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DIODOS

DIODOS

EQUIPO NECESARIO

Fuente de voltaje DC variable

Transformador o fuente de VAC variable

4 diodos 1N4007

1 Resistencia de 1K

1 Resistencia de 330

2 Multmetros digitales

PROPSITO DEL EXPERIMENTO

Introducir el tema de materiales semiconductores

Observar la curva caracterstica de un tipo especfico de diodo

Medir algunos parmetros operacionales de un diodo


1. MARCO TERICO

1.1 Clasificacin de las sustancias por la magnitud de la Conductancia

Por sus cualidades electrofsicas todas las sustancias de la naturaleza pueden ser divididas en tres grandes
grupos: conductores, semiconductores y dielctricos. La ms simple es la clasificacin de las sustancias por su
resistividad. En los conductores esta magnitud oscila entre 10-6 y 10-4 ohmios.cm (por ejemplo, la resistividad de la
plata a temperatura ambiente es de 1,58x10-6 ohmios.cm). El grupo de sustancias de resistividad comprendida
entre 10-4 y 1010 ohmios.cm pertenecen a los semiconductores (por ejemplo, la resistividad del germanio va desde
5x10-4 hasta 47 ohmios.cm). Por ltimo, las sustancias de resistividad mayor que 1010 ohmios.cm corresponden al
grupo de los dielctricos (por ejemplo, a 200C la resistividad de la mica, segn su composicin es de 1013 1016
ohmios.cm).

De los datos expuestos se aprecia que, al pasar de una clase de sustancias a otra no existe una variacin brusca
del valor de la resistividad. Para los semiconductores y los dielctricos, en principio, esto refleja su afinidad
cualitativa. Por su naturaleza los conductores se diferencian ms de los semiconductores.
1.2 Mecanismos de Conduccin de las Sustancias

Entre los metales y otros cuerpos slidos, como por ejemplo, los semiconductores y dielctricos existe una
diferencia importante: en los metales, el pegamento de los electrones de valencia es, en cierto modo, fluido,
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es decir, que los diversos electrones de valencia pueden desplazarse libremente en la estructura, por
consiguiente, estn en condiciones de establecer una corriente elctrica al aplicar una diferencia de potencial.

A diferencia de lo que ocurre en los conductores, en los semiconductores y dielctricos, los electrones de
valencia no pueden moverse libremente, estos estn normalmente ligados. En un tipo especialmente
importante de estructura cristalina el cristal de valencia -, un par de electrones de valencia origina siempre
una unin de dos tomos adyacentes (enlace doble), uno de estos dos electrones procede de uno de los dos
tomos y el otro del otro tomo. El nmero de enlaces entre cada tomo y sus vecinos inmediatos es igual al
nmero de electrones de valencia que dicho tomo tena en un principio.

Los semiconductores silicio y germanio, que actualmente tienen especial importancia, son cristales de
valencia. Cada tomo tiene cuatro electrones de valencia y por tanto, cuatro enlaces en la estructura
cristalina.

Los electrones de valencia de un semiconductor, que estn ligados, normalmente no sirven para conducir una
corriente elctrica. Sin embargo, por influencias externas es posible liberar un electrn de valencia ligado.
Para ello es preciso desprender el electrn ligado de su enlace mediante un fuerte impulso. Esto se puede
conseguir, por ejemplo, mediante un cuanto de luz de energa suficiente o mediante la interaccin con otra
partcula con un elevado nivel de energa, aunque en la prctica se usan semiconductores en los cuales los
electrones ligados se desprenden por medio de energa trmica.

1.3 Junturas N - P

El concepto de juntura se puede usar solamente para los materiales semiconductores. Ya se ha dicho que en
un cristal semiconductor tal como el silicio o el germanio, los electrones de conduccin son arrancados
(desligados) de la estructura cristalina con la ayuda de alguna perturbacin externa (por ejemplo, energa
trmica).

Cuando a un cristal semiconductor se le arranca un nmero N1 de electrones para convertirlos en electrones


de conduccin, en el cristal se forman N2 sitios con falta de electrones o huecos, de aqu que puedan ocurrir
las siguientes situaciones.

N2 = N1

N2 N1 Exceso de electrones de conduccin (cargas negativas) o semiconductor tipo N

N2 N1 Exceso de huecos (se consideran cargas positivas) o semiconductor tipo P

o semiconductor intrnseco

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Cuando se acercan (juntan) cristales semiconductores para formar una especie de emparedado, se forman lo
que se llaman junturas, el tipo de juntura depende de qu tipo de cristales se junten y cuntas capas de
emparedado se coloquen. Por ejemplo, un diodo convencional se forma juntando un semiconductor del tipo
N con uno del tipo P, as que un diodo es una juntura del tipo N-P.
1.4 El Diodo

El smbolo que representa un diodo en un circuito es:

Figura 1. Representacin esquemtica del diodo

El anlisis terico de la junta P-N muestra que el comportamiento elctrico del diodo est dado por la expresin:
I = I0(eV / VT 1)

(1)

Conocida como la ecuacin del diodo rectificador. En esta expresin I es la corriente a travs del dispositivo, I0 la
corriente inversa de saturacin, V el voltaje aplicado y VT el valor efectivo del potencial trmico electrnico, una
grfica de esta ecuacin se presenta en la Figura 2 . Obsrvese la fuerte dependencia de la corriente con el voltaje
para valores positivos de la polarizacin en un intervalo de solo 0.4V.

