Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Presentado a:
Ph.D. CARLOS MAURICIO TELLEZ MORENO
Est tcnica es muy utilizada para depositar capas de Si 3N4 empleadas como
mscaras de difusin en microelectrnica y para aislamiento entre diferentes
niveles de metalizacin.
Tambin se utiliza para depositar silicio amorfo con aplicaciones en clulas
solares. [3]
Fuente: http://www.icmm.csic.es/fis/espa/cvd.html.
VENTAJAS
Flexible, fcil de implementar
Posibilidad de crecer en diferentes atmsferas
Buena conservacin de la estequiometria (ej. YBCO)
Velocidad de crecimiento fcil de modificar
Puede obtenerse un crecimiento epitaxia a menores temperaturas
Posibilidad e interacciones resonantes (plasmones en metales, picos de
absorcin en dielctricos y semiconductores)
Excelente control del crecimiento a travs de los parmetros del lser.
DESVENTAJAS.
Dificultades con la homogeneidad para reas grandes
Defectos por emisin de macropartculas
Complejidad de mecanismos de crecimiento y manejo de parmetros. [4]
BIBLIOGRAFIA E INFOGRAFIA