UNIVERSIDAD NACIONAL DE

INGENIERA
Facultad de Ingeniera Industrial y de Sistemas - FIIS

TRABAJO DE APLICACIN

Semiconductores: Fabricacin de chips

INTEGRANTES
20120072C/ RAFAEL ROSALES,
Jeancarlos.
20120258J/ YURIVILCA GOMEZ,
David.
20090264G/LUCERO
RAMOS,
Fernando.
20092616H/ROJAS
ARELLANO,
Anthony.

CURSO:

Fisica Moderna (CB-313)

1

Edgard
Jhomar
Jhon
Diego

NDICE
SEMICONDUCTORES

1.

QUE ES UN SEMICONDUCTOR?.....................................................4

2.

TEORIA DE SEMICONDUCTORES.....................................................5

3.

TIPOS DE SEMICONDUCTORES.......................................................8

4.

CIRCUITO INTEGRADO..................................................................13

5.

TIPOS DE CHIPS............................................................................ 14

6.

CLASIFICACION DE CHIPS.............................................................14

7.

FABRICACION DE CHIPS................................................................15

8.

BIBLIOGRAFA............................................................................33

SEMICONDUCTORES
2

 QU ES UN SEMICONDUCTOR?
Como la misma palabra indica, no son buenos conductores, pero tampoco
son aislantes. Podemos definir los semiconductores como aquellos
materiales que se comportan como conductores, solo en determinadas
condiciones. Por eso se dice que estn en un punto intermedio entre los
conductores y los aislantes.
Por ejemplo, hay materiales que a partir de una cierta temperatura son
conductores, pero por debajo, son aislantes.
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron
pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los
primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre
lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo
(PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar
las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que
tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era
posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad
auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para
que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si
a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su
conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente
de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas
o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin
de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el
primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica
moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio
(Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas
intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se
consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas
condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente
elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar
seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas
utilizadas en electrnica digital, etc.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla

Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si),
para fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores,
circuitos integrados y microprocesadores.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres,
cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento
especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por
la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen
solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio
elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de
esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones.
Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen
formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a
travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o
corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad
elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.
Nombre
Nmero
del
Atmico
elemento

Grupo en la
tabla
peridica

Electrones
Categora en la ltima
rbita

Nmero
de
valencia

48

Cd

II A

Metal

2e

+2

Metaloide 3 e

+3

13

Al

31

Ga

49

In

14

Si

III A
Metal

IV A
32

Ge

15

33

As

4e

+4

5e

+3, -3, +5

Metaloide

VA

No metal
Metaloide

51

Sb

16

34

Se

52

Te

6e
No metal

+2, -2, +4,

+6

VI A
Metaloide

Tabla de elementos semiconductores

TEORA DE SEMICONDUCTORES
Para entender los principios fsicos de los semiconductores tenemos que
conocer como estn formados los tomos de los elementos.
En el ncleo del tomo se encuentran protones, con carga positiva y los
neutrones, solo con masa, no tienen carga elctrica. Fuera del ncleo
y girando alrededor de l, en las llamadas rbitas, se encuentran
los electrones, con la misma carga que los protones pero negativa.

Cualquier tomo tiene el mismo

nmero de protones en su ncleo
que electrones girando en rbitas
alrededor del ncleo. La carga
positiva de los protones se anula con
la negativa de los electrones, por
eso el tomo, en su estado normal,
tiene carga elctrica nula.

Pero no todos los tomos son iguales. Cada elemento de la tabla peridica
tiene diferentes tomos, pero todos estn formados por las mismas
partculas: protones, neutrones y electrones. Solo se diferencian en el
nmero de ellas. El nmero de protones o electrones determina el nmero
atmico del elemento.
Son los electrones, las partculas que realmente importan para estudiar la
conduccin elctrica. La corriente elctrica es un movimiento de electrones.
Si somos capaces de mover los electrones de los tomos de un material,
conseguiremos generar corriente elctrica por l.
Esta material se convertir en conductor. Hay materiales que no podemos
mover los electrones de sus tomo nunca, sern los aislantes.
5

