce para mostrar la relacién entre et apilamiento de panos atGmicos empaquetados y a estructura Cristalina FCC. El triéngulo trazado corres- pponde a un plano (111). (Figura (b) de W. G. Moffat, G. W. Pearsall y J. Wulff, The Structure and Properties of Materials, Vol. |, Structure, p.51. © 1964 John Wiley and Sons, Nueva York. Reproducida con per ‘miso de John Wiley & Sons, Inc.) En los cristales de estructura ctibica centrada en las caras, los centros de los atomos del tercer plano se alinean con las posiciones C del primer plano (Figura 3.142). La secuencia de apilamiento es ABCABCABC; es decir, se repiteel alineamiento at6mico después del tercer plano compacto. Es menos evidente relacionar el apilamiento de estos planos compactos con la celdilla unidad FCC. Sin embargo, esta relacién se indica en la Figura 3.145; estos planos son del tipo (111). El significado de estos planos compactos FCC y HC se discute en el Capitulo 7.MATERIALES CRISTALINOS Y NO CRISTALINOS 3.12 MONOCRISTALES Cuando la disposicién at6mica de un s6lido cristalino es perfecta, sin inte- rrupciones, a lo largo de toda la muestra, el resultado es un monoeristal. To- das las celdillas unidad estan entrelazadas o unidas del mismo modo y tienen la misma direccién. Los monocristales existen en la naturaleza , pero tam- ign se pueden generar artificialmente. El crecimiento de estos titimos es, por lo general, dificil, ya que el medio se debe controlar cuidadosamente. Si los extremos de un monocristal crecen sin impedimentos externos, el cristal adquiere una forma geométrica regular con caras planas, como las que presentan algunas piedras preciasas. La forma refleja la estructura cris- talina, En la fotografia de la Figura 3.15 aparecen varios monocristales. En Jos dltimos afios los monocristales han adquirido extraordinaria importancia en la moderna tecnologia, sobre todo en microelectrénica, que emplea mo- nocristales de silicio y de otros semiconductores. 3.13 MATERIALES POLICRISTALINOS La mayoria de los s6lidos cristalinos son un conjunto de muchos cristales pe- queias 0 granos. Este tipo de material se denomina policristalino. En la Fi- gura 3.16 se han esquematizado varias etapas de la solidificacién de una muestra policristalina, Al principio, aparecen pequefios cristales 0 nticleos en distintas posiciones. Estas orientaciones cristalogréficas son completa- menente al azat y estén indicadas per cuadrados. Los granos pequefios cre- 53 3:12. MONOCRISTALES wa 2.15 Aspecto de varios mono- Cristales de fluorite, CaF. (Fotografia 138181 P Smithsonian Institution.)TRESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS CRISTALINOS Figura 3.16 Esquemas de varias etapas de {a solidificacion de un material poli- cristalino; las cuarkiculas representan Celdilas unidad. (a) Nucleos de crstali- zacion. (61 Crecimiento de fos cristales Pequetios. También se observa que algin Cristal obstruye el crecimiento de su vecino. (¢) Al terminar la soliificacién aparecen granos de formas imegulates. (d) Bajo el microscopio, la estructura de los granos aparece con lineas oscuras en los limites de grano. {Adaptado de W. Rosenhain, An Introduction to the Study of Physical Metallurgy, 2 edicién. Cons- table & Company Ltd, Landres, 1915.) o @ cen por la sucesiva adicién a Ia estructura de étomos del liquido subentriado. Los extremos de granos adyacentes interacvionan entre sil finalizar el pro- ceso de solidificacién. La Figura 3.16 indica que la orientaciGn cristalogra ca varfa de un grano a otro, También existe alguna irregularidad en la isposicién at6mica en la region donde se unen dos granos: esta érea, deno- minada limite de grano, se discute con mas detalle en la Seccién 45. 