Figura 2. Caracterstica I vs V del diodo (Terico)

La corriente a travs del dispositivo aumenta 6000 veces, para valores negativos del voltaje de polarizacin, la
corriente es tan pequea que su valor no alcanza a precisarse en la prctica, es fcil ver de esta grfica que el
diodo no conduce cuando est polarizado inversamente, esto es, cuando el nodo es negativo respecto al ctodo,
se dice tambin que el diodo est cerrado. Si la polarizacin es directa (nodo positivo respecto al ctodo) la cada
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de potencial en el dispositivo es pequea y prcticamente constante como lo indica su gran pendiente, se dice
entonces que el diodo est abierto dado su baja resistencia en el estado de conduccin. Obsrvese adems que el
cambio del estado de conduccin al de no - conduccin es abrupto y ocurre a un valor determinado del voltaje
aplicado conocido como de operacin o de compuerta Vop. Estos elementos de anlisis, permiten proponer el
modelo operacional del diodo ilustrado en la Figura 3, que se usara para interpretar las mediciones.

Figura 3. Curva experimental para un diodo comn.

Existen tres tipos de diodos, los cuales se usan para diferentes aplicaciones. Los tipos de diodos existentes en el
comercio son:

Diodo rectificador de silicio o diodo comn.

Diodo Zener

Diodo emisor de luz o LED (light emitting diode)

Aunque estos tipos de diodo son diferentes entre s, su comportamiento es muy similar. La teora descrita en este
laboratorio corresponde a la de un diodo rectificador de silicio.

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2. PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL

2.1 Observacin de algunas caractersticas de operacin de un diodo Semiconductor

Conecte el circuito mostrado en la Figura 4, usando el diodo 1N4007 (diodo comn) y una resistencia de 1K.
Monte el circuito de la Figura 5 (equivalente a la Figura 4). Note que el diodo est orientado con la banda
oscura cerca al punto B.

Figura 4. Montaje experimental del diodo

Con el switch cerrado y la corriente fluyendo, ajuste el potencimetro para que el voltaje entre los puntos B y C
(VBC) sea alrededor de 0.05V. mida el voltaje a travs del diodo (VAB). Registre sus datos en la Tabla 1.

Ajuste el potencimetro para obtener los siguientes valores de voltaje para VBC: 0.1, 0.2, 0.3, ..., 2.0V. registre
los dos voltajes para cada caso.

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Figura 5. Esquema del montaje del diodo

Cambie la resistencia de 1K y reemplcela con una de 330K. Repita los pasos 3 y 4, pero ahora con
incrementos de 0.3, 0.4, 0.5, 2.0V. registre VBC y VAB en cada caso.

Invierta la posicin del diodo. Ajuste los voltajes a travs del diodo (VAB) desde 0.5, 1.0, ..., 3.0V. mida el valor
del voltaje en la resistencia (VBC) en cada caso. Registre estos datos en la Tabla 1 en las columnas
polarizacin inversa.

POLARIZACIN DIRECTA
R ()

VAB (V)

VBC (V)

POLARIZACIN INVERSA
I (mA)

R ()

VAB (V)

VBC (V)

I (mA)

Tabla 1

Preguntas:

a. Determine el flujo de corriente I en cada uno de los montajes dividiendo el voltaje a travs de la resistencia
(VAB) por la resistencia. Tenga en cuenta cambiar el divisor al momento de cambiar la resistencia.
b. Construya una grfica de corriente (eje vertical) vs voltaje a travs del diodo.
c. Oper el diodo en los pasos 3 y 4 tal como en el paso 5?
d. En los pasos 3 y 4 el diodo fue polarizado en directa mientras en al paso 5 a la inversa, basado en sus
datos, qu significa esto?
e. Describa algunas aplicaciones de los diodos.
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2.1 Puentes de Diodos como Rectificadores de Onda Completa


Disponiendo adecuadamente de los recursos que ofrecen los transformadores y los diodos podemos lograr que el
aporte de energa se realice dos veces por ciclo, es decir, con cada uno de los medios ciclos, en tal caso el
rectificador se denomina de onda completa.

1. Realice el montaje mostrado en la Figura 6 usando los 4 diodos para formar un puente.

c
d

Figura 6. Montaje para rectificar una onda completa

2. Utilice como fuente de alimentacin un transformador o una fuente de VAC, conecte a los puntos a y b. El
multmetro debe encontrarse en la escala AC.
3. Mida la diferencia de potencial entre los c y d, a medida que vara el voltaje de alimentacin Vab. El multmetro
debe encontrarse en la escala DC. Consigne sus resultados en la Tabla 2.

Vab (V AC)

Vcd (V DC)

Tabla 2

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4. Haga un grfico cualitativo del Voltaje en funcin del tiempo para un ciclo completo del voltaje de alimentacin
Vab, recuerde que la frecuencia corresponde a 60Hz, y la amplitud uno solo de los valores medidos Vab.
5. Teniendo en cuenta el sentido de la corriente con base en el punto anterior, haga el seguimiento de sta a
travs del puente, considerando las cualidades de compuerta del diodo.
6. Tomando como referencia el punto 5, haga un grfico cualitativo del voltaje en funcin del tiempo para uno solo
de los valores de Vcd .
7. Qu importancia prctica tiene entonces el estudio de los puentes rectificadores?
8. Cmo es el valor Vcd comparado con su respectivo Vab? Mayor, menor o igual?
9. Cmo justifica la respuesta dada para el punto 8?
10. Encuentre una relacin entre Vab y Vbc
11. Sabiendo que los equipos electrnicos de gran complejidad como los computadores funcionan en gran parte
gracias a las caractersticas fsicas de los diodos rectificadores, investigue como se minimizan los errores en
los resultados que arrojan estos equipos. Ser que los diodos son dispositivos 100% precisos?.

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