UNIVERSIDAD TCNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERA EN SISTEMAS ELECTRNICA E INDUSTRIAL

ELECTRNICA DE POTENCIA
SEXTO A
COSULTA No. 4
TEMA

Interruptores de Estado Slido

INTEGRANTES

Estudiantes del Mdulo de Electrnica de Potencia

FECHA DE ENVO
24 de Octubre de 2016
FECHA DE ENTREGA
28 de Octubre de 2016
DOCENTE
Ing. Edgar Patricio Crdova Crdova
OCTUBRE 2016 MARZO 2017
AMBATO
2016

INFORME DE COSULTA No. 4

TEMA

Interruptores de Estado Slido

II

OBJETIVOS
Objetivo General
Objetivos Especficos

III

DESARROLLO

DISPOSITIVOS DE ESTADO SLIDO

Definiciones
Segn Carlos Snchez Daz
Los dispositivos de estado slido de potencia son dispositivos capaces de trabajar como
conmutadores (SWITCH), siendo gobernados mediante un terminal de control o GATE (puerta).
El funcionamiento de los dispositivos de estado slido de potencia tiende a semejarse lo ms
posible al comportamiento de un interruptor ideal [1]

Segn Rashid, Muhammad

Los dispositivos de estado slido de potencia son dispositivos construidos con el SiC (carburo
de silicio), el GaN (nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en aplicaciones
de alta tensin y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y varios
gigavatios.[2]

Segn Garca, S. M., & Gil, J. A. G

Los dispositivos de estado slido de potencia son semiconductores de potencia se pueden operar
como interruptores mediante la aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta y la
salida requerida se obtiene mediante la variacin del tiempo de conduccin de estos dispositivos
de conmutacin.[3]

Definicin Grupal
Los dispositivos de estado slido de potencia son aquellos dispositivos que son fabricados con
materiales semiconductores y estos son capaces de soportar altos voltajes; por esta razn son
usados en la electrnica de potencia como interruptores.
Caractersticas de los IES:

Capacidad de manejar potencias y frecuencias elevadas.

No existe desgaste por partes mviles.
Dispositivos no controlados: en este grupo se encuentran los Diodos, no disponen de
ningn terminal de control externo para su conduccin.
Dispositivos semicontrolados: en este grupo se encuentran los Tiristores, los SCR y los
TRIAC. En ste caso su puesta en conduccin se debe a una seal de control externa que
se aplica en uno de los terminales del dispositivo, comnmente denominado puerta. Su
bloqueo lo determina el propio circuito de potencia.
Dispositivos totalmente controlados: en este grupo se encuentran los transistores BJT,
MOSFET, IGBT y los tiristores GTO.

Clasificacin de los IES:

Diodos
Diodo Rectificador
DIAC
Tiristores
SCR
TRIAC

Transistores
BJT
Mosfet
Transistores con Control en Compuerta
IGBT
GTO

DIODOS
DIODO RECTIFICADOR
Definicin
Un diodo (del griego: dos caminos) es un dispositivo semiconductor que permite el paso de la
corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.

Diodo rectificador. Sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o vlvulas gaseosas
como las de vapor de mercurio, son tipos de diodo que constituyen el elemento o circuito que
conducen en polarizacin directa (arriba de 0.7 V) y en polarizacin inversa no conducen. Estas
caractersticas son las que permite a este tipo de diodo rectificar una seal. Los hay de varias
capacidades en cuanto al manejo de corriente y el voltaje en inverso que pueden soportar. [4]
Smbolo

a)

b)
Figura 1: a) smbolo; b) nomenclatura
Fuente: Alfonso Carretero Montero, Electrnica

Estructura

a)

Figura 2: a) Estructura del diodo rectificador

Fuente: Proyecto EATS
Estructura Del Diodo De Potencia

DO-5

o ENCAPSULADOS
Aislamiento
Conexin electrica
Disipacin termica
o NOMECLATURA
PN
DO-200 AC