3.14 ANISOTROPIA Las propiedades fisicas de algunos monocristales dependen de la direcckin cristalogréfica tomada para su medida. Por ejemplo, el médulo eléstico, la conductividad eléctrica y el {ndice de refraccién pueden tener diferentes va- lores en la direcci6n [100] y en la [111]. La direccionalidad de las propieda- des se denomina anisotropia y esté relacionada con la variacién de la distancia at6mica o iGnica segtin la direccién cristalogréfica. Las substancias cuyas propiedades son independientes de la direccién de la medida se deno- trépicas. La extensién y la magaitud de los efectos anisotrépicos en materiales cristalinos son funci6n de la simetrfa de la estructura cristalina. El grado de anisotropfa se incrementa al disminuir la simetria estructural:~ normalmente las estructuras triclinicas tienen la mayor anisotropfa. En la Tabla 3.3 se dan valores del médulo elastico en las orientaciones (100), [110] y [111] de varios materiales. En la mayoria de los materiales policristalinos, las orientaciones cristalo- griticas de los granos individuales son completamente al azar. En estas cir-Tabla 3.3 Valores del médulo de elasticidad de varios metales y en distintas orientaciones cristalograticas Modulos de elatcidad [psi 10° (Mpa x 10°)] Metal (100) i110] fin] 92 105 10 Aluminio (63.7) (726) (76,1) Cobre 97 189 217 (66.7) (1303) asia) 181 3055 396 Hierro (1250) ios) en 558 358 358 Tungsteno 846) (3340) (3846) Fuente: R.W, Hertzberg. Deformation and Fracture Mechanics of Engineering Material, * edicidn, Copyright 1989 John Wiley & Sons, Nueva York, Reproducido con autorizacién de ohn Wiley & Sons, Inc. cunstancias, aunque cada grano sea anisotrépico, la probeta compuesta de un conjunto de granos, se comporta isotrépicamente, También la magnitud de la propiedad medida significa el promedio del valor direccional. Existen técnicas destinadas a producir materiales policristalinos cuyos granos tienen una orientacién cristalogréfica preferente. Estas técnicas se utilizan cuando interesa obtener caracteristicas anisotrépicas. 3.15 DIFRACCION DE RAYOS X: DETERMINACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS, Muchos de los conocimientos actuales de la disposicién atémica y molecular de los s6lidos resultan de las investigaciones mediante difraccién de rayos X; ademés, los rayos X tienen gran importancia en el desarrollo de nuevos ma- teriales. A continuacién se describe brevemente el fenémeno de la difrac- cién de rayos X y se deducen las estructuras cristalinas y las distancias interplanares utilizando rayos X. 3.15.1 El fenémeno de difraccién cure difraccién cuando una onda encuentra una serie de obstaculos sepa- rados regularmente, que (1) son capaces de dispersar la onda y (2) estén se- Parados por distancias comparables en magnitud’a la longitud de onda. Ademés, la difraccién es la consecuencia de relaciones entre fases especifi- cas, establecidas entre dos 0 més ondas dispersadas por los obstéculos. En la Figura 3.17a se consideran las ondas 1 y 2, que tienen la misma lon- gitud de onda (2) y estan en fase en O-O’. Se supone que experimentan dis- persién al recorrer diferentes caminos. Es importante la relacién entre las, fases de ondas dispersadas, que depende de la longitud del camino. En la Fi- gura 3.17a se aprecia que estas ondas dispersadas (denominadas 1' y 2') con- "3.15 DIFRACCION DE RAYOS X: DETERMINACION DE ESTRUCTURAS56 IAESTRUCTURADELOSS@LIDOS =) Ondat ig, Onda t* CRISTALINOS _—). | he Onda 2 Onda 2 Posiciin —» @ P Onda Onda 3° Figura 3.17 (a) Dos ondas (la 1 y la 2) Dispersion bh | eis) Con emma ng de onda eu pamansencotwe dens deunten — |/P An to Ge dpeston odes 92) = interfieren positivamente. La amplitud de ™N [a onda resultante es la suma de ias L Any ‘ondas dispersadas. (b) Dos ondas (la 3 y - . la 4) con la misma longitud de onda y 4 que resultan desfasadas después de un A fenomeno de dispersion tendas3 y 4 se imterfieren destructivamente, ias ampli- ea tudes de las dos ondas dispersadas se onda 4 ‘Onda 4" o cancelan mutuamente P Posicin —= tinian en fase. Se dice que se refuerzan mutuamente (con interferencia constructiva) y se suman sus amplitudes, como indica el resultado de la de- recha de la figura. Esta es una manifestaci6n de la difraeci6n y los rayos di- fractados estén compuestos de gran wimero de ondas dispersas que se refuerzan mutuamente. Entre ondas dispersadas existen otras relaciones de fases que no condu- cen al reforzamiento mutuo. Esta condicién esta registrada en la Figura 3.176, donde la diferencia entre las longitudes de los caminos después de la dispersi6n es un ntimero impar de semilongitudes de onda. Las ondas dis- persadas no estén en fase, Las amplitudes se anulan entre si o inteyfieren destructivamente (p.