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Memorias
Electrnica II - Ingeniera Elctrica
UTP - 19 de Noviembre de 2015
jde@utp.edu.co
Registros de desplazamiento
La entrada SHIFT/NOT(LOAD) permite que los 4 bits se carguen de forma paralela al registro.
Cuando la entrada SHIFT/NOT(LOAD) es BAJA, las compuertas G1, G2, G3 y G4 estn activas. En
un pulso de reloj, las entradas D0, D1, D2 y D3 pasan a los FFs.
Cuando la entrada SHIFT/NOT(LOAD) es ALTA, las compuertas G5, G6 y G7 estn activas. G1,
G2, G3 y G4 se desactivan. Esto permite a los datos desplazarse a la derecha uno a la vez en cada
pulso de reloj.
MODO SERIAL
Cuando SH/NOT(LD) es ALTA, las
entrada seriales son J y K.
MODO PARALELO
Cuando SH/NOT(LD) es BAJA, los
datos se cargan de forma paralela.
Cuando SH/NOT(LD) es ALTA, los
datos empiezan a desplazarse.
Registros bidireccionales
Los datos pueden desplazarse en ambas direcciones (a derecha o a izquierda)
Si la seal RIGHT/NOT(LEFT) es ALTA, las compuertas G1, G2, G3 y G4 son activas y el dato
serial se desplaza de izquierda a derecha.
Si la seal RIGHT/NOT(LEFT) es BAJA, las compuertas G5, G6, G7 y G8 son activas y el dato
serial se desplaza de derecha a izquierda.
Registros bidireccionales
Contador en anillo
Se pone un 1 (o varios) a girar en anillo en todos los FFs.
Memorias
Tipos de memorias
De acuerdo a su funcionamiento, existen dos tipos bsicos de memorias:
- RAM (Random Access Memory) memorias voltiles
- ROM (Read Only Memory) memorias no voltiles
Las memorias RAM son aquellas en las que los datos pueden ser escritos y ledos en
cualquier secuencia. Cuando un dato se asigna a una posicin de memoria, la RAM
sobreescribir el dato que hubiera anteriormente ah almacenado.
Tipos de memorias
Las memorias ROM por su parte, estn en capacidad de almacenar informacin de
forma permanente (o casi permanentemente)
Tipos de memorias
MEMORIAS FLASH
-Renen las mejores caractersticas de los otros dos tipos de memorias:
- Son no voltiles
- Son re-escribibles
- Son de alta densidad (esto significa que pueden construirse muchas unidades de
almacenamiento en poco espacio y por tanto pueden tenerse elementos de alta
capacidad a un menor costo en materiales y energa)
Su construccin est basada en transistores MOS (Metal-Oxyde Semiconductor)
Para terminar
Si les pregunto:
En qu tipo de memoria creen ustedes que se almacena toda la
informacin de Google, Facebook o IBM?
Qu diran ustedes?...
http://spectrum.ieee.org/computing/hardware/a-radical-proposal-replace-hard-disks-with-dram