Los electrones que ms fcil nos resultara hacerles abandonar el tomo,

son los que se encuentran en la ltima capa u rbita del tomo. Ahora
veremos por qu.
Cada rbita o capa en la que giran los electrones est situada en lo que se
llama una banda de energa. Los electrones que estn girando un una
banda, tiene la misma energa que esa banda. Los electrones ms cercanos
al ncleo estn muy unidos a l y tienen poca energa. Los ms externos son
las que tienen ms energa, pero los que resulta ms fcil hacerles
abandonar el tomo.
Para que un electrn de las capas ms prximas al ncleo sea capaz de
abandonar el tomo, tendramos que ir pasndolo de capa en capa hasta
llegar a la ltima capa. Es decir necesitaramos ir suministrndole energa
para pasar de una capa a otra hasta llegar a la ms externa (banda de
valencia). Inicialmente, tienen poca energa y pasaran a mucha energa al
llegar a la capa ms externa. Esto sera muy difcil de hacer, por este motivo,
estos electrones no se usan para abandonar el tomo y provocar corriente
elctrica.
Solo se usan los electrones de la ltima capa, llamados electrones de
valencia. Estos son los que utilizaremos para hacerles abandonar el tomo,
que pasen a otro y provocar corriente elctrica por el material.
Pero ojo, estos electrones de la ltima capa, la ms externa o de valencia,
todava tenemos que lograr que abandonen esta capa para que dejen por
completo al tomo. Es como si tuvieran que saltar una ltima capa. Esta
capa la llamaremos de conduccin. Sera esa capa de conduccin, la que
tendra que saltar un electrn de la ltima capa para hacerle abandonar por
completo el tomo. OJO el salto sera suministrndole energa. Salto es igual
a energa. Hay materiales que esta capa de conduccin, sera muy grande,
les costara mucho abandonar el tomo, incluso estando en la ltima capa o
banda. Estos materiales son los aislantes. Si es muy fcil hacerles saltar
esta capa (que pasen de la de valencia a la de conduccin), se llamara
conductor.
Podramos resumir todo esto diciendo que los electrones dentro de un
tomo, se pueden encontrar en 3 tipos de bandas diferentes:
- Banda de conduccin: Intervalo energtico donde estn aquellos
electrones que pueden moverse libremente.
Estn libres de la atraccin del tomo.

- Banda Prohibida: Energa que ha de adquirir un electrn de la banda de

valencia para poder moverse libremente por el material y pasar a la banda
de conduccin.
- Banda de Valencia: Intervalo energtico donde estn los electrones de la
ltima rbita del tomo.

En los aislantes un electrn de la capa de valencia no podramos pasarlo a

la de conduccin, es demasiado difcil o ancha. Si te fijas en los conductores
no hay capa prohibida, los electrones de valencia pasaran muy fcilmente a
la de conduccin.
Los semiconductores tienen una dificultad intermedia para pasar los
electrones de valencia a la de conduccin. En la mayora de ellos es
necesario suministrarles energa en forma de calor para que pasen de la de
valencia a la de conduccin. Es decir, convertirles en materiales
conductores.
Un semiconductor se caracteriza por tener una banda prohibida, entre la de
conduccin y la de valencia, pero no muy ancha.
Tambin tenemos que decir que cuando arrancamos un electrn al tomo,
este se desequilibra, pasando a tener carga positiva (un protn ms que
electrones tena). Esto es lo que se conoce como ionizacin, ya que lo
convertimos en un ion positivo o catin.
Si por el contrario, el tomo no tiene su ltima capa llena y, por cualquier
circunstancia le llega un electrn nuevo a esta capa, quedar cargado
negativamente (un electrn ms que protones tena). Se convierte en un Ion
negativo o anin.
El carbono, el silicio, el germanio y el estao tienen en su ltima capa 4
electrones, se les llama tetravalente, porque pueden ceder 1, 2, 3 o 4
electrones.
Lgicamente un material est formado por millones de tomos, unidos
mediante enlaces.
Todos los semiconductores son materiales que tienen su tomos unidos por
enlaces covalentes. Comparten los electrones de su ltima capa de 2 en 2.
7

Uno de estos electrones compartidos entre dos tomo por medio el enlace
covalente, ser el que tengamos que arrancar.
Pero... Qu pasa entonces cuando el electrn abandona el tomo? Pues
que dejar lo que se llama un hueco.