¢j., la onda resultante tiene amplitud cero), como indica elextremo derecho de la figura. Existen relaciones de fase intermedias entre estos dos extremos, resultando sélo un reforzamiento parcial. 3.15.2 Difraccién de rayos X y ley de Bragg Los rayos X son una forma de radiaci6n electromagnética que tiene elevada energfa y corta longitud de onda: del orden de los espacios interat6micos de* los s6lidos. Cuando un haz de rayos X incide en un material s6lido, parte de este haz se dispersa en todas direcciones a causa de los electtones asociados a los étomos o jones que encuentra en el trayecto. A continuacin se exami- nan las condiciones necesarias para la difracci6n de rayos X por una dispo- sicién ordenada de étomos.1 Haz inidente DETERMINACION O€ ESTRUCTURAS Figura 3.18 Diraccién de rayos X por -~Q---@---@---0---0---0---©- ~ los planos atémicos (A-A' y 8-8") En la Figura 3.18 se consideran dos planos paralelos de étomos A-A’ y B-B' que tienen los mismos {ndices de Miller h, k y ly estén separados por una distancia interplanar dja). Se supone que un haz paralelo, monocromé- tico y coherente (en fase) de rayos X de longitud de onda A incide en estos dos planos segiin un éngulo @. Dos rayos de este haz, sefialados como 1 y 2, son dispersados por los étomos Py Q. Segin un angulo 8con los planos, ocu- rre una interferencia constructiva de los rayos dispersados 1’ y 2', siempre que las diferencias de recorrido entre 1-P-1' y 2-Q-2' (pj. SO+ OT) equivalgan a un nimero entero, n, de longitud de onda. Es decir, la condi- cién para la difraccién es: 5Q+OT (38) nA = dy, sen0+d,,,sen® = 2d,,,sen0 (39) uso ete La Ecuaci6n 3.9 es conocida como ley de Bragg; donde n és el orden de difraccién, que puede ser cualquier mémero entero (1, 2, 3...) siempre que sen 6 no exceda la unidad. Asf, se obtiene una simple expresiGn que relacio- na la longitud de onda de los rayor X y la distancia interatémica con el én- gulo de incidencia del haz difractado. Si no se cumple la ley de Bragg, ta interferencia es de naturaleza no constructiva y el campo del haz difractado es de muy baja intensidad. La magnitud de la distancia entre das planos de 4tomos contiguos y pa- ralelos (p.¢j, la distancia interplanar d,,,) es funci6n de los indices de Miller (h, Ky D) asi como de los parémetros de red. Por ejemplo, para estructuras cristalinas de simetrfa culbica, ei ee es wee MERE donde a es el parémetro de red (longitud de la arista de la cella unidad).. Los otros seis sistemas cristalinos, anotados en la Tabla 3.2, cumplen relaci nes similares pero mas complejas que las de la Ecuaci6n 3.10. (3.10)58 TRUCTURA DELOSSOLIDOS CRISTALINOS, Figura 3.18 Esquema de un difracté metto de rayos X: T = fuente de rayos X, S= muestra, C= detector, O de la muestra y del detector. je de gio 46 oo La ley de Bragg, Ecuaci6n 3.9, es una condicién necesaria pero no sufi- ciente para la difracci6n en cristales reales. Esta ley especifica condiciones para que ocurra la difraccién en celdillas unidad con 4tomos sélo en los vér- tices. Los 4tomos situados en otras posiciones (p.ej., en las caras y en el in- terior de la celdilla como en FCC y BCC) los centros actiian como centros extras de dispersién que, a ciertos angulos de Bragg , pueden producir dis- persiones desfasadas. El resultado es la ausencia de algunos haces difracta- dos que deberfan estar presentes segiin la Ecuaci6n 3.9. Por ejemplo, para la estructura cristalina BCC, h + k + [debe ser un ntimero par para que tenga lugar la difraccién, mientras que para FCC, h, k y /deben ser todos impares o pares. 