Grandes corrientes de 3500 a 5000 amperios

o NOMECLATURA
PN

Curva Caracteristica

Figura: a) smbolo; b) caracterstica de transferencia de un diodo ideal, c) caracterstica de

transferencia de un diodo real.
Fuente: E. Alatorre, 2001
La figura muestra el smbolo esquemtico de un diodo. La caracterstica de transferencia de un
diodo ideal se muestra en la figura ilustra adicionalmente este principio. Si el voltaje de nodo a
ctodo, V, es negativo es negativo se dice que el diodo esta polarizado directamente y la corriente
I puede ser un valor positivo arbitrariamente grande. De hecho V nunca puede llegar a ser ms
grande que cero, porque un diodo ideal acta como un cortocircuito de resistencia cero cuando se
polariza directamente. [5]
Un diodo real tiene una resistencia que es menos de infinito cuando se polariza inversamente y
mayor que cero cuando se polariza directamente de modo que las caractersticas de transferencia
se ven como en la figura. Cuando se polariza directamente, el diodo acta como una pequea
resistencia no lineal; su cada de voltaje incrementa a medida que la corriente aumenta, pero no
de forma proporcional. Cuando el diodo se polariza inversamente, fluye una pequea cantidad de
corriente de fuga negativa. Si el voltaje se hace demasiado negativo, el diodo alcanza su ruptura,
y pueden fluir grandes cantidades de corriente negativa. [6]

Figura 4: Parmetros de la curva caracterstica del diodo rectificador

Fuente: P. Malvino, 2007
Aplicaciones

Proteccin de polaridad

Conexin de dos circuitos independientes

Rectificador de onda
Fijador de tensin (Desplazador de nivel)

DIAC
DIODE FOR ALTERNATING CURRENT
DIODO PARA CORRIENTE ALTERNA (DIAC)
Definicin
Se puede decir que es un dispositivo conformado por 2 diodos conectados en paralelo
inversamente el cual puede conducir en los dos sentidos de sus terminales, dependiendo su
polaridad y su estado de operacin se activa cuando llega al voltaje de ruptura o disparo que est
comprendida entre 20 a 36 voltios dependiendo su referencia la corriente fluye en una direccin,
el DIAC se apaga cuando su corriente baja del valor de retencin.
Smbolo

Nomenclatura
A1, A2 [7]
Estructura

P2N 2P1 N 1 para V 21> 0

Curva Caracterstica

P1N 2P2 N 3 para V 21< 0

V =T ension umbral de conduccin del diodo (positiva)

V BO = Tension de ruptura o Disparo de DIAC (positiva)

V =T ension umbral de conduccin del diodo (Negativa)

V BO= Tensin de ruptura o Disparo de DIAC (Negativo)

I D = Corriente de referencia

V D = Voltaje de referencia

Zona F = regin en la que el diodo est activa

Zona R = regin del diodo en el cual est sin actividad [8]

Aplicaciones en electrnica de potencia:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin regulada.

Interruptores estticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo-conversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefaccin.
Controles de fase.

TIRISTORES
SCR
Silicon Controlled Rectifier Rectificador
controlado de silicio
Definicin:
Segn Albert Malvino define a un SCR, (rectificador controlado de silicio) como un dispositivo
de tres terminales usado para controlar corrientes ms bien altas para una carga. Acta a
semejanza de un interruptor, cuando est en conduccin, hay una trayectoria de flujo de corriente
de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un interruptor cerrado cuando est
en corte, no puede haber flujo de corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un
interruptor abierto, la accin de conmutacin es muy rpida [9]
Simbologa:
El smbolo del SCR es similar a un diodo rectificador con la diferencia que cuenta con un
contacto adicional como se puede ver en la figura 1

Siendo:
A: nodo,
G: Gate

K: Ctodo
Estructura
La estructura de un SCR internamente se puede visualizar con dos transistores como muestra en
la Figura 2

Fig. 1estructura de un SCR

Est constituido por cuatro capas de silicio dopadas alternativamente con impurezas del tipo P y
del tipo N, la regin terminal P2 es el nodo (A) y la otra regin terminal N1 el ctodo (K). La
puerta (G) se sita en la zona P1.
Las situaciones o estados en los que se puede encontrar el S.C.R. vienen determinados por la
polarizacin a la que est sometido y, como su nombre indica (controlado), mediante una seal
exterior se le puede cambiar de uno a otro.
Curva caracterstica:
Las caractersticas de un SCR se dan en la ilustracin para varios valores de la corriente en la
compuerta. Las corrientes y voltajes de inters usual se indican en la caracterstica. A
continuacin se describe brevemente cada uno.

Figura: Curva caracterstica de un SCR.

Fuente: Fairchild Semiconductor.