TIPOS DE
SEMICONDUCTORES
SEMICONDUCTORES INTRNSECOS:
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro
tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la
banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento
semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos.
Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como
electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a
otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la

ilustracin, en el caso de los
semiconductores el espacio
correspondiente a la banda prohibida
es mucho ms estrecho en
comparacin con los materiales
aislantes. La energa de salto de banda
(Eg) requerida por los electrones para
saltar de la banda de valencia a la de
conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio
(Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV,
mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor

intrnseco, compuesta solamente por tomos de
silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede
observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que
slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o
banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear
as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual
que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS:
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le
introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para
hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando
los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de
otros elementos o "impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a

elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones
en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco
electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico
(As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente
elctrica.
9

En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores

para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un
componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada
para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria
el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre
0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.
El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor
proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge). Durante mucho
tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos
semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y
montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente
alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio,
se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores
presentes en la Tabla Peridica.
Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el
arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material
destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de
lectura en CDs de audio.
En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado
puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita
tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura
cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la
cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de
completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos,
segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en
especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro
electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando
enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada
uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al
agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del
elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a
una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa
estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos
semiconductores se comportan como aislantes.
Como dijimos anteriormente, los tomos de impurezas suelen tener 3 o 5
electrones de valencia, lo que permite subdividir a estos semiconductores
extrnsecos en dos tipos diferentes: Tipo N y Tipo P. Tipo N con impurezas
con 5 electrones de valencia. Tipo P con impurezas de 3 electrones de
valencia.
10

Como ves los del tipo N tienen impurezas donadoras de electrones por que
proporcionan electrones. En la formacin de enlaces covalentes les sobra un
electrn.
Los del tipo P tienen impurezas aceptadores de electrones por que
proporcionan huecos. En la formacin de enlaces covalentes, al tener solo 3
electrones que pueden formar enlace, el enlace se queda con un hueco.
Como los huecos atraen a los electrones, se pueden considerar con carga
positiva.
Las impurezas en los del tipo N pueden ser tomos de arsnico, antimonio,
fosforo, etc.
Las impurezas en los del tipo P pueden ser tomos de aluminio, boro, galio,
etc.
Tanto en uno como en otro, los portadores son las impurezas. En un caso los
portadores son electrones (tipo N) y en otro los huecos (tipo P).
La mayora de los componentes electrnicos que se usan en electrnica:
diodos, transistores, etc. Se construyen uniendo semiconductores del tipo P
con los del tipo N.

11

12

CHIPS O MICROCHIPS
CIRCUITO INTEGRADO
Un circuito integrado (CI), tambin conocido como chip o microchip, es
una estructura de pequeas dimensiones de material semiconductor, de
algunos milmetros cuadrados de rea, sobre la que se fabrican circuitos
electrnicos generalmente mediante fotolitografa y que est protegida
dentro de un encapsulado de plstico o de cermica. El encapsulado
posee conductores metlicos apropiados para hacer conexin entre el
Circuito Integrado y un circuito impreso.
Los CI se hicieron posibles gracias a descubrimientos experimentales que
mostraban que artefactos semiconductores podan realizar las funciones
de tubos de vaco y los avances cientficos sobre fabricacin de
semiconductores a mediados del siglo XX. La integracin de grandes
cantidades de pequeos transistores dentro de un pequeo chip fue un gran
avance sobre la elaboracin manual de circuitos utilizando electrnicos
discretos. La capacidad de produccin masiva de los circuitos integrados,
confianza y acercamiento a la construccin de un bloque de diseo de
circuitos aseguraba la rpida adopcin de los circuitos integrados
estandarizados en lugar de diseos utilizando transistores discretos.
Los CI tienen dos principales ventajas sobre circuitos discretos: costo y
desempeo. El costo es bajo debido a los chips; con todos sus componentes
impresos como una unidad de fotolitografa en lugar de ser construidos un
transistor a la vez. Ms aun, los CI empaquetados usan mucho menos
material que los circuitos discretos. El desempeo es alto ya que los
componentes de los CI cambian rpidamente y consumen poco poder
(comparado sus contrapartes discretas) como resultado de su pequeo
tamao y proximidad de todos sus componentes. Desde 2012, el intervalo de
rea de chips tpicos es desde unos pocos milmetros cuadrados a alrededor
de 450 mm2, con hasta 9 millones de transistores por mm2.
Los circuitos integrados son usados en prcticamente todos los equipos
electrnicos hoy en da, y han revolucionado el mundo de la
electrnica. Computadoras, telfonos mviles, y otros dispositivos
electrnicos que son parte intransable de las sociedades modernas, son
posibles gracias a los bajos costos de circuitos integrados.