3.15.3 Técnicas de difraccién La técnica de difraccién més comin utiliza una muestra pulverizada o poli- cristalina consistente en muchas particulas diminutas y orientadas al azar, que se exponen a una radiacién de rayos X monocromattica. Como cada par- ticula de polvo es un cristal, teniendo gran cantidad de ellos libremente orientados se asegura que algunas particulas estén orientadas adecuada- mente para que sus planos cristalogréficos cumplan las condiciones para la difraccién, El difractémetro es un aparato utilizado para determinar los éngulos en que ocurre difraccién en las muestras pulverizadas, En la Figura 3.19 se ha esquematizado el difractémetro, Una muestra S, en forma de Iémina plana, se coloca de modo que gire alrededor de un eje O, perpendicular al plano . + del papel. En el punto T se genera un haz monocromético de rayos X y las intensidades de los haces difractados se detectan con el contador C. La muestra, la fuente de rayos X y el contador estén en un mismo plano. El contador se instala en un lugar que pueda girar en torno al eje O y la posicién angular, en funcidn de 26, se determina mediante una escala gra-59 ap = DIFRACCION BERATOSX: E DETPRMINAGION DE ESTRUCTURAS Intensidad 40011331) (420) (422) 00 10.0 200 300-400 50,0 60,0700 © 80 90,0 1000 Aagulo de diraccién 20 Figura 3.20 _Espectro de difraccién del plomo pulverizado. (Cotesia de Wesley L. Holman.) duada.! La muestra y el contador se acoplan mecdnicamente de modo que una rotaci6n de la muestra represente un giro 20 del contador, lo cual ase~ gura el mantenimiento de los dngulos incidente y difractado (Figura 3.19). En el trayecto del haz se incorporan calibradores para delimitarlo y focali- zarlo. La utilizacién de un filtro asegura un haz casi monocromético. El contador se mueve a una velacidad angular constante y la intensidad del haz difractado (monitorizada por e} contador) se registra en funcién de 20. El Angulo 2s el denominado dngulo de difraccién y se determina expe- rimentalmente. La Figura 3.20 es un espectro de difraccin de una muestra de plomo pulverizada. Los picos de alta intensidad aparecen cuando algin conjunto de planos cristalograficos cumple la condicién de difraccién de Bragg, Estos picos de la figura corresponden a indices de planes Se han disefiado otras técnicas de polvos en las cuales, en lugar de utilizar el contador, la intensidad y la posicién del haz difractado se registran en una pelicula fotogréfica. Una de las principales aplicaciones de la difractometria de rayos X es la determinacién de estructuras cristalinas. El tamaiio y la geometria de la cel- dilla unidad se deducen de las posiciones angulares de los picos de difrac- cidn, y la disposicién de los étomos en la celdilla se deduce de la intensidad relativa de estos picos. Los haces de rayos X, de electrones y de neutrones también se utilizan para la investigacién de otro tipo de materiales. Por ejemplo, para conocer las orientaciones cristalograficas de monocristales se observan los espectros de difracci6n (lauegramas) de rayos X. La fotografia de la pagina 31 corres- ponde a un cristal de magnesio; ios puntos claros (con la excepci6n del cen- tro) son haces de rayos X difractados por un conjunto especifico de planos cristalogrdficos. Otras aplicaciones de rayos X incluyen el andlisis quimico cualitativo y cuantitativo, la determinacién del tamaiio de grano y las tensio- nes residuales. 