Voltaje de ruptura en directa, VBR(F) ste es el voltaje al cual el SCR entra a la regin de
conduccin en directa. El valor de VBR(F) es mximo cuando IG = 0 y se designa VBR(F).
Cuando se incrementa la corriente en la compuerta, VBR(F) se reduce y se designa VBR(F1),
VBR(F2), y as sucesivamente, con incrementos graduales de la corriente en la compuerta
(IG1, IG2, y as sucesivamente).
Corriente de retencin, IH ste es el valor de la corriente en el nodo por debajo del cual
el SCR cambia de la regin de conduccin en directa a la regin de bloqueo en directa. El
valor se incrementa con valores decrecientes de IG y es mximo con IG = 0.
Corriente en directa promedio, IF(prom) sta es la corriente mxima en forma continua en
el nodo (cd) que el dispositivo puede soportar en el estado de conduccin en condiciones
especficas.
Regin de conduccin en directa Esta regin corresponde a la condicin encendido del
SCR en la que la corriente fluye del nodo al ctodo gracias a la muy baja resistencia
(corto aproximado) del SCR.
Regiones de bloqueo en directa y en inversa Estas regiones corresponden a la condicin
apagado del SCR en la que la corriente que fluye del nodo al ctodo es bloqueada por el
circuito abierto efectivo del SCR.

 Voltaje de ruptura en inversa, VBR(R) Este parmetro especifica el valor de voltaje en

inversa del ctodo al nodo al cual el dispositivo irrumpe en la regin de avalancha y
comienza a conducir en exceso (igual que en un diodo de unin pn). [10]
Aplicaciones

Controles de relevador.
Circuitos de retardo de tiempo.
Fuentes de alimentacin reguladas.
Interruptores estticos.
Controles de motores.
Recortadores.
Inversores.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.

TRIAC
Triodo para Corriente Alterna
Definicin:
Definicin por Juan de Dios Snchez: El TRIAC es un dispositivo de tres terminales, el cual es
llevado a conduccin (disparado) cuando una seal de baja energa es aplicada a la compuerta. El
TRIAC funciona como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) conectados en paralelo
inverso. Este posee varias ventajas sobre los interruptores mecnicos, ya que no producen arcos
al abrirse o cerrarse. Adems, su conmutacin es ms veloz, por lo que produce un control ms
rpido [11]
Simbologa

Figura: Grafo de un TRIAC

Fuente: ELECTRONICA LICEO POLITECNICO I.B.F. LINARES.
Estructura
La estructura bsica del TRIAC se muestra en la siguiente figura. La estructura muestra que el
TRIAC es un dispositivo de cinco capas donde la regin comprendida entre MT1 y MT2 forman
un tiristor P-N-P-N (SCR) en paralelo con un tiristor N-P-N-P /un SCR complementario). La
regin entre MT1 forma dos diodos complementarios. Una seal de compuerta positiva o
negativa causara la misma accin de transistor que encontramos en el SCR. Esta accin produce
la ruptura de la unin que se encuentra en estado de bloqueo. La corriente fluye entre las
terminales principales, lo que proporciona una corriente interna a la compuerta. El dispositivo
permanecer en conduccin hasta que la corriente sea interrumpida. [11]

Figura: estructura interna de un TRIAC.

Fuente: Automatizacin y Electrnica
Curva caracterstica

Figura: Curva caracterstica de un TRIAC.

Fuente: Fairchild Semiconductor.
Reverse Breakdown voltage: voltaje pico inverso
Forward Breakdown voltage: voltaje pico positivo
Negative resistance characteristics: caractersticas de resistencia negativa
Aplicaciones

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas ventajas sobre

los interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como switch electrnico y tambin a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores de luz,

controles de velocidad para motores elctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con cargas
inductivas como motores elctricos, se deben tomar las precauciones necesarias para
asegurarse que el TRIAC se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de
Corriente alterna. Debido a su poca estabilidad en la actualidad su uso es muy reducido.
[12]

TRANSISTORES
BJT
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR

Definicin:
En electrnica de potencia los transistores BJT se emplean como interruptores controlados por
corriente, donde segn el sentido de polarizacin de sus terminales, este trabaja en su zona de
Saturacin (interruptor abierto conduccin) o en la zona de Corte (interruptor cerrado bloqueo).
Simbologa:
SMBOLO

TERMINALES

Emisor: Regin altamente dopada, se comporta como un metal. Funciona como emisor de los
portadores de carga. Cuanto ms dopaje tenga el emisor, ms cantidad de portadores podr
aportara a la corriente.
Base: Regin central, estrecha y poco dopada, que se encarga de controlar el paso de los
portadores, separa el emisor del colector.
Colector: Regin unida a la base, de extensin ms amplia. Cuyo objeto es captar los portadores
inyectados en dicha regin desde el emisor.