13

 TIPOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal,
habitualmente de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de
galio, silicio-germanio, etc.
Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos
monolticos, pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con
tecnologa monoltica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se
fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los progresos en la
tecnologa permitieron fabricar resistencias precisas.
Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos
monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin
cpsula, transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico,
interconectados con pistas conductoras. Las resistencias se depositan
porserigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se
encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la disipacin
de energa calrica requerida. En muchos casos, la cpsula no est
"moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con una
resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos
para aplicaciones en mdulos de radio frecuencia (RF),fuentes de
alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc.

CLASIFICACIN
Atendiendo al nivel de integracin -nmero de componentes- los circuitos
integrados se pueden clasificar en:
SSI (Small Scale Integration) pequeo nivel: de 10 a 100 transistores
MSI (Medium Scale Integration) medio: 101 a 1.000 transistores
LSI (Large Scale Integration) grande: 1.001 a 10.000 transistores
VLSI (Very Large Scale Integration) muy grande: 10.001 a 100.000
transistores
ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra grande: 100.001 a 1.000.000
transistores
GLSI (Giga Large Scale Integration) giga grande: ms de un milln de
transistores.
14

En cuanto a las funciones integradas, los circuitos se clasifican en dos

grandes grupos:
Circuitos integrados analgicos.
Pueden constar desde simples transistores encapsulados juntos, sin unin
entre ellos, hasta circuitos completos y funcionales, como
amplificadores, osciladores o incluso receptores de radio completos.
Circuitos integrados digitales.
Pueden ser desde bsicas puertas lgicas (AND, OR, NOT) hasta los ms
complicados microprocesadores o microcontroladores.
Algunos son diseados y fabricados para cumplir una funcin especfica
dentro de un sistema mayor y ms complejo.
En general, la fabricacin de los CI es compleja ya que tienen una alta
integracin de componentes en un espacio muy reducido, de forma que
llegan a ser microscpicos. Sin embargo, permiten grandes simplificaciones
con respecto a los antiguos circuitos, adems de un montaje ms eficaz y
rpido.

PASOS PARA LA FABRICACIN DE CIRCUITOS

INTEGRADOS
Los pasos de fabricacin bsica se pueden realizar muchas veces, en
diferentes combinaciones y en diferentes condiciones de procedimiento
durante un turno de fabricacin completo.
Preparacin de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy
alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero
de 10 a 30 cm de dimetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . Este
cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 m a 600 m de
espesor, (1 m es igual a 110-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta
obtener un acabado de espejo, a partir de tcnicas de pulimento qumicas y
mecnicas. Las propiedades elctricas y mecnicas de la oblea dependen
de la orientacin de los planos cristalinos, concentracin e impurezas
existentes. Para aumentar la resistividad elctrica del semiconductor, se
necesita alterar las propiedades elctricas del silicio a partir de un proceso
15

conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente

impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras
que una regin levemente impurificada se designara n-. aunque podra ser
n+
Oxidacin
Se refiere al proceso qumico de reaccin del silicio con el oxgeno para
formar Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan
de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se
utiliza en la reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de
oxidacin seca) o como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda
tiene una mayor tasa de crecimiento, aunque la oxidacin seca produce
mejores caractersticas elctricas. Su constante dielctrica es 3.9 y se le
puede utilizar para fabricar excelentes condensadores. El Dixido de Silicio
es una pelcula delgada, transparente y su superficie es altamente reflejante.
Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada la interferencia constructiva y
destructiva har que ciertos colores se reflejen y con base en el color de la
superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la capa de xido.
Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta
concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el
proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se
introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad;
por lo tanto, para acelerar el proceso de difusin de impurezas se realiza a
altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil de dopaje
deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son
el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin
de la impureza es excesivamente fuerte, la capa difundida tambin puede
utilizarse como conductor.
Implantacin de iones
Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el
cristal semiconductor. Un implantador de iones produce iones del
contaminante deseado, los acelera mediante un campo elctrico y les
permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones
que se implantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de
iones). Este proceso se utiliza normalmente cuando el control preciso del
perfil del dopaje es esencial para la operacin del dispositivo.
16