1Conviene puntualizar que el simbolo @ ha sido utilizado en dos diferentes contextos en esta discusién. Agul @ representa el dngulo para localizar las posiciones de la fuente y det contador de rayos X. Anteriormente (Ecuacin 3.9) se utiliz6 para establecer el criterio de ‘Bragg para que tuviera Yugar la difraccign,60 TAESTRUCTURA Bi RISTALINOS PROBLEMA RESUELTO 0 Para el hierro BCC, calcular (a) la distancia interplanar y (b) el Angulo de difracci6n para el conjunto de planos (211). El pardmetro de red, para el Fe, es 0,2866 nm (2,866 A). Se utiliza una radiacin monocromatica de una Tongitud de onda de 0,1542 nm (1,542 A) y el orden de difraccién es 1. SOLUCION (@) Lic distancia interplanar dy, se calcula utilizando la Ecuacién 3.10 con a = 0,286 nm, h=2, k=1,y !=1,ya que se consideran los planos (211). Por tanto, ae MM REE , = 82866 nm = 9.1170 nm (1,170 A) IO OHO? (b) El valor de @ se puede cafcular mediante la Ecvaci6n 3.9, con n =1, ya que se trata de una difraceién de primer orden, mk _ (1) (0,1542.nm) _ 2dyy, (2) (0.1170 nm) oe = sen-1 (0,659) = 41,22° send = El Angulo de difraccién, 28, vale: 20 = (2) (A1,22°) = 92.44" 3.16 SOLIDOS NO CRISTALINOS Los s6lidos no eristalinos carecen de un ordenamiento atémico sistemético y regular a distancias at6micas relativamente grandes. Estos materiales tam- bién se denominan amorfos (literalmente significa sin forma) o Kquidos su- benfriados, puesto que la estructura atémica recuerda la de un liquido. La condicién amorfa se visualiza comparando las estructuras cristalina y no cristalina de! material cer4mico di6xido de silicio (SiO,), que puede exis- tir en ambos estados. Las Figuras 3.21a y 3.218 presentan esquemas bidi- mensionales de ambas estructuras de} SiO>, Invariablemente, cada ion silicio se une a tres iones oxigeno en ambos estados, pero la estructura es mucho més desordenada e irregular para la condici6n no cristalina El que un sétido adquiera la forma cristalina 0 amorfa depende de la fa- cilidad con que la estructura at6mica al azar del liquido se pueda transfor- mar en un estado ordenado durante la solidificacion. El material amorfo se caracteriza por la relativamente compleja estructura atémica y molecular, que se puede ordenar con relativa dificultad. El enfriamiento répido favore+ ce la formacién de sdlidos no cristalinos, ya que el proceso de ordenacisa ne- cesita algiin tiempo. Normalmente los metales forman s6lidos cristalinos. Algunos materiales cerémicos son cristalinos, mientras que otros, como los vidrios inorgénicos, son amorfos. Los polimeros pueden ser completamente cristalinos, entera-© tomo de slicio © Aromo de oxigeno @ 6 Figura 3.21 Esquemas bidimensionales de las estructuras de* (a) didxido de silicio cristaina y (b) dioxide de silicio no cristalino mente no cristalinos 0 una mezela de ambos. En los Capitulos 13 y 15 se con- sideran la estructura y las propiedades de ceramicas y polimeros amorfos. RESUMEN En los s6lidos cristalinos los étomos se colocan segtin un modelo ordenado y reiterativo, que contrasta con la distribucién al azar y desordenada de los ‘materiales no cristalinos 0 amorfos. Los étomos se representan como esferas rigidas y la estructura cristalina del solide es la diposicién espacial de estas esferas. Las diferentes estructuras cristalinas se definen en funcién de celdi- llas unidad paralelepipedas, caracterizadas por la geometria y disposicién de Jos étomos. La mayorfa de los metales cristalizan en una de las tres estructuras sim- ples: cdibica centrada en la cara (FCC), cfibica centrada en el cuerpo (BCC) y hexagonal compacta (HC). Dos caracteristicas de la estructura cristalina son el ntimero de coordinacién (niimeto de étomos vecinos més préximos) y el factor de empaquetamiento at6mico (Ia fraccién de volumen de esfera rigida en la celdilla unidad), Las estructuras cristalinas FCC y HC tienen los mismos ntimeros de coordinacién y el factor de empaquetamiento atémico, ya que ambas estructuras se generan por apilamiento de planos compactos de dtomos. Los planos y las direcciones cristalogréficas se especifican mediante indi- ces. La determinacién de los indices se fundamenta en un sistema de ejes co- ordenados definidos por ia celdilla unidad para la estructura cristalina particular. Los indices de la direecién se calculan en funcién de las proyec: ciones del vector en cada uno de los ejes de evordenadas, mientras que los indices del plano se determinan a partir de los reciprocos de las interseccio- nes axiales, Para las celdillas unidad hexagonales, es mas conveniente un es- quema de cuatro indices para direcciones y planos. 