Estructura:

El transistor bipolar est formado por tres capas de material semiconductor dopado y colocadas
alternativamente en secuencia n-p-n o p-n-p. La letra intermedia siempre corresponde a la
caracterstica de la base, y las otras dos al emisor y al colector.

El emisor fuertemente dopado (n+).

Base estrecha y menos dopada (p).

Colector es el de mayor tamao (para poder disipar el calor que generan los portadores al
perder energa por pasar de la base al colector) y dopado "moderadamente" o poco
dopado (n o n).[13]

Materiales Utilizados:

Zona N: Con elementos donantes de electrones (cargas negativas) Arsnico (As) o

Fsforo(P).
Zona P: Con elementos aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Indio (In), Aluminio
(Al) o Galio (Ga).

Principio de funcionamiento:
La operacin normal de un transistor npn, los electrones son atrados del emisor por el potencial
positivo de la base. Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los
portadores tenga energa cintica suficiente para atravesarla y ser atrados por el potencial
positivo del colector.
En electrnica de potencia los transistores bipolares mayoritariamente usados son los NPN,
debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin.[13]

Curva caracterstica:

Corte: no se inyecta corriente a la base del transistor. ste se comporta como un

interruptor abierto, que no permite la circulacin de corriente entre colector y emisor. Por
tanto, en sta zona de funcionamiento el transistor est desactivado.
Activa: se inyecta corriente a la base del transistor, y ste soporta una determinada
tensin entre colector y emisor. La corriente de colector es proporcional a la corriente de
base, con una constante de proporcionalidad denominada ganancia del transistor,
tpicamente representada por las siglas F o F h. Por tanto, en la regin activa, el
transistor acta como un amplificador.
Saturacin: se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la VCE y conseguir
que el transistor se comporte como un interruptor casi ideal. La tensin que soporta entre
sus terminales es muy pequea y depende del transistor. En ste caso ambas uniones
estn polarizadas directamente. Se suele hablar de la tensin colector-emisor en
saturacin. [14]

Aplicaciones:

Conmutacin, actuando de interruptores (control de rels, fuentes de alimentacin

conmutadas, control de lmparas, modulacin por anchura de impulsos PWM).
Amplificacin de todo tipo (radio, televisin, instrumentacin).
Generacin de seal (osciladores, generadores de ondas, emisin de radiofrecuencia).
Son empleados en conversores estticos de potencia, controles para motores y llaves de
alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso est basado en la
amplificacin de corriente dentro de un circuito cerrado.

MOSFET
Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor
Transistor de efecto de campo metal-xidosemiconductor
Definicin:
Es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequea corriente de entrada.
Transistores controlados por tensin. Ello se debe al aislamiento (oxido de silicio) de la puerta
respecto al resto de dispositivos. Son de tipo acumulacin [15]
Mosfet o transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor conduce corriente elctrica
entre dos patillas denominadas drenador y surtidor, cuando aplicamos tensin una tercera patilla
llamada gate, es decir es un interruptor que se activa por tensin. De otra forma, es un transistor
(conduce o no conduce la corriente) en el que se utiliza un campo elctrico para controlar su
conduccin y que su dielctrico es un metal de xido.
Smbolo:
Tipo empobrecimiento
Canal n

Fig.1: Smbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal n

Canal p

Fig.2: Smbolos del MOSFET tipo empobrecimiento canal p

Tipo enriquecimiento
Canal n

Fig.3: Smbolos del MOSFET tipo enriquecimiento canal n

Canal p

Fig.4: Smbolos del MOSFET tipo enriquecimiento canal p

Estructura:
La estructura MOS est compuesta de dos terminales y tres capas: Un Substrato de silicio,
puro, sobre el cual se genera una capa de Oxido de Silicio (SiO2) que, posee caractersticas
dielctricas o aislantes, lo que presenta una alta impedancia de entrada, sobre esta capa, se

coloca una capa de Metal (Aluminio o polisilicio), que posee caractersticas conductoras. En la
parte inferior se coloca un contacto hmico, en contacto con la capsula

Fig.5: Estructura MOS

La estructura MOS, acta como un condensador de placas paralelas en el que G y B son las
placas y el xido, el aislante. De este modo, cuando VGB=0, la carga acumulada es cero y la
distribucin de portadores es aleatoria y se corresponde al estado de equilibrio en el
semiconductor.
Cuando VGB>0, aparece un campo elctrico entre los terminales de Puerta y substrato. La
regin semiconductora p responde creando una regin de empobrecimiento de cargas
libres p+ (zona de deplexin), al igual que ocurriera en la regin P de una unin PN cuando
estaba polarizada negativamente. Esta regin de iones negativos, se incrementa con VGB.
Al llegar a la regin de VGB, los iones presentes en la zona semiconductora de
empobrecimiento, no pueden compensar el campo elctrico y se provoca la acumulacin de
cargas negativas libres (e) atrados por el terminal positivo. Se dice entonces que la estructura
ha pasado de estar en inversin dbil a inversin fuerte.