Deposicin por medio de vapor qumico

Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar
qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor
qumico no son tan buenas como las de un xido trmicamente formado,
pero es suficiente para que acte como aislante trmico.
La ventaja de una capa depositada por vapor qumico es que el xido se
deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos de 500C).
Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica
la deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de
la pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin
electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.
Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los
diversos componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa,
primeramente se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada
sustancia fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus
de esto se utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para
exponer de forma selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta.
Las reas opuestas se ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y
de esta manera, producir con precisin geometras de superficies muy finas.
La capa fotosensible puede utilizarse para proteger por debajo los materiales
contra el ataque qumico en hmedo o contra el ataque qumico de iones
reactivos. Este requerimiento impone restricciones mecnicas y pticas muy
crticas en el equipo de fotolitografa.
Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips
terminados, cada chip puede contener de 10 o ms transistores en un rea
rectangular, tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber
probado los circuitos elctricamente se separan unos de otros
(rebanndolos) y los buenos (pastillas) se montan en cpsulas (soportes).
Normalmente se utilizan alambres de oro para conectar las terminales del

17

paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por ltimo, se sella el

paquete con plstico o resina epxica al vaco o en una atmsfera inerte.

1. Arena / Lingote
Arena Cerca del 25% de la corteza
terrestre est formada por silicio, lo
que le convierte en el segundo
elemento qumico ms frecuente
despus del oxgeno. La arena
especialmente el cuarzo tiene un alto
porcentaje de silicio en forma de
dixido de silicio (SiO2) y es el
ingrediente bsico para la fabricacin
de semiconductores
Silicio fundido -Escala: nivel de oblea
(~300mm) El silicio se purifica en
mltiples etapas hasta alcanzar la
calidad suficiente para fabricar
semiconductores, que se conoce como
Silicio de Calidad Electrnica
(Electronic Grade Silicon). El Silicio de
Calidad Electrnica puede tener tan
slo un tomo impuro cada 1.000
millones de tomos de silicio. En esta
imagen, se puede ver cmo se genera
un cristal de gran tamao a partir del silicio purificado fundido. El
monocristal resultante se llama lingote.
Lingote de monocristal de silicio -Escala: nivel de oblea (~300mm)
Un lingote se produce utilizando Silicio de Calidad Electrnica. Un

18

lingote pesa aproximadamente 100

kilogramos y tiene una pureza de
silicio del 99,9999%.

2.
Lingote / Oblea
Segmentacin del lingote -Escala: nivel
de oblea (~300mm) El lingote se
segmenta en discos de silicio
individuales llamados obleas.

Oblea -Escala: nivel de oblea

(~300mm) Las obleas se pulen hasta
obtener unas superficies perfectas y
lisas como espejos. Intel compra a
otras compaas estas obleas listas
para fabricacin. El avanzado proceso
de fabricacin High-K / con puerta de
metal de 45 nm de Intel utiliza obleas
con un dimetro de 300 milmetros.
Cuando Intel comenz a fabricar
chips, la compaa imprima circuitos
en obleas de 50 mm. Ahora, la
compaa utiliza obleas de 300 mm, resultando en una disminucin
del coste por cada chip.

19

3. Fotolitografa
Aplicacin de una sustancia
fotorresistente
Escala: nivel de oblea (~300mm) El
lquido (aqu azul) que se vierte sobre
una oblea que gira le proporciona una
capa fotorresistente parecida a la que
tiene una pelcula fotogrfica. La oblea
gira en este paso para permitir la
aplicacin muy fina y uniforme de esta
capa fotorresistente.

Exposicin -Escala: nivel de oblea

(~300mm) La sustancia
fotorresistente se expone a luz
ultravioleta (UV). La reaccin
qumica provocada por este
proceso produce un efecto
parecido al de la pelcula
fotogrfica de una cmara cuando
se dispara el obturador. La
sustancia fotorresistente expuesta
a la luz UV se diluye. La
exposicin se realiza utilizando
mscaras que actan como patrones en este proceso.
Exposicin -Escala: nivel de transistor
(~50-200nm) Aunque normalmente se
incorporan cientos de
microprocesadores dentro de una nica
oblea, en esta pequea resea slo nos
vamos a centrar en una pieza pequea
del microprocesador, en un transistor o
en sus componentes. Un transistor
acta como un interruptor que controla
la corriente elctrica en un chip
informtico. Los investigadores de Intel
han desarrollado unos transistores tan
diminutos que unos 30 millones de ellos podran caber en la cabeza
de un alfiler.