61 RESUMEN62 RUCTURA DE LOS CRISTALINOS SOUIDOS Las equivalencias cristalogréficas direccional y planar estn relacionadas con las densidades lineal y planar, respectivamente. El empaquetamiento, atémico (p.e). densidad planar) de esferas en un plano cristalogréfico depen- de de los indices del plano y de la estructura cristalina. Para una estructura cristalina determinada, tos planos que tienen idéntico empaquetamiento aunque tengan indices de Miller diferentes, pertenecen a la misma familia Los monocristales son materiales en que la ordenacién atémica se ex- tiende ininterrupidamente por toda la probeta. En algunas circunstancias, pueden tener caras planas y formas geométricas regulares. La mayoria de los sdiidos cristalinos, sin embargo, son poli 10s, compuestos de mu- chos diminutos cristales provistos de diferentes orientaciones cristalogréfi- cas. La difraccién de rayos X se utiliza para determinar la estructura cristali- na y la distancia interplanar. Un haz de rayos X dirigido a un material cris- talino puede experimentar difraccién (interferencia constructiva) como resultado de la interacci6n con una serie de planos atémicos paralelos segin la ley de Bragg. La distancia interplanar es funcién de los indices de Miller y del parémetro o de los pardmetros de red, asf como de la estructura crista- lina TERMINOS Y CONCEPTOS IMPORTANTES. Alotropia Estructura cristaina Limite de grano Amorfo Factor de empaquetamiento__-Monocristal Anisotropfa alémico (FEA) No cristalino Celdilla unidad Grano Niimero de coordinacién Cristalina Hexagonal compacta (HC) Pardmetro de red Cibica cevirada Indices de Miller Policristalino caras (FCC) Isotrépico Polimorfismo Cibica centrada Ley de Bragg Red cuerpo (BCC) Ditraccion a cristalino BIBLIOGRAFIA AZAROFF, L. H., Elements of X-Ray Crystallography, McGraw. New York, 1968. Reprinted by TechBooks, Fairfax, VA. Baer, C. S, and T. B. MassaLski, Structure of Metals, 3rd edition, Pergamon Press, Oxford, 1980 BRAGG, W. L., The Cristalline State, Vol. I: A General Survey, The McMillan Co. New York, 1934, BUERGUER, M.J., Elementary Crystallography, John Wiley & Sons, New York, 1956. CONEN, J. B., Difractions Methods in Material Science, The McMillan and Co., New ‘York, 1966. City, B. D., Elements of X-Ray Difraction, 2nd edition, Addison-Wesley Publishing Co,, Reading, MA, 1978. WrcKorr, RW. G, Cristal Structures, 2nd edition, Interscience Publishers, 1963. ill Book Company,34 3.2 33 36 37 3.8 39 3.10 PROBLEMAS Y CUESTIONES jtalina? {Cul es la diferencia entre estructura atémica y estructura .Cual es ta diferencia entre una estructura cristalina y un sistema cristalino? Sil radio at6mico del plomo vale 0,175 nm, calcular el volumen atémico de la celdilla unidad en metros cibicos. Demostrar para la estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo que la longjtud de la arista a de la celdilla unidad y el radio atomico R estén relacionados segin a= 4R/./3. Demostrar que, para la estructura cristalina HC, la relaci6n ideal c/a vale. 1,633. ; Demostrar que el factor de empaquetamiento atémico para BCC es 0,68. Demostrar que el factor de empaquetamiento atémico para HC es 0,74. Suponiendo un metal de estructura cristalina cibica simple con los étomos localizados en los vértices del cubo y tocdindose entre silo largo de las aristas del cubo (Figura 3.22). (a) ,Cudl es el némero de coordinacién para esta estructura cristalina? (b) Calcular el factor de empaquetamiento atémico. El molibdeno tiene una estructura cristalina BCC, un tadio atémico de 0,1363 ram y un peso atémico de 95,94 g/mol. Calcular y comparar su densidad con el valor experimental