Estructura fsica.

Fig.6: Estructura Fsica de Dispositivo Semiconductor MOSFET

Terminales

G (Compuerta)
D (Drenaje)
S (Surtidor o fuente)

Curva caracterstica

Fig.7: Curva Caracterstica Dispositivo Semiconductor MOSFET

Corte.- La tension entre la puerta y la fuente es mas pequea que una determinada tension
umbral (VGS < VT). con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor abierto, debido a
que no hay conduccin entre Drenador y Surtidor
hmica.- si la tensin entre la puerta y la fuente (o surtidor) es suficientemente grande y la
tensin entre el drenador y la fuente es pequea, el transistor se comprorta como un interruptor
cerrado, modelado por una resistencia denominado Ron.
Saturacion.- si el transistor esta cerrado pero soporta una tensin drenador-surtidor elevada, ste
se comporta como fuente de corriente constante, controlada por la tensin entre la puerta y el
surtidor.
Tipo empobrecimiento
Canal n

Fig.6: Curva caracterstica del MOSFET tipo empobrecimiento canal n

Canal p

Fig.7: Curva caracterstica del MOSFET tipo empobrecimiento canal p

Tipo enriquecimiento
Canal n

Fig 8: Curva caracterstica del MOSFET tipo enriquecimiento canal n

Canal p

Fig.9: Curva caracterstica del MOSFET tipo enriquecimiento canal p

Aplicaciones

La forma mas abitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipos CMOS.

Las aplicaciones de MOSFET discretos ms comunes son:
Resistencia controlada por tensin.
Circuitos de conmutacin de potencia (HEXFET, FREDFET,).
Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

BIBLIOGRAFIA
[1]Carlos Snchez Daz (2002), FUNDAMENTOS BSICOS DE LA ELECTRNICA DE
POTENCIA, primera edicin, editorial universidad de valencia. Pginas 94-96
[2]Rashid, M. H., Gonzlez, M. H. R. V., & Fernndez, P. A. S. (2004). ELECTRNICA DE
POTENCIA: CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES. Pearson Educacin. Pginas
30-35
[3]Garca, S. M., & Gil, J. A. G. (2006). ELECTRNICA DE
[4]
Ecured.cu,
mircoles
octubre
https://www.ecured.cu/Diodo_rectificador.

2016.

[En

lnea].

Available:

[5] E. Alatorre, Diseo digital: principios y prcticas, Pearson Educacin, 2001.

[6] U. p. s. d. Albacete, UPSA, UPSA, [En lnea]. Available: http://www.infoab.uclm.es/labelec/Solar/Componentes/Diodo_I/aplicacionesdiodorec.htm.
[7] Electronicavm, Wordpress.com, [En lnea]. Available:
https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/05/diacs-y-triacs.pdf. [ltimo acceso: 25
Octubre 2016].
[8] Marino. [En lnea]. Available: http://unicrom.com/diac-diodo-disparo-bidireccional/.
[9] A. P. Malvino, Tiristores, de Principios de Electrnica, Madrid, McGraw-Hill, 1999, p.
535.
[10] M. H. G. M. H. R. V. &. F. P. A. S. Rashid, ELECTRNICA DE POTENCIA:
CIRCUITOS, DISPOSITIVOS Y APLICACIONES., Espaa: Pearson Educacin, 2004.
[11] J. d. D. S. Lpez, Dispositivos electrnicos de potencia, Baja California: Toms Di Bella,
2002.
[12] O. Jimenez, 19 Agosto 2009. [En lnea]. Available: http://triac.blogia.com/. [ltimo acceso:
27 Octubre 2016].
[13] J. M. Albella, ICMM, [En lnea]. Available:
http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/6%20Transistores
%20bipolares.pdf. [ltimo acceso: 26 10 2016].
[14] U. y. R. Mohan, Power Electronics: Converters, Applications and Design, Nueva York:
Republic, 2000.
[15] Muhammad H. Rashid, traduccin Ing. Gabriel Snchez 2da. Edicin. ELECTRONICA DE
POTENCIA: CIRCUITOS DISPOSITIVOS Y APLICACIONES.