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4. Grabado

Enjuague de la superficie
fotorresistente -Escala: nivel de
transistor (~50-200nm) Un
solvente disuelve
completamente la sustancia
fotorresistente viscosa. De esta
manera aparece el patrn que
genera la mscara en la
sustancia fotorresistente.

Grabado -Escala: nivel de

transistor (~50- 200nm) La
sustancia fotorresistente protege
el material que no se debe
grabar, y la superficie que
aparece al descubierto se graba
mediante sustancias qumicas.

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Eliminacin de la sustancia
fotorresistente -Escala: nivel de
transistor (~50-200nm) Despus del
grabado, se elimina la sustancia
fotorresistente para hacer aparecer el
diseo deseado.

5. Implantacin de iones
Aplicacin de capa fotorresistente
-Escala: nivel de transistor (~50200nm) Se aplica una capa
fotorresistente (de color azul), que se
expone a la luz para limpiarla antes
del paso siguiente. La capa
fotorresistente protege el material
sobre el que no se deben implantar
los iones.

-Escala: nivel de transistor (~50-

200nm) A travs de la
implantacin de iones (un tipo
de un proceso conocido como
doping), se bombardean las
reas al descubierto de la oblea
de silicio con diferentes
impurezas qumicas llamadas
iones. Los iones se implantan en
la oblea de silicio para alterar la
conduccin de la electricidad en
estas reas. Los iones se disparan sobre la superficie de la
oblea a una velocidad muy alta. Un campo elctrico acelera
los iones a una velocidad superior a los 300.000 km/h
(~185.000 mph)
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Eliminacin de la capa
fotorresistente -Escala: nivel de
transistor (~50-200nm) Despus de
la implantacin de iones, la
sustancia fotorresistente se elimina
y el material que ha pasado por el
proceso de doping (de color verde)
tiene ahora tomos impuros
implantados (pueden observarse
unos cambios ligeros de color)

6. Colocacin del metal

Transistor casi totalmente listo
Escala: nivel de transistor (~50200nm) Este transistor est casi
acabado. Se realizan tres
agujeros en la capa de
aislamiento (de color magenta)
por encima del transistor. Estos
tres agujeros se rellenan con
cobre para ser conectadas con
otros transistores.

Galvanoplastia -Escala: nivel de

transistor (~50-200nm) En esta
etapa, las obleas se colocan en
una solucin de sulfato de
cobre. Los iones de cobre se
depositan en el transistor
mediante un proceso llamado
galvanoplastia. Los iones de
cobre viajan desde el terminal
positivo (nodo) al terminal
negativo (ctodo) representado por la oblea.
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Despus de la galvanoplastia
-Escala: nivel de transistor (~50200nm) Los iones de cobre se
depositan sobre la superficie de
la oblea, formando una capa fina
de cobre.

7.

Capas de metal

Pulido -Escala: nivel de

transistor (~50200nm) El exceso de
material se pule.

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Escala: nivel de transistor

(seis transistores combinados

~500nm) Se crean mltiples
capas de metal para
interconectar (como si fueran
cables) los diversos
transistores. La forma de
cableado de estas
conexiones la establecen los
equipos de arquitectura y
diseo encargados de
desarrollar las funciones de los
respectivos procesadores (por
ejemplo, el procesador IntelCore i7). Aunque los chips
informticos parecen increblemente planos, estn formados por
ms de 20 capas que forman un sistema de circuitos elctricos
complejo. Si ampliamos un chip, podemos ver una red complicada
de lneas de circuitos y transistores que parece como una autopista
futurista de mltiples capas.

BIBLIOGRAFA
SEMICONDUCTORES

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ginas/Pagina2.htm
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http://www.etitudela.com/Electrotecnia/downloads/introduccio
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http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semic
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CHIPS

http://www.saberia.com/2010/01/que-es-un-microchip/
http://www.cad.com.mx/historia_del_microchip.htm
http://microchips-luis.blogspot.pe/2009/05/es-una-pequenapastilla-de-silicio.html
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http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/02FABRICACION%20DE%20CIRCUITOS%20INTEGRADOS.pdf

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