anotado en la Tabla C.2 del Apéndice C. Calcular el radio de un tomo de paladio sabiendo que el Pd tiene una estructura cristalina FCC, una densidad de 12,0 g/cm? y un peso atémieo de 106.4 g/mol Caleular el radio de un atomo de téntalo sabiendo que el Ta tiene una estructura cristalina BCC, una densidad de 16,6 g/cm? y un peso atémico de 180,9 g/mol La Figura 3.22 muestra la estructura ctibica simple de un hipotético metal. Si su peso at6mico es 70,4 gimol y el radio atémico es 0,126 nm, calcular su densidad. El-circonio tiene una estructura cristalina HC y una densidad de 6,51 gem. (a) {Cual es el volumen de la celdilla unidad en metros cdbicos? (b) Si la relaciGn c/a es 1,593, calcular los valores de cy de a Utilizando los datos de peso atémico, estructura cristalina y radio atémico tabulados en la parte interior de la portada, calcular las densidades te6ricas el aluminio, nfquel, titanio y tungsteno y comparar estos valores con las densidades experimentales anotadas en la misma tabla. La relacién c/a para el titanio es 1,58. El niobio tiene wn radio atémico de 0,1430 nm (1,430 A) y una densidad de 8,57 glomS, Determinar si tiene estructura cristalina FCC 0 BCC. Se adjuntan el peso atdmieo, la densidad y el radio at6mico de tres hipotéticas aleaciones. Determinar para cada una sisu estructura cristalina es FCC, BCC ocibica simple y justficarlo, Una celdilla unidad cibica simple se muestra en la Figura 322, “Aleacit Peso atémico Densidad | Radio atémico leacion (g/mol) (eon) | __ tam) x Bi 64 0,122 B 184.4 123 0,146 c 916 96 0,137 ~~ PROBLEMAS Y CUESTIONES[A ESTRUCTURA Dé 10350) CRISTALINOS Figura 3.22 Representacion de la cel- dilla unidad de la estructura cristina ccibica mediante esferas igidas. 3.18 3.19 3.20 3.21 3.22 2.23 Calcular el factor de empaquetamiento atémico del uranio, Los pardmetros de red a, b y cde Ia celdilla unidad, de simetria ortorrémbica, valen 0,286, 0,587 y 0,495, respectivamente; la densidad 19,05 glem’, el peso atémico 238,08 g/mol y el radio atmico 0,1385 nm. Demostrar que la relacié ideal cla para la estructura cristalina HIC es 1, 633. El indio tiene una celdilla unidad tetragonal cuyos parémetros de red a yc valen 0,459 y 0,495 nm, respectivamente. (a) Determinar el némero de étomos en Ia celdilla unidad, si el factor de empaquetamiento atémico y el radio atémico son 0,69 y 0,1625 nm, respectivamente, (b) Calcular la densidad. El peso at6mico del indio es 114,82 g/mol, Eltitanio tiene una celdilla unidad HC y la relaci6n de parémetros de red ofa es 1,58, Si el radio del étomo de Ti es 0,1445 nm, (a) determinar el volumen de la celdilla unidad y (b) calcular la densidad del Ti y compararia con el valor de la literatura. El magnesio tiene una estructura cristalina HC, una relacién c/a de 1,624 y ‘una densidad de 1,74 gjem3, Calcular el radio atémico del Mg, El cobalto tiene una estructura cristalina HC, un radio at6mico de 0,1253 am yuna relacién c/a de 1,623. Calcular el volumen de la celdilla unidad del Co. Esta es la celdilla unidad de un hipotético metal: (a) {A qué sistema cristalino pertenece esta celdilla unidad?. (b) {Como se llama esta estructura cristalina? (© Calcular la densidad del material sabiendo que su peso at6mico es 114 g/mol.Esquematizar la celdilla unidad de la estructura cristalina ortorrémbica centrada en las caras. Dibujar una celdilla unidad ortorrémbica y trazar en ella una direcci6n [271] yun plano (021), Dibujar una celdilla unidad monoelinica y trazar en ellla una direccién [T01] ‘yun plano (200). ‘Aqui se muestran las celdillas unidad de dos hipotéticos metales: (a) {Cuéles son los indices de las direcciones indicadas por los dos vectores ae (a)? (0) {Cudles son 0s indices de los planos indicados en (6)? 65 PROBLEMASY CUESTIONES 3.29 3.30 Dentro de una celdilla unidad cibica trazar las siguientes direcciones: (a) [20x]; 6) 211}; Ce) (102: (#) [373]; te) [LIT]; (0 [212]; @ [312]: ch) (301). Determinar los indices de las direcciones mostradas en la siguiente celdilla unidad cibica: Determinar los indices de las direcciones mostradas en la siguiente celdilla unidad cabica:66 TA ESTRUCTURA DE LOS SOLDOS CRISTALINOS, Hey 3.31 En los cristales tetragonales, citar los indices de las direcciones equivalentes a cada una de las siguientes: (a) [011]; (b) [100]. 3.32 (a) En la celdilla unidad hexagonal, convertir las direcciones [110] y [001] en cel sistema de cuatro digitos Miller-Bravais, (b) Hacer la misma conversién de los planos (111) y (012). 3.33 Determinar los {ndices de Miller de los planas mostrados en la siguiente celdilla unidad: 3.34 Determinar los indices de Miller de los planos mostrados en Ia siguiente celdilla unidad:or ‘PROBLEMAS Y CUESTIONES 3.35 Determinar los fndices de Miller de los planos mostrados en ta siguiente cella unidad: 3.36 Esquematizar los planos (0171) y (2770) en una celdilla unidad hexagonal. 3.37 Determinar los indices de los planos mostrados en las celdillas unidad hexagonales siguientes:68 LA ESTRUCTURA DE LOS SOLIDOS CRISTALINOS 3.38 3.39 3.40 341 3.42 3.43 3.44 3.45 3.46 3.47 3.48 Dentro de la celdilla unidad cibica esquematizar los siguientes planos: (a) (4101); thy (2T1); (€) (012); (4) (313); (e) (111); ) (212); (g) (12); h) (BO). En la estructura eristalina cdbica simple de Ia Figura 3.22, esquematizar (representar los étomos con cfrculos Henos) el empaquetamiento atémico de los siguientes planos: (a) (100); (b) (110); (¢) (111). Esquematizar el empaquetamiento atémico de los planos (a) (100) de ta estructura cristalina FCC y (b) (111) de la estructura cristalina BCC (similares alos de las Figuras 3.96 y 3.106), Considerar la celdilla unitaria de esferas reducidas mostrada en el Problema 3.24, cuyo origen de coordenadas coincide con el étomo denominado O. Determinar qué planos son equivalentes en los siguientes conjuntos: {a (100), (670) y (001). (b) (110), (201), (011) y G04), (41), (171), (11) y 14). Anotar los indices de las direcciones formadas por la intersecciGa, dentro de un cristal cbico, de los siguientes pares de planos: (a) (110} y (111); (b) (110) y (110); y (€) (111) y (001). Calewlar y comparar las densidades lineales de las direcciones (100), [110] y [111] en la FCC. Calcular y comparar las densidades lineales de las direcciones (110] y [111] en la BCC. Calcular y comparar fas densidades planares de los planos (100) y (111) en la FCC. Caleutlar y comparar las densidades planares de los planos (100) y (110) en la BCC. Calcular la densidad planare del plano (0001) en la HC. Aquf se muestran esquemas de empaquetamiento atémico de distintas direcciones cristalogréticas de algunos metales hipotéticos. Los circulos representan s6lo los tomos reducidos de estas direcciones incluidos dentro de la cella unidad. {a) ;A qué sistema cristalino pertenece la celdilla unidad? (b) Como se denomina esta estructura cristalina?40 am. |+——_—- 0,64 nm. - a a GG > e—@ ee @ (100), (010) {O11), (ory, som ssn — O —O—O 3.49 A continuacin se muestran tres planos cristalograficos distintos de una celdilia unidad de un hipotético metal. Los cfrculos representan étomos. (a) ZA qué sistema cristalino pertenece Ia celdilla unidad? (6) gCémo se denomina esta estructura cristalina? (©) Sila densidad de esta metal es 18,91 g/cm’, determinar el peso atémico, 0,36 am—oj |e-0.25 ame} om {40.20 nmef (110) 3.50 Explicar por qué las propiedades de los materiales poicristalinos cas siempre son isotropicas. 3.51 Utilizando los datos de ta Tabla 3.3 correspondientes al sluminio, caleular ta distancia imerplanar del conjunto de planos (110). 3.52 Utilizando una radiacion monocromética de longitud de onda 0,071. am, determinar el angulo de difracciéa esperado para la difracciOn de primer ‘orden del conjunto de planos (310) para el eromo BCC, 3.53. Utilizando tos datos de la Tabla 3.1 correspondientes al hierro @